專利名稱：傳感光電二極管上方具有曲面微鏡的圖像傳感器及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及圖像傳感器裝置，且更明確地說，涉及具有形成在光敏元件上方的微鏡 的圖像傳感器。
背景技術(shù)：
隨著圖像傳感器和組成傳感陣列的各個像素的尺寸由于進一步集成的緣故而變小， 將盡可能多的入射光俘獲到傳感陣列上變得較為重要。
解決此問題的方法包含使光敏元件(例如光電二極管)占據(jù)盡可能多的像素面積。 另一種方法是在每一像素上方使用微透鏡來將入射光聚焦到光電二極管上。微透鏡方法 試圖俘獲通常將入射在光電二極管區(qū)外部的像素部分上的光。
此外，在背側(cè)照明(BSI)裝置中，可使用平面鏡材料來將光穿過光電二極管反射 回去，進而促使將更多入射光轉(zhuǎn)換成電信號。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及在CMOS圖像傳感器(CIS)工藝中在光電二極管有源區(qū)域(收集區(qū)域) 上方集成曲面鏡。曲面微鏡將已經(jīng)穿過收集區(qū)域的光反射回到光電二極管中。在一個實 施例中，曲面微鏡實施在BSI裝置中。


圖1說明具有微透鏡的現(xiàn)有技術(shù)CMOS圖像傳感器的示意橫截面部分。
圖2說明具有微透鏡的現(xiàn)有技術(shù)背側(cè)照明裝置的示意橫截面部分。
圖3說明具有從現(xiàn)有技術(shù)平面微鏡反射的光路徑的背側(cè)照明裝置的示意橫截面部分。
圖4說明根據(jù)本發(fā)明的一個實施例具有從曲面微鏡反射的光路徑的背側(cè)照明裝置的 示意橫截面部分。
圖5說明根據(jù)本發(fā)明的一個實施例在金屬前介電層上方具有曲面微鏡的背側(cè)照明裝 置的示意橫截面部分。
圖6說明根據(jù)本發(fā)明的一個實施例用于制造在金屬前介電層上方具有曲面微鏡的背 側(cè)照明裝置的工藝。
圖7說明根據(jù)本發(fā)明的一個實施例具有制作在金屬前介電層內(nèi)的微鏡的背側(cè)照明裝
置的示意橫截面部分。
圖8說明根據(jù)本發(fā)明的一個實施例用于制作具有制作在金屬前介電層內(nèi)的微鏡的背 側(cè)照明裝置的步驟。
圖9說明根據(jù)本發(fā)明的一個實施例具有制作在背側(cè)照明裝置的硅表面上的微鏡的背
側(cè)照明裝置的示意橫截面部分。
圖10說明根據(jù)本發(fā)明的一個實施例用于制作具有制作在背側(cè)照明裝置的硅表面上
的微鏡的背側(cè)照明裝置的步驟。
圖U展示根據(jù)本發(fā)明的一個實施例制作微鏡的方法的流程圖。 圖12展示根據(jù)本發(fā)明的一個實施例制作微鏡的方法的流程圖。 圖13展示根據(jù)本發(fā)明的一個實施例制作微鏡的方法的流程圖。 圖14展示根據(jù)本發(fā)明的一個實施例制作微鏡的方法的流程圖。
具體實施例方式
在以下描述內(nèi)容中，提供大量特定細節(jié)以便提供對本發(fā)明實施例的徹底理解。然而， 相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，可在沒有所述特定細節(jié)中的一者或一者以上的情況下或利 用其它方法、組件、材料等來實踐本發(fā)明。在其它情況下，未展示或描述眾所周知的結(jié) 構(gòu)、材料或操作以便避免混淆本發(fā)明的各方面。
整個說明書中對"一個實施例"或"實施例"的提及意味著結(jié)合所述實施例描述且 包含在本發(fā)明的至少一個實施例中的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性。因此，整個說明書中各處 出現(xiàn)短語"在一個實施例中"或"在實施例中"并不一定全部指代相同實施例。此外， 在一個或一個以上實施例中可以任何適宜方式組合所述特定特征、結(jié)構(gòu)或特性。
