專利名稱：半導(dǎo)體基底的清洗方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明提供一種清洗方法，尤指一種利用水洗工藝來(lái)清潔半導(dǎo)體基底的 清洗方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體集成電路的制造過(guò)程中，常使用到黃光以及蝕刻工藝來(lái)進(jìn)行晶 片上各層材料的圖案形成與圖案轉(zhuǎn)移。舉例來(lái)說(shuō)，在制作集成電路的接觸插 塞時(shí)，即以圖案化光刻膠層作為蝕刻硬掩模，將未被圖案化光刻膠層覆蓋的 介電材料層蝕刻移除后，再將圖案化光刻膠層去除，接著再在插塞孔洞中形 成所要的金屬材料層，以完成接觸插塞。
請(qǐng)參閱圖1，其繪示的是已知方法形成插塞的流程示意圖，已知方法包
含有下列步驟
步驟101:先提供晶片，晶片上包含有介電材料層；
步驟103:在介電材料層上形成光刻膠層，并對(duì)光刻膠層進(jìn)行黃光工藝， 以將預(yù)定圖案l殳射至光刻膠層上；
步驟105:將未被曝光的光刻膠層去除，而在晶片上留下一個(gè)圖案化光 刻膠層；
步驟107:對(duì)晶片進(jìn)行蝕刻工藝，通常是等離子體干蝕刻工藝或者反應(yīng) 離子蝕刻(reactive ion etching, RIE)技術(shù)，將圖案化光刻膠層的圖案轉(zhuǎn)移至下 方的介電材料層中，以在介電材料層中形成所需的插塞孔洞；
步驟109:進(jìn)行氧氣等離子體灰化工藝，以清除圖案化光刻膠層；
步驟111:進(jìn)行溶劑清洗工藝(solvent cleaning process),利用高溫清洗溶 劑，例如7(TC的羥胺類(hydroxylamine)溶劑，去除位于介電材料層表面、插 塞孔洞內(nèi)壁與插塞孔洞底部的側(cè)壁高分子與殘余物；
步驟113:利用25 °C的去離子水(deionized water, DI water)進(jìn)一 步去除位 于介電材料層上的側(cè)壁高分子與清洗溶劑；
步驟115:在晶片表面形成一層阻擋層，覆蓋于介電材料層表面、插塞
孔洞內(nèi)壁與插塞孔洞底部；
步驟117:在晶片表面形成一層金屬層，覆蓋于阻擋層上，并填充于插 塞孔洞中；以及
步驟119:進(jìn)行研磨工藝，以去除多余的阻擋層與多余的金屬層，由此 在介電材料層中形成插塞。
前述的等離子體干蝕刻或者反應(yīng)離子蝕刻技術(shù)其等離子體成分會(huì)與光 刻膠層中的有機(jī)物產(chǎn)生各種的難以去除的蝕刻副產(chǎn)物，其組成成分可能來(lái)自 于所蝕刻的基材、基材上的材料層、光刻膠層以及蝕刻氣體。這些蝕刻副產(chǎn) 物亦可能隨著不同蝕刻機(jī)臺(tái)、工藝條件以及不同被蝕刻材料而有所改變，而 業(yè)界就將這些難以用氧氣等離子體灰化工藝清除掉的蝕刻副產(chǎn)物稱為側(cè)壁 高分子。
晶片表面的潔凈度實(shí)際上對(duì)于產(chǎn)品成品率的影響甚巨，為了確保后續(xù)的 產(chǎn)品成品率不被影響，在沉積阻擋層之前，這些蝕刻副產(chǎn)物必須被有效地從 晶片表面上去除，但是卻又必須同時(shí)不影響到已形成好的金屬線路或半導(dǎo)體 裝置。因此，在氧氣等離子體灰化工藝之后，晶片會(huì)送入半導(dǎo)體濕法化學(xué)工 作站中接受前述7(TC羥胺類溶劑等的清洗液的清洗，接著接受25。C去離子 水的清洗，之后再進(jìn)行后續(xù)工藝。
