專利名稱：具有內(nèi)部散熱結(jié)構(gòu)的ic封裝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及ic封裝，特別涉及具有內(nèi)部散熱結(jié)構(gòu)的IC封裝。
背景技術(shù)：
IC封裝的主要挑戰(zhàn)之一是散熱。在局限模塊里隨著組件數(shù)目和電路密 度的增加，在整個(gè)IC封裝上有效分配熱的策略對(duì)避免由于過熱導(dǎo)致設(shè)備過
早崩潰極其關(guān)鍵。本發(fā)明披露了一種可行且能夠即刻付諸實(shí)施的技術(shù)以增
強(qiáng)在整個(gè)ic封裝上的有效散熱。
圖1顯示一個(gè)傳統(tǒng)的BGA封裝10 (球柵陣列封裝)。傳統(tǒng)的BGA封裝 10包括一個(gè)基板2、多個(gè)穿過基板2的傳導(dǎo)過孔、多個(gè)外部連接接線端如 焊接球、 一個(gè)在基板2上表面上的上導(dǎo)電層12、 一個(gè)在基板2下表面上的 下導(dǎo)電層14、 一個(gè)在上導(dǎo)電層12上的芯片安裝膠粘層(導(dǎo)電或不導(dǎo)電)4， 和一個(gè)貼附在芯片安裝膠粘層4上的半導(dǎo)體芯片6?；?包括一個(gè)絕緣 層3、 一個(gè)電源層8、和一個(gè)接地層ll。半導(dǎo)體芯片6通過焊接線16而電 連接到上導(dǎo)電層12。
傳導(dǎo)過孔包括多個(gè)散熱過孔18、電源過孔20、和穿透基板2的信號(hào) 過孔22。焊接球包括多個(gè)散熱球24、電源球26、和信號(hào)球28。
散熱球24通過散熱過孔18連接到接地層11。散熱過孔18沒有連接 到電源層8。結(jié)果，在封裝10里僅有接地層11是用于散熱的部分直接路 徑。在封裝10里，電源層8不是散熱路徑。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種IC封裝。 一方面，IC封裝包括一個(gè)基板和多個(gè)穿 過基板的散熱過孔、電源過孔和信號(hào)過孔。基板包括一個(gè)電源層、 一個(gè)接 地層、和一個(gè)位于電源層和接地層之間的絕緣層。電源層包括一個(gè)電源區(qū) 和一個(gè)非電源區(qū)，它們被相互隔開。散熱過孔連接到電源層的非電源區(qū)和接地層。電源過孔連接到電源層的電源區(qū)，但與電源層的非電源區(qū)和接地 層隔離。信號(hào)過孔與電源層和接地層隔離。
接地層可以包括多個(gè)過孔隔離區(qū)。電源過孔和信號(hào)過孔經(jīng)過過孔隔離 區(qū)，而沒有連接到接地層。過孔隔離區(qū)可以是在接地層里形成的孔洞。
電源層可以包括多個(gè)過孔隔離區(qū)。信號(hào)過孔經(jīng)過過孔隔離區(qū)，而沒有 連接到電源層。過孔隔離區(qū)可以是在電源層里形成的孔洞。
另一方面，IC封裝包括一個(gè)基板和多個(gè)穿過基板的散熱過孔?；灏?括一個(gè)電源層、 一個(gè)接地層、和一個(gè)位于電源層和接地層之間的絕緣層。 電源層包括一個(gè)電源區(qū)和一個(gè)非電源區(qū)，它們被相互隔開。散熱過孔連接 到電源板的非電源區(qū)和接地層。
IC封裝還可以包括多個(gè)穿過基板的電源過孔。電源過孔連接到電源層 的電源區(qū)，但與電源層的非電源區(qū)和接地層隔離。接地層可以包括多個(gè)過 孔隔離區(qū)。電源層經(jīng)過過孔隔離區(qū)，而沒有連接到接地層。過孔隔離區(qū)可 以是在接地層里形成的孔洞。
IC封裝還可以包括多個(gè)穿過基板的信號(hào)過孔。信號(hào)過孔與電源層和接 地層隔離。接地層可以包括多個(gè)過孔隔離區(qū)。信號(hào)過孔經(jīng)過過孔隔離區(qū)， 而沒有連接到接地層。過孔隔離區(qū)可以是在接地層里形成的孔洞。電源層 可以包括多個(gè)過孔隔離區(qū)。信號(hào)過孔經(jīng)過過孔隔離區(qū)，而沒有連接到電源 層。過孔隔離區(qū)可以是在電源層里形成的孔洞。