圖i說明具有微透鏡190的現(xiàn)有技術(shù)CMOS圖像傳感器100的示意橫截面部分。襯 底110在其中形成有光電二極管且耦合到金屬前介電(PMD)層120。金屬前介電(PMD) 層120耦合到層間介電(ILD)層130和第一金屬層135。層間介電(ILD)層130耦合 到層間介電(ILD)層140和第二金屬層145。層間介電(ILD)層140耦合到層間介電 (ILD)層150和第三金屬層155。層間介電層150耦合到抗反射層160并位于抗反射層 160下方?？狗瓷鋵?60耦合到平面化層165并位于平面化層165下方。平面化層165 耦合到彩色濾光器170。彩色濾光器170耦合到平面化層180。平面化層180耦合到微 透鏡l卯。
圖1所示的圖像傳感器的現(xiàn)有技術(shù)橫截面可包含較少或較多的介電層和/或金屬層。 然而， 一般概念是相同的，即光電二極管形成在襯底中，且各種介電層和金屬層形成在
襯底頂部上。此外，彩色濾光器層和微透鏡形成在像素頂部上以完成橫截面視圖中的主 要功能結(jié)構(gòu)。圖1展示從襯底的頂部表面入射光的常規(guī)"前側(cè)"圖像傳感器。
圖2說明具有微透鏡210的現(xiàn)有技術(shù)背側(cè)照明裝置200的示意橫截面部分。微透鏡 210耦合到平面化層220。平面化層220耦合到彩色濾光器230。彩色濾光器230耦合到 平面化層240。最后，平面化層240形成在含有光電二極管的襯底250的背側(cè)(或底部 表面)。在襯底250的頂部表面上，襯底具有如圖1所示的各種介電層和金屬層，所述 介電層和金屬層用于向像素和/或傳感陣列的其它組件進行電互連。因此，襯底250耦合 到金屬前介電(PMD)層260。 PMD層260耦合到層間介電(ILD)層270和第一金屬 層275。 ILD層270耦合到層間介電(ILD)層280和第二金屬層285。 ILD層280耦合 到層間介電(ILD)層290和第三金屬層295。
圖3說明具有從平面微鏡360反射的光路徑的現(xiàn)有技術(shù)背側(cè)照明裝置300的示意橫 截面部分。微透鏡310耦合到平面化層320。平面化層320耦合到彩色濾光器330。彩 色濾光器330耦合到光電二極管層340。光電二極管層340耦合到金屬前介電(PMD) 層350。 PMD層350耦合到平面微鏡360。入射光受到損失，或更糟糕地導致對鄰近像 素產(chǎn)生串擾。
圖4說明本發(fā)明的優(yōu)點。圖4展示具有從曲面微鏡460反射的光路徑的背側(cè)照明裝 置400的示意橫截面部分?？梢钥吹角遗c圖3形成對比，曲面微鏡460有效地俘獲較多 量的"穿過"入射光并穿過光電二極管區(qū)域?qū)⑵渲匦乱龑Щ厝?。這對于增加光電二極管 所產(chǎn)生的信號是有利的。
圖5說明根據(jù)本發(fā)明的一個實施例在金屬前介電層560上方具有曲面微鏡565的背 側(cè)照明裝置500的示意橫截面部分。從以下論述中將容易了解到，微鏡565可放置在包 含層560-590的"介電堆疊"中的多種位置中。事實上，微鏡565可放置在襯底550與 金屬前介電層560之間，或放置在金屬前介電層590頂部上。精確放置通常取決于圖像 傳感器的各種特定設(shè)計參數(shù)和尺寸，但通常被放置成使到光電二極管上的光反射最大 化。
如圖5中可見，在襯底550的背側(cè)上，微透鏡510耦合到平面化層520。平面化層 520耦合到彩色濾光器530。彩色濾光器530耦合到平面化層540。最后，平面化層540 耦合到襯底550。
在襯底550的頂側(cè)上，金屬前介電(PMD)層560形成在襯底550的頂部上。PMD 層560耦合到曲面微鏡565。 PMD層560還耦合到層間介電(ILD)層570和第一金屬 層575。 ILD層570耦合到層間介電(ILD)層580和第二金屬層585。 ILD層580耦合
