專利名稱：半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體發(fā)光元件及制造該半導(dǎo)體發(fā)光元件的方法。具 體地，本發(fā)明涉及在光提取效率方面改善了的發(fā)光半導(dǎo)體，及制造這 種半導(dǎo)體發(fā)光元件的方法。
背景技術(shù)：
近些年來，半導(dǎo)體發(fā)光元件，具體地，發(fā)光二極管(LED)已經(jīng)被 廣泛地用做用于顯示的背光，例如為車輛用光源、照明光源等。在這 些應(yīng)用中，半導(dǎo)體發(fā)光元件被要求有優(yōu)良的發(fā)光效率。作為提高半導(dǎo) 體發(fā)光元件的發(fā)光效率的一種有效的方法，能想到采取措施來提高從 發(fā)光元件提取光的效率，因此已有報(bào)導(dǎo)，對于這種方法有大量的研究。
例如，已有提議做一襯底，從而在其表面有V形或階梯形結(jié)構(gòu)， 因此使被朝著芯片的底面引導(dǎo)的光能夠轉(zhuǎn)向，從而能從這些結(jié)構(gòu)的側(cè) 面吸收光，因此能夠提高光提取效率(例如，參見JP-A 2004-56088)。
也有提議把半導(dǎo)體襯底做成倒裝芯片，從而基本上消除了由電極
的吸光(例如，參見JP-A 2004-319685)。
然而，根據(jù)在上面所述的這些專利文獻(xiàn)所公開的傳統(tǒng)半導(dǎo)體發(fā)光 元件的結(jié)構(gòu)，由于N-極和P-極都被布置在相同的芯片平面并且N-極 的頂面不允許發(fā)光，傳統(tǒng)的半導(dǎo)體發(fā)光元件伴隨著不同的問題，使主 要的發(fā)光區(qū)域變小，使部分電流傳導(dǎo)區(qū)域的電流密度變得更高并且使 激勵效率惡化，因此引起了發(fā)光效率的惡化。此外，前面提到的專利 文獻(xiàn)中公開的結(jié)構(gòu)還伴隨有光被襯底頂面的電極吸收的問題，因此嚴(yán) 重地影響了其發(fā)光效率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供增強(qiáng)發(fā)光效率的半導(dǎo)體發(fā)光元件。本發(fā)明的 另一個目的是提供了制造該半導(dǎo)體裝置的方法。
根據(jù)本發(fā)明的第一個方面，提供的半導(dǎo)體發(fā)光元件包括具有第 一表面和朝向第一表面相反側(cè)的第二表面的半導(dǎo)體襯底，該半導(dǎo)體襯 底具有形成在第一表面中的凹進(jìn)部分，并且該凹進(jìn)部分具有V形橫截 面；形成在凹進(jìn)部分的內(nèi)表面上的反射層；形成在反射層上的第一電 極；形成在第二表面上的發(fā)光層；和形成在發(fā)光層上的第二電極。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了制造半導(dǎo)體發(fā)光元件的方法，包 括加工出具有第一表面和第二表面的半導(dǎo)體襯底，從而通過一組方 法中選擇出的至少一種在第一表面中形成凹進(jìn)部分，該組方法由切割、 蝕刻、激光加工和鉆削組成；在該凹進(jìn)部分的內(nèi)表面上形成反射層； 在反射層上形成第一電極；在半導(dǎo)體襯底的第二表面上形成發(fā)光層；
并且在發(fā)光層上形成第二電極。 附圖的簡要說明


圖1、 2和3為示出根據(jù)本發(fā)明不同實(shí)施例的發(fā)光半導(dǎo)體的橫截 面視圖4A-4F為圖示具有不同凹進(jìn)部分的半導(dǎo)體發(fā)光元件的平面視
圖4G為圖示在圖4A-4F中所示的半導(dǎo)體發(fā)光元件的橫截面視圖; 圖5A和5B為圖示具有其它凹進(jìn)部分的發(fā)光半導(dǎo)體的平面視圖； 圖5C為圖示在圖5A和5B中所示的半導(dǎo)體發(fā)光元件的橫截面視
圖6A和6B為圖示根據(jù)本發(fā)明的其它實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光元件的 平面視圖6C為圖示在圖6A和6B中所示的半導(dǎo)體發(fā)光元件的橫截面視
