專利名稱：集成電路中的淺溝槽的防止的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般地涉及集成電路，更具體地說(shuō)，涉及集成電路中的層的平坦化。
背景技術(shù)：
典型地，諸如處理器、存儲(chǔ)控制器，和存儲(chǔ)設(shè)備的集成電路是通過(guò)在襯底上加工許多層來(lái)制造的。在制造過(guò)程中，這些層可能經(jīng)歷諸如沉積、摻雜、蝕刻、拋光等許多的操作。由于每一層都是沉積而來(lái)，因此通常進(jìn)行嘗試以提供層的厚度和高度的均勻性，或其“平坦化”。由于在現(xiàn)代工藝技術(shù)中器件的特征尺寸按比例縮小，容許的公差也典型地按比例縮小，并且層的均勻平坦化變得越來(lái)越難以實(shí)現(xiàn)。
現(xiàn)代集成電路可以具有許多被加以不同級(jí)別的平坦化要求的層。另外，不同類型的層可能具有不同類型的給平坦化帶來(lái)障礙的一般存在的特征。例如，擴(kuò)散層可以包括隔離例如晶體管等不同電路的空隙。這些空隙可以用“淺溝槽”填充，隨后被稍后沉積的例如鈍化層的層所覆蓋。淺溝槽的出現(xiàn)可能導(dǎo)致鈍化層厚度變化，使得均勻的平坦化更加困難。


圖1示出成行設(shè)置的標(biāo)準(zhǔn)單元的外形；圖2、4和6示出根據(jù)本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例的成行設(shè)置的標(biāo)準(zhǔn)單元；圖3、5和7示出根據(jù)本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例的具有橋接擴(kuò)散區(qū)的標(biāo)準(zhǔn)單元；
圖8示出集成電路內(nèi)核中的橋接擴(kuò)散區(qū)；圖9示出集成電路設(shè)計(jì)流程；圖10示出根據(jù)本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例的流程圖；以及圖11和12示出根據(jù)本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例的電子系統(tǒng)的示意圖。

發(fā)明內(nèi)容
在以下的詳細(xì)描述中，參考附圖，其以圖解的方式示出其中可以實(shí)施本發(fā)明的具體實(shí)施例。非常詳細(xì)地介紹了這些實(shí)施例，以使得本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠?qū)嵤┍景l(fā)明。應(yīng)該理解的是，雖然本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例是不同的，但是沒有必要相互排斥。例如，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，這里結(jié)合某一實(shí)施例描述的特定的特征、結(jié)構(gòu)，或特性可以在其它的實(shí)施例中實(shí)施。另外，應(yīng)該理解的是，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以修改每一個(gè)公開的實(shí)施例中的單個(gè)元件的位置或設(shè)置。因此，不應(yīng)限制性地理解以下詳細(xì)描述，并且本發(fā)明的范圍只由連同權(quán)利要求所賦予的等價(jià)物的整個(gè)范圍一起恰當(dāng)?shù)亟忉尩乃綑?quán)利要求來(lái)限定。在附圖中，所有的圖中的類似的附圖標(biāo)記表示相同的或相似的功能性。
