專利名稱：半導體發(fā)光裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種半導體發(fā)光裝置(下文中，稱作"LED")。
背景技術：
參考圖4A到4C，描述含有多個LED芯片的常規(guī)LED (例如， 參見日本未審專利公開No. 2006-310613和日本未審專利公開No. 2004-274027)。圖4A是表示常規(guī)LED結構的平面圖，圖4B和4C分 別是沿圖4A中的I-I和II-II線的剖面圖。
如圖4A、 4B和4C中所示，常規(guī)LED包括處于襯底1上發(fā)出藍 光的藍色LED芯片3B、發(fā)出綠光的綠色LED芯片3G和發(fā)出紅光的 紅色LED芯片3R。襯底1含有用于每個LED芯片3的第一端子la 和第二端子lb。每個LED芯片3處于第一端子la上。每個LED芯 片3含有兩個電極，且第一導線5a將兩個電極中的一個電極電氣連接 到第一端子la，第二導線5b將兩個電極中的另一個電極電氣連接到 第二端子lb。 LED芯片3B、 3G和3R用透明樹脂密封層7密封。當 在第一端子la和第二端子lb之間施加電壓時，LED芯片3B、 3G和 3R分別發(fā)出藍光、綠光和紅光。
在這種LED中，眾所周知，通過混合藍光、綠光和紅光，可以
獲得任意顏色的光，例如白光。
然而，通過混合LED芯片3B、 3G和3R發(fā)出的光L所獲得的白 光的光譜具有如圖5中所示的狹窄寬度的三個峰，并且這種白光具有 差的色彩表現(xiàn)性。
在圖6中所示的已知的技術中，為了改善色彩表現(xiàn)性，替代綠色 LED芯片3G，設置了激發(fā)LED芯片3E，其發(fā)出光(例如，藍光)以 激發(fā)熒光物質(zhì)，并且通過將含有熒光物質(zhì)的流體材料(下文中，稱作"熒光物質(zhì)材料")涂敷到激發(fā)LED芯片3E上并使這種材料固化而 形成熒光物質(zhì)層9。圖7A和7B中分別示出了使用綠色熒光物質(zhì)所獲 得的白光的光譜，以及同時使用黃色熒光物質(zhì)和綠色熒光物質(zhì)所獲得 的白光的光譜。如圖7A和7B中所示，可以看到，在任一種情況下， 通過結合使用激發(fā)LED芯片3E和熒光物質(zhì)層9，中央峰的寬度都變 寬了，并且改善了色彩表現(xiàn)性。
由于熒光物質(zhì)材料具有流動性，當將熒光物質(zhì)材料涂敷到激發(fā) LED芯片3時，如圖8中所示，熒光物質(zhì)材料可能鋪開，并且附著在 不涂覆熒光物質(zhì)材料的LED芯片3上。在這種情況下，可能出現(xiàn)如下 問題發(fā)光強度減少了，并且難于控制色溫。
本發(fā)明考慮到了上述的情況，其目的在于提供能夠防止熒光物質(zhì) 材料附著在LED芯片上的LED，所發(fā)出的光沒有被熒光物質(zhì)層改變 波長。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的LED包括第一LED芯片，其發(fā)出的光通過熒光物質(zhì) 層進行波長變換，該熒光物質(zhì)層是通過涂敷并固化熒光物質(zhì)材料形成 的；以及第二 LED芯片，其發(fā)出的光不通過熒光物質(zhì)層進行波長變換， 其中第一 LED芯片和第二 LED芯片以如下方式布置在襯底上在襯 底上，第二 LED芯片發(fā)光層的高度高于第一 LED芯片頂部表面的高 度。
