專利名稱：：有機發(fā)光元件及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種具有光諧振器結(jié)構(gòu)的有機發(fā)光元件和使用它的顯示裝置。
背景技術(shù)：
：近年來，作為平板顯示器之一，利用有機EL(電致發(fā)光)現(xiàn)象來顯示圖像的有機EL顯示器正在受到注目。有機EL顯示器因為是利用這樣的發(fā)光現(xiàn)象來顯示圖像的自發(fā)光型，因此具有視場角寬、電力消耗小、以及重量輕的優(yōu)點。裝載在有機EL顯示器上的有機EL元件主要具有在陽極和陰極之間設(shè)置有機層的結(jié)構(gòu)。該有機層包含作為發(fā)光源的發(fā)光層和用于使該發(fā)光層發(fā)光的空穴輸送層或電子輸送層等。這其中在有源矩陣驅(qū)動方式的有機EL顯示裝置中正在進行能保證像素開口率大的上面發(fā)光(頂部發(fā)光)結(jié)構(gòu)的開發(fā)(例如，參見專利文獻1~專利文獻8)。這些結(jié)構(gòu)是具有光反射性的下部陰極和光透過性的上部陽極的元件結(jié)構(gòu)，和目前開發(fā)的具有光透過性的下部陽極和光反射性的上部陰極的結(jié)構(gòu)不同。頂部發(fā)光結(jié)構(gòu)因為不會受到由TFT(薄膜晶體管)或配線引起的數(shù)值孔徑率降低的影響，認(rèn)為其能提供顯示性能高、長期可靠性優(yōu)異的有機EL顯示裝置。另外，在頂部發(fā)光結(jié)構(gòu)中為了提高藍色光、綠色光和紅色光的色純度，已知如下技術(shù)在具有光反射性的下部陽極和光半透過性的上部陰極的元件結(jié)構(gòu)中，使從有機層中的發(fā)光層產(chǎn)生的光反射并使之發(fā)生諧振(例如，參見專利文獻9和專利文獻10)。具有該光諧振功能的有機EL元件的元件結(jié)構(gòu)一般被稱為"光諧振器結(jié)構(gòu)(所謂的微諧振腔結(jié)構(gòu))"。特別是，具有光諧振器結(jié)構(gòu)的有機EL元件因為光取出效率得到改善，即正面光強度變大，同時色純度高，因此適合用于全彩色顯示器。特開2003-203781號公報[專利文獻2]特開2003-203783號公報[專利文獻3]特開2003_323987號公報[專利文獻4]特開20(K-l46198號公報[專利文獻5]特開2004-152542號公報[專利文獻6]特開2005-032618號公報[專利文獻7]特開2005-276542號公報[專利文獻8]特開2005-530320號公報[專利文獻9]國際^^開第WO01/039554號小冊子[專利文獻10]特開平10-177896號公報
發(fā)明內(nèi)容發(fā)明要解決的課題可是，最近伴隨著有機EL顯示器的實用性受到廣泛認(rèn)同，期望進一步提高顯示性能。但是，目前左右顯示性能的有機EL元件的發(fā)光性能還不能說充分，還有許多改善的余地。例如，專利文獻1專利文獻8的元件結(jié)構(gòu)中，以使用任意的光的透過性高的上部陽極為前提，上述陽極的構(gòu)成材料被限定于金屬氧化物導(dǎo)電體。金屬氧化物導(dǎo)電體一般是濺射成膜的，如果在使有機層成膜后直接成膜，則對有機層的損害大。因此，上述專利文獻1專利文獻8中，為了降低成膜時的損害，可以釆用各種緩沖層，或者在成膜方法上想辦法。但是，這些的效果是有限制的，不能避免可靠性或發(fā)光效率的降低，并且還存在因濺射粒子引起的泄漏的問題。另外，為了降低損害而使用添加的工序會增加成本。可是，具有光諧振器結(jié)構(gòu)的元件結(jié)構(gòu)的情況下，一般要使反射面和半透過面之間的光學(xué)距離L滿足數(shù)學(xué)式1。(數(shù)學(xué)式1)L=(m-0/2兀)人/2(式中，L表示反射面和半透過面之間的光學(xué)距離，m表示次數(shù)(0或自然數(shù))，O表示反射面產(chǎn)生的反射光的相位偏移和半透過面產(chǎn)生的反射光的相位偏移之和(rad)，X表示從半透過面?zhèn)热〕龅墓庾V的峰波長。另外，數(shù)學(xué)式1中L和X可以是相同的單位，例如以(nm)為單位。)反射面和半透過面之間存在取出發(fā)光強度的極大位置(諧振面)。該諧振面有m+1個位置，m=1以上的條件時，最靠近反射面的諧振面上有發(fā)光面時，發(fā)光光譜的半幅寬最寬。通過這樣的光諧振器結(jié)構(gòu)，一方面能獲得正面的色純度和發(fā)光強度的增大，另一方面發(fā)現(xiàn)相對于視場角的顏色偏差或強度降低，m越大越表現(xiàn)出顯著的視場角依賴性。只考慮視場角特性的話，理想的是m-0的條件，但是因為在該條件下有機膜厚變薄，對發(fā)光特性的影響或因泄漏而產(chǎn)生缺陷的危險增力口。為了解決這些問題，例如在111=1下靠近反射面的諧振面上安置發(fā)光層被認(rèn)為是有效的。作為在靠近反射面的諧振面上設(shè)置發(fā)光層的方法，認(rèn)為有以專利文獻9和專利文獻10為代表的帶有諧振器結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有的元件結(jié)構(gòu)，即依次疊層光反射性的下部陽極、空穴輸送層、發(fā)光層、電子輸送層、光半透過性的上部陰極的現(xiàn)有元件的情況下，將電子輸送層加厚。但是，如果將通常使用的Alq3的電子輸送層加厚，則會產(chǎn)生導(dǎo)致驅(qū)動電壓的極度上升，以及面板電力消耗增加的問題。另一方面，在有源矩陣型的有機EL驅(qū)動面板中，除了現(xiàn)有使用的低溫多晶珪TFT,正在進行使用無定型TFT或有機TFT的研究。