圖1顯示一個(gè)傳統(tǒng)的BGA封裝；
圖2顯示具有內(nèi)部散熱結(jié)構(gòu)的BGA封裝的一個(gè)實(shí)施例。 圖3是圖2 BGA封裝的電源層的俯視圖。
圖4是圖2. BGA封裝的接地層的俯視圖。圖5顯示具有內(nèi)部散熱結(jié)構(gòu)的BGA封裝的另一個(gè)實(shí)施例。
圖6顯示一個(gè)具有內(nèi)部散熱結(jié)構(gòu)的SiP的實(shí)施例。
具體實(shí)施例詳述
現(xiàn)參照?qǐng)D2，描述了一個(gè)BGA封裝100的實(shí)施例。BGA封裝100包括一 個(gè)基板102、多個(gè)穿過基板102的過孔、多個(gè)外部連接接線端如焊接球、 一個(gè)在基板102上表面的上傳導(dǎo)層112、 一個(gè)在基板102下表面的下傳導(dǎo) 層114、 一個(gè)在上傳導(dǎo)層112上的芯片安裝膠粘層(導(dǎo)電或不導(dǎo)電)104、 和一個(gè)貼附在芯片安裝膠粘層104上的半導(dǎo)體芯片106。基板102包括一 個(gè)絕緣層103、 一個(gè)電源層108、和一個(gè)接地層110。半導(dǎo)體芯片106通過 焊接線116而電連接到上傳導(dǎo)層112。
在上導(dǎo)電層112的頂面上有一個(gè)上阻焊層134，在下傳導(dǎo)層114的底 面上有一個(gè)下阻焊層136。上阻焊層134包括多個(gè)開口，露出上傳導(dǎo)層112 的區(qū)域以便給芯片106被有線焊接。下阻焊層136包括多個(gè)開口，由此焊 接球能夠被貼附到下傳導(dǎo)層114。
絕緣層103是由絕緣材料如玻璃纖維環(huán)氧樹脂或BT環(huán)氧樹脂制成。過 孔包括多個(gè)穿透基板102的散熱過孔118、電源過孔120、和信號(hào)過孔122， 這些將在以下被詳細(xì)描述。焊接球包括多個(gè)散熱球124、電源球126、和信 號(hào)球128。
電源層108和接地層110位于基板102內(nèi)。在所述實(shí)施例里，電源層 108和接地層110位于上傳導(dǎo)層112定義的那一層和下傳導(dǎo)層114定義的 另一層之間。電源層108是由具有良好導(dǎo)電性的金屬(如銅)制成。電源 層108包括一個(gè)電源區(qū)130和一個(gè)非電源區(qū)132。電源區(qū)130和非電源區(qū) 132是相互隔開的，如圖3所示。電流僅經(jīng)過電源區(qū)130以提供電能給芯 片106，但不經(jīng)過非電源區(qū)132。接地層110通常平行于電源層108，它是 由一個(gè)或多個(gè)具有良好導(dǎo)電性的金屬(如銅)制成，用于電流排放。散熱過孔118提供路徑用于散發(fā)在BGA封裝110內(nèi)產(chǎn)生的熱。散熱過 孔118通過在下傳導(dǎo)層114上的散熱球焊盤而連接到散熱球124。散熱過 孔118同時(shí)連接到電源層108的非電源區(qū)132和接地層110，而形成一個(gè) 內(nèi)部散熱結(jié)構(gòu)。內(nèi)部散熱結(jié)構(gòu)將中央?yún)^(qū)內(nèi)的半導(dǎo)體芯片106產(chǎn)生的熱散發(fā) 到整個(gè)封裝100。從而，增強(qiáng)了封裝100的熱性能。在所述實(shí)施例里，散 熱過孔118也連接到上傳導(dǎo)層112。
散熱過孔118的內(nèi)壁可以鍍有良好熱傳導(dǎo)性的金屬?；蛘撸瑸榱颂岣?散熱能力(熱傳導(dǎo))，散熱過孔118可以充滿具有良好熱傳導(dǎo)性的金屬。散 熱過孔118的數(shù)目是可變的，取決于BGA封裝的類型。