然而，當(dāng)這些晶片接受最終的產(chǎn)品成品率測(cè)試時(shí)，測(cè)試結(jié)果顯示出的產(chǎn) 品成品率卻仍可能不如預(yù)期。根據(jù)產(chǎn)品成品率測(cè)試的結(jié)果可知，即使是在相 同的工藝參數(shù)下操作，由不同的機(jī)臺(tái)所處理的晶片或是相同機(jī)臺(tái)所處理的不 同批次的晶片仍然可能具有不同的產(chǎn)品成品率。舉例來(lái)說(shuō)，由特定機(jī)臺(tái)所處 理的晶片可能會(huì)具有較多的結(jié)構(gòu)缺陷。隨著半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)入高密度的深亞微 米世代，產(chǎn)品成品率發(fā)生歧異的狀況愈發(fā)顯著，且這些結(jié)構(gòu)缺陷往往會(huì)發(fā)生 在晶邊周?chē)男酒小?br> 經(jīng)過(guò)反復(fù)的實(shí)驗(yàn)后發(fā)現(xiàn)，成品率不如預(yù)期的主要原因就在于溶劑清洗工 藝的清洗溶劑的殘留。溶劑清洗工藝本身屬于一種開(kāi)放式的工藝，也就是說(shuō)， 清洗溶劑中的可揮發(fā)成分會(huì)在清洗的過(guò)程中漸漸逸散而出，使得清洗溶劑本 身的粘度漸漸提高，清洗溶劑的濃度也慢慢改變，而且懸浮于清洗溶劑中的 各種副產(chǎn)物也越來(lái)越多。因此，當(dāng)溶劑清洗工藝的工藝時(shí)間越長(zhǎng)，清洗溶劑 也就更容易附著于插塞孔洞中與晶片表面而難以去除。殘留的清洗溶劑往往 即時(shí)無(wú)法透過(guò)晶片可接受度測(cè)試(wafer acceptance testing, WAT)或是結(jié)構(gòu)的
切面觀察而被檢測(cè)出，但清洗溶劑的存在卻會(huì)破壞金屬層與下方的裝置之間 的電連接，導(dǎo)致所填入的金屬層和其下方裝置的結(jié)電阻值過(guò)大或電連接失 效，殘留的清洗溶劑甚至可能會(huì)影響到后續(xù)工藝或是后續(xù)形成的結(jié)構(gòu)。
承上，若長(zhǎng)時(shí)間使用去離子水以大量清除殘余溶劑，則會(huì)因去離子水與 溶劑作用進(jìn)而腐蝕位于插塞孔洞底部的金屬層。故為了減少清洗溶劑的殘 留，產(chǎn)品成品率較低的機(jī)臺(tái)必須要加快其清洗溶劑的更換頻率。也就是說(shuō)， 為了避免清洗溶劑粘度過(guò)大的情況發(fā)生，清洗溶劑的更換周期必須縮短，由 原來(lái)每12個(gè)小時(shí)更換清洗溶劑的周期改為每8個(gè)小時(shí)就要更換新的清洗溶 劑。這不但會(huì)增加工藝時(shí)間與清洗溶劑的成本，而且對(duì)于產(chǎn)品成品率的改善 也相當(dāng)有限。
有鑒于此，已知方法不但可能會(huì)制作出低成品率的晶片，而且還會(huì)浪費(fèi) 龐大的工藝成本與時(shí)間，故已知晶片的清潔方法仍具有待改進(jìn)的處。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明于此提供一種半導(dǎo)體基底的清洗方法，利用高溫的去離子 水以較短的工藝時(shí)間來(lái)清除殘留于半導(dǎo)體基底上的溶劑，以提升產(chǎn)品成品
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體基底的清洗方 法。首先，提供半導(dǎo)體基底，半導(dǎo)體基底包含有材料層與圖案化光刻膠層， 且圖案化光刻膠層位于材料層上。之后，利用圖案化光刻膠層作為蝕刻掩模 來(lái)蝕刻材料層，以在材料層中形成蝕刻孔洞。接著，利用清洗溶劑對(duì)半導(dǎo)體
基底進(jìn)行溶劑清洗工藝(solvent cleaning process)。其后利用去離子水對(duì)半導(dǎo) 體基底進(jìn)行水洗工藝，其中去離子水的溫度范圍介于3(TC至99。C之間，反 應(yīng)時(shí)間范圍介于30秒至5分鐘之間。