根據(jù)TFT的結(jié)構(gòu)或驅(qū)動電路的設(shè)計，有時優(yōu)選基板側(cè)的反射電極是陰極的情況，但是具有現(xiàn)有光諧振器結(jié)構(gòu)的有機EL顯示裝置中，只知道基板側(cè)的反射電極為陽極的情況，有時不能應(yīng)對多樣化的有源驅(qū)動電路。本發(fā)明是鑒于上述問題而作出的，其目的在于提供能抑制驅(qū)動電壓且提高光取出特性，改善發(fā)光性能的有機發(fā)光元件以及使用它的顯示裝置。解決課題的手段方法本發(fā)明的有機發(fā)光元件具有依次帶有陰極、包含由有機材料制得的發(fā)光層的多個層、和含有金屬薄膜的陽極，對于在發(fā)光層產(chǎn)生的光，陰極是反射性的，陽極是半透過性的疊層結(jié)構(gòu)和具有在陰極和陽極之間使發(fā)光層中產(chǎn)生的光發(fā)生諧振的諧振器結(jié)構(gòu)，。這里，"透過性"是指可見光的透過率為10%以上100%以下，"反射性，，是指可見光的反射率為10%以上100%以下，"半透過性"是指同時具有透過性和反射性。本發(fā)明的顯示裝置具有多個有機發(fā)光元件，有機發(fā)光元件由上述本發(fā)明的有機發(fā)光元件構(gòu)成。本發(fā)明的有機發(fā)光元件由于具有依次疊層了反射性的陰極、包含發(fā)光層的多個層、和包含金屬薄膜的半透過性陽極的疊層結(jié)構(gòu)，通過加厚多個層中靠近陽極的層的厚度，發(fā)光層被合并到諧振器結(jié)構(gòu)中靠近取出發(fā)光強度最高的陰極的諧振面上。因此，驅(qū)動電壓不上升，能抑制依賴于視場角的取出光的強度降低或者向短波長側(cè)的轉(zhuǎn)移，從而獲得高的光取出效率。本發(fā)明的顯示裝置由于使用了本發(fā)明的有機發(fā)光元件，顯示性能獲得提高。發(fā)明的效果本發(fā)明的有機發(fā)光元件，不僅制成了將反射性陰極、包含發(fā)光層的多個層、和含有金屬薄膜的半透過性陽極疊層的結(jié)構(gòu)，而且通過陰極和陽極構(gòu)成諧振器結(jié)構(gòu)，因此不會引起驅(qū)動電壓的上升，可以使在諧振器結(jié)構(gòu)中的發(fā)光層的位置最佳化，緩和視場角依賴性且實現(xiàn)高的光取出特性，從而可以提高發(fā)光性能。并且，本發(fā)明的顯示裝置，由于帶有發(fā)光性能高的本發(fā)明的有機發(fā)光元件，因此可以提高顯示性能，同時非常適合應(yīng)對有機TFT等多樣化的有源驅(qū)動電路。[圖l]表示本發(fā)明一個實施方式的顯示裝置的結(jié)構(gòu)的剖面圖。[圖2]表示圖1所示的有機發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)的剖面圖。[圖3]表示構(gòu)成陽極的金屬薄膜的吸收率和發(fā)光光譜強度關(guān)系的圖。[圖5]表示本發(fā)明實施例的結(jié)果的圖。[圖6]表示本發(fā)明實施例的結(jié)果的圖。符號說明10…驅(qū)動面i反IOR、IOG、10B…有機發(fā)光元件11、111…驅(qū)動用基板12…TFT12A…層間絕緣膜12B…配線13...平整化層13A...連接孔14、114…陰極15…絕緣膜16…顯示層16A、116A…電子注入層16B、116B…電子輸送層16C、116C…發(fā)光層16D、116D…空穴輸送層16E、116E…空穴注入層17、117…陽極18…保護層20…去:]"閉面4反21…去于閉用基才反22…濾色器23…反射光吸收膜30…粘4妻層PI…第1端部P2…第2端部具體實施方式下面參照附圖詳細(xì)地對本發(fā)明的實施方式進行說明。[第1實施方式]圖l是表示本發(fā)明第1實施方式的有機EL顯示裝置的剖面結(jié)構(gòu)。該顯示裝置作為超薄型有機發(fā)光顯示器使用，驅(qū)動面板10和封閉面板20相對設(shè)置，通過由熱固化型樹脂等制成的粘接層30整個面貼合。驅(qū)動面板10例如是在由玻璃等絕緣材料制成的驅(qū)動用基板11上通過TFT12和平整化絕緣膜13,將發(fā)出紅色光的有機發(fā)光元件IOR、發(fā)出綠色光的有機發(fā)光元件IOG和發(fā)出藍色光的有機發(fā)光元件10B依次整體設(shè)置成矩陣狀。TFT12是分別對應(yīng)于有機發(fā)光元件IOR、IOG、10B的有源元件，有機發(fā)光元件IOR、IOG、IOB是通過有源矩陣方式驅(qū)動。TFT12的柵電極(圖中未示出)連接到未圖示的掃描電路上，源和漏電極(都未圖示)連接到例如通過氧化硅或PSG(磷硅酸鹽玻璃)等制成的層間絕緣膜12A而設(shè)置的配線12B上。配線12B是通過設(shè)置在層間絕緣膜12A上的未圖示的連接孔連接到TFT12的源和漏電極上，作為信號線使用。配線12B例如厚度為l.Opm左右，由鋁(Al)或鋁(Al)-銅(Cu)合金構(gòu)成。另外，TFT12的構(gòu)成沒有特別限制，例如可以是底柵(求卜厶^一卜)型或頂柵C卜、;/7。^一卜)型。平整化膜13是用于將形成TFT12的驅(qū)動用基板11的表面平整化，從而均勻地形成有機發(fā)光元件IOR、IOG、IOB各層膜厚的襯底層。平整化膜13上設(shè)置連接有機發(fā)光元件IOR、IOG、10B的陰極14和配線12B的連接孔13A。有機發(fā)光元件IOR、IOG、10B具有疊層結(jié)構(gòu)，例如從驅(qū)動用基板11側(cè)起，將TFT12和平整化膜13置于中間，依次疊層了陰極14、絕緣膜15、包含由有機材料制成的發(fā)光層16C的多個層制得的顯示層16、和陽極17。