圖7A為圖示根據(jù)本發(fā)明的另外實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光元件的平面 視圖7B為圖示在圖7A中所示的半導(dǎo)體發(fā)光元件的橫截面視圖； 圖8A為圖示根據(jù)本發(fā)明的另外實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光元件的平面 視圖8B為圖示在圖8A中所示的半導(dǎo)體發(fā)光元件的橫截面視圖； 圖9A為圖示根據(jù)本發(fā)明的另外實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光元件的平面
視圖9B為圖示在圖9A中所示的半導(dǎo)體發(fā)光元件的橫截面視圖； 圖IOA為圖示根據(jù)本發(fā)明的另外實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光元件的平面 視圖IOB為圖示在圖IOA中所示的半導(dǎo)體發(fā)光元件的橫截面視圖； 圖IIA為圖示根據(jù)本發(fā)明的另外實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光元件的平面 視圖IIB為圖示在圖IIA中所示的半導(dǎo)體發(fā)光元件的橫截面視圖； 圖12為圖示在襯底側(cè)面的角度和具有V形橫截面的凹進(jìn)部分的
垂直角度之間的關(guān)系的示意圖13為圖示具有V形橫截面的凹進(jìn)部分深度的示意圖14為示出根據(jù)本發(fā)明的另外實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光元件的橫截
面視圖；和
圖15為示出根據(jù)本發(fā)明的另外實(shí)施例的能夠發(fā)出白光的半導(dǎo)體 發(fā)光元件的橫截面視圖。
具體實(shí)施例方式
接著，將解釋本發(fā)明的不同實(shí)施例。
圖l為示出根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光元件的橫截面示圖。如圖l 所示，半導(dǎo)體襯底1在其下表面上設(shè)置有發(fā)光層2和第二電極3。此 外，半導(dǎo)體襯底1在其第一表面上設(shè)置有具有V形橫截面的凹進(jìn)部分。 在該凹進(jìn)部分的內(nèi)表面上形成高反射層4，在高反射層4上形成第一
電極5。該第一電極5與導(dǎo)線6相連。
根據(jù)該實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光元件，由于高反射層4被形成在具有 V形橫截面的凹進(jìn)部分的內(nèi)表面上和形成在襯底1的第一表面中，從 發(fā)光層2發(fā)出的光朝著第一電極5通過半導(dǎo)體襯底1，在高反射層4 處被反射，因此使光能從那里吸收。結(jié)果是，能提高光提取效率并且 因此得到具有增強(qiáng)光提取效率的半導(dǎo)體發(fā)光元件。
另外，因?yàn)樵诟叻瓷鋵?的表面上設(shè)置有第一電極5，所以能將 電流均勻地傳導(dǎo)至位于第二電極3和第一電極5之間的半導(dǎo)體襯底1 的區(qū)域，第二電極3和第一電極5分別地被連接至半導(dǎo)體襯底的相對 側(cè)面，因此使其能從發(fā)光層2的整個表面均勻地發(fā)光。結(jié)果是，形成 在凹進(jìn)部分內(nèi)表面上的高反射層4被從發(fā)光層2發(fā)出的光均勻地照射， 因此，使光能被均勻地從半導(dǎo)體襯底1提取。
在如上面所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件中，能使用例如GaN、 GaAs、 SiC、 Si和ZnO等傳導(dǎo)材料作為用于半導(dǎo)體襯底1的適合材料。
另外，至于發(fā)光層2，可以使用例如InGaN、 GaN、 AlGaN和 InAlGaN等的GaN系列半導(dǎo)體材料；例如InGaAs、 GaAs、 AlGaAs和 InAlGaAs等的GaAs系列半導(dǎo)體材料；GalnAs系列材料；和Zn0系列 材料。任何這些材料能通過氣相生長方法外延生長，例如有機(jī)金屬氣 相生長方法，使用氯化物的氣相生長方法和類似方法。對于發(fā)光層2 的結(jié)構(gòu)，能使用具有PN-結(jié)的結(jié)構(gòu)，其中有源層被置于P型覆層和N 型覆層之間的層壓結(jié)構(gòu)，等。
