專利名稱：半導(dǎo)體裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及封裝在芯片尺寸封裝(chip size package)中的半導(dǎo)體裝置及 其制造方法。
本申請要求日本專利申請No.2006-335688的優(yōu)先權(quán)，其內(nèi)容在此引入 作為參考。
背景技術(shù)：
隨著諸如被設(shè)計為可以實(shí)現(xiàn)多功能和高精細(xì)功能的可移動終端裝置之 類的電子裝置的近來的發(fā)展，強(qiáng)烈要求的是不僅要降低半導(dǎo)體裝置的尺寸和 尺度而且還要求半導(dǎo)體裝置可以實(shí)現(xiàn)高速的處理。封裝在晶片水平芯片尺寸 封裝(WL-CSP: Wafer Level Chip Size Package)中的半導(dǎo)體裝置在最近備 受關(guān)注。在每一種封裝在WL-CSP中的半導(dǎo)體裝置的制造中，在晶片水平下 形成再配線和電極端子，形成在晶片表面的IC(集成電路)經(jīng)歷樹脂密封(或 封裝)以便于保護(hù)集成電路不受熱、光和晶片水平(wafer level)下的物理 沖擊的影響；然后，晶片在最終步驟被分為獨(dú)立的片。由此，可以使得封裝 后的半導(dǎo)體裝置的尺度與IC芯片的尺度相匹配。這使得可以實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝 置的顯著的尺寸縮小。
每一種封裝在WL-CSP中的常規(guī)半導(dǎo)體裝置并不總是設(shè)計為只有基板 (就是從晶片分出的獨(dú)立的片)的表面被樹脂密封。例如，公開號為 No.2000-243729的日本未審查專利申請教導(dǎo)了 一種側(cè)面區(qū)域也用樹脂密封 的半導(dǎo)體裝置；以及^Hf號為No.2001-144121的日本未審查專利申請教導(dǎo) 了 一種側(cè)面區(qū)域和背面也用樹脂密封的半導(dǎo)體裝置。每一種上述技術(shù)都是設(shè) 計為通過用樹脂將諸如在切割(dicing)過程中產(chǎn)生的碎屑這樣的缺陷密封 來保護(hù)基板；因此，可以減少半導(dǎo)體裝置中的缺陷或尺寸方面的缺陷。
然而，當(dāng)上述半導(dǎo)體裝置的拐角處產(chǎn)生劇烈的沖擊時，包覆所述基板的 樹脂部分地地碎裂或部分地剝落，且所述基板部分地暴露至表面。由于這個 原因，在運(yùn)輸和將它們安裝到電子裝置的過程中，需要小心地操作。就是說，
上述技術(shù)在高速運(yùn)輸和高速安裝方面具有劣勢。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的"個目的是提供一種半導(dǎo)體裝置，可以在運(yùn)輸和安裝期間容易 地操作以及在該半導(dǎo)體裝置中包覆基板的樹脂層很難碎裂或剝落。 本發(fā)明的另 一 個目的是提供一種該半導(dǎo)體裝置的制造方法。
在本發(fā)明的第一方面中， 一種具有矩形外觀的半導(dǎo)體裝置，包括具有 用于布置集成電路的表面的基板、至少一個再配線(rewire )、形成于再配線 上的至少一個電極端子和樹脂層，其中至少一個再配線經(jīng)由至少一個平頭電 極電連接到集成電路，樹脂層完全密封包括再配線的基板，其方式是使得電 極端子暴露于外，且樹脂層具有多個斜面，斜面形成在樹脂層的背面和側(cè)面 之間的多個拐角處。
由于從樹脂層的背面傾斜的斜面(或斜坡)的形成，可以不管產(chǎn)生于半 導(dǎo)體裝置的樹脂層拐角處的沖擊，可靠地防止密封基板的背面的樹脂層碎裂 或剝落。在通過使用對沒有形成電極端子的基板背面進(jìn)行吸附保持的夾頭來 運(yùn)輸半導(dǎo)體裝置的過程中，即使當(dāng)在樹脂層的拐角與夾頭無意地撞擊時，也