例如，如圖2所示，顯示層16從陰極14側(cè)起依次疊層電子注入層16A、電子輸送層16B、發(fā)光層16C、空穴輸送層16D和空穴注入層16E。在陽極17上，根據(jù)需要形成保護層18。并且，該有機發(fā)光元件IOR、IOG、IOB中，陰極14對發(fā)光層16C產(chǎn)生的光是反射性的，而陽極17對該光是半透過性的，通過這些陰極14和陽極17,構(gòu)成使發(fā)光層16C產(chǎn)生的光發(fā)生諧振的諧振器結(jié)構(gòu)。即，該有機發(fā)光元件IOR、IOG、10B具有以陰極14的發(fā)光層16C側(cè)的端面作為第1端部P1,以陽極17的發(fā)光層16C側(cè)的端面作為第2端部P2,顯示層16作為諧振部，使發(fā)光層16C產(chǎn)生的光諧振且從第2端部P2側(cè)取出光的諧振器結(jié)構(gòu)。只要具有這樣的諧振器結(jié)構(gòu)，發(fā)光層16C產(chǎn)生的光引起多重干涉，作為一種窄帶濾波器起作用，從而能減少取出的光的譜圖的半幅寬，提高色純度。并且，從封閉用基板21側(cè)入射的外部光也通過多重干涉被衰減，通過后述的濾色器22或相位差板和偏振片(未圖示)的組合，可以使有機發(fā)光元件IOR、IOG、10B中外部光的反射率變得非常小。因此，要使諧振器的第1端部(反射面)P1和第2端部(半透過面)P2之間的光學(xué)距離L滿足數(shù)學(xué)式2,優(yōu)選諧振器的諧振波長(取出的光的譜圖的峰波長)和想要取出的光的譜圖的峰波長一致。(數(shù)學(xué)式2)L=(m-0/(2兀)V2(式中，L表示第1端部P1和第2端部P2之間的光學(xué)距離，m表示次數(shù)(0或自然數(shù))，O表示第1端部P1產(chǎn)生的反射光的相位偏移&和第2端部P2產(chǎn)生的反射光的相位偏移02之和(0=Oh+02)(rad),X表示從第2端部P2側(cè)取出的光的譜圖的峰波長。另外，數(shù)學(xué)式2中L和X可以是同樣的單位，例如以(nm)為單位。)第1端部P1和第2端部P2之間，取出發(fā)光強度存在111+1個極大的位置(諧振面)，在m-l以上的條件下，在最靠近第1端部P1的諧振面上有發(fā)光層16C時，發(fā)光光譜的半幅寬最寬，并且能抑制依賴于視場角的取出光的強度降低，同時使取出光的短波長偏移變小。次數(shù)m沒有特別限制，例如111=1，即，存在2個位置的諧振面，優(yōu)選在它們中靠近第1端部P1的諧振面上設(shè)置發(fā)光層16C。如上所述，這是因為m越大視場角依賴性越大，另一方面，m=(Ht，顯示層16C的厚度變薄，容易在發(fā)光特性上產(chǎn)生問題，如發(fā)生電流泄漏等的可能性提高等。另外，該顯示裝置具有從上述驅(qū)動用基板11側(cè)依次疊層了陰極14、包含發(fā)光層16C的顯示層16、和陽極17的疊層結(jié)構(gòu)。由此，該顯示裝置中通過加厚空穴輸送層16D的厚度，可以在靠近第1端部Pl的諧振面上合并發(fā)光層16C,由此，能在幾乎不提高驅(qū)動電壓的情況下提高光取出特性，并可以提高發(fā)光特性。為了提高發(fā)光效率，希望作為這樣的諧振器結(jié)構(gòu)的第1端部P1的陰極14具有盡可能高的反射率。并且，陰極14因為是電子注入電極，優(yōu)選對顯示層16的電子注入壁壘小，期望由功函數(shù)小的金屬構(gòu)成。陰極14例如在疊層方向的厚度(下面只稱為厚度)為30腿以上2000nm以下，并且由鋰(Li)、鎂(Mg)或鈣(Ca)等堿金屬或堿土金屬和銀(Ag)、鋁(Al)或銦(In)等金屬的合金構(gòu)成。并且，也可以是上述堿金屬或堿土金屬的層與上述金屬層的疊層結(jié)構(gòu)。另外，陰極14可以通過利用各種表面處理或后述的電子注入層16A,由功函數(shù)比較大的金屬或金屬氧化物等構(gòu)成。并且，陰極14例如也可以是功函數(shù)小的金屬薄膜或包含功函數(shù)小的金屬的摻雜層和透明電極的疊層結(jié)構(gòu)，所述透明電極由氧化錫(Sn02)、氧化銦錫(ITO;銦錫氧化物)、氧化鋅或氧化鈦等金屬氧化物制成。另一方面，成為第2端部P2的陽極17作為半透過性反射層，希望反射率和透過率合計盡可能接近100%，另一方面，吸收率要盡可能小，從而減小由吸收引起的損失小。陽極17必須起電極功能，在薄膜中也必須具備用于對有機EL元件提供空穴的充分的導(dǎo)電性。作為這樣的陽極17的構(gòu)成材料，例如優(yōu)選由包含鎂(Mg)、鈣(Ca)、鈉(Na)等堿金屬或堿土金屬和銀(Ag)的合金制成的金屬薄膜，特別優(yōu)選由包含鎂(Mg)和銀(Ag)的合金制成的金屬薄膜。這是因為，由鎂(Mg)和銀(Ag)的合金制成的金屬薄膜可以穩(wěn)定地真空蒸鍍，并且在5nm10nm左右的薄膜中能驅(qū)動有機EL元件，因此最適合作為光諧振器結(jié)構(gòu)中的光取出側(cè)的電極。并且，由鎂(Mg)和銀(Ag)的合金制成的陽極17由于能以對電阻加熱蒸鍍這樣的有機膜損害小的成膜方法簡便地形成，因此與專利文獻1~專利文獻8中所述的現(xiàn)有有機EL元件相比缺陷少，能獲得可靠性高的發(fā)光。另外，陽極17的金屬薄膜因為能以5nm~10nm左右或20nm左右的厚度形成，在顯示層16中產(chǎn)生缺陷時其缺陷進入或返回陽極17的金屬材料的危險小，從而可以抑制短路引起的非發(fā)光缺陷的產(chǎn)生。另外，也可以使用鋁(A1)、銀(Ag)、金(Au)、銅(Cu)等單獨金屬薄膜作為陽極17,但是難以形成在厚度10nm左右下具有能驅(qū)動有機發(fā)光元件IOR、IOG、IOB的導(dǎo)電性的超薄膜。