根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選實(shí)施例，本發(fā)明另提供一種半導(dǎo)體基底的清洗方 法。首先，提供半導(dǎo)體基底，半導(dǎo)體基底包含有材料層。之后，利用清洗溶 劑對(duì)半導(dǎo)體基底與材料層進(jìn)行溶劑清洗工藝，其中清洗溶劑包含有羥胺類成 分。接著，利用去離子水對(duì)半導(dǎo)體基底進(jìn)行水洗工藝，其中去離子水的溫度 范圍介于3CTC至99X:之間，反應(yīng)時(shí)間范圍介于30秒至5分鐘之間。
為讓本發(fā)明的上述目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí) 施方式，并配合附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下。然而如下優(yōu)選實(shí)施方式與圖式僅供
參考與說(shuō)明用，并非用來(lái)對(duì)本發(fā)明加以限制者。


圖1繪示的是已知方法形成插塞的流程示意圖。
圖2、 3、 4、 5、 6、 7和8繪示的是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例半導(dǎo)體基底的 清洗方法的剖面示意圖。
圖9繪示的是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例清洗半導(dǎo)體基底的流程示意圖。 附圖標(biāo)記說(shuō)明
101、 103、 105、 107、 109步驟
120半導(dǎo)體基底
114圖案化光刻膠層
124阻擋層
128插塞
132輸送管線
142去離子水
146導(dǎo)體
211、 213、 215步驟
111、 113、 115、 117、 119步驟
112介電材料層
122蝕刻孔洞
126導(dǎo)電層
130浸泡槽
140清洗溶劑
144側(cè)壁高分子
201、 203、 205、 207、 209步驟
具體實(shí)施例方式
請(qǐng)參照?qǐng)D2至圖9，圖2至圖8繪示的是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例半導(dǎo)體基 底的清洗方法的剖面示意圖，而圖9繪示的是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例清洗半導(dǎo) 體基底的流程示意圖，其中相同的元件或部位仍沿用相同的符號(hào)來(lái)表示。需 注意的是圖式僅以說(shuō)明為目的，并未依照原尺寸作圖。
首先，如圖2與圖9的步驟201所示，先提供半導(dǎo)體基底120，半導(dǎo)體 基底120上包含有導(dǎo)體146、介電材料層112與圖案化光刻膠層114。其中 如本領(lǐng)域普通技術(shù)員然所熟知，當(dāng)要利用光刻膠進(jìn)行圖案形成與圖案轉(zhuǎn)移 時(shí)，通常需先將光刻膠液涂布在預(yù)定的材料層表面，經(jīng)由黃光工藝將影像投 射至光刻膠層上之后，再經(jīng)烘烤及顯影步驟將未被曝光的光刻膠層去除，藉 以形成前述的圖案化光刻膠層114。 一般而言，半導(dǎo)體基底120可以由硅基 底、含硅基底或者硅覆絕緣(Silicon-on-Insulator, SOI)等半導(dǎo)體材料所構(gòu)成， 例如為晶片。介電材料層112可由氧化物或摻有硼、磷的氧化硅等絕緣材料
所構(gòu)成。圖案化光刻膠層114可以包含有正光刻膠材料或負(fù)光刻膠材料。導(dǎo) 體146可以是任何導(dǎo)電物質(zhì)或是半導(dǎo)體裝置中的導(dǎo)電區(qū)域，例如金屬線路、 導(dǎo)電插塞、金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的源極區(qū)域、金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管 的漏極區(qū)域、金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的柵極，或是二極管元件的連接區(qū)域 等等。需注意的是，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，前述介電材料層112亦可替 換為其他非介電材料層，例如鋁金屬層或鋁合金鈍化層等的薄膜。