到層間介電(ILD)層590和第三金屬層595。
在本發(fā)明的一個實施例中，可處理CIS直到第一金屬層，且在PMD層560頂部上 處理無機微透鏡。反射材料(例如，金屬)薄層可毯覆式沉積在晶片上方；反射材料的 厚度可約為10到50nm。接著可用光致抗蝕劑覆蓋晶片。使用標準平版印刷技術(shù)，可對 光致抗蝕劑進行圖案化以從除無機微透鏡/金屬膜的彎曲表面以外的所有區(qū)域處去除光 致抗蝕劑。可通過濕式蝕刻或通過干式蝕刻來蝕刻掉暴露的金屬?？扇コＳ嗟墓庵驴?蝕劑，且可繼續(xù)進行標準BSI處理。
圖6說明根據(jù)本發(fā)明的一個實施例用于制造在金屬前介電層上方具有曲面微鏡的背 側(cè)照明裝置的工藝。圖6(a)說明處理CM0S圖像傳感器(CIS)直到金屬1的步驟。圖 6(b)說明在金屬前電介質(zhì)(PMD)頂部上處理無機微透鏡(即，氧化硅或氮化硅)的步 驟。圖6(c)說明將反射材料(例如金屬)薄層毯覆式沉積在晶片上方的步驟。厚度將隨 著材料、裝置結(jié)構(gòu)和處理條件而變化，然而，預期此材料應(yīng)處于納米數(shù)量級UOnm到 50nm)。圖6(d)說明接著用光致抗蝕劑覆蓋晶片的步驟。圖6(e)說明使用標準平版印刷 技術(shù)對光致抗蝕劑進行圖案化以從除無機微透鏡/金屬膜的彎曲表面以外的所有區(qū)域處 去除抗蝕劑的步驟。圖6(f)說明通過濕式或干式蝕刻來蝕刻掉暴露金屬的步驟。圖6(g) 說明去除剩余的光致抗蝕劑且繼續(xù)進行標準BSI處理的步驟。
圖7說明具有制作在金屬前介電層760內(nèi)的曲面微鏡765的背側(cè)照明裝置700的示 意橫截面部分。圖7的實施例的大部分結(jié)構(gòu)類似于圖5的結(jié)構(gòu)。微透鏡710耦合到平面 化層720。平面化層720耦合到彩色濾光器730。彩色濾光器730耦合到平面化層740。 平面化層740耦合到襯底750。襯底750耦合到金屬前介電(PMD)層760。與微鏡565 形成在PMD層560頂部上的圖5實施例不同，在此實施例中，PMD層760在其屮一體 式形成有微鏡765。 PMD層760耦合到層間介電(ILD)層770和第一金屬層775。 ILD 層770耦合到層間介電(ILD)層780和第二金屬層785。ILD層780耦合到層間介電(ILD) 層7卯和第三金屬層795。
在此實施例中，處理CIS直到金屬PMD沉積。此時，沉積PMD層760的一部分。 可在PMD層760的第一部分的頂部上處理無機微透鏡710 (例如，二氧化硅或氮化硅)。 可在晶片上方毯覆式沉積反射材料(例如金屬)薄層。反射材料層的厚度可約為10到 50 nm。接著可用光致抗蝕劑覆蓋晶片。使用標準平版印刷技術(shù)，可對光致抗蝕劑進行 圖案化以從除無機微透鏡/金屬膜的彎曲表面以外的所有區(qū)域處去除光致抗蝕劑?？赏ㄟ^ 濕式或干式蝕刻來蝕刻掉暴露的金屬?？扇コＳ嗟墓庵驴刮g劑，且可沉積PMD層760 的剩余部分?？赡苄枰缤ㄟ^CMP對PMD層760的剩余部分進行平面化?？蓮拇它c
繼續(xù)進行標準BSI處理。此技術(shù)的缺點是，可能需要對PMD層760進行平面化，這是
額外的處理步驟。