構(gòu)成這樣陽極17的金屬薄膜的吸收率a優(yōu)選滿足數(shù)學(xué)式3，更優(yōu)選不到40%。這是因為，可以有效地起到諧振器結(jié)構(gòu)的作用，并可以提高光取出效率。(數(shù)學(xué)式3)a(%)=跳(R+T)(式中，a表示金屬薄膜的400nm以上800nm以下的波長區(qū)域下的光吸收率(％)，R表示對金屬薄膜的顯示層16側(cè)的反射率(％),T表示金屬薄膜的透過率(％)。)圖3是分別計算構(gòu)成陽極17的金屬薄膜在550nm下的吸收率為20%和40%時的發(fā)光光譜的結(jié)果。另外，吸收率20%時，陽極17的厚度為10nm，由Mg-Ag合金制成的金屬薄膜構(gòu)成。從圖3可知，吸收率為40%時的發(fā)光強度降低到了吸收率為20%時的二分之一(l/2)左右。即，構(gòu)成陽極17的金屬薄膜的吸收率如果不到40%，則可以提高效率，對保持顯示器的品質(zhì)非常有利。圖1所示的絕緣膜15用于確保陰極14和陽極17的絕緣性，并且使有機發(fā)光元件10R、10G、10B中發(fā)光區(qū)域的形狀正確地形成期望的形狀，例如，可以由聚酰亞胺等感光性樹脂構(gòu)成。在絕緣膜15上設(shè)置對應(yīng)于發(fā)光區(qū)域的開口部15A。圖2所示的電子注入層16A是用于提高電子注入效率的層。電子輸送層16B是用于提高對發(fā)光層16C的電子輸送效率的層。發(fā)光層16C是通過施加電場引起電子和空穴的再結(jié)合而產(chǎn)生光的層?？昭ㄝ斔蛯?6D是用于提高對發(fā)光層16C的空穴輸送效率的層。空穴注入層16E是用于提高空穴注入效率的層。另外，這些當(dāng)中，根據(jù)需要還可以設(shè)置發(fā)光層16C以外的層，并且，根據(jù)有機發(fā)光元件IOR、IOG、IOB的發(fā)光顏色，顯示層16的各自結(jié)構(gòu)也可以不同。電子注入層16A例如由鋰(Li)、鎂(Mg)或4丐(Ca)等堿金屬或堿土金屬和銀(Ag)、鋁(Al)或者銦(In)等金屬的合金，具體地，優(yōu)選由Mg-Ag合金構(gòu)成。另外，優(yōu)選由鋰(Li)、鎂(Mg)或鈣(Ca)等堿金屬或堿土金屬和氟或溴等卣素或氧的化合物，具體地，優(yōu)選由LiF制成。另外，還可以由在8-羥基全啉鋁配位化合物(Alq3)等電子輸送性有機材料中添加鎂(Mg)等堿金屬的材料構(gòu)成。電子注入層16A也可以是將它們中的2種以上的膜疊層的結(jié)構(gòu)。對于電子注入層16A的厚度，例如在由LiF等堿金屬的卣化物、堿土金屬的卣化物、堿金屬的氧化物或石成土金屬的氧化物構(gòu)成時，優(yōu)選為0.3nm以上1.3nm以下。因為這樣能降低驅(qū)動電壓，并能提高發(fā)光效率。電子輸送層16B例如厚度為5nm以上50nm以下，并且由Alq3構(gòu)成。發(fā)光層16C的構(gòu)成材料根據(jù)有機發(fā)光元件IOR、IOG、IOB的發(fā)光顏色而不同。有機發(fā)光元件10R的發(fā)光層16C例如厚度為10nm以上100nm以下，并且由在Alq3中混合40體積％的2,6-雙[4-[N-(4-曱氧基苯基)-N-苯基]氨基苯乙烯基]萘-l,5-二腈(BSN-BCN)而得到的物質(zhì)構(gòu)成。有機發(fā)光元件10G的發(fā)光層16C例如厚度為10nm以上100nm以下，并且由在Alq3中混合3體積％的香豆素6(Coumarin6)而得到的物質(zhì)構(gòu)成。有機發(fā)光元件10B的發(fā)光層WC例如厚度為lOnm以上100nm以下，并且由在AND(9，10-二O萘基)蒽)中混合1體積％的芘而得到的物質(zhì)構(gòu)成。空穴輸送層16D例如厚度為5nm以上300nm以下，并且由雙[(N-萘基)-N-苯基]聯(lián)苯胺(a-NPD)構(gòu)成?？昭ㄗ⑷雽?6E例如優(yōu)選厚度為4nm以上，并且由化學(xué)式1表示的吡嗪衍生物構(gòu)成。另外，還優(yōu)選氧化鈦、氧化鈮或氧化鉬金屬等的氧化物。這是因為，構(gòu)成陽極17的Mg-Ag合金通常是作為電子注入電極使用的材料，功函數(shù)小到3.7eV左右，通過使用這些材料，由Mg-Ag合金構(gòu)成陽極17,可以具有作為空穴注入電極的功能。另外因為，由Mg-Ag合金制成的陽極17和構(gòu)成顯示層16的有機材料接觸而引起化學(xué)變化，可以抑制光吸收的增加或者作為電極功能的喪失等危險。[化學(xué)式1]其中，更優(yōu)選化學(xué)式2表示的六氮雜苯并[9,10]菲衍生物或氧化鉬。這是因為，這些材料能通過電阻加熱方式的真空蒸鍍法容易地成膜，沒有損傷由Mg-Ag合金制成的陽極17的導(dǎo)電性的危險。[化學(xué)式2]RR保護層18例如厚度為500nm以上10000nm以下，由透明電介質(zhì)制成的鈍化膜。保護層18例如由氧化硅(Si02)、氮化硅(SiN)等構(gòu)成。封閉面板20是位于驅(qū)動面板10的陽極17側(cè)，具有粘合層30和封閉有機發(fā)光元件IOR、IOG、10B的封閉用基板21。封閉用基板21由對有機發(fā)光元件IOR、IOG、IOB產(chǎn)生的光透明的玻璃等材料構(gòu)成。封閉用基板21中例如設(shè)置濾色器22和作為黑色基質(zhì)的反射光吸收膜23,取出在有機發(fā)光元件IOR、IOG、IOB產(chǎn)生的光，并且在有機發(fā)光元件10R、10G、10B和它們間的配線中吸收反射的外部光，從而改善對比度。這些濾色器22和反射光吸收膜23可以設(shè)置在封閉用基板21的任何一側(cè)面上，但是優(yōu)選設(shè)置在驅(qū)動面板IO—側(cè)。