可以可靠地防止樹脂層碎裂或剝落。由于從樹脂層的表面傾斜的斜面(或斜 坡)的形成，可以可靠地防止密封基板的表面的樹脂層碎裂或剝落；因此， 可靠地防止再配線和電極端子意外地暴露到外界和意外地被損壞。
另夕卜，可以相應(yīng)于上述樹脂層的斜面在基板的背面和側(cè)面之間的拐角處 形成斜面。還可以相應(yīng)于樹脂層的其它斜面在基板的表面和側(cè)面之間的拐角 處形成其它斜面。由于基板的斜面(和其它斜面)的形成，可以確保在它的 拐角處存在足夠的厚度；因此，可以通過樹脂層可靠地保護(hù)基板。
在上文中，樹脂層包括用于密封基板背面的第一樹脂層和用于密封基板 表面和側(cè)面的第二樹脂層，且其中，相對于第一樹脂層和第二樹脂層兩者形 成樹脂層的上述斜面。就是說，即使當(dāng)樹脂層的背面和側(cè)面之間的拐角處產(chǎn) 生沖擊時，也可以防止應(yīng)力集中在第 一樹脂層和第二樹脂層之間的邊界上； 因此，可以有效地防止第 一樹脂層從第二樹脂層剝離。
在本發(fā)明的第二方面中，提供了一種適用于半導(dǎo)體裝置的制造方法，所 述半導(dǎo)體裝置中設(shè)置有具有一表面的晶片，多個集成電路形成于該表面上并
經(jīng)由多個平頭電極電連接到多個再配線，且在半導(dǎo)體裝置中多個電極端子形
成于多個再配線上，然后晶片被分為多個獨(dú)立的片。此處，在形成再配線和
電極端子之前和之后，形成用于密封晶片背面的第一樹脂層；在形成再配線
和電極端子和第一樹脂層之后，朝向晶片的背面在晶片的表面上執(zhí)行初次切 割，以使得第一樹脂層被部分地切除，由此形成將多個集成電路劃分開的多
個切割槽；在切割槽形成之后形成第二樹脂層，用于密封晶片的多個切割槽 和表面；在形成第一樹脂層和第二樹脂層之后，晶片的背面經(jīng)歷切割，從而 在第一樹脂層中形成多個V形槽，其方式是多個V形槽在晶片的厚度方向 上與多個切割槽重疊；隨后，執(zhí)行第二次切割，其方式是將由于初次切割而 經(jīng)受劃分的晶片的側(cè)面密封的第二樹脂層仍然保留，以及其方式是多個V形 槽部分地保留從而形成多個斜面，所述多個斜面從密封晶片背面的第一樹脂 層的背面傾斜，由此將晶片分割為多個獨(dú)立的片。
在上文中，在形成第二樹脂層之后和第二次切割之前，通過在晶片的表 面上執(zhí)行切割而在第二樹脂層中進(jìn)一步形成多個V形槽，從而與多個切割槽 重疊，其中，形成于第二樹脂層中的多個V形槽通過第二次切割而部分地保 留，由此形成多個斜面，所述多個斜面從密封晶片表面的第二樹脂層的表面 傾斜。
如上文所述，斜面形成在對基板的背面進(jìn)行密封的第一樹脂層的拐角處 以及對基板的表面進(jìn)行表面的第二樹脂層的拐角處；因此，可以不管產(chǎn)生在 第 一樹脂層和第二樹脂層拐角處的沖擊，可靠地防止樹脂層碎裂或剝落。
此外，可以在形成第一樹脂層之前在晶片的背面中形成多個V形槽，其 方式是形成在晶片背面的V形槽沿晶片厚度方向重疊形成在第一樹脂層中 的V形槽，其中形成在晶片背面的V形槽與晶片背面一起被第一樹脂層所 密封。此處，形成在晶片背面的V形槽通過第二次切割部分地保留，從而形 成沿晶片厚度方向與第 一 樹脂層的斜面重疊的斜面。這使得可以在形成斜面 的第一樹脂層的拐角處確保足夠的樹脂層厚度；因此可以通過樹脂層可靠地 保護(hù)基板。
如上文所述，由于樹脂層拐角處斜面的形成，可以不管產(chǎn)生在拐角處的 沖擊，可靠地防止樹脂層碎裂或剝落。這使得可以在運(yùn)輸和安裝到電子裝置 的過程中可以容易地操作半導(dǎo)體裝置。由此，可以實(shí)現(xiàn)關(guān)于本發(fā)明的半導(dǎo)體 裝置的高速運(yùn)輸和高速安裝。