至于構(gòu)成第一電極和第二電極的材料，能使用例如金、鈦、鎳、
鉑、銦、鋁、鈀和錫等的金屬；或它們的合金。
順便指出，盡管為了提高光提取效率的目的，優(yōu)選地將襯底制作 成如圖1中所示的具有帶傾斜側(cè)壁的梯形橫截面的結(jié)構(gòu)，該襯底也可
以被構(gòu)造得使其具有如圖2中所示的豎直側(cè)壁。
至于用來構(gòu)造高反射層的材料，可以使用具有高反射系數(shù)的傳導(dǎo)
材料，這種傳導(dǎo)材料的例子包括銀、銀合金、鋁、鋁合金、金、金 合金、鈦、鉑和銠等。從實(shí)際角度來看，優(yōu)選地使用銀、銀合金、鋁、 鋁合金和銠。另外，從粘附在襯底1的角度和從電阻的角度來看，除 了前面所述的優(yōu)選金屬，優(yōu)選地使用包括一些金屬層的多層薄膜，這 些金屬例如鎳、銦、鈀、錫、鋅、銅及它們的合金，它們通常被用作 電極材料。另外，為了便于導(dǎo)線接合，優(yōu)選地將薄的金膜放在第一電 極5的表面上。
在完成在襯底1的第一表面中形成具有v形橫截面的凹進(jìn)部分的
工作后，高反射層4可以由濺射、氣相淀積或任何上述金屬的鍍層的
方法或利用化學(xué)反應(yīng)等方法來形成。
至于制造具有v形橫截面的凹進(jìn)部分的方法，從實(shí)際角度來看，
可以使用切割、蝕刻、激光加工和鉆削等方法。蝕刻可以是濕蝕刻或 干蝕刻。例如，濕蝕刻可以這樣操作，其中光刻膠的模型被用作掩模， 并且磷酸鹽型蝕刻液被用作蝕刻劑。在該情況時，當(dāng)將光照射到襯底 時，可以通過調(diào)整蝕刻的量度來形成要求結(jié)構(gòu)的凹進(jìn)部分。至于干蝕
刻，優(yōu)選地使用活性粒子束蝕刻(ECR-R工BE)，其使用如上所述的掩 模。在該情況下，襯底1的第一表面可以通過將光束從兩個相互成角
度的不同方向照射到襯底來加工，以便形成具有V形橫截面的凹進(jìn)部 分。
順便指出，該凹進(jìn)部分的結(jié)構(gòu)可以是在不變方向上延伸的凹槽 形、圓錐形或角錐形，其中其豎直橫截面為V形，因此提供了具有傾 斜表面的凹進(jìn)部分。為了提高光提取效率，該凹進(jìn)部分的結(jié)構(gòu)優(yōu)選地 為圓錐形或角錐形。
如圖1和2所示，盡管形成在凹進(jìn)部分的內(nèi)表面上的第一電極5 被要求與導(dǎo)線6相連接，將第一電極5與位于在凹進(jìn)部分內(nèi)的區(qū)域的 導(dǎo)線6相連接是困難的。因此，為了便于導(dǎo)線6的連接，如圖3中所 示，優(yōu)選地向凹進(jìn)部分填充傳導(dǎo)材料7，該凹進(jìn)部份具有形成在其內(nèi) 表面上的高反射層4。至于在該情況的有用材料，如同電極材料的情 況，可以使用例如金、銀、鈦、鎳、鉑、鋁、錫和鈀等金屬或它們的 合金。
順便指出，在圖3所示的實(shí)施例中，導(dǎo)線6被直接地與傳導(dǎo)材料 7相連接，并且該傳導(dǎo)材料7被用作第一電極。然而，第一電極可以 被單獨(dú)地形成在傳導(dǎo)材料7的表面上，并且導(dǎo)線6與該第一電極連接。
圖4A至圖11B示出了凹進(jìn)部分的不同修改實(shí)例。圖4A-4G示出 了六種凹進(jìn)部分，它們每個都具有V形橫截面但是相互之間在其總體 結(jié)構(gòu)上不同。特別地，圖4A-4F分別示出了平面視圖，并且圖4G示出 了其橫截面。順便指出，在這些平面視圖中的陰影部分代表了由第一 電極5覆蓋的區(qū)域。圖5A-6C示出了四種凹槽形凹進(jìn)部分，每個都具 有V形橫截面并且在一個方向上延伸。其中圖5A、 5B、 6A和6B分別
示出了平面視圖，圖5C和6C分別示出了其橫截面示圖。順便指出，
在這些平面視圖中的陰影部分代表了由第一電極5覆蓋的區(qū)域。