電源過孔120提供電流路徑供以電力給芯片106。電源過孔120通過 在下傳導(dǎo)層114上的電源球焊盤而連接到電源球126。電源過孔120沒有 連接到接地層110，而是連接到電源層108的電源區(qū)130。如圖4所示，在 接地層110上可以生成多個(gè)過孔隔離區(qū)140，從而電源過孔120與接地層 110隔離。在所述實(shí)施例里，過孔隔離區(qū)140是在接地層110里形成的孔 洞，電源過孔120從中經(jīng)過。過孔隔離區(qū)140的尺寸稍微比電源過孔120 的尺寸大。
電源過孔120的內(nèi)壁可以鍍有良好導(dǎo)電性的金屬，如銅?；蛘?，電源 過孔120可以充滿具有良好導(dǎo)電性的金屬。
信號(hào)過孔122提供信號(hào)路徑給芯片106進(jìn)行通信。信號(hào)過孔122通過 在上傳導(dǎo)層112上的焊接線116和焊盤而連接到芯片106。信號(hào)過孔122 通過在下傳導(dǎo)層114上的信號(hào)球焊盤也連接到信號(hào)球128。信號(hào)過孔122 既沒有連接到接地層110，也沒有連接到電源層108。如圖3和4所示，在 電源層109和接地層110上可以分別生成多個(gè)過孔隔離區(qū)142和144，從 而信號(hào)過孔122與電源層108和接地層110隔離。在所述實(shí)施例里，過孔 隔離區(qū)142和144是在電源層108和接地層110上形成的孔洞，信號(hào)過孔 122從中經(jīng)過。過孔隔離區(qū)142和144的尺寸稍微比信號(hào)過孔122的尺寸 大。信號(hào)過孔122的內(nèi)壁可以鍍有良好導(dǎo)電性的金屬，如銅?；蛘撸盘?hào) 過孔122可以充滿具有良好導(dǎo)電性的金屬。
現(xiàn)參照?qǐng)D5，描述了 BGA封裝200的'另一個(gè)實(shí)施例。BGA封裝200包括 一個(gè)基板202、多個(gè)穿過基板202的傳導(dǎo)過孔、多個(gè)外部連接接線端如焊 接球、 一個(gè)在基板202上表面上的上傳導(dǎo)層212、 一個(gè)在基板202下表面 上的下傳導(dǎo)層214?；?02包括一個(gè)絕緣層203、 一個(gè)電源層208、和一 個(gè)接地層210。
在所述實(shí)施例里，在基板202的屮央位置生成一個(gè)孔洞207，從而露 出一部分的接地層210。在接地層210的露出部分，而不是在上傳導(dǎo)層212， 直接形成一個(gè)芯片安裝膠粘層(導(dǎo)電或不導(dǎo)電)204，如圖2所示。半導(dǎo)體 芯片206安裝在芯片安裝膠粘層204上，并通過焊接線216電連接到上傳 導(dǎo)層212和接地層210。從而，與圖2里的封裝IOO相比，封裝200的結(jié) 構(gòu)被簡化。
在上傳導(dǎo)層212的頂面上有一個(gè)上阻焊層234，在下傳導(dǎo)層214的底 面上有一個(gè)下阻焊層236。上阻焊層234包括多個(gè)開口，露出上傳導(dǎo)層212 的區(qū)域以便芯片206有線焊接。下阻焊層236包括多個(gè)開口，由此焊接球 可以貼附到下傳導(dǎo)層214。
絕緣203是由絕緣材料如玻璃纖維環(huán)氧樹脂或BT環(huán)氧樹脂制成。傳導(dǎo) 過孔包括多個(gè)穿過基板202的散熱過孔218、電源過孔220、和信號(hào)過孔 222，這些將在以下被詳細(xì)描述。焊接球包括多個(gè)散熱球224、電源球226、 和信號(hào)球228。