圖8說明根據(jù)本發(fā)明的一個實施例用于制作具有制作在金屬前介電層內(nèi)的微鏡的背 側(cè)照明裝置的步驟。圖8(a)說明處理CMOS圖像傳感器(CIS)直到金屬PMD沉積的步 驟。此時，沉積PMD加厚物的一部分(PMD/n)。圖8(b)說明在第一 PMD層頂部上處 理無機微透鏡(即，氧化硅或氮化硅)的步驟。圖8(c)說明在晶片上毯覆式沉積反射材 料(例如金屬)薄層的步驟。厚度將隨著材料、裝置結(jié)構(gòu)和處理條件而變化，然而，預 期此材料應(yīng)處于納米數(shù)量級(10nm到50mn)。圖8(d)說明接著用光致抗蝕劑覆蓋晶片 的步驟。圖8(e)說明使用標準平版印刷技術(shù)對光致抗蝕劑進行圖案化以從除無機微透鏡/ 金屬膜的彎曲表面以外的所有區(qū)域處去除抗蝕劑的步驟。圖8(f)說明通過濕式或干式蝕 刻來蝕刻掉暴露金屬的步驟。圖8(g)說明去除剩余的光致抗蝕劑且沉積PMD層的剩余 部分的步驟。依據(jù)厚度而定，可能需要例如通過CMP對第二 PMD層進行平面化。圖 8(h)說明繼續(xù)進行標準BSI處理的步驟。
在本發(fā)明的另一實施例中，圖9說明在形成任何金屬前介電層之前在襯底940上制 作有微鏡的背側(cè)照明裝置的示意橫截面部分。請注意，微鏡不與襯底940直接接觸，而 是位于與本發(fā)明無密切關(guān)系的各種其它薄層(例如，柵極氧化物、硅化物等...)的頂部 上。因此，術(shù)語"在襯底940上"是廣義的且通常意味著在任何厚介電層之前。在此實 施例中，可處理CIS直到金屬PMD沉積步驟?？稍诠璞砻娴捻敳可咸幚頍o機微透鏡(例 如，氧化硅或氮化硅)。微透鏡與硅表面之間可能存在層，例如接觸蝕刻終止層；此類 層通常由氧化硅或氮化硅制成。可在晶片上毯覆式沉積反射材料(例如金屬)薄層；此 反射材料可為10到50nm厚。接著可用光致抗蝕劑覆蓋晶片。使用標準平版印刷技術(shù)， 可對光致抗蝕劑進行圖案化以從除無機微透鏡/金屬膜的彎曲表面以外的所有區(qū)域處去 除抗蝕劑?？赏ㄟ^濕式或干式蝕刻來蝕刻掉暴露的金屬?？扇コＳ嗟墓庵驴刮g劑，且 可從此點繼續(xù)進行標準BSI處理。依據(jù)微鏡和PMD層的厚度而定，在標準BSI處理之 前可能需要額外的平面化步驟。此實施例的優(yōu)點在于，其減小光將散射到鄰近裝置中的 可能性。
圖10說明根據(jù)本發(fā)明的一個實施例用于制作具有制作在背側(cè)照明裝置的硅表面上 的微鏡的背側(cè)照明裝置的步驟。圖10(a)說明處理CMOS圖像傳感器(CIS)直到金屬 PMD沉積的步驟。圖10(b)說明在硅表面的頂部上處理無機微透鏡(即，氧化硅或氮化 硅)的步驟。微透鏡與硅表面之間可能存在層，例如接觸蝕刻終止層；所述層通常由氧 化硅或氮化硅制成。圖10(c)說明在晶片上方毯覆式沉積反射材料(例如金屬)薄層的歩
驟。厚度將隨著材料、裝置結(jié)構(gòu)和處理條件而變化，然而，預期此材料應(yīng)處于納米數(shù)量 級(10nm到50nm)。圖10(d)說明接著用光致抗蝕劑覆蓋晶片的步驟。圖10(e)說明使用 標準平版印刷技術(shù)對光致抗蝕劑進行圖案化以從除無機微透鏡/金屬膜的彎曲表面以外 的所有區(qū)域處去除抗蝕劑的步驟。圖10①說明通過濕式或干式蝕刻來蝕刻掉暴露金屬的 步驟。圖10(g)說明去除剩余的光致抗蝕劑且從此點繼續(xù)進行標準BSI處理的步驟。在 此情況下，下一步驟將最有可能是PMD沉積。依據(jù)新近形成的微鏡和PMD層的厚度而 定，可能需要額外的平面化步驟。
圖11展示根據(jù)本發(fā)明的一個實施例制作微鏡的方法的流程圖1100。在歩驟1110中， 制作圖像傳感器直到(但不包含)第一金屬化層。在步驟1120中，在金屬前介電(PMD) 層的頂部上處理無機微透鏡(即，氧化硅或氮化硅)。在步驟1130中，在晶片上方毯覆 式沉積反射材料(例如金屬)薄層。厚度將隨著材料、裝置結(jié)構(gòu)和處理條件而變化，然 而，預期此材料應(yīng)處于納米數(shù)量級(10nm到50nm)。
在步驟1140中，接著用光致抗蝕劑覆蓋晶片。在步驟1150中，對光致抗蝕劑進行 圖案化以從除無機微透鏡/金屬膜的彎曲表面以外的所有區(qū)域處去除抗蝕劑。在步驟1160 中，通過濕式或干式蝕刻來蝕刻掉暴露的金屬。在步驟1170中，去除剩余的光致抗蝕 劑，且繼續(xù)進行標準BSI處理。