根據(jù)本發(fā)明，由于第一 LED芯片和第二 LED芯片以在襯底上第 二 LED芯片發(fā)光層的高度高于第一 LED芯片頂部表面的高度的方式 布置，即使在將熒光物質(zhì)材料涂敷到第一 LED芯片時熒光物質(zhì)材料鋪 開，熒光物質(zhì)材料也不會附著在第二LED芯片上。因此，可以避免熒 光物質(zhì)材料附著在不涂敷熒光物質(zhì)材料的第二 LED芯片上。
圖1A到1C示出了本發(fā)明實施例的LED的結構，圖IA是該結 構的平面圖，圖1B和1C分別是沿圖IA中的I-I和II-II線的截面圖；圖2A到2B是與圖1B相對應的截面圖，每個表示本發(fā)明另一實 施例LED的結構；
圖3A到3E是表示本發(fā)明實施例LED的制造過程的截面圖4A到4C示出了常規(guī)LED的結構，圖4A是該結構的平面圖， 圖4B和4C分別是沿圖4A中的I-I和II-II線的截面圖5示出了從圖4A到4C中的LED發(fā)出的光的光譜的示例；
圖6A到6C示出了 LED的結構，其中從激發(fā)LED芯片發(fā)出的光 的波長通過熒光物質(zhì)層進行了變換，圖6A是該結構的平面圖，圖6B 和6C分別是沿圖6A中的I-I和II-II線的截面圖7A和7B分別示出了從圖6A到6C中的LED發(fā)出的光的光譜 的示例，圖7A示出了使用綠色熒光物質(zhì)情況下的光譜示例，圖7B示 出了同時使用綠色熒光物質(zhì)和黃色熒光物質(zhì)情況下的光譜示例；以及
圖8是與圖6B相對應的截面圖，用于說明形成具有圖6A到6C 中結構的LED的熒光物質(zhì)層時的問題。
具體實施例方式
本發(fā)明實施例的LED包括第一LED芯片，其發(fā)出的光通過熒 光物質(zhì)層進行波長變換，該熒光物質(zhì)層是通過涂敷并固化熒光物質(zhì)材 料而形成的；以及第二LED芯片，其發(fā)出的光不通過熒光物質(zhì)層進行 波長變換，其中第一 LED芯片和第二 LED芯片是以如下方式布置在 襯底上在襯底上，第二LED芯片發(fā)光層的高度高于第一LED芯片 頂部表面的高度。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，由于第一 LED芯片和第二 LED芯片以在 襯底上第二 LED芯片發(fā)光層的高度高于第一 LED芯片頂部表面的高 度的方式布置，即使在將熒光物質(zhì)材料涂敷到第一 LED芯片時熒光物 質(zhì)材料鋪開，熒光物質(zhì)材料也不會附著在第二LED芯片上。因此，可 以避免熒光物質(zhì)材料附著在不涂敷熒光物質(zhì)材料的第二 LED芯片上。
下文中，舉例說明各個實施例。
還可以在襯底上設置透明樹脂層，第一 LED芯片的部分或是全 部可以埋入透明樹脂層中，并且在透明樹脂層上可以設置熒光物質(zhì)層。當熒光物質(zhì)材料如圖8中所示鋪開時，第一 LED芯片上存在的 熒光物質(zhì)材料量就減少了。因此，第一 LED芯片上所形成的熒光物質(zhì) 層9的厚度就減小了，并且因此可能出現(xiàn)如下問題不能充分變換從 第一 LED芯片向上發(fā)出的光的波長。在本實施例中，由于第一LED 芯片的部分或是全部埋入透明樹脂層中，第一 LED芯片周圍的區(qū)域升 高了，并且大部分熒光物質(zhì)材料處于高于第一LED芯片的位置。因此， 根據(jù)本實施例，第一LED芯片上熒光物質(zhì)層的厚度變得相對較大，并 且可以更為可靠的變換從第一LED芯片所發(fā)出的光的波長。
前面所述的透明樹脂層的表面和第一 LED芯片頂部表面可以幾 乎處于同一平面上。在這種情況下，所有熒光物質(zhì)材料都處于高于第 一LED芯片的位置，并且第一LED芯片上熒光物質(zhì)層的厚度趨于變 大。當透明樹脂層的厚度不必要地太大時，可能出現(xiàn)如下問題第二 LED芯片必須處于非常高的位置，但是在本實施例中，不會發(fā)生這種 問題。