電源層208和接地層210位于基板202內(nèi)。在所述實(shí)施例里，電源層 208和接地層210位于上傳導(dǎo)層212定義的那一層和下傳導(dǎo)層214定義的 另一層之間。電源層208是由良好傳導(dǎo)性(如銅)的金屬制成。電源層208 包括一個(gè)電源區(qū)230和一個(gè)非電源區(qū)232。電源區(qū)230和非電源區(qū)232是 相互隔離的。電流僅經(jīng)過電源區(qū)230而提供電能給芯片206，而不經(jīng)過非 電源區(qū)232。接地層210通常平行于電源層208，并由一個(gè)或多個(gè)具有良好傳導(dǎo)性的金屬制成，用于電流排放。電源層和接地層的詳細(xì)結(jié)構(gòu)可以參照
圖3和圖4，其中參考編號(hào)108和110分別代表在封裝200里的電源層208 和接地層210。
散熱過孔218提供路徑用來散發(fā)在BGA封裝200內(nèi)產(chǎn)生的熱。散熱過 孔218通過下傳導(dǎo)層214上的散熱球焊盤而連接到散熱球224。散熱過孔 218同時(shí)連接到電源層208的非電源區(qū)232和接地層210，而形成一個(gè)內(nèi)部 散熱結(jié)構(gòu)。內(nèi)部散熱結(jié)構(gòu)將中央?yún)^(qū)內(nèi)的半導(dǎo)體芯片206產(chǎn)生的熱散發(fā)到整 個(gè)封裝200。從而，增強(qiáng)了封裝200的熱性能。在所述實(shí)施例里，由于芯 片206貼附到接地層210，與圖2的實(shí)施例相比，縮短了散熱路徑。從而， 在所述實(shí)施例里能夠有效地散發(fā)由芯片206產(chǎn)生的熱。
散熱過孔218的內(nèi)壁可以鍍有良好熱傳導(dǎo)性的金屬?；蛘?，為了提高 散熱能力(熱傳導(dǎo))，散熱過孔218可以充滿具有良好熱傳導(dǎo)性的金屬。散 熱過孔218的數(shù)目是可變的，取決于BGA封裝的類型。
電源過孔220提供電流路徑供以電力給芯片206。電源過孔220通過 下傳導(dǎo)層214上的電源球焊盤而連接到電源球226。電源過孔220沒有連 接到接地層210，而是連接到電源層208的電源區(qū)230。在接地層210上可 以生成多個(gè)過孔隔離區(qū)，從而電源過孔220與接地層210隔離。在所述實(shí) 施例里，過孔隔離區(qū)是在接地層210上形成的孔洞，電源過孔220從中經(jīng) 過。過孔隔離區(qū)的尺寸稍微比電源過孔220的尺寸大。
電源過孔220的內(nèi)壁可以鍍有良好導(dǎo)電性的金屬，如銅?；蛘?，電源 過孔220可以充滿具有良好導(dǎo)電性的金屬。
信號(hào)過孔222提供信號(hào)路徑給芯片206進(jìn)行通信。信號(hào)過孔222通過 上傳導(dǎo)層212上的焊接線216和焊盤連接到芯片206。信號(hào)過孔222通過 下傳導(dǎo)層214上的信號(hào)球焊盤也連接到信號(hào)球228。信號(hào)過孔222既沒有 連接到接地層210，也沒有連接到電源層208。如圖3和4所示，在電源層 208和接地層210上可以分別生成多個(gè)過孔隔離區(qū)，從而信號(hào)過孔222與 電源層208和接地層210隔開。在所述實(shí)施例里，過孔隔離區(qū)是在電源層208和接地層210上形成的孔洞，信號(hào)過孔222從中經(jīng)過。過孔隔離區(qū)的 尺寸稍微比信號(hào)過孔222的尺寸大。
信號(hào)過孔222的內(nèi)壁可以鍍有良好導(dǎo)電性的金屬，如銅。或者，信號(hào) 過孔222可以充滿具有良好導(dǎo)電性的金屬。
現(xiàn)參照?qǐng)D6，描述了一個(gè)系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP) 300的實(shí)施例。SiP 300 包括一個(gè)基板302、多個(gè)穿過基板302的傳導(dǎo)過孔、多個(gè)外部連接接線端 如焊接球、 一個(gè)在基板302上表面上的上傳導(dǎo)層312、 個(gè)在基板302下 表面上的下傳導(dǎo)層314、 一個(gè)在上傳導(dǎo)層312上的芯片安裝膠粘層(傳導(dǎo) 和不傳導(dǎo))304、和多個(gè)貼附在芯片安裝膠粘層3(M的疊層半導(dǎo)體芯片306。 基板302包括一個(gè)絕緣層303、 一個(gè)電源層308、和一個(gè)接地層310。疊層 芯片306通過焊接線316而電連接到上傳導(dǎo)層312。多個(gè)離散部件311被 安裝并電連接到上傳導(dǎo)層312。