這是因為，濾色器22和反射光吸收膜23在表面不露出，可以通過粘合層30來保護。濾色器22具有紅色濾光片22R、綠色濾光器片2G和藍色濾光片22B，對應(yīng)于有才幾發(fā)光元件IOR、IOG、IOB依次設(shè)置。紅色濾光片22R、綠色濾光片22G和藍色濾光片22B例如分別以矩形狀無間隙地形成。這些紅色濾光片22R、綠色濾光片22G和藍色濾光片22B分別由混入了顏料的樹脂構(gòu)成，通過選擇顏料來調(diào)整作為目標(biāo)的在紅、綠或藍色波長區(qū)域中光透過性變高，在其他波長區(qū)域光透過性變低。反射光吸收膜23是沿著紅色濾光片22R、綠色濾光片22G和藍色濾光片22B的邊界設(shè)置的。反射光吸收膜23例如通過混入了黑色著色劑的光學(xué)濃度為1以上的黑色樹脂膜或利用薄膜干涉的薄膜濾光片構(gòu)成。其中，只要由黑色樹脂膜構(gòu)成，就可以廉價且容易地形成，故優(yōu)選。薄膜濾光片例如是疊層l層以上的由金屬、金屬氮化物或金屬氧化物制成的薄膜，利用薄膜干涉使光衰減的薄膜濾光片。作為薄膜濾光片，具體地，可列舉鉻和氧化鉻(111)(&203)交替疊層的薄膜濾光片。該顯示裝置例如能由下面步驟來制造。首先，例如在上述材料制成的封閉用基板21上，將由上述材料制成的反射光吸收膜23成膜，以規(guī)定形狀形成圖案。接著，在封閉用基板21上通過旋涂器等涂布紅色濾光片22R的材料，通過光刻蝕技術(shù)形成圖案，通過焙燒形成紅色濾光片22R。在形成圖案時，優(yōu)選紅色濾光片22R的周邊部分搭在反射光吸收膜23上。這是因為不搭在反射光吸收膜23上的話則難以高精度地形成圖案，并且重疊在反射光吸收膜23上的部分不影響圖像顯示。接著，和紅色濾光片22R同樣地，依次形成藍色濾光片22B和綠色濾光片22G。由此，形成封閉面板20。另外，例如在由上述材料制成的驅(qū)動用基板ll上，形成TFT12、層間絕緣膜12A和配線12B，通過例如旋涂法在整個面上形成由上述材料制成的平整化膜13，通過曝光和顯影使平整化膜13形成規(guī)定形狀的圖案，同時形成連接孔13A,并進行焙燒。接著，例如通過賊射法或蒸鍍法，形成由上述材料制成的陰極14,通過蝕刻成型為規(guī)定形狀。接著，在驅(qū)動用基板ll的整個面上涂布感光性樹脂，例如通過光蝕刻法成型，在對應(yīng)于陰極14的部分上設(shè)置開口部15A,并進行焙燒，形成絕緣膜15。然后，例如通過蒸鍍法，對應(yīng)于絕緣膜15的開口部15A，將由上述厚度和材料制成的電子注入層16A、電子輸送層16B、發(fā)光層16C、空穴輸送層16D、空穴注入層16E和陽極17依次成膜，形成如圖2所示的有機發(fā)光元件IOR、IOG、IOB。接著，在有機發(fā)光元件IOR、IOG、10B上根據(jù)需要形成保護層18。由此，形成驅(qū)動面4反10。形成封閉面板20和驅(qū)動面板10后，在形成驅(qū)動用基板11的有才幾發(fā)光元件IOR、IOG、IOB—側(cè)，涂布形成由上述材料制成的粘接層30,將該粘接層30放在中間，貼合驅(qū)動面板10和封閉面板20。由此，完成圖l所示的顯示裝置。該顯示裝置中，在各有機發(fā)光元件IOR、IOG、IOB中，通過在陽極17和陰極14之間施加一定的電壓，在發(fā)光層16C中注入電流，將空穴和電子再結(jié)合而引起發(fā)光。該光在陽極17和陰極14之間多次反射，透過半透過性的陽極17、濾色器22和封閉用基板21而被取出。此時，在本實施方式中，由于依次疊層了反射性的陰極14、含有發(fā)光層16C的顯示層16、含有金屬薄膜的半透過性的陽極17，因此通過力口厚空穴輸送層16D的厚度，發(fā)光層16C合并到諧振器結(jié)構(gòu)中靠近陰極14的諧振面。由此，能抑制依賴于視場角的取出光的強度降低或短波長偏移，發(fā)光層16C產(chǎn)生的光以高取出效率被取出。并且，空穴輸送層16D除了比電子輸送材料的材料選擇范圍寬以夕卜，與電子輸送材料的電子移動度相比，空穴移動度相對地高，因此，加厚空穴輸送層16D的厚度，在靠近第1端部的諧振面上合并發(fā)光層16C，驅(qū)動電壓幾乎沒有上升。另外，影響開口率的TFT12或配線12B等設(shè)置在反射性的陰極14側(cè)，能保持高的開口率。此外，通過加厚空穴輸送層16D的厚度，能提高顯示層16的有機膜對基板上的膜覆蓋效果，抑制陰極14上的成膜不良或異物附著等引起的缺陷部分或有機膜的缺陷引起的短路的產(chǎn)生。與此相反，由于以往是制成在基板上依次疊層光反射性的陽極、空穴輸送層、發(fā)光層、電子輸送層和光半透過性的陰極的結(jié)構(gòu)，因此為了在靠近陽極的諧振面上合并發(fā)光層而加厚電子輸送層，這樣會導(dǎo)致驅(qū)動電壓的極端上升，以及面板消耗電力的增大。這樣，本實施方式中，在具有諧振器結(jié)構(gòu)的有機發(fā)光元件IOR、IOG、IOB中，由于制成依次疊層反射性的陰極14、包含發(fā)光層16C的顯示層16和半透過性的陽極17的結(jié)構(gòu)，因此不會使驅(qū)動電壓上升，抑制了視場角依賴性，并可以提高光取出特性，提高發(fā)光性能。因此，通過該發(fā)光性能高的有機發(fā)光元件10R、IOG、IOB構(gòu)成顯示裝置，能提高顯示性能，特別是，非常適合使用有機TFT等作為TFT12的情況。并且，由于可以加厚空穴輸送層16D的厚度，因此可以減少由短路引起的缺陷產(chǎn)生，從而可以提高可靠性。另外，由于在反射性的陰極14側(cè)設(shè)置影響開口率的TFT12或配線12B等，因此可以保持高的開口率。實施例進而，詳細(xì)說明本發(fā)明的具體的實施例。