第二 LED芯片可以處于襯底上，在第二 LED芯片和襯底之間插 入有堤狀突起(bank-raising)部分。當使用堤狀突起部分時，易于使 第二 LED芯片發(fā)光層的高度高于第一 LED芯片頂部表面的高度。
在第二LED芯片中，處于第二LED芯片發(fā)光層下面的第二LED 芯片部分的高度，可以高于第一LED芯片的高度。在這種情況下，有 可能不使用堤狀突起部分，而使第二 LED芯片發(fā)光層的高度高于第一 LED芯片頂部表面的高度。
第二LED芯片的數(shù)量可以是多個，并且可以為每個第二LED芯 片設置前面所述的堤狀突起部分。當多個第二 LED芯片處于單一的堤 狀突起部分上時，堤狀突起部分的尺寸可能變大，但是根據(jù)本實施例， 堤狀突起部分的尺寸可以減小到所需的最小值。
根據(jù)本發(fā)明，提供了制造LED的方法，包括如下步驟在襯底 上放置第一 LED芯片和第二 LED芯片，將熒光物質(zhì)材料涂敷到第一 LED芯片上，并使其固化以形成熒光物質(zhì)層，其中第一 LED芯片和 第二LED芯片以如下方式布置在襯底上，第二LED芯片發(fā)光層的 高度高于第一 LED芯片頂部表面的高度。根據(jù)這種方法，由于第一 LED芯片和第二 LED芯片以在襯底上 第二 LED芯片發(fā)光層的高度高于第一 LED芯片頂部表面的高度的方 式布置，即使在將熒光物質(zhì)材料涂敷到第一 LED芯片時熒光物質(zhì)材料 鋪開，熒光物質(zhì)材料也不會附著在第二LED芯片上。因此，可以避免 熒光物質(zhì)材料附著在第二 LED芯片上。
制造本發(fā)明的LED的方法還可以包括如下步驟在前面所述的 襯底上形成透明樹脂層，從而可以在涂敷前述的材料之前，將第一 LED芯片的部分或全部埋入透明樹脂層中。如上所述，第一LED芯 片上熒光材料層的厚度變大了 ，可以更為可靠的變換從第一 LED芯片 所發(fā)出的光的波長。
前面所述的透明樹脂層可以以如下方式形成透明樹脂層的表面 和第一LED芯片的頂部表面幾乎處于同一平面上。在這種情況下，所 有熒光物質(zhì)材料都處于高于第一 LED芯片的位置，并且第一 LED芯 片上熒光物質(zhì)層的厚度趨于變大。
可以通過在前面所述的襯底上形成堤狀突起部分，并將第二LED 芯片放置在前面所述的堤狀突起部分上，來實現(xiàn)第二 LED芯片的放 置。在這種情況下，易于使第二 LED芯片發(fā)光層的高度高于第一 LED 芯片頂部表面的高度。
在第二LED芯片中，處于第二LED芯片發(fā)光層下面的第二LED 芯片部分的高度，可以高于第一LED芯片的高度。在這種情況下，有 可能不使用堤狀突起部分，而使第二 LED芯片發(fā)光層的高度高于第一 LED芯片頂部表面的高度。
第二LED芯片的數(shù)量可以是多個，并且可以為每個第二LED芯 片設置前面所述的堤狀突起部分。當多個第二 LED芯片處于單一的堤 狀突起部分上時，堤狀突起部分的尺寸可能變大，但是根據(jù)本實施例， 堤狀突起部分的尺寸可以減小到所需的最小值。
上面所示的各個實施例可以彼此組合。