本發(fā)明的這些以及其它目的、方面和實(shí)施例將參考附圖進(jìn)行更詳細(xì)的描 述，其中
圖1是示出了依照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖2是用于說明半導(dǎo)體裝置制造方法的第一步的縱向截面圖，其中在晶 片的表面上形成再配線和金屬柱，在晶片的背面中形成V形槽；
圖3是用于說明半導(dǎo)體裝置制造方法的第二步的縱向截面圖，其中在晶 片的背面形成第一樹脂層；
圖4是用于說明半導(dǎo)體裝置制造方法的第三步的縱向截面圖，其中通過 初次切割在晶片中形成切割槽；
圖5是用于說明半導(dǎo)體裝置制造方法的第四步的縱向截面圖，其中在晶 片的表面上形成第二樹脂層；
圖6是用于說明半導(dǎo)體裝置制造方法的第五步的縱向截面圖，其中在第 一樹脂層的背面上形成V形槽；
圖7是用于說明半導(dǎo)體裝置制造方法的第六步的縱向截面圖，其中執(zhí)行 第二切割從而將晶片劃分為獨(dú)立的片，其每一個都對應(yīng)于半導(dǎo)體裝置；
圖8是示出了依照第一改變例的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖；和 圖9是示出了依照第二改變例的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明將參考附圖通過例子進(jìn)行更詳細(xì)的描述。
依照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，將參考圖1到7描述半導(dǎo)體裝置1及其制造 方法。半導(dǎo)體裝置1被設(shè)計為可以安裝在可移動終端裝置或其它電子裝置中。 具體地說，半導(dǎo)體裝置l被封裝在經(jīng)歷了晶片水平下的再配線和樹脂密封的 WL-CSP中。
如圖1所示，半導(dǎo)體裝置1具有矩形外觀，其中它包括具有用來在上 面布置集成電路3的表面2a的薄矩形基板2 (或來自晶片的獨(dú)立的片)、通 過平頭電極4電連接到集成電路3的再配線5、形成于再配線5上的柱狀電 極端子(或金屬柱)6以及樹脂層7，該樹脂層7完全密封包括有再配線5 的基板2,其方式是使電極端子6的上表面6a暴露至外界。半導(dǎo)體裝置1 還包括突出電極(或突出物)8，其從電極端子6的上表面6a向上突出。
基板2的側(cè)面2c (通過初次切割限定)實(shí)質(zhì)上垂直于表面2a和背面2b (定位為與表面2a相對)。在基板2的背面2b和側(cè)面2c之間的拐角處形成 從基板2的背面2b傾斜到側(cè)面2c的斜面(或斜坡)2d。
樹脂層7具有表面7a、背面7b以及側(cè)面7c,形成為基本平行于基板2 的表面2a、背面2b以及側(cè)面2c。密封基板2的表面2a的樹脂層7的厚度 以這樣的方式確定表面7a形成在與金屬柱6的上表面6a基本相同的平面 上。另外，斜面(或斜坡)7d—一其從樹脂層7的背面7b傾斜至樹脂層7 的側(cè)面7c—一形成在樹脂層7的背面7b (密封基板2的背面2b )和樹脂層 7的側(cè)面7c (密封基板2的側(cè)面2c )之間的拐角處。樹脂層7的斜面7d相 應(yīng)于基板2的斜面2d而形成，其中優(yōu)選斜面7d和斜面2d相互平行地形成。
樹脂層7包括對基板2的背面2b和斜面2d進(jìn)行密封的第一樹脂層9和 對基板2的表面2a和側(cè)面2c進(jìn)行密封的第二樹脂層10。第一樹脂層9和第 二樹脂層10通過一種制造方法相互獨(dú)立地形成，該制造方法將在下文中描 述。例如，兩者都由環(huán)氧樹脂組成。本實(shí)施例如此設(shè)計以使得斜面7d僅僅 形成在第一樹脂層9中，而不到達(dá)第二樹脂層10。