圖1示出成行設(shè)置的標(biāo)準(zhǔn)單元的外形。標(biāo)準(zhǔn)單元102、104、106、108和110通過(guò)排列其“東”邊界和“西”邊界112、114、116和118來(lái)進(jìn)行設(shè)置，使得電源金屬化122和124以及輕摻雜N區(qū)(共同地以130示出)物理地和電性鄰接，形成連接的水平多邊形。不同于上述的電源和N區(qū)，因?yàn)樵谠O(shè)計(jì)過(guò)程中任何一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單元可以在不違背設(shè)計(jì)規(guī)則的情況下被再定位和設(shè)置成緊鄰任何其它的標(biāo)準(zhǔn)單元，所以單個(gè)的標(biāo)準(zhǔn)單元的內(nèi)容被認(rèn)為是任意的。在某些實(shí)施例中，為了滿足制造需要，在單元物理設(shè)計(jì)中嵌入空間以保證鄰接單元的任意取向或組合都不違反決定任意的單元內(nèi)容的電學(xué)或物理的相鄰規(guī)則。
對(duì)上一段中所述的設(shè)計(jì)規(guī)則的適應(yīng)導(dǎo)致在一行中的單元的橫向邊界之間的“空白(white space)”。在本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例中，在某些數(shù)據(jù)庫(kù)準(zhǔn)備操作中，某些“空白”可以由物理溝槽所取代以使單個(gè)的晶體管彼此隔離。另外，在本發(fā)明的某些實(shí)施例中，當(dāng)電學(xué)地和機(jī)械地可行時(shí)，單元邊界可以被“橋接”，以連接兩個(gè)鄰近單元的內(nèi)容。通過(guò)減少單元間的空白，可以調(diào)節(jié)淺溝槽隔離的出現(xiàn)頻率，使得溝槽密度落到預(yù)定的制造范圍之內(nèi)。
集成電路內(nèi)核中淺溝槽隔離的出現(xiàn)頻率可以通過(guò)設(shè)置N+/N-、N+/P-、P+/N-和/或P+/P-擴(kuò)散多邊形來(lái)改變，其設(shè)置在否則將設(shè)置淺溝槽隔離的位置。這種“不必要”的擴(kuò)散的設(shè)置被稱為淺溝槽隔離防止。一般地，包括額外的擴(kuò)散與集成電路項(xiàng)目的目標(biāo)相反，因?yàn)槠湔加没蛐枰臻g，這給產(chǎn)品成本帶來(lái)了直接的影響。本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例公開了以這種方式設(shè)計(jì)的標(biāo)準(zhǔn)單元，使得可以通過(guò)擴(kuò)散“電橋”將鄰近的、同類的、等勢(shì)的擴(kuò)散短路，以避免淺溝槽隔離的設(shè)置，從而減少了最終的氮化物鈍化厚度的變化?？梢赃@種方式來(lái)限定標(biāo)準(zhǔn)單元，即晶體管源極區(qū)具有標(biāo)準(zhǔn)的位置和大小，以使得鄰近單元將使它們的源極通過(guò)具有標(biāo)準(zhǔn)大小和位置的擴(kuò)散“電橋”來(lái)短路。
圖2示出根據(jù)本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例的成行設(shè)置的標(biāo)準(zhǔn)單元。行200包括標(biāo)準(zhǔn)單元202、204和206。行200中示出了三個(gè)單元，然而，在實(shí)際的設(shè)計(jì)中，一行中可以設(shè)置非常多的單元。此外，從北到南可以設(shè)置很多的行，從而生成大片區(qū)域的共享邊界的標(biāo)準(zhǔn)單元。
標(biāo)準(zhǔn)單元202、204和206包括表示各種電路的多邊形。單元中的相似的多邊形表示可以被共同設(shè)置在集成電路的層中的同一處的物理設(shè)計(jì)特征。此外，相似的多邊形可以被定義在設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫(kù)中的共同的“層”上。而這里使用的術(shù)語(yǔ)“層”，當(dāng)在物理集成電路的情況中使用時(shí)，表示位于襯底上的材料層。此外，當(dāng)在標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)或設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫(kù)的情況中使用時(shí)，術(shù)語(yǔ)“層”指的是邏輯層。設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫(kù)中的邏輯層可以對(duì)應(yīng)于或可以不對(duì)應(yīng)于集成電路中的物理層。