下文中，通過附圖描述本發(fā)明的實施例。如下附圖和描述中所示 的內(nèi)容僅是示例，本發(fā)明的范圍并不限于如下附圖和描述中所示的內(nèi) 容。在后面的實施例中，作為示例，描述第一 LED芯片是激發(fā)LED芯片3E且第二芯片是藍色LED芯片3B和紅色LED芯片3R的情況。 對于第二 LED芯片的數(shù)量是1個或3個或更多的情況，或者對于第二 LED芯片是發(fā)出藍色或紅色以外的顏色(波長)的光的LED芯片的 情況，后面的描述仍是正確的。1. LED的結構參考圖1A到1C，描述本發(fā)明實施例中LED的結構。圖1A是表 示本實施例LED結構的平面圖，圖IB和1C分別是沿圖1A中的I-I和n-n線的截面圖。如圖1A、 IB和1C中所示，本實施例的LED包括處于襯底1上 的發(fā)出藍光L的藍色LED芯片3B、為激發(fā)熒光物質(zhì)而發(fā)出光L的激 發(fā)LED芯片3E和發(fā)出紅光L的紅色LED芯片3R。藍色LED芯片 3B和紅色LED芯片3R布置在襯底1上，在每個LED芯片和襯底1 之間插入有為每個LED芯片提供的每個堤狀突起部分11。激發(fā)LED 芯片3E、藍色LED芯片3B和紅色LED芯片3R以如下形式布置 在襯底1上，藍色LED芯片3B和紅色LED芯片3R的發(fā)光層的高度 高于激發(fā)LED芯片3E的頂部表面的高度。在襯底1上設置透明樹脂層13，且將激發(fā)LED芯片3E埋入透明 樹脂層13中。透明樹脂層13的表面和激發(fā)LED芯片3E的頂部表面 幾乎處于同一平面上。在透明樹脂層13上緊接激發(fā)LED芯片3E之上且在激發(fā)LED芯 片3E附近設置熒光物質(zhì)層9。因此，從激發(fā)LED芯片3E發(fā)出的光L 的波長通過熒光物質(zhì)層9進行變換。熒光物質(zhì)層9是通過將熒光物質(zhì) 材料涂敷到激發(fā)LED芯片3E，并使其固化而形成的。熒光物質(zhì)層9 沒有處于藍色LED芯片3B和紅色LED芯片3R之上，從藍色LED 芯片3B和紅色LED芯片3R發(fā)出光L的波長不會通過熒光物質(zhì)層9 進行變換。襯底1上含有用于每個LED芯片3的第一端子la和第二端子lb。 每個LED芯片3放置在相應的第一端子la上。每個LED芯片3還含 有2個電極，第一導線(例如金線)5a將兩個電極中的一個電極與第一端子la電氣連接，第二導線(例如金線)5b將兩個電極中的 另一個電極與第二端子lb電氣連接。LED芯片3B、 3G和3R使用透 明樹脂層7密封。下文中，詳細描述每個組成部分。1-1.襯底襯底1的構造沒有特定的限制。在一示例中，襯底1是引線框架， 第一端子la和第二端子lb是引線端子，但是襯底1的構造及端子la 和lb并不限于此。例如，襯底1及端子la和lb可以包括絕緣襯底(例 如環(huán)氧玻璃襯底)和在其上形成的互連圖案。1-2. LED芯片每個LED芯片3的構造，例如材料、形狀、尺寸和波長沒有特 定的限制。在圖1A到1C所示的示例中，在LED芯片3的一側(cè)有兩 個電極，但是也可以在LED芯片3的每側(cè)設置1個電極。在這種情況 下，由于LED芯片3可以在其與第一端子la的接觸表面處和第一端 子la電氣連接，因此可以省去第一導線5a。當兩個電極形成在LED 芯片3的一側(cè)時，通過在襯底1上將LED芯片3布置成兩個電極與襯 底1相對，可以省去第一導線5a和第二導線5b。此外，在這種情況 下，將連接到電極的端子或互連圖案設置成LED芯片3的兩個電極不 能短路。在一示例中，藍色LED芯片3B和激發(fā)LED芯片3E是InGaN 基(m-V族化合物半導體，其中V族元素是氮)LED芯片，其中InGaN 層是通過在絕緣藍寶石襯底上外延生長而形成的，并且紅色LED芯片 3R是InGaAIP-GaAs基LED。在該示例中，從藍色LED芯片3B和激發(fā)LED芯片3E發(fā)出的光的波長是相同的，但是在其他的示例中， 波長可以是不同的。