(實施例l-l、1-2)和上述實施方式同樣地，制作有機發(fā)光元件10B。首先，在玻璃制的驅(qū)動用基板11上形成厚度為100nm、由鋁-釹合金形成的陰極14。接著，形成由上述有機絕緣材料制成的絕緣膜15，通過將該絕緣膜15圖案化，對應(yīng)于發(fā)光區(qū)域設(shè)置2mmx2mm的開口部15A,使陰極14露出。接著，對應(yīng)于陰極14的露出部分，與驅(qū)動用基板ll鄰接而配置具有開口的金屬掩模，通過在10"Pa以下的真空下的真空蒸鍍，疊層厚度為2nm的鎂(Mg)和銀(Ag)的共蒸鍍膜(Mg:Ag=10:1)和厚度為0.3nm的LiF膜，形成電子注入層16A。然后，通過相同的真空蒸鍍法，依次形成由上述材料制成的電子輸送層16B、發(fā)光層16C、空穴輸送層16D、空穴注入層16E，形成顯示層16。此時，作為空穴注入層16E的構(gòu)成材料，在實施例1-1中使用化學(xué)式2所示的六氮雜苯并[9,10]菲衍生物，在實施例1-2中使用氧化鉬。這些各層的厚度設(shè)定為使得陰極14和陽極17之間的光學(xué)距離L滿足數(shù)學(xué)式2，藍色光通過諧振器結(jié)構(gòu)而被放大。即，電子輸送層16B為20nm，發(fā)光層16C為25nm,空穴llT送層16D為130nm，空穴注入層16E為8nm。形成顯示層16后，通過相同的真空蒸鍍法，形成厚度為10nm的鎂(Mg)和銀(Ag)的共蒸鍍膜(Mg:Ag=10:1)作為陽極17。由此，獲得圖2所示的有機發(fā)光元件10B。另外，在石英玻璃板上依次疊層由化學(xué)式2所示的六氮雜苯并[9，10]菲衍生物制成的厚度為8nm的膜、和Mg:Ag=10:1的厚度為10nm的Mg-Ag合金膜，測定在波長550nm下的透過率和反射率時，具有透過率為41%、反射率為39%的半透過性。對于氧化鉬也一樣，在石英玻璃板上依次疊層由氧化鉬制成的厚度為8nm的膜、和Mg:Ag=10:1的厚度為10nm的Mg-Ag合金膜，測定在波長550nm下的透過率和反射率時，具有透過率為46%、反射率為23%的半透過性。作為比較例1,如圖4所示，從驅(qū)動用基板111側(cè)依次疊層反射性的陽極117、空穴注入層116E、空穴輸送層116D、發(fā)光層116C、電子輸送層116B、電子注入層116A和半透過性的陰極114,制備具有目前的頂部發(fā)光型的結(jié)構(gòu)并產(chǎn)生藍色光的有機發(fā)光元件。即，在玻璃制的驅(qū)動用基板111上，形成厚度為100nm的由鋁-釹合金制成的陽極117后，與實施例1同樣地形成絕緣膜(圖中未示出)。接著，依次形成由化學(xué)式2所示的六氮雜苯并[9，10]菲^f汙生物制成的空穴注入層116E、由a-NPD制成的空穴輸送層116D、與實施例1-1同樣的材料制成的發(fā)光層116C、由Alq3制成的電子輸送層116B和由LiF制成的電子注入層116A。各層的厚度設(shè)定為使得陽極117和陰極114之間的光學(xué)距離L滿足數(shù)學(xué)式2,并且藍色發(fā)光通過諧振器結(jié)構(gòu)被放大。即，制成空穴注入層116E為8nm,空穴輸送層116D為140nm,發(fā)光層116C為25nm,電子輸送層116B為20nm,電子注入層116A為0.3nm。然后，形成由厚度為10nm的鎂(Mg)和銀(Ag)的共蒸鍍膜(Mg:Ag-10:1)制成的陰極114。對獲得的實施例l-l、l-2和比較例1的有機發(fā)光元件，測定其電流密度-電壓特性、和在電流密度為10mA/cn^時的發(fā)光光譜。結(jié)果分別示于圖5和圖6中。從圖5和圖6可知，實施例l-l、1-2中，對于空穴注入性和發(fā)光強度，是與比較例1幾乎同等的良好結(jié)果，也沒有看到驅(qū)動電壓的上升。即，在具有諧振器結(jié)構(gòu)的有機發(fā)光元件10B中，只要是依次疊層了反射性的陰極14、包含發(fā)光層16C的顯示層16、和半透過性的陽極17的結(jié)構(gòu)，則不會產(chǎn)生驅(qū)動電壓上升，光取出特性優(yōu)異，可以實現(xiàn)發(fā)光性能好的有機發(fā)光元件IOB。另夕卜，實施例1-1和實施例l-2相比，空穴注入性、發(fā)光強度都更加良好。即，只要是由化學(xué)式2表示的六氮雜苯并[9,10]菲衍生物構(gòu)成空穴注入層16E，就可以進一步改善空穴注入性和發(fā)光強度。(實施例2-1~2陽4)除了如表1所示改變空穴注入層16E的厚度以夕卜，和實施例1-1同樣地，制作有機發(fā)光元件IOB。對于得到的實施例2-1-2-4的有才幾發(fā)光元件IOB，測量電流密度10mA/cn^下的驅(qū)動電壓和發(fā)光效率。結(jié)果一并示于表1中。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>由表1可知，使空穴注入層16E的厚度為4nm和8nm的實施例2-3、2-4與使空穴注入層16E的厚度為2nm和3nm的實施例2-1、2-2相比，驅(qū)動電壓變低，發(fā)光效率也高。即，空穴注入層16E的厚度如果為4nm以上，貝'J可以在更低的驅(qū)動電壓下獲得高的發(fā)光效率。(實施例3-1~3-8)除了如表2所示改變電子注入層16A的LiF膜的厚度以夕卜，和實施例1-1同樣地制造有機發(fā)光元件IOB。對得到的實施例3-1~3-8的有才幾發(fā)光元件10B,測定在電流密度10mA/cn^下的驅(qū)動電壓和發(fā)光效率。結(jié)果一并示于表2中。