標(biāo)準(zhǔn)單元202包括被限定在最東邊的單元邊界203附近的擴(kuò)散區(qū)210。類似地，標(biāo)準(zhǔn)單元204包括被限定在最西邊的單元邊界203附近的擴(kuò)散區(qū)212。此外，標(biāo)準(zhǔn)單元204包括被限定在最東邊的單元邊界205附近的擴(kuò)散區(qū)214，而標(biāo)準(zhǔn)單元206包括被限定在最西邊的單元邊界205附近的擴(kuò)散區(qū)216。在本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例中，擴(kuò)散區(qū)210、212、214和216在集成電路中的同一物理層上。此外，擴(kuò)散區(qū)210、212、214和216可以限定或可以不限定在標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)中的同一層上。
擴(kuò)散區(qū)(和其它電路結(jié)構(gòu))典型地遵守“設(shè)計(jì)規(guī)則”。在制造之前，典型地對(duì)集成電路設(shè)計(jì)執(zhí)行設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(DRC)，以保證其符合設(shè)計(jì)規(guī)則。存在許多不同種類的設(shè)計(jì)規(guī)則。例如，設(shè)計(jì)規(guī)則可以強(qiáng)制要求最小的特征尺寸和鄰近結(jié)構(gòu)之間的最小距離，以保證電絕緣。如圖2所示，單元204的最西擴(kuò)散區(qū)212被限定為擴(kuò)散區(qū)之間的最小距離的一半(如圖所示1/2DRC)的距離。當(dāng)單元在一行中被鄰近設(shè)置時(shí)，最小距離規(guī)則被滿足，從而在鄰近的擴(kuò)散區(qū)之間產(chǎn)生了“空白”。
如果如圖2中示出的那樣來(lái)進(jìn)行制造，則擴(kuò)散區(qū)210和212之間產(chǎn)生的空白將導(dǎo)致隔離擴(kuò)散區(qū)210和212的淺溝槽。此外，擴(kuò)散區(qū)214和216之間的空白也導(dǎo)致淺溝槽。本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例用擴(kuò)散多邊形來(lái)代替淺溝槽隔離區(qū)。這些擴(kuò)散多邊形的設(shè)置和由此生成的“橋接”擴(kuò)散有助于避免淺溝槽。在某些實(shí)施例中，以這種方式設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)單元，使得可以通過(guò)擴(kuò)散電橋?qū)⑧徑摹⑼惖?、等?shì)的擴(kuò)散區(qū)短路，以避免淺溝槽隔離的設(shè)置，從而減少了最終的氮化物鈍化厚度的變化。
在這里使用的術(shù)語(yǔ)“同類”表示由相同材料制得的或以使其可以穿越單元邊界連接起來(lái)的方式來(lái)處理的結(jié)構(gòu)。例如，P型起始材料中的兩個(gè)N+材料擴(kuò)散區(qū)被視為同類。又例如，P型外延中的兩個(gè)N+材料擴(kuò)散區(qū)是同類的。此外，N阱中的兩個(gè)P+材料擴(kuò)散區(qū)可以被視為同類?？梢源嬖谠S多其它種類的同類材料，前面列出的例子并不意味著是對(duì)其進(jìn)行的窮舉。
在這里使用的術(shù)語(yǔ)“等勢(shì)”表示在完成的設(shè)計(jì)中處于同一電勢(shì)的結(jié)構(gòu)。例如，將耦合到電路地的電路節(jié)點(diǎn)將被視為等勢(shì)。又例如，在完成的設(shè)計(jì)中將要耦合在一起的電路節(jié)點(diǎn)可以被視為等勢(shì)。