只要可以激發(fā)熒光物質(zhì)層中包含的熒光物質(zhì)，從 激發(fā)LED芯片3E發(fā)出的光可以是任意的光(例如，紫外光)。1-3.堤狀突起部分堤狀突起部分11的構造，例如材料、形狀和尺寸沒有特定的限制。從將LED芯片3中產(chǎn)生的熱散發(fā)到襯底1的觀點看，優(yōu)選的，堤 狀突起部分11由具有高導熱性的材料制成，例如鋁這樣的金屬。形成 堤狀突起部分11的方法沒有特定的限制。堤狀突起部分11可以與襯 底l通過鑄造而一體形成，或是可以通過準備一塊形構件，并將該構 件結合到襯底l上而形成。例如，堤狀突起部分11的平面形狀與LED芯片3的平面形狀相 似，并且例如，堤狀突起部分11的尺寸略大于LED芯片3的尺寸。 在這種情況下，堤狀突起部分11的尺寸可以減少到所需的最小值。只 要在形成熒光物質(zhì)層9時可以防止熒光物質(zhì)材料附著在LED芯片3 上，堤狀突起部分11的高度沒有特定的限制。在本實施例中，為每個 LED芯片3設置一個堤狀突起部分11。當多個LED芯片3布置在單 個堤狀突起部分11上時，堤狀突起部分11的尺寸可能變大，然而， 由于為每個LED芯片3設置堤狀突起部分11，所以堤狀突起部分11 的尺寸相對變小。1-4.透明樹脂層透明樹脂層13的構造，例如材料、厚度和形成方法沒有特定的 限制。在本實施例中，透明樹脂層13的厚度幾乎等于激發(fā)LED芯片 3E的高度(即，透明樹脂層13的表面和激發(fā)LED芯片3E的頂部表 面幾乎處于同一平面上)，但是透明樹脂層13的厚度可以比激發(fā)LED 芯片3E的高度薄或厚。然而，優(yōu)選的是，透明樹脂層13表面的高度 低于堤狀突起部分11頂部表面的高度(即，透明樹脂層13厚度方向 的長度比堤狀突起部分11高度方向的長度短)。其原因在于，如果透 明樹脂層13頂部表面的高度高于堤狀突起部分11頂部表面的高度， 那么熒光物質(zhì)材料很可能附著在激發(fā)LED芯片3E以外的LED芯片3 上。圖2A示出了透明樹脂層13的厚度小于激發(fā)LED芯片3E厚度的 情況。激發(fā)LED芯片3E部分埋入透明樹脂層13中。在這種情況下， 由于激發(fā)LED芯片3E周圍的區(qū)域也升高了，并且大部分熒光物質(zhì)材料處于高于激發(fā)LED芯片3E的位置，因此，通過設置透明樹脂層13， 激發(fā)LED芯片3E上熒光物質(zhì)層9的厚度變大了。因此，可以更為可 靠的變換從激發(fā)LED芯片3E向上發(fā)出的光L的波長。圖2B示出了透明樹脂層13的厚度略大于激發(fā)LED芯片3E厚度 的情況。在這種情況下，激發(fā)LED芯片3E完全埋入透明樹脂層13 中。在該情況下，通過設置透明樹脂層13，激發(fā)LED芯片3E上熒光 物質(zhì)層9的厚度也變大了。可以通過涂敷并固化(例如，熱固化或光固化)流體透明樹脂， 形成透明樹脂層13。透明樹脂的示例包括硅樹脂和環(huán)氧樹脂。在透明 樹脂層13中，優(yōu)選的是，固化的樹脂層表面是平坦的。因此，優(yōu)選的， 對于透明樹脂層13的材料，所使用材料的粘度比透明樹脂密封層7 的材料的粘度低。1-5.熒光物質(zhì)層只要通過涂敷并固化熒光物質(zhì)材料來形成熒光物質(zhì)層9，熒光物 質(zhì)層9的構造，例如材料、厚度和形成方法沒有特定的限制。熒光物 質(zhì)層9所處的位置沒有特定的限制，只要在該位置，可以變換從激發(fā) LED芯片3E發(fā)出的光L的波長。例如，可以通過將熒光物質(zhì)材料涂 敷在激發(fā)LED芯片3E上，并固化(例如，熱固化或光固化)該材料 來形成熒光物質(zhì)層9?？