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>由表2可知，使電子注入層16A的LiF膜的厚度為0.3nm、0.6nm、1.0nm、1.3nm的實施例3-2、3-3、3-4、3-5與使電子注入層16A的LiF膜的厚度為Onm的實施例3-l、為1.6nm、2.0nm、2.5nm的實施例3-6、3-7、3-8相比，驅(qū)動電壓變低，發(fā)光效率也高。特別是，電子注入層16A的LiF膜的厚度為0.6nm的實施例3-3的驅(qū)動電壓非常小，從降低消耗電力這點考慮，是優(yōu)選的。這就是說，在從驅(qū)動用基板側(cè)依次疊層了陽極、包含發(fā)光層的顯示層、陰極的通常的元件結(jié)構(gòu)(參見比較例l)中，由LiF制成的電子注入層的厚度在0.3nm左右是最適合的。對此，本實施例中，由于從驅(qū)動用基板ll側(cè)依次疊層陰極14、顯示層16和陽極17，因此，為了使LiF向由Alq3構(gòu)成的電子輸送層16B內(nèi)的擴散小，并提高電子注入特性，認(rèn)為和通常結(jié)構(gòu)相比加厚電子注入層16A的LiF膜的厚度是合適的。即，只要使電子注入層16A的LiF膜的厚度為0.3nm以上1.3nm以下，則可以在更低的驅(qū)動電壓下獲得高的發(fā)光效率。另外，不限于LiF，推測其他的堿金屬的卣化物、堿土金屬的卣化物、堿金屬的氧化物、堿土金屬的氧化物也能獲得和本實施例同樣的效果。(實施例4-1~4-5)除了使電子注入層16A的結(jié)構(gòu)不同以外，與實施例1-1同樣地制作有機發(fā)光元件IOB。即，在實施例4-1中，由厚度0.6nm的LiF膜構(gòu)成電子注入層16A。實施例4-2是從陰極14側(cè)依次疊層厚度為2nm的Mg-Ag合金膜、厚度0.6nm的LiF膜的結(jié)構(gòu)。實施例4-3是從陰極14側(cè)依次疊層厚度為2nm的Mg-Ag合金膜、厚度為0.6nm的LiF膜和厚度為5nm的在Alq3中以5體積％的濃度添加鎂(Mg)的混合膜的結(jié)構(gòu)。實施例4-4是從陰極14側(cè)依次疊層厚度為2nm的Mg-Ag合金膜、厚度為5nm的在Alq3中以5體積％的濃度添加鎂(Mg)的混合膜、和厚度為0.6nm的LiF膜的結(jié)構(gòu)。實施例4-5是從陰極14側(cè)依次疊層厚度為2nm的Mg-Ag合金膜、和厚度為5nm的在Alq3中以5體積。/。的濃度添加鎂(Mg)的混合膜的結(jié)構(gòu)。另外，電子輸送層16B的厚度在實施例4-1、4-2中為20nm，在實施例4-3~4-5中為15nm。對于得到的實施例4-1~4-5的有機發(fā)光元件IOB，測定在電流密度10mA/cn^下的驅(qū)動電壓和發(fā)光效率。結(jié)果一并示于表3中。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>由表3可知，使電子注入層16A為包含Mg-Ag合金膜的疊層結(jié)構(gòu)的實施例4-2~4-5與不含有Mg-Ag合金膜、只含有LiF膜的實施例4-1相比，驅(qū)動電壓變低，發(fā)光效率也高。特別是，包含Mg-Ag合金膜、在Alq3中以5體積％的濃度添加鎂(Mg)的混合膜、和LiF膜的疊層結(jié)構(gòu)的實施例4-3、4-4中，驅(qū)動電壓和發(fā)光效率更好。即，只要電子注入層16A由Mg-Ag合金構(gòu)成，就可以在更低的驅(qū)動電壓下獲得高的發(fā)光效率，如果由在Alq3中以5體積％的濃度添加鎂(Mg)的材料構(gòu)成，則可以在更低的驅(qū)動電壓下獲得更高的發(fā)光效率。以上，列舉實施方式和實施例說明了本發(fā)明，但本發(fā)明并不限定于上述實施方式和實施例，可以進行各種變形。例如，上述實施方式和實施例中說明的各層的材料和厚度，或者成膜方法和成膜條件等不受限制，也可以采用其他材料和厚度，或者其他成膜方法和成膜條件。例如，驅(qū)動用基板ll除了玻璃以外，也可以是硅(Si)或塑料基板，并且未必一定是TFT基板。另外，本發(fā)明不限于有源矩陣驅(qū)動方式，也可以適用單純的矩陣驅(qū)動方式的顯示裝置。此外，上述實施方式和實施例中，具體舉出有機發(fā)光元件IOR、IOG、IOB的結(jié)構(gòu)進行了說明，但是不必具有保護層18等所有的層，并且，還可以具有其他層。例如，還可以將陰極14制成在電介質(zhì)多層膜或Al等反射膜的上部疊層透明導(dǎo)電膜的2層結(jié)構(gòu)。此時，該反射膜的發(fā)光層側(cè)的端面構(gòu)成諧振部的端部，透明導(dǎo)電膜構(gòu)成諧振部的一部分。另外，上述實施方式和實施例中說明了有機發(fā)光元件IOR、IOG、10B具有諧振器結(jié)構(gòu)的情況，它是以陰極14的發(fā)光層16C側(cè)的端面作為第1端部P1，陽極17的發(fā)光層16C側(cè)的端面作為第2端部P2,顯示層16作為諧振部，使發(fā)光層16C產(chǎn)生的光諧振并從第2端部P2側(cè)取出的諧振器結(jié)構(gòu)，而第1端部P1和第2端部P2可以形成在由折射率不同的二種材料制成的層的界面上。例如，在上述實施方式和實施例中，對陽極17是由半透過性金屬薄膜構(gòu)成的情況進行了說明，但是陽極17也可以為半透過性的金屬薄膜和透明電極從陰極14側(cè)依次疊層的結(jié)構(gòu)。該透明電極用于降低半透過性金屬薄膜的電阻，并且由對發(fā)光層產(chǎn)生的光具有充分的透光性的導(dǎo)電性材料構(gòu)成。作為構(gòu)成透明電極的材料，例如優(yōu)選ITO或含有銦、鋅(Zn)、和氧的化合物。這是因為，即使在室溫下成膜也能獲得良好的導(dǎo)電性。透明電極的厚度例如可以在30nm以上1000nm以下。