接下來，將詳細(xì)描述具有上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置1的制造方法。
首先，提供如圖2所示的具有表面2a (相應(yīng)于基板2的表面2a)和背 面2b (相應(yīng)于基板2的背面2b)的圓盤狀晶片2 (相應(yīng)于基板2),其中在 所述表面2a上形成多個集成電路3。晶片2的背面2b沿著用于分別限定了 集成電路3的劃線(scribingline)切割，由此形成V形槽ll,每一個所述V 形槽具有帶較小深度的V形截面。接下來，連接到平頭電極4的再配線5 形成于晶片2的表面2a上，然后柱狀金屬柱6形成在再配線5上。再配線5 通過蝕刻形成。
接下來，如圖3所示，形成第一樹脂層9以密封晶片2的背面2b和V 形槽ll。具體地說，晶片2安裝在形成第一樹脂層9的樹脂片(resinsheet) 上，從而它的背面2b與樹脂片相對地定位；然后，樹脂片被熔融并由此連 接到晶片2的背面2b,其中V形槽11被熔融的樹脂填充。這使得可以容易 地將第 一樹脂層9的背面7b定位為與晶片2的背面2b基本平行。
在第一樹脂層9形成之后，如圖4所示，沿從晶片2的表面2a到背面 2b的方向執(zhí)行深度達(dá)到第一樹脂層9的指定部分的初次切割，由此形成在晶 片2的厚度方向上部分地重疊V形槽11的切割槽12。由于初次切割，晶片
2被沿著切割槽12劃分為每一個都相應(yīng)于基板2的獨(dú)立的片，而多個基板2 通過第一樹脂層9整體地固定在一起。
切割槽12的寬度小于V形槽11的寬度。此處，切割槽12被形成為僅 僅切除V形槽11沿它的寬度方向的中央部分。V形槽11的剩余部分形成基 板2的斜面2d。
接下來，如圖5所示，形成第二樹脂層10以連續(xù)地密封切割槽12和晶 片2的表面2a,從而樹脂層7的表面7a與晶片2的表面h平行。此處，當(dāng) 晶片2的表面2a、再配線5以及金屬柱6被第二樹脂層10密封時，切割槽 12被第二樹脂層IO填充。具體地說，首先金屬柱6完全地嵌入到第二樹脂 層10中，然后部分地拋光第二樹脂層10，從而將金屬柱6的上表面6a暴露 到外界。
在第二樹脂層IO的成形完成之后，如圖6所示，晶片2的背面2b經(jīng)歷 切割，從而在第一樹脂層9的背面7b上形成V形槽13，所述V形槽13每 一個都具有V形截面，其中V形槽13被定位為沿晶片2的厚度方向與切割 槽12以及V形槽11的剩余部分重疊。
接下來，如圖7所示，突出物8被安裝到金屬柱6的上表面6a,所述上 表面6a暴露在第二樹脂層IO的表面7a上。另外，切割帶15粘附到對晶片 2的背面2b進(jìn)行密封的第一樹脂層9的背面7b上。此后，在晶片2的表面 2a (相應(yīng)于第二樹脂層10的表面7a)上執(zhí)行第二次切割，從而以達(dá)到切割 帶15的指定部分的深度來切除切割槽12。在本步驟中，晶片2被分為獨(dú)立 的一些片，每一片都相應(yīng)于半導(dǎo)體裝置1。
由于第二次切割導(dǎo)致的切割寬度小于切割槽12的寬度和V形槽13的寬 度，因而第二樹脂層IO部分地保留在切割槽12的內(nèi)壁，以便于密封基板2 的側(cè)表面2a。由于第二次切割，僅僅切除了 V形槽12沿它的寬度方向的中 央部分，從而V形槽13的剩余部分形成了樹脂層7的斜面7d。
最后，切割帶15被向外拉并由此被拉伸，借此"獨(dú)立地劃分的"半導(dǎo) 體裝置1被分離但仍然粘附在切割帶15上。由此，可以完成半導(dǎo)體裝置1 的制造。