在上傳導(dǎo)層312的頂面上有一個(gè)上阻焊層334，在下傳導(dǎo)層314的底 面上提供一個(gè)下阻焊層336。上阻焊層334包括多個(gè)開口，露出上傳導(dǎo)層 312的區(qū)域給疊層芯片316以便有線焊接。下租焊層336包括多個(gè)開口， 由此焊接球能夠貼附到下傳導(dǎo)層314。
絕緣層303是由絕緣材料如玻璃纖維環(huán)氧樹脂或BT環(huán)氧樹脂制成。傳 導(dǎo)過孔包括多個(gè)穿過基板302的散熱過孔318、電源過孔320、和信號(hào)過孔 322，這些將在以下被詳細(xì)描述。焊接球包括多個(gè)散熱球324、電源球326、 和信號(hào)球328。
電源層308和接地層310位于基板302內(nèi)。在所述實(shí)施例里，電源層 308和接地層310位于上傳導(dǎo)層312定義的那一層和下傳導(dǎo)層314定義的 另一層之間。電源層308是由良好傳導(dǎo)性的金屬(如銅)制成。電源層308 包括一個(gè)電源區(qū)330和一個(gè)非電源區(qū)332。電源區(qū)330和非電源區(qū)332是 相互隔開的。電流僅通過電源區(qū)330提供電能給芯片306，而不經(jīng)過非電 源區(qū)332。接地層310通常平行于電源層308,其是由一個(gè)或多個(gè)具有良好 傳導(dǎo)性的金屬(如銅)制成，用于電流排放。電源層和接地層的詳細(xì)結(jié)構(gòu)口丁以參照?qǐng)D3和圖4，其中參考編號(hào)108和110分別代表封裝300內(nèi)的電 源層308和接地層310。
散熱過孔318提供路徑用來散發(fā)在SiP 300內(nèi)產(chǎn)生的熱。散熱過孔318 通過下傳導(dǎo)層314上的散熱球焊盤而連接到散熱球324。散熱過孔318同 時(shí)連接到電源層308的非電源區(qū)332和接地層310，而形成一個(gè)內(nèi)部散熱 結(jié)構(gòu)。內(nèi)部散熱結(jié)構(gòu)將疊層芯片306產(chǎn)生的集中在中央?yún)^(qū)的熱散發(fā)到整個(gè) SiP 300封裝。從而，增強(qiáng)了 SiP 300的熱性能。在所述實(shí)施例里，散熱 過孔318也連接到上傳導(dǎo)層312。
散熱過孔318的內(nèi)壁可以鍍有良好導(dǎo)熱性的金屬?；蛘?，為了提高散 熱能力(熱傳導(dǎo))，散熱過孔318可以充滿具有良好導(dǎo)熱性的金屬。散熱過 孔318的數(shù)目是可變的，取決于SiP的類型。
電源過孔320提供電流路徑供以電力給疊層芯片306。電源過孔320 通過下傳導(dǎo)層314上的電源球焊盤而連接到電源球326。電源過孔320沒 有連接到接地層310，而是連接到電源層308的電源區(qū)330?？梢栽诮拥貙?上生成多個(gè)過孔隔離區(qū)，從而電源過孔320與接地層310隔開。在所述實(shí) 施例里，過孔隔離區(qū)是在接地層310上形成的孔洞，電源過孔320從中經(jīng) 過。過孔隔離區(qū)的尺寸稍微比電源過孔320大。
電源過孔320的內(nèi)壁可以鍍有良好導(dǎo)電性的金屬，如銅?；蛘撸娫?過孔320可以充滿具有良好導(dǎo)電性的金屬。