圖12展示根據(jù)本發(fā)明的一個實施例制作微鏡的方法的流程圖1200。在步驟1210中， 制作圖像傳感器直到(但不包含)第一金屬化層。在步驟1220中，在圖像傳感器的金 屬前介電(PMD)層的頂部上處理無機微透鏡(即，氧化硅或氮化硅)。在步驟1230中， 在晶片上方毯覆式沉積反射材料(例如金屬)薄層。厚度將隨著材料、裝置結(jié)構(gòu)和處理 條件而變化，然而，預期此材料應(yīng)處于納米數(shù)量級U0nm到50nm)。在步驟1240中， 接著用光致抗蝕劑覆蓋晶片。在步驟1250中，對光致抗蝕劑進行圖案化以從除無機微 透鏡/金屬膜的彎曲表面以外的所有區(qū)域處去除抗蝕劑。在步驟1260中，通過濕式或干 式蝕刻來蝕刻掉暴露的金屬。在步驟1270中，去除剩余的光致抗蝕劑，且繼續(xù)進行標 準BSI處理。
圖13展示根據(jù)本發(fā)明的替代實施例制作微鏡的方法的流程圖1300。在步驟1310中， 制作圖像傳感器直到(但不包含)第一金屬化層。在步驟1320中，施加用于第一金屬 化層的掩模。所述掩模指定微鏡。在步驟1330中，蝕刻第一金屬化層。在步驟1340中， 沉積第一金屬化層以形成微鏡。
圖14展示根據(jù)本發(fā)明的替代實施例制作微鏡的方法的流程圖1400。在步驟1410中， 制作圖像傳感器直到金屬PMD沉積。此時，沉積PMD厚度的一部分(PMD/n)。在歩
驟1420中，在第一 PMD層的頂部上處理無機微透鏡(即，氧化硅或氮化硅)。在步驟 1430中，在晶片上方毯覆式沉積反射材料(例如金屬)薄層。厚度將隨著材料、裝置結(jié) 構(gòu)和處理條件而變化，然而，預期此材料應(yīng)處于納米數(shù)量級(10nm到50nm)。
在步驟1440中，接著用光致抗蝕劑覆蓋晶片。在步驟1450中，使用標準平版印刷 技術(shù)對光致抗蝕劑進行圖案化以從除無機微透鏡/金屬膜的彎曲表面以外的所有區(qū)域處 去除抗蝕劑。在步驟1460中，通過濕式或干式蝕刻來蝕刻掉暴露的金屬。在步驟1470 中，去除剩余的光致抗蝕劑。在步驟1480中，沉積PMD層的剩余部分。依據(jù)厚度而定， 可能需要例如通過CMP對第二 PMD層進行平面化。
從上文中將了解，本文己出于說明目的描述了本發(fā)明的特定實施例，但可在不脫離 本發(fā)明精神和范圍的情況下作出各種修改。因此，本發(fā)明僅由所附權(quán)利要求書限定。
權(quán)利要求
1.一種方法，其包括制作圖像傳感器直到但不包含第一金屬化層；在金屬前介電層上制作微透鏡；在所述微透鏡和金屬前介電層上沉積反射材料金屬層；用光致抗蝕劑覆蓋所述金屬層；對所述光致抗蝕劑進行圖案化以從除所述微透鏡的表面以外的所有區(qū)域處去除所述光致抗蝕劑；蝕刻掉暴露的金屬層；去除剩余的光致抗蝕劑；以及用介電材料層覆蓋所述微鏡。
2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述圖像傳感器是CMOS圖像傳感器。
3、根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其中所述圖像傳感器是背側(cè)照明圖像傳感器。
4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述金屬前介電層可達800納米厚。
5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述反射材料層是金屬。
6、根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述反射材料層的厚度在10與50納米之間。
7、根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述微透鏡是曲面的。