圖7A和7B示出了具有V形橫截面，在一個方向上延伸的凹槽形 凹進(jìn)部分，并且其被填充有傳導(dǎo)材料7，其中圖7A示出了平面視圖， 圖7B示出了其橫截面視圖。順便指出，在這些圖中的陰影部分代表了 被填充有傳導(dǎo)材料的區(qū)域。圖8A至圖11B示出了不同種類的凹進(jìn)部分， 每個都由一些相互之間垂直相交的凹槽構(gòu)成，并且每個都具有V形橫 截面，其中圖8A、 9A、 IOA和IIA分別示出了平面視圖，圖8B、 9B、 10B和11B分別示出了其橫截面視圖。順便指出，在這些圖中的陰影 部分代表了由第一電極5覆蓋的區(qū)域。
凹槽形的凹陷部分可以通過切割方法來制作，其使用具有適合角 度的尖端的刀片。同制作角錐形凹進(jìn)部分的情況相比，凹槽形凹進(jìn)部 分更易于制作并且更適于大量生產(chǎn)。另外，凹槽形凹進(jìn)部分在一些方 面更有優(yōu)勢，V形的角度和深度可以被更容易地調(diào)整。
具有V形橫截面的凹進(jìn)部分的V形角度的最佳值根據(jù)發(fā)光元件的 側(cè)壁的傾斜角度而改變。在如果待加工的襯底的厚度相對于形成在其 第一表面上的第一電極和V形凹槽足夠大的情況時，V形凹槽的V形 角度的最佳值應(yīng)為(90-e ) ° ，由于如圖12中所示，發(fā)光元件的側(cè)
壁從垂直軸線傾斜的角度被定義為e ° 。
例如，當(dāng)發(fā)光元件的側(cè)壁根本不傾斜時，v形凹槽的v形角度的
最佳值應(yīng)為90。，然而，當(dāng)發(fā)光元件的側(cè)壁傾斜30。角時，V形凹槽 的V形角度的最佳值應(yīng)為60° 。但是，在如果待加工的襯底1的厚度
沒有足夠大的情況時，由于V形凹槽的V形角度變得更小，V形凹槽 的V形的深度變得更大，所以阻擋了本質(zhì)上不能被電極吸收的光。由 于此，V形凹槽的V形角度應(yīng)被優(yōu)選地作成大于如上面所述而確定的
最佳值，并且V形凹槽的深度"D"應(yīng)優(yōu)選地更淺，從而該深度"D" 不會延伸超過對角線"L"，其從芯片的第一表面的一角，相對于該所 述角，延伸至芯片的下側(cè)表面的相對的角，如圖13中所示(實(shí)際上講， 該凹槽的深度的范圍最多不超過該襯底厚度的1/3)。
有時，在一單獨(dú)的對于襯底形成凹槽的加工中，要制作要求的V 形凹槽的深度和要求的V形凹槽的V形角度，會變得困難。在這種情 況時，該襯底首先被加工以制成具有大致所要求的深度和大致所要求 的V形角度，并且接著得到的襯底被進(jìn)一步進(jìn)行第二次加工，以便得 到所要求的V形凹槽的深度和所要求的V形凹槽的V形角度。
順便指出，不應(yīng)推斷本發(fā)明被限制于上述實(shí)施例。例如，可以采 用一種結(jié)構(gòu)，其中具有V形橫截面的凹進(jìn)部分的遠(yuǎn)端部分沒有高反射 層和第一電極，以減輕在凹進(jìn)部分的該遠(yuǎn)端部分的電場集中。圖14 為示出這種結(jié)構(gòu)的橫截面視圖，其中4'表示高反射層，5'表示第一 電極。圖14中所示的結(jié)構(gòu)能通過去處高反射層4的部分和第一電極5 的部分來制作，它們位于如圖1中所示的具有V形橫截面的凹進(jìn)部分 的遠(yuǎn)端部分。
另外，上述的每一個半導(dǎo)體發(fā)光元件可以與熒光襯底結(jié)合，以便 制造能夠發(fā)白光的發(fā)光元件。圖15為示出這種結(jié)構(gòu)的橫截面視圖，其 中熒光物質(zhì)層被層壓在圖1的半導(dǎo)體發(fā)光元件上，其被用作LED，由
此構(gòu)成白LED。在圖15中，如圖1部分的相同部分由與圖1部分的相
同參考數(shù)字來標(biāo)注。
如圖15中所示，塑料杯10在其下側(cè)表面上設(shè)置有墊電極11和墊 電極12。在墊電極11的上表面安裝有圖1的發(fā)光二極管。該墊電極 11直接地或經(jīng)由傳導(dǎo)粘合劑與發(fā)光半導(dǎo)體的第二電極3電連接。另一 方面，墊電極12通過連接導(dǎo)線6與第一電極5電連接。