并且，此時可以將半透過性的金屬薄膜作為一個端部，在夾住透明電極并與半透過性金屬薄膜方向相對的位置設(shè)置另一個端部，形成將透明電極作為諧振部的諧振器結(jié)構(gòu)。另外，在設(shè)置這樣的諧振器結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，用保護膜覆蓋有機發(fā)光元件IOR、IOG、10B,該保護膜只要是通過與構(gòu)成透明電極的材料具有相同程度的折射率的材料構(gòu)成，則可以將保護膜作為諧振部的一部分，是優(yōu)選的。此外，本發(fā)明還可以適用于下述情況的諧振器結(jié)構(gòu)陽極17通過透明電極構(gòu)成，并且使與該透明電極的顯示層16相反側(cè)的端面的反射率變大，并且以陰極14的發(fā)光層16C側(cè)的端面作為第l端部，與透明電極的顯示層16相反側(cè)的端面作為第2端部的諧振器結(jié)構(gòu)。例如，還可以使透明電極與大氣層接觸，增大透明電極和大氣層界面的反射率，并將該界面作為第2端部。另外，還可以增大與粘接層的界面的反射率，并將該界面作為第2端部。此外，還可以用保護膜覆蓋有機發(fā)光元件IOR、IOG、10B,增大與該保護膜的界面的反射率，并將該界面作為第2端部。權(quán)利要求1.一種有機發(fā)光元件，其包括疊層結(jié)構(gòu)，該疊層結(jié)構(gòu)依次具有陰極、包含由有機材料制得的發(fā)光層的多個層、和含有金屬薄膜的陽極，并且對于在上述發(fā)光層產(chǎn)生的光，上述陰極是反射性的，上述陽極是半透過性的；諧振器結(jié)構(gòu)，該諧振器結(jié)構(gòu)在上述陰極和上述陽極之間使上述發(fā)光層中產(chǎn)生的光發(fā)生諧振。2.權(quán)利要求l所述的有機發(fā)光元件，其中，上述多個層中與上述陽極鄰接的層包含化學(xué)式1表示的吡。秦衍生物，[化學(xué)式1]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula>式中，Ar表示芳基，R表示氫、碳原子數(shù)為1~10的烷基、烷氧基、二烷基氨基、或者F、Cl、Br、I或CN。3.權(quán)利要求l所述的有機發(fā)光元件，其中，上述多個層中與上述陽極鄰接的層包含化學(xué)式2表示的六氮雜苯并[9,10]菲衍生物，[化學(xué)式2]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula>式中，R表示氫、碳原子數(shù)為1-10的烷基、烷氧基、二烷基氨基、或者F、Cl、Br、I或CN。4.權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光元件，其中，上述多個層中與上述陽極鄰接的層由金屬氧化物構(gòu)成。5.權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光元件，其中，上述陽極由金屬薄膜構(gòu)成，該金屬薄膜由包含堿金屬或堿土金屬和銀(Ag)的合金制成。6.權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光元件，其中，上述陽極由金屬薄膜構(gòu)成，該金屬薄膜由包含鎂(Mg)和銀(Ag)的合金制成。7.權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光元件，其中，上述金屬薄膜的光吸收率a(%)滿足數(shù)學(xué)式1,[數(shù)學(xué)式1]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>式中，a表示上述金屬薄膜在400nm以上800nm以下的波長區(qū)域的光吸收率(％),R表示光對上述金屬薄膜的上述多個層側(cè)的反射率(。/。)，T表示上述金屬薄膜的透過率(％)。8.權(quán)利要求7所述的有機發(fā)光元件，其中，在400nm以上800nm以下的波長區(qū)域中，上述金屬薄膜的光吸收率a(。/。)低于40%。9.一種顯示裝置，其具有多個有機發(fā)光元件，上述有機發(fā)光元件包括疊層結(jié)構(gòu)，該疊層結(jié)構(gòu)依次具有陰極、包含由有機材料制得的發(fā)光層的多個層、和含有金屬薄膜的陽極，并且對于在上述發(fā)光層產(chǎn)生的光，上述陰極是反射性的，上述陽極是半透過性的；諧振器結(jié)構(gòu)，該諧振器結(jié)構(gòu)在上述陰極和上述陽極之間使上述發(fā)光層中產(chǎn)生的光發(fā)生諧振。全文摘要本發(fā)明提供一種能抑制驅(qū)動電壓并提高光取出特性，并且可以提高發(fā)光性能的有機發(fā)光元件以及使用它的顯示裝置。從驅(qū)動用基板11側(cè)依次疊層反射性陰極14、包含發(fā)光層16C的顯示層16、和包含金屬薄膜的半透過性陽極17。顯示層16從陰極14側(cè)依次疊層電子注入層16A、電子輸送層16B、發(fā)光層16C、空穴輸送層16D和空穴注入層16E。通過陰極14和陽極17構(gòu)成諧振器結(jié)構(gòu)，該諧振器結(jié)構(gòu)使在發(fā)光層16C中產(chǎn)生的光發(fā)生諧振。通過加厚空穴移動度高的空穴輸送層16D的厚度，可以幾乎不使驅(qū)動電壓上升，在接近陰極14的諧振面上合并發(fā)光層16C。不僅能緩和視場角依賴性，而且能獲得高的光取出特性。文檔編號H01L27/32GK101118954SQ20071013822公開日2008年2月6日申請日期2007年7月31日優(yōu)先權(quán)日2006年7月31日發(fā)明者柏原充宏申請人:索尼株式會社