信號(hào)過孔322提供信號(hào)路徑給疊層芯片306進(jìn)行通信。信號(hào)過孔322 通過上傳導(dǎo)層312上的焊接線316和焊盤而連接到堆棧芯片306。信號(hào)過 孔322通過下傳導(dǎo)層314上的信號(hào)球焊盤也連接到信號(hào)球328。信號(hào)過孔 322既沒有連接到接地層310，也沒有連接到電源層308。在電源層308和 接地層310里可以分別生成多個(gè)過孔隔離區(qū)，從而信號(hào)過孔322與電源層 308和接地層310隔開。在所述實(shí)施例里，過孔隔離區(qū)是在電源層308和 接地層310上形成的孔洞，信號(hào)過孔322從中經(jīng)過。過孔隔離區(qū)的尺寸稍 微比信號(hào)過孔322的尺寸大。 — i信號(hào)過孔322的內(nèi)壁可以鍍有良好導(dǎo)電性的金屬，如銅?；蛘?，信號(hào)
過孔322可以充滿良好電傳導(dǎo)性的金屬。
盡管圖2-6里顯示的實(shí)施例是BGA封裝和SiP，應(yīng)該理解，以上所述 的內(nèi)部散熱結(jié)構(gòu)可以被應(yīng)用到LGA和其它IC封裝。
以上已經(jīng)描述和指出了被應(yīng)用到優(yōu)選實(shí)施例的本發(fā)明的基本新穎特 征，應(yīng)該理解，本領(lǐng)域有經(jīng)驗(yàn)的技術(shù)人員可以在所述實(shí)施例的格式和細(xì)節(jié) 上作出各種簡化和替換以及改變，而不會(huì)偏離本發(fā)明的精神。本發(fā)明不受 制于以上所述的實(shí)施例，其僅是作為例子被描述，可以在附加權(quán)利要求定 義的保護(hù)范圍內(nèi)作出若干改變。
權(quán)利要求
1.一種IC封裝，包括一個(gè)基板，包括一個(gè)電源層、一個(gè)接地層、和一個(gè)位于電源層和接地層之間的絕緣層；電源層包括一個(gè)電源區(qū)和一個(gè)非電源區(qū)，它們被互相隔開；多個(gè)穿過基板的散熱過孔，散熱過孔連接到電源層的非電源區(qū)和接地層；多個(gè)穿過基板的電源過孔，電源過孔連接到電源層的電源區(qū)，但與電源層的非電源區(qū)和接地層隔開；和多個(gè)穿過基板的信號(hào)過孔，信號(hào)過孔與電源層和接地層隔開。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC封裝，還包括多個(gè)散熱球，其中散熱 過孔連接到散熱球。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC封裝，還包括多個(gè)電源球，其中電源 過孔連接到電源球。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC封裝，還包括多個(gè)信號(hào)球，其中信號(hào) 過孔連接到信號(hào)球。 '
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC封裝，其中 接地層包括多個(gè)過孔隔離區(qū)；和電源過孔和信號(hào)過孔經(jīng)過過孔隔離區(qū)，而沒有連接到接地層。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的IC封裝，其中過孔隔離區(qū)是在接地層里 形成的孔洞。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC封裝，其中—電源層包括多個(gè)過孔隔離區(qū)；禾n -信號(hào)過孔經(jīng)過過孔隔離區(qū)，而沒有連接到電源層。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的IC封裝，其中過孔隔離區(qū)是在電源層里 形成的孔洞。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC封裝，還包括 一個(gè)在基板上表面上的上傳導(dǎo)層；和 至少一個(gè)半導(dǎo)體芯片位于上傳導(dǎo)層上。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC封裝，還包括至少一個(gè)半導(dǎo)體芯片，其 中一部分接地層露出來，半導(dǎo)體芯片被布置在露出的接地層上。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC封裝，還包括一個(gè)在基板下表面上的下 傳導(dǎo)層。