接著，如圖3與圖9的步驟203所示，對(duì)半導(dǎo)體基底120進(jìn)行蝕刻工藝， 例如等離子體蝕刻工藝或者反應(yīng)離子蝕刻工藝等，將圖案化光刻膠層114的 圖案轉(zhuǎn)移至下方的介電材料層112中，以在介電材料層112中形成所需的蝕 刻孔洞122，例如接觸插塞孔洞(contact plug hole)、介層插塞孔洞(via plug hole) 或渠溝(trench)圖案，并暴露出導(dǎo)體146 。
之后，如圖4與圖9的步驟205所示，利用剝除(striping)工藝來(lái)清除圖 案化光刻膠層114，例如進(jìn)行氧氣等離子體灰化工藝或是濕法化學(xué)蝕刻工藝 等。其后，半導(dǎo)體基底120可以被傳送至半導(dǎo)體濕法化學(xué)工作站進(jìn)行半導(dǎo)體 基底120的潔凈，以去除半導(dǎo)體基底120表面上的蝕刻后殘余物與側(cè)壁高分 子144，如圖5與圖9的步驟207所示，接著進(jìn)行溶劑清洗工藝(solvent cleaning process),半導(dǎo)體基底120被置入浸泡槽130中接受旋轉(zhuǎn)與浸泡。浸泡槽130 中注入有高溫的清洗溶劑140，例如70°C的羥胺類(hydroxylamine)溶劑等， 以去除位于介電材料層112表面、蝕刻孔洞122內(nèi)壁與蝕刻孔洞122底部的 側(cè)壁高分子144與殘余物，其浸泡時(shí)間通常約5-30分鐘左右，例如IO分鐘。 隨后，對(duì)半導(dǎo)體基底120進(jìn)行旋轉(zhuǎn)干燥(spin-drying)工藝，利用旋轉(zhuǎn)半導(dǎo)體基 底120的慣性與離心力來(lái)移除半導(dǎo)體基底120上大部分的清洗溶劑140。
這里的清洗溶劑140可以為各式含胺(amine-base)溶劑或是含氟化物 (fluoride-base)等的溶劑，例如EKC-270或ACT-935。根據(jù)本優(yōu)選實(shí)施例，浸 泡槽130中的清洗溶劑140包含有EKC-270。 EKC-270清洗溶劑是一種由杜 邦EKC科技公司所生產(chǎn)的商業(yè)化蝕刻后殘余物去除劑(post-etch residue remover),在半導(dǎo)體濕法清洗工藝中常被用來(lái)清除半導(dǎo)體基底表面上的有機(jī) 高分子成分、光刻膠灰化后殘余物以及有機(jī)金屬蝕刻殘余物等等。EKC-270 清洗溶劑主要的成分是羥胺類物質(zhì)。ACT-935清洗溶劑則是由Ashland公司 所生產(chǎn)的蝕刻后殘余物去除劑，主要的成分是單乙醇胺與羥胺類物質(zhì)。
清洗溶劑l40經(jīng)由清洗溶劑控制閥(未示于圖中)以及清洗溶劑的輸送管
線132注入浸泡槽130中。在輸送管線132中間可以設(shè)置有液體輸送泵浦(未 示于圖中)。此外，在清洗溶劑140進(jìn)入浸泡槽130之前，清洗溶劑140可 以先被容置于容置槽中(未示于圖中)。容置槽包含有加熱裝置(heater),用以 把清洗溶劑140加熱至適當(dāng)?shù)墓に嚋囟?。舉例來(lái)說(shuō)，EKC-270清洗溶劑的沸 點(diǎn)大約是ll(TC至170°C,因此這里EKC-270清洗溶劑的溫度不宜高于110 。C。實(shí)際的工藝溫度可以根據(jù)半導(dǎo)體基底120的結(jié)構(gòu)材料與溶劑清洗工藝的 工藝狀況等等參數(shù)而調(diào)整， 一方面要能有效地移除蝕刻副產(chǎn)物，另一方面必 須不影響到已形成好的導(dǎo)體146。