依照所述半導(dǎo)體裝置1及其制造方法，斜面7d形成在樹脂層7的背面 7b和側(cè)面7c之間的拐角處，借此可以不管施加到拐角處的沖擊，可靠地防 止樹脂層7被切下或剝落。在運(yùn)輸過程中，使用一夾頭(collet)來吸附保持未形成金屬柱6和突出物8的半導(dǎo)體裝置1的背面7b,其中即使當(dāng)在樹脂層
7的背面7b和側(cè)面7c之間的拐角被夾頭無意地撞擊時，也可以可靠地防止 樹脂層7在拐角處碎裂或剝落。這使得在運(yùn)輸和安裝到電子裝置或類似物的 過程中可以容易地操作半導(dǎo)體裝置1。就是說，可以實(shí)現(xiàn)對于半導(dǎo)體裝置1 的高速運(yùn)輸和高速安裝。
另夕卜，相應(yīng)于樹脂層7的背面7b的斜面7d,斜面2d形成在基板2的背 面2b的拐角處。這確保了在樹脂層7的背面7b的拐角處樹脂層7的足夠厚 度；因此，可以可靠地通過樹脂層7來保護(hù)基板2。
在本實(shí)施例中，第一樹脂層9在再配線5和金屬柱6成形之后形成；但 并不局限于此。只需要第一樹脂層9在V形槽11的成形之后形成。換句話 說，再配線5和金屬柱6可以在V形槽11成形之前形成。替代地，它們也 可以在第一樹脂層9成形之后形成。
另外，形成在第一樹脂層9的背面7b上的V形槽13不是必須在第二樹 脂層10成形之后形成。僅僅需要它們在第一樹脂層9成形之后和第二次切 割之前形成。
如上文所述，半導(dǎo)體裝置1的制造步驟可以這樣改變V形槽11形成 在晶片2的背面2b上；V形槽13形成在第一樹脂層9中；再配線5和金屬 柱6形成在晶片2的表面2a上；切割槽12沿從晶片2的表面2a到背面2b 的方向形成；第二樹脂層IO形成在晶片2的背面2b上；然后，沿從晶片2 的表面2a到背面2b的方向執(zhí)行第二次切割。在這種情況下，晶片2的表面 2a可以在晶片2的背面2b經(jīng)歷上述處理之后一起經(jīng)歷處理；因此，可以提 高關(guān)于半導(dǎo)體裝置1的制造效率。
本發(fā)明不是必須局限于上述半導(dǎo)體裝置1;因此，可以在所附權(quán)利要求 限定的發(fā)明范圍內(nèi)以各種方法對它進(jìn)行修改。 (1)第一改變例
本實(shí)施例被設(shè)計為，斜面2d在基板2的背面2b和側(cè)面2c之間的拐角 處形成。圖8示出了依照第一改變例的半導(dǎo)體裝置21,其中基板2不具有斜 面2d而樹脂層7具有斜面7d。第一改變例的半導(dǎo)體裝置21不需要在制造過 程中在半導(dǎo)體裝置1中形成V形槽11;因此，可以提高半導(dǎo)體裝置21的制
造效率。
另外，半導(dǎo)體裝置21具有僅形成在晶片2的背面2b上的第一樹脂層9。
在與本實(shí)施例相似的第一改變例中，樹脂層7的斜面7d可以僅形成在第一 樹脂層9中。然而，優(yōu)選的是斜面7d形成在第一樹脂層9和第二樹脂層10 兩者中。在半導(dǎo)體裝置21的制造中，優(yōu)選的是V形槽13形成為深至第二樹 脂層10。就是說，即使當(dāng)劇烈的沖擊施加到樹脂層7的背面7b和側(cè)面7c 之間的拐角處時，也可以防止過大的應(yīng)力集中在第 一樹脂層9和第二樹脂層 IO之間的邊界上；因此，可以有效地防止第一樹脂層9意外地從第二樹脂層 IO上分離。 (2)第二改變例
接下來，將參考圖9描述第二改變例的半導(dǎo)體裝置31，其中與圖1中所 述將被省略。
第二改變例的半導(dǎo)體裝置31的特征在于除了在第一樹脂層9的背面7b 和側(cè)面7c之間的拐角處形成的斜面7d之外，還在第二樹脂層10的表面7a 和側(cè)面7c之間的拐角處形成斜面7e。
另外，除了在基板2的背面2b和側(cè)面2c之間的拐角處形成斜面2d之 外，又在基板2的表面2a和側(cè)面2c之間的拐角處形成了斜面2e。接近基板 2的表面2a定位的斜面2e相應(yīng)于接近第二樹脂層10的表面7a定位的斜面 7e而形成，其中優(yōu)選的是在+面2e和7e相互平4亍地形成。