梢詫晒馕镔|(zhì)材料涂敷在激發(fā)LED芯片3E 表面上，或是如圖2B中所示，當激發(fā)LED芯片3E被透明樹脂層13 覆蓋時，可以將熒光物質(zhì)材料涂敷在透明樹脂層13的表面上。例如，熒光物質(zhì)材料包括通過將熒光物質(zhì)分散在流體樹脂中形成 的物質(zhì)。例如，樹脂的種類包括硅樹脂和環(huán)氧樹脂，但是當激發(fā)光是 藍色的光或是具有較短波長的紫外光時，優(yōu)選的是硅樹脂，由于其不 易于惡化。熒光物質(zhì)的種類沒有特定的限制。熒光物質(zhì)的例子包括鈰 活化的YAG (Ce: YAG (例如，參考日本專利No. 2927279))和銪活 化的硅酸鹽基熒光物質(zhì)(Eu: BOSE (鋇鍶原硅酸鹽)，Eu:SOSE (鍶 鋇原硅酸鹽)等)。這些熒光物質(zhì)可以用藍色光激發(fā)，并且具有寬的發(fā) 射光譜，該光譜的峰在黃色周圍。1-6.透明樹脂密封層透明樹脂密封層7的構造，例如材料、厚度和形成方法沒有特定 的限制。可以通過涂敷并固化(例如，熱固化或光固化)流體透明樹 脂來形成透明樹脂密封層7。透明樹脂的示例包括硅樹脂和環(huán)氧樹脂。 透明樹脂密封層7的材料可以與透明樹脂層13的材料相同或是不同。 當透明樹脂密封層7的材料與透明樹脂層13的材料不同時，優(yōu)選的， 選擇不會在層7和13之間產(chǎn)生界面的材料。1- 7.反射體本實施例的LED可以包括反射體，以反射從每個LED芯片3發(fā) 出的光。例如，可以使用日本未審查專利公開No. 2006-310613和曰 本未審查專利公開No. 2004-274027中所示的反射體作為反射體。反 射體圍繞所有的LED芯片3，并且具有在表面上的位置遠離襯底1時 向外傾斜的錐形反射表面。2.制造LED的方法下面，參考圖3A到3E，描述上面提及的制造LED的方法。下 面所描述的制造LED的方法僅是示意性的，并且上面提及的LED也 可以通過其他的方法制造。2- 1.布置LED芯片和形成堤狀突起部分的步驟首先，將激發(fā)LED芯片3E放置在襯底1上，然后，在襯底l上 形成堤狀突起部分11，并且將藍色LED芯片3B和紅色LED芯片3R 分別放置在這些堤狀突起部分11上，從而獲得圖1A中所示的結構。 如圖1A中所示，藍色LED芯片3B和紅色LED芯片3R放置在襯底 1上，在每個LED芯片和襯底1之間插入有每個堤狀突起部分11，并 且在襯底1上，藍色LED芯片3B和紅色LED芯片3R的發(fā)光層的高 度高于激發(fā)LED芯片3E的頂部表面的高度。例如，可以通過使用Ag糊將激發(fā)LED芯片3E結合到襯底1，并且使用烤爐將Ag糊固化，來實現(xiàn)激發(fā)LED芯片3E的放置。例如， 可以通過使用Ag糊將鋁等制成的堤狀突起塊結合到襯底l，并且使用 烤爐將Ag糊固化，來形成堤狀突起部分ll。例如，可以通過使用Ag 糊將藍色LED芯片3B和紅色LED芯片3R結合到襯底1，并且使用 烤爐將Ag糊固化，來實現(xiàn)藍色LED芯片3B和紅色LED芯片3R的 放置。在完成所有的LED芯片3和堤狀突起部分11的粘接之后，Ag 糊的每次固化可以分別進行，或是同時進行。2-2.相互連接的步驟接下來，用第一導線5a將每個LED芯片3的一個電極與襯底1 的第一端子la連接，并且用第二導線5b將每個LED芯片3的另一個 電極與襯底1的第二端子lb連接，從而獲得圖3B中所示的結構。2-3.形成透明樹脂層的步驟接下來，在襯底1上形成透明樹脂層13，使得激發(fā)LED芯片3E 的部分或是全部埋入透明樹脂層中，從而獲得圖3C中所示的結構。 