隨后，如圖6與圖9的步驟209所示，利用去離子水142對(duì)半導(dǎo)體基底 120進(jìn)行水洗工藝，進(jìn)一步去除位于介電材料層112上的清洗溶劑140。水 洗工藝中所使用的去離子水142的溫度范圍介于30。C至99。C之間，例如70 。C，反應(yīng)時(shí)間范圍介于30秒至5分鐘之間，例如為1分鐘。在水洗工藝的 過(guò)程中，殘留于半導(dǎo)體基底120表面、蝕刻孔洞122側(cè)壁與蝕刻孔洞122洞 底部的清洗溶劑140會(huì)受到去離子水142的加熱與溶解，因此清洗溶劑140 的粘度便會(huì)下降，且因有效縮短水洗時(shí)間，不至于過(guò)度腐蝕導(dǎo)體146表面， 使得清洗溶劑140較容易從半導(dǎo)體基底120表面被移除。
另一方面，由于這里系使用高溫的去離子水142來(lái)進(jìn)行水洗工藝，因此 去離子水142會(huì)比較容易與清洗溶劑140中的成分進(jìn)行水解反應(yīng)，使清洗溶 劑140更容易溶于去離子水142而被帶除。此外，在高溫的環(huán)境之下，去離 子水142與清洗溶劑140反應(yīng)所產(chǎn)生的副產(chǎn)物還可以幫助水洗工藝移除半導(dǎo) 體基底120表面的氧化物與高分子物質(zhì)。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)清洗溶劑140包含有 EKC-270清洗溶劑時(shí)，去離子水142與羥胺類物質(zhì)反應(yīng)可產(chǎn)生氫氧化銨，利 用氫氧化銨來(lái)協(xié)助移除氧化物與高分子物質(zhì)。
其中，前述步驟207與步驟209可以反復(fù)交替地進(jìn)行。也就是說(shuō)，溶劑 清洗工藝以及水洗工藝可以為多重步驟(multi-cycle)。如此一來(lái)，半導(dǎo)體基底 120可在水洗工藝之后再反復(fù)進(jìn)行溶劑清洗工藝以及水洗工藝，直到半導(dǎo)體 基底120表面的殘余物、側(cè)壁高分子144與清洗溶劑140幾乎都被移除為止。
之后，如圖9的步驟211所示，對(duì)半導(dǎo)體基底120進(jìn)行干燥工藝，例如 利用氮?dú)鈦?lái)干燥半導(dǎo)體基底120。接著，如圖7、圖9的步驟213與步驟215 所示，在半導(dǎo)體基底120表面形成一層粘著層或阻擋層124,覆蓋于介電材 料層112表面、蝕刻孔洞122側(cè)壁與蝕刻孔洞122底部，再在半導(dǎo)體基底120
表面形成一層導(dǎo)電層126,覆蓋于阻擋層124上，并填充于蝕刻孔洞122中。 其中，導(dǎo)電層126可利用鴒(W)、氮化鈦(TiN)、鎢化鈦(TiW)等金屬材料或 其混合物所構(gòu)成。
其后，如圖8與圖9的步驟217所示，進(jìn)行平坦化工藝，例如化學(xué)機(jī)械 拋光工藝，以去除多余的阻擋層124與多余的導(dǎo)電層126，由此于介電材料 層112中形成插塞128，例如接觸插塞或介層插塞。
在本發(fā)明的另 一 實(shí)施例中，在溶劑清洗工藝之前另可包含有預(yù)水洗工 藝。預(yù)水洗工藝同樣是利用高溫的去離子水142對(duì)半導(dǎo)體基底120進(jìn)行清洗， 其中水洗工藝、溶劑清洗工藝與預(yù)水洗工藝可以利用同一工藝機(jī)臺(tái)或同一工 藝工具進(jìn)行，也可以利用不同工藝機(jī)臺(tái)或不同工藝工具進(jìn)行。舉例來(lái)說(shuō)，水 洗工藝、溶劑清洗工藝與預(yù)水洗工藝可以在同 一半導(dǎo)體濕法化學(xué)工作站中進(jìn) 行，而可使用的工藝工具包含有溶劑清洗工具(solvent cleaning tool)或是刷洗 工具(scrubber cleaning tool)。