第二改變例的半導(dǎo)體裝置31可以通過適用于半導(dǎo)體裝置1的上述制造 方法形成。具體地說，接近基板2的表面2a定位的斜面2e通過這樣的方式 形成在形成再配線5和金屬柱6之后和形成切割槽12之前，V形槽32(相 似于在半導(dǎo)體裝置1的制造中使用的V形槽ll)形成于晶片2的表面7a上， 然后通過初次切割僅僅切除V形槽32的位于寬度方向的中央部分。就是說， 在初次切割之后，V形槽32的剩余部分形成接近基板2的表面2a定位的斜 面2e。
接近第二樹脂層10的表面7a定位的斜面7e通過這樣的方式形成在 形成第二樹脂層IO之后和在第二次切割之前，V形槽33 (相似于在半導(dǎo)體 裝置1的制造中使用的V形槽13)形成于第二樹脂層10的表面7a上，然 后通過第二次切割僅僅切除V形槽33沿寬度方向的中央部分。'就是說，在 第二次切割之后，V形槽33的剩余部分形成接近第二樹脂層10的表面7a 定位的斜面7e。
第二改變例的半導(dǎo)體裝置31可以表現(xiàn)出與半導(dǎo)體裝置1實(shí)現(xiàn)的前述效
果相似的效果。由于在樹脂層7的表面7a和側(cè)面7c之間的拐角處形成了斜 面7e,可以可靠地防止對基板2的表面2a進(jìn)行密封的第二樹脂層10意外地 碎裂或剝落；因此可以可靠地防止再配線5和金屬柱6暴露到外界和被損壞。 這使得例如可以在運(yùn)輸和安裝到電子裝置的過程中容易地操作半導(dǎo)體裝置 31。由此，可以實(shí)現(xiàn)高速運(yùn)輸和高速安裝。
第二改變例的半導(dǎo)體裝置31以這樣的方式設(shè)計在基板2的表面h附 近形成斜面2e;但這并非是一種限制。就是說，可以只在第二樹脂層10的 表面7a附近形成斜面7e。
第二改變例的半導(dǎo)體裝置31以這樣的方式設(shè)計在背面7b上形成斜面 7d,并在表面7a上形成斜面7e;但這并不是一種限制。就是說，也可以只 在第二樹脂層10的表面7a附近形成斜面7e。
最后，可以在所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的范圍之內(nèi)實(shí)現(xiàn)更多的修改 例和更多的改變例。
權(quán)利要求
1、一種具有矩形外觀的半導(dǎo)體裝置，包括基板，具有用于布置集成電路的表面；至少一個再配線，經(jīng)由至少一個平頭電極電連接到所述集成電路；至少一個電極端子，形成于所述再配線上；和樹脂層，完全密封包括所述再配線的所述基板，其方式是使得所述電極端子暴露于外，其中，所述樹脂層具有多個斜面，所述斜面形成在所述樹脂層的背面和側(cè)面之間的多個拐角處。
2、 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，與所述樹脂層的多個斜面 相應(yīng)，在所述基板的背面和側(cè)面之間的所述基板的多個拐角處形成多個斜面。
3、 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述樹脂層包括用于密封 所述基板的背面的第 一樹脂層和用于密封所述基板的所述表面和側(cè)面的第 二樹脂層，且其中，相對于所述第一樹脂層和第二樹脂層兩者形成所述樹脂 層的多個斜面。
4、 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，在所述樹脂層的表面和側(cè) 面之間的多個拐角處，所述樹脂層進(jìn)一步具有多個斜面。
5、 如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其中，在所述基板的表面和側(cè)面 之間的多個拐角處，所述基板進(jìn)一步具有多個斜面。