在某些實(shí)施例中，以這種方式來(lái)設(shè)計(jì)電路，使得可以穿過(guò)單元邊界來(lái)橋接位于最東和最西單元邊界的擴(kuò)散區(qū)，而不會(huì)對(duì)所得的集成電路的電性能產(chǎn)生不利影響。例如，擴(kuò)散區(qū)210、212、214和216可以是晶體管源極節(jié)點(diǎn)，其均耦合到電路中的相同的電勢(shì)。此外，擴(kuò)散區(qū)可以被指定為耦合到電源節(jié)點(diǎn)的擴(kuò)散區(qū)。
在某些實(shí)施例中，設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)單元，使得最東和最西擴(kuò)散區(qū)離單元原點(diǎn)均為標(biāo)準(zhǔn)高度，如圖2中示出的“h”。在這些實(shí)施例中，當(dāng)鄰近單元的最東擴(kuò)散區(qū)和最西擴(kuò)散區(qū)為同類并且等勢(shì)時(shí)，可以從高度h開始將擴(kuò)散區(qū)橋接。圖3中示出了在高度h的各種橋接的實(shí)施例。
圖3示出具有橋接擴(kuò)散區(qū)的設(shè)置成行的標(biāo)準(zhǔn)單元。示出的標(biāo)準(zhǔn)單元202、204和206以與圖2中的相同方式設(shè)置成行。單元202包括具有最東擴(kuò)散區(qū)210的擴(kuò)散多邊形。示出的標(biāo)準(zhǔn)單元204具有最西擴(kuò)散區(qū)212和最東擴(kuò)散區(qū)214，而示出的單元206具有最西擴(kuò)散區(qū)216。如圖3所示，使用擴(kuò)散多邊形302將擴(kuò)散區(qū)210和212橋接。圖3中示出隔開擴(kuò)散區(qū)210和212以及多邊形302的虛線，以對(duì)定義的標(biāo)準(zhǔn)單元中存在的擴(kuò)散區(qū)和在橋接之后畫出的整個(gè)擴(kuò)散區(qū)進(jìn)行區(qū)別。同樣地，示出的擴(kuò)散多邊形304將單元204的最東擴(kuò)散區(qū)214和單元206的最西擴(kuò)散區(qū)216橋接。
由于擴(kuò)散區(qū)是在多晶柵極端被構(gòu)圖后被離子注入的，因而在晶體管柵極區(qū)的下面沒有物理擴(kuò)散區(qū)域。雖然圖3中示出的擴(kuò)散區(qū)是連續(xù)的，在如集成電路中實(shí)現(xiàn)的物理擴(kuò)散區(qū)每當(dāng)被多晶硅多邊形橫斷時(shí)都會(huì)被中斷。
在設(shè)計(jì)過(guò)程中，擴(kuò)散多邊形302和304可以被設(shè)置在任何合適的點(diǎn)。例如，在某些實(shí)施例中，標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)中的每一個(gè)單元被定義為具有全部的或部分的多邊形302，該多邊形302被限定在除其上限定了源極擴(kuò)散區(qū)的層以外的層上。這里使用的術(shù)語(yǔ)層表示設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫(kù)中的邏輯層，而不一定是指在所實(shí)施的集成電路中的物理層。在這些實(shí)施例中，通過(guò)邏輯地結(jié)合來(lái)自鄰近的標(biāo)準(zhǔn)單元的多邊形并將其設(shè)置在與最東和最西擴(kuò)散區(qū)相同的層上，可以生成橋接多邊形以連接鄰近的擴(kuò)散區(qū)。
在由圖3表示的實(shí)施例中，每一個(gè)橋接多邊形具有距離單元原點(diǎn)高度為H的底邊緣，并且還具有固定的垂直高度。在某些實(shí)施例中，橋接多邊形可以被限定為具有距離單元原點(diǎn)的高度固定的下邊緣，并具有基于單元中的擴(kuò)散區(qū)的高度的可變的高度。
在某些實(shí)施例中，以這種方式來(lái)限定庫(kù)中的標(biāo)準(zhǔn)單元，以便為同類、等勢(shì)的晶體管源極區(qū)提供橋接。例如，在某些實(shí)施例中，最東和最西的晶體管源極可以被限定為使得其非多晶面對(duì)邊緣側(cè)向延伸至單元邊界。此外，最東和最西的晶體管源極可以被限定為使得其非多晶面對(duì)邊緣側(cè)向延伸至單元邊界之外。另外，最東的晶體管源極的布置可以被限定為使得其非多晶面對(duì)邊緣側(cè)向延伸至鄰近的同類、等勢(shì)