12. —種IC封裝，包括一個(gè)基板，包括一個(gè)電源層、 一個(gè)接地層、和一個(gè)位于電源層和接 地層之間的絕緣層；電源層包括一個(gè)電源區(qū)和一個(gè)非電源區(qū)，它們被相互 隔開；禾口多個(gè)穿過基板的散熱過孔，散熱過孔連接到電源層的非電源區(qū)和接地層。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的IC封裝，還包括多個(gè)穿過基板的電源過孔， 其中電源過孔連接到電源層的電源區(qū)，但與電源層的非電源區(qū)和接地層隔 開。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的IC封裝，其中 接地層包括多個(gè)過孔隔離區(qū)；和 電源過孔經(jīng)過過孔隔離區(qū)，而沒有連接到接地層。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的IC封裝，其中過孔隔離區(qū)是在接地層里形 成的孔洞。
16. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的IC封裝，還包括多個(gè)穿過基板的信號(hào)過孔，其中信號(hào)過孔與電源層和接地層隔開。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的IC封裝，其中 接地層包括多個(gè)過孔隔離區(qū)；和信號(hào)過孔經(jīng)過過孔隔離區(qū)，而沒有連接到接地層。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的IC封裝，其中過孔隔離區(qū)是在接地層里形 成的孔洞。
19. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的IC封裝，其中 電源層包括多個(gè)過孔隔離區(qū)；和 信號(hào)過孔經(jīng)過過孔隔離區(qū)，而沒有連接到電源層。
20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的IC封裝，其中過孔隔離區(qū)是在電源層里形 成的孔洞。
全文摘要
一種IC封裝(100)，其包括一個(gè)基板(102)和多個(gè)穿過此基板的散熱過孔(118)?；?102)包括一個(gè)電源層(108)、一個(gè)接地層(110)、和一個(gè)位于電源層(108)和接地層(110)之間的絕緣層(103)。電源層(108)包括一個(gè)電源區(qū)(130)和一個(gè)非電源區(qū)(132)，它們被互相隔開。散熱過孔(118)被連接到電源層(108)的非電源區(qū)(132)和接地層(110)以增強(qiáng)IC封裝(100)的散熱性能。
文檔編號(hào)H01L23/28GK101322450SQ200780000435
公開日2008年12月10日 申請(qǐng)日期2007年6月15日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月16日
發(fā)明者仲鎮(zhèn)華, 沈文龍, 符會(huì)利 申請(qǐng)人:香港應(yīng)用科技研究院有限公司