另外，熒光物質(zhì)層15被涂層，以便覆蓋半導(dǎo)體發(fā)光元件和連接線 16。該熒光物質(zhì)層15包括紅熒光物質(zhì)和綠熒光襯底，它們被分散在氟 化高聚物中。至于紅熒光物質(zhì)，可以使用La202S:Eu、 Sm (冒號() 后的元素代表活化元素，以下相同)，等。至于綠熒光物質(zhì)，可以使 用InGaN、 BaMgAl27 017:Eu、 Mn、等。可以這樣設(shè)計(jì)，以使這些彩色 熒光物質(zhì)被從半導(dǎo)體發(fā)光元件發(fā)出的光所激發(fā)，由此使光從這些彩色 熒光物質(zhì)中發(fā)出。結(jié)果，來自半導(dǎo)體發(fā)光元件的發(fā)光和來自每種彩色 熒光物質(zhì)的發(fā)光相互疊加在一起，因此使其能得到白光。順便指出， 也可以使用黃熒光物質(zhì)來代替綠熒光物質(zhì)或與綠熒光物質(zhì)一起使用。 例如，(Sr、 Ca、 Ba) 2 Si 04:Eu等可以被用作黃熒光物質(zhì)。另外，當(dāng) 使用黃熒光物質(zhì)時，紅熒光物質(zhì)可以按要求被省去。
在杯10的側(cè)壁上設(shè)有反射膜14。另外，杯IO在其上表面設(shè)置有 蓋16，其作為光傳導(dǎo)窗口而發(fā)揮作用。來自半導(dǎo)體發(fā)光元件的發(fā)光和 來自每種彩色熒光物質(zhì)的發(fā)光被部分地允許穿過該光傳導(dǎo)窗口 16，因 此使這些發(fā)光的部分能被提取到外面，同時允許這些發(fā)光的其余部分 朝著反射膜14移動，以便被反射膜14反射，由此使這些發(fā)光能被提
取到外面。
根據(jù)該實(shí)施例的白發(fā)光裝置，可以得到幾乎與在上面指明的實(shí)施 例中得到的相同的結(jié)果，同時，得到一種發(fā)光裝置，由于極好的均勻 發(fā)光，其具有提供顯現(xiàn)極好的色彩的能力。因此，能夠提供一種新型 的照明系統(tǒng)來代替?zhèn)鹘y(tǒng)的熒光燈。
根據(jù)上述實(shí)施例，因?yàn)樽钃豕獾膫魉偷母叻瓷鋵?和第二電極5 二者都僅被放置在具有V形橫截面的凹進(jìn)部分的內(nèi)表面上，并且沒有 形成在半導(dǎo)體發(fā)光元件的第一表面區(qū)域上，排除了凹進(jìn)部分，現(xiàn)可以
提取已經(jīng)被從發(fā)光層2發(fā)出的光，甚至是通過第一表面區(qū)域，由此使
其能夠增強(qiáng)光提取效率。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員容易想到另外的運(yùn)用和修改。因此，本發(fā)明在 其廣義方面并不限制于在此所示和描述的具體細(xì)節(jié)和代表性的實(shí)施 例。因此，可以做出不同的修改而不離開如所附的權(quán)利要求及它們的 等同物所限定的總的發(fā)明構(gòu)思和精神。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，包括半導(dǎo)體襯底，其具有第一表面和朝向第一表面的相反側(cè)的第二表面，所述半導(dǎo)體襯底具有形成在所述第一表面中的凹進(jìn)部分，并且所述凹進(jìn)部分具有V形橫截面；反射層，其形成在所述凹進(jìn)部分的內(nèi)表面上；第一電極，其形成在所述反射層上；發(fā)光層，其形成在所述第二表面上；和第二電極，其形成在所述發(fā)光層上。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述凹進(jìn)部分 的V形橫截面的V形角度為(90-e) ° ，其中e。為所述半導(dǎo)體襯底的側(cè)壁關(guān)于垂直于所述第一表面的軸線的傾斜角度。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述凹進(jìn)部分 的深度不超過所述半導(dǎo)體襯底的厚度的1/3。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述凹進(jìn)部分 由從包括圓錐形、角錐形和凹槽形結(jié)構(gòu)的組中選擇的結(jié)構(gòu)形成。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述第一電極 由具有水平表面并且填充所述反射層上的所述凹進(jìn)部分的傳導(dǎo)材料形 成。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯 底包括從包括GaN、 GaAs、 SiC、 Si和Zn0的組中選擇的材料。