將透明樹脂層13形成為透明樹脂層的表面和激發(fā)LED芯片3E的頂 部表面幾乎處于同一平面。2-4.形成熒光物質(zhì)層的步驟接下來，通過將熒光物質(zhì)材料涂敷在激發(fā)LED芯片3E上，并使 其固化，來形成熒光物質(zhì)層9，從而獲得圖3D中所示的結構。2-5.形成透明樹脂密封層的步驟接下來，形成透明樹脂密封層7，其厚度可以將每個LED芯片3 和導線5a、 5b埋入其中，從而獲得圖3E中所示的結構，并且由此完 成本實施例LED的制造過程。上面實施例中所示的各種特征可以彼此組合。當一實施例中包含 多個特征時，可以從這些特征中適當?shù)倪x擇一個或多個特征，并且在 本發(fā)明中，可以單獨采用或結合采用這些特征。
權利要求
1.一種半導體發(fā)光裝置，包括第一LED芯片，其發(fā)出的光通過熒光物質(zhì)層進行波長變換，熒光物質(zhì)層是通過涂敷并固化含有熒光物質(zhì)的流體材料形成的；以及第二LED芯片，其發(fā)出的光不通過熒光物質(zhì)層進行波長變換，其中，第一LED芯片和第二LED芯片以如下方式布置在襯底上在襯底上，第二LED芯片發(fā)光層的高度高于第一LED芯片頂部表面的高度。
2. 根據(jù)權利要求l所述的裝置，還包括襯底上的透明樹脂層， 其中，第一LED芯片的部分或全部埋入透明樹脂層中，并且在透明樹 脂層上設置熒光物質(zhì)層。
3. 根據(jù)權利要求2所述的裝置，其中，透明樹脂層的表面和第 一 LED芯片的頂部表面實質(zhì)上處于同一平面上。
4. 根據(jù)權利要求1-3中任一項所述的裝置，其中，第二 LED 芯片置于襯底上，在第二 LED芯片和襯底之間插入有堤狀突起部分。
5. 根據(jù)權利要求4所述的裝置，其中，第二LED芯片是多個， 并且為每個第二 LED芯片設置堤狀突起部分。
6. —種制造半導體發(fā)光裝置的方法，包括如下步驟 將第一 LED芯片和第二 LED芯片放置在襯底上， 將含有熒光物質(zhì)的流體材料涂敷在第一 LED芯片上，并固化流體材料，以形成熒光物質(zhì)層，其中，第一LED芯片和第二LED芯片以如下方式布置在襯底 上，第二 LED芯片發(fā)光層的高度高于第一 LED芯片頂部表面的高度。
7. 根據(jù)權利要求6所述的方法，還包括如下步驟在襯底上形 成透明樹脂層，使得在涂敷熒光物質(zhì)材料前，第一LED芯片的部分或 全部埋入透明樹脂層中。
8. 根據(jù)權利要求7所述的方法，其中，透明樹脂層形成為透明 樹脂層的表面和第一 LED芯片的頂部表面實質(zhì)上處于同一平面上。
9. 根據(jù)權利要求6-8中任一項所述的方法，其中，通過在前述 襯底上形成堤狀突起部分，并將第二 LED芯片放置在堤狀突起部分 上，完成第二LED芯片的放置。
10. 根據(jù)權利要求9所述的方法，其中，第二LED芯片是多個， 并且為每個第二 LED芯片設置堤狀突起部分。
全文摘要
本發(fā)明的半導體發(fā)光裝置包括第一LED芯片，其發(fā)出的光通過熒光物質(zhì)層進行波長變換，熒光物質(zhì)層是通過涂敷并固化含有熒光物質(zhì)的流體材料形成的；以及第二LED芯片，其發(fā)出的光不通過熒光物質(zhì)層進行波長變換，其中第一LED芯片和第二LED芯片以如下方式布置在襯底上在襯底上，第二LED芯片發(fā)光層的高度高于第一LED芯片頂部表面的高度。
文檔編號H01L21/50GK101276808SQ200710199479
公開日2008年10月1日 申請日期2007年12月13日 優(yōu)先權日2007年3月29日
發(fā)明者伊藤富博, 石倉卓郎 申請人:夏普株式會社