8、根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述微透鏡是凹面的。
9、一種制作圖像傳感器的微鏡的方法，所述方法包括 制作圖像傳感器直到但不包含第一金屬化層；在第一金屬前介電層上制作微透鏡，其中所述第一金屬前介電層是PMD層的某 一部分；在所述微透鏡和所述PMD層的第一部分上沉積反射材料層； 用光致抗蝕劑覆蓋所述反射材料層；對所述光致抗蝕劑進行圖案化以從除所述微透鏡的表面以外的所有區(qū)域處去除 所述光致抗蝕劑； 蝕刻掉暴露的金屬；去除剩余的光致抗蝕劑；以及在所述微透鏡上方沉積第二金屬前介電層，其中所述第二金屬前介電層是所述 PMD的剩余部分。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述PMD層被平面化。
11. 一種制作圖像傳感器的微鏡的方法，所述方法包括-制作圖像傳感器直到但不包含第一金屬化層；在所述圖像傳感器的硅表面上制作微透鏡；在所述微透鏡和硅表面上沉積反射材料金屬層；在所述圖像傳感器上方沉積反射材料層；用光致抗蝕劑覆蓋所述圖像傳感器；對所述光致抗蝕劑進行圖案化以從除所述微透鏡以外的所有區(qū)域處去除所述光 致抗蝕劑；蝕刻掉暴露的反射層； 去除剩余的光致抗蝕劑；以及 用介電材料層覆蓋所述微鏡。
12. —種包括具有微鏡的圖像傳感器的設(shè)備，所述圖像傳感器進一步包括-金屬前介電層；微透鏡，其耦合到所述金屬前介電層；金屬層，其耦合到所述微透鏡且形成微鏡；以及介電材料層，其覆蓋所述微鏡。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其進一步包括處于所述金屬前介電層上方的曲面微鏡。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其進一步包括處于所述金屬前介電層內(nèi)的曲面微鏡。
15. —種包括具有微鏡的圖像傳感器的設(shè)備，所述圖像傳感器進一步包括-背側(cè)照明裝置； 金屬前介電層；微透鏡，其耦合到所述金屬前介電層；金屬層，其耦合到所述微透鏡且形成微鏡；以及介電材料層，其覆蓋所述微鏡。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其進一步包括處于所述金屬前介電層上方的曲面微 鏡。
17. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的設(shè)備，其進一步包括處于所述金屬前介電層內(nèi)的曲面微鏡。
18. —種包括具有微鏡的圖像傳感器的設(shè)備，所述圖像傳感器進一步包括背側(cè)照明裝置； 微透鏡，其耦合到所述背側(cè)照明裝置的表面； 金屬層，其耦合到所述微透鏡且形成微鏡；以及 介電材料層，其覆蓋所述微鏡。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的設(shè)備，其進一步包括曲面微透鏡。
20. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的設(shè)備，其進一步包括凹面微透鏡。
全文摘要
本發(fā)明涉及在CMOS圖像傳感器(CIS)工藝中在光電二極管有源區(qū)域(收集區(qū)域)上方集成曲面微鏡。所述曲面微鏡將已經(jīng)穿過所述收集區(qū)域的光反射回到所述光電二極管中。所述曲面微鏡最佳實施在背側(cè)照明裝置(BSI)中。
文檔編號H01L21/71GK101188208SQ20071016349
公開日2008年5月28日 申請日期2007年10月25日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月26日
發(fā)明者文森特·韋內(nèi)齊亞, 泰新吉 申請人:全視科技有限公司