此外，溶劑清洗工藝可以接續(xù)著預(yù)水洗工藝而直接進(jìn)行，而水洗工藝可 以緊接著溶劑清洗工藝而直接進(jìn)行。換句話說(shuō)，溶劑清洗工藝與預(yù)水洗工藝 之間、水洗工藝與溶劑清洗工藝之間可以不進(jìn)行干燥步驟等等工藝。另外， 溶劑清洗工藝與預(yù)水洗工藝之間、水洗工藝與溶劑清洗工藝之間也可以依據(jù) 實(shí)際工藝需要而進(jìn)行其他步驟，例如中間溶劑浸潤(rùn)(intermediate post-solvent rinse, IPR)步驟或是刷洗步驟。
前述實(shí)施例是使用插塞結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行本發(fā)明的說(shuō)明，然而，該領(lǐng)域具通 常知識(shí)者應(yīng)可理解，本發(fā)明的主要特征在于使用高溫去離子水來(lái)移除半導(dǎo)體 基底上的清洗溶劑與殘余物，因此本發(fā)明不必局限于制作插塞結(jié)構(gòu)，本發(fā)明 亦可用于形成或清潔金屬連線結(jié)構(gòu)或是連接墊結(jié)構(gòu)。舉例來(lái)說(shuō)，前述實(shí)施例 的介電材料層112可以替換為任何其他材料層，例如鋁金屬材料層，圖案化 光刻膠層114的可以具有任何圖樣的開(kāi)口圖案，且圖案化光刻膠層114可以 替換為其他材料的圖案化硬掩模，例如含有氮氧化合物的圖案化硬掩模。換 句話說(shuō)，本發(fā)明可用于各式薄膜的蝕刻后的清洗工藝，或是各種薄膜的沉積 前的清洗工藝。
由于本發(fā)明使用高溫去離子水來(lái)移除半導(dǎo)體基底上的殘余物，因此具有 以下幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)。首先，高溫去離子水能有效地移除半導(dǎo)體基底上的清洗溶劑 與殘余物，所以可以大幅提升本發(fā)明所制作出的產(chǎn)品成品率，也使得不同機(jī)
臺(tái)的成品率差異值縮小，提升工藝的穩(wěn)定度。其次，由于清洗溶劑可以被有 效地移除，因此本發(fā)明可以增加清洗溶劑的更換周期，不需要每8個(gè)小時(shí)就 更換新的清洗溶劑。因此，不但可以減少更換溶液所花費(fèi)的時(shí)間，增加生產(chǎn)
率(productivity),還可以節(jié)省工藝成本。再者，由于機(jī)臺(tái)的成品率提高且不 同機(jī)臺(tái)的成品率差異值縮小，各機(jī)臺(tái)可接受的工藝參數(shù)的差異值也更大。也 就是說(shuō)，本發(fā)明可以輕易地利用多個(gè)機(jī)臺(tái)來(lái)進(jìn)行同一個(gè)工藝，而不必?fù)?dān)心不 同機(jī)臺(tái)所制作的產(chǎn)品會(huì)良莠不齊。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的均等變 化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體基底的清洗方法，包含有提供半導(dǎo)體基底，該半導(dǎo)體基底包含有材料層與圖案化光刻膠層，且該圖案化光刻膠層位于該材料層上；利用該圖案化光刻膠層作為蝕刻掩模來(lái)蝕刻該材料層，以在該材料層中形成蝕刻孔洞；利用清洗溶劑對(duì)該半導(dǎo)體基底進(jìn)行溶劑清洗工藝；以及利用去離子水對(duì)該半導(dǎo)體基底進(jìn)行水洗工藝，且該去離子水的溫度范圍介于30℃至99℃之間。
2. 如權(quán)利要求1所述的清洗方法，其中該水洗工藝的反應(yīng)時(shí)間范圍介于 30秒至5分鐘之間。
3. 如權(quán)利要求1所述的清洗方法，其中該溶劑清洗工藝以及該水洗工藝 為多重步驟。