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述發(fā)光層包 括從包括GaN系列半導(dǎo)體材料、GaAs系列半導(dǎo)體材料、GalnAs系列半 導(dǎo)體材料和Zn0系列材料的組中選擇的材料。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述發(fā)光層具 有PN-結(jié)包含結(jié)構(gòu)，或?qū)訅航Y(jié)構(gòu)，其中有源層被放置在P形覆層和N形覆層之間。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述第一電極 和所述第二電極分別包括從包括金、鈦、鎳、鉑、銦、鋁、鈀、錫和 它們的合金的組中選擇的金屬。
10. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述襯底具 有帶傾斜側(cè)壁的梯形橫截面。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述反光層 包括從包括銀、銀合金、鋁、鋁合金、金、金合金、鈦、鉑和銠的組 中選擇的金屬。
12. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述反光層 具有從包括鎳、銦、鈀、錫、鋅、銅及它們的合金的組中選擇的一些 金屬層的多層結(jié)構(gòu)。
13. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的發(fā)光元件，其特征在于，還包括形成 在不包含金的第一電極表面上的金薄膜。
14. 一種發(fā)光裝置，包括 外殼；根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其被放置在所述外殼中；和包括聚合物的熒光層，其中熒光物質(zhì)被分散和設(shè)置以覆蓋半導(dǎo)體 發(fā)光元件的發(fā)光面。
15. —種制造半導(dǎo)體發(fā)光元件的方法，包括通過至少一種從包括切割、蝕刻、激光加工和鉆削的組中選擇的 方法加工具有第一表面和第二表面的半導(dǎo)體襯底，從而形成在所述第 一表面中的凹進(jìn)部分；在所述凹進(jìn)部分的內(nèi)表面上形成反射層；在所述反射層上形成第一電極；在所述半導(dǎo)體襯底的第二表面上形成發(fā)光層；并且在所述發(fā)光層上形成第二電極。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述凹進(jìn)部分 由通過使用活性離子束蝕刻的方法來形成，其中所述襯底被從相互成 角度的兩個不同方向照射。
17. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，凹進(jìn)部分的V 形橫截面的V形角度為(90- e ) ° ，其中6 °為半導(dǎo)體襯底的側(cè)壁關(guān) 于垂直于第一表面的軸線的傾斜角度。
18. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述凹進(jìn)部分 的深度不超過所述半導(dǎo)體襯底的厚度的1/3。
19. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述凹進(jìn)部分 具有從包括圓錐形、角錐形和凹槽形結(jié)構(gòu)的組中選擇的結(jié)構(gòu)。
全文摘要
一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，包括半導(dǎo)體襯底，其具有第一表面和朝向第一表面的相反側(cè)的第二表面，該半導(dǎo)體襯底具有形成在第一表面中的凹進(jìn)部分，并且該凹進(jìn)部分具有V形橫截面；形成在凹進(jìn)部分的內(nèi)表面上的反射層；形成在反射層上的第一電極；形成在第二表面上發(fā)光層，和形成在發(fā)光層上的第二電極。
文檔編號H01L33/62GK101101951SQ20071012860
公開日2008年1月9日 申請日期2007年7月4日 優(yōu)先權(quán)日2006年7月4日
發(fā)明者布上真也, 服部靖, 波多腰玄一, 齊藤真司 申請人:株式會社東芝