6、 一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，在所述半導(dǎo)體裝置中設(shè)置有具有一表 面的晶片，多個集成電路形成于該表面上并經(jīng)由多個平頭電極電連接到多個 再配線，且在所述半導(dǎo)體裝置中多個電極端子形成于多個再配線上，然后所 述晶片被分為多個獨(dú)立的片，所述制造方法包括下列步驟在形成所述再配線和所述電極端子之前和形成所述再配線和所述電極 端子之后，形成用于密封所述晶片背面的第 一樹脂層；在形成所述再配線和所述電極端子之后和形成所述第一樹脂層之后，朝 向所述晶片的背面在所述晶片的表面上執(zhí)行初次切割，以使得所述第一樹脂 層被部分地切除，由此形成將所述多個集成電路劃分開的多個切割槽；在所述切割槽形成之后形成第二樹脂層，用于連續(xù)地密封所述晶片的多個切割槽和所述表面；在形成所述第一樹脂層之后和形成所述第二樹脂層之后，切割所述晶片的背面從而在所述第一樹脂層中形成多個V形槽，其方式是所述多個V形 槽在所述晶片的厚度方向上與所述多個切割槽重疊；以及執(zhí)行第二次切割，其方式是將由于初次切割而經(jīng)受劃分的晶片的側(cè)面密 封的所述第二樹脂層仍然保留，以及其方式是所述多個V形槽部分地保留從 而形成多個斜面，所述多個斜面從密封晶片背面的所述第一樹脂層的背面傾 斜，由此將晶片分割為多個獨(dú)立的片。
7、 如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，在形成所述第 一樹脂層之前，多個V形槽進(jìn)一步形成于所述晶片的背面，從而在晶片的厚 度方向上與形成于所述第一樹脂層的多個V形槽重疊，且其中，形成于所述 晶片背面的多個V形槽與所述晶片的背面一起被所述第一樹脂層密封。
8、 如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，在形成所述第 二樹脂層之后和第二次切割之前，通過在晶片的表面上執(zhí)行切割而在所述第 二樹脂層中形成多個V形槽，從而與所述多個切割槽重疊，且其中，形成于 所述第二樹脂層中的多個V形槽通過第二次切割而部分地保留，由此形成多 個斜面，所述多個斜面從密封晶片表面的所述第二樹脂層的表面傾斜。
9、 如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，在所述第二樹 脂層的形成之后和第二次切割之前，通過在晶片的表面上執(zhí)行切割而在所述 第二樹脂層中形成多個V形槽，從而與所述多個切割槽重疊，且其中，形成 于第二樹脂層中的所述多個V形槽通過第二次切割而部分地保留，由此形成 多個斜面，所述多個斜面從密封晶片表面的所述第二樹脂層的表面傾斜。
全文摘要
一種具有矩形外觀的半導(dǎo)體裝置，包括用于在其表面上布置集成電路的基板、至少一個再配線、形成于再配線上的至少一個電極端子、以及樹脂層，其中所述至少一個再配線經(jīng)由至少一個平頭電極電連接到集成電路，所述樹脂層完全密封包括再配線的基板，以使得電極端子暴露于外。在樹脂層的背面和側(cè)面之間的多個拐角處形成斜面；而在樹脂層的表面和側(cè)面之間的拐角處進(jìn)一步形成其他斜面。由此，不管在樹脂層拐角處的沖擊，可以可靠地防止被樹脂層密封的半導(dǎo)體裝置碎裂或剝離。
文檔編號H01L23/31GK101202254SQ200710199448
公開日2008年6月18日 申請日期2007年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月13日
發(fā)明者福田芳生 申請人:雅馬哈株式會社