4. 如權(quán)利要求1所述的清洗方法，其中該清洗溶劑包含有羥胺類成分。
5. 如權(quán)利要求1所述的清洗方法，其中該清洗溶劑的溫度低于ll(TC。
6. 如權(quán)利要求1所述的清洗方法，其中該材料層包含有介電材料層。
7. 如權(quán)利要求1所述的清洗方法，其中該蝕刻孔洞包含有接觸插塞孔洞 或介層插塞孔洞。
8. 如權(quán)利要求1所述的清洗方法，在該溶劑清洗工藝之后另包含有旋轉(zhuǎn) 干燥該半導(dǎo)體基底的步驟。
9. 如權(quán)利要求1所述的清洗方法，在該水洗工藝之后另包含有對(duì)該半導(dǎo) 體基底進(jìn)行干燥工藝的步驟。
10. 如權(quán)利要求9所述的清洗方法，其中該干燥工藝是利用氮?dú)鈦?lái)干燥該 半導(dǎo)體基底。
11. 如權(quán)利要求1所述的清洗方法，在該溶劑清洗工藝之前另包含有清除 該圖案化光刻膠層的步驟。
12. 如權(quán)利要求1所述的清洗方法，其中該溶劑清洗工藝與該水洗工藝是 在同一機(jī)臺(tái)之中進(jìn)行。
13. 如權(quán)利要求1所述的清洗方法，其中該溶劑清洗工藝與該水洗工藝是 在不同機(jī)臺(tái)之中進(jìn)4亍。
14. 如權(quán)利要求1所述的清洗方法，在該溶劑清洗工藝之前另包含有利用 該去離子水對(duì)該半導(dǎo)體基底進(jìn)行預(yù)水洗工藝的步驟。
15. 如權(quán)利要求14所述的清洗方法，其中該溶劑清洗工藝與該預(yù)水洗工 藝是在同一機(jī)臺(tái)之中進(jìn)行。
16. 如權(quán)利要求14所述的清洗方法，其中該溶劑清洗工藝與該預(yù)水洗工 藝是在不同機(jī)臺(tái)之中進(jìn)行。
17. —種半導(dǎo)體基底的清洗方法，包含有 提供半導(dǎo)體基底，該半導(dǎo)體基底包含有材料層；利用清洗溶劑對(duì)該半導(dǎo)體基底與該材料層進(jìn)行溶劑清洗工藝，該清洗溶 劑包含有羥胺類成分；以及利用去離子水對(duì)該半導(dǎo)體基底進(jìn)行水洗工藝，且該去離子水的溫度范圍 介于30。C至99。C之間。
18. 如權(quán)利要求17所述的清洗方法，其中該去離子水的反應(yīng)時(shí)間范圍介 于30秒至5分鐘之間。
19. 如權(quán)利要求17所述的清洗方法，其中該溶劑清洗工藝以及該水洗工 藝是多重步驟。
20. 如權(quán)利要求17所述的清洗方法，在該溶劑清洗工藝之后另包含有旋 轉(zhuǎn)該半導(dǎo)體基底的步驟。
21. 如權(quán)利要求17所述的清洗方法，在該水洗工藝之后另包含有對(duì)該半 導(dǎo)體基底進(jìn)行干燥工藝的步驟。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體基底的清洗方法。首先，提供半導(dǎo)體基底，半導(dǎo)體基底包含有材料層與圖案化光刻膠層，且圖案化光刻膠層位于材料層上。之后，利用圖案化光刻膠層作為蝕刻掩模對(duì)材料層進(jìn)行接觸蝕刻工藝，以在材料層中形成蝕刻孔洞。接著，利用清洗溶劑對(duì)半導(dǎo)體基底進(jìn)行溶劑清洗工藝。其后利用去離子水對(duì)半導(dǎo)體基底進(jìn)行水洗工藝，其中去離子水的溫度范圍介于30℃至99℃之間。
文檔編號(hào)H01L21/311GK101373704SQ20071014177
公開(kāi)日2009年2月25日 申請(qǐng)日期2007年8月21日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月21日
發(fā)明者孫智強(qiáng), 李華國(guó), 楊大江, 王志祥, 王敬玲, 王潤(rùn)順, 藍(lán)天呈, 陳京好, 黃文俊 申請(qǐng)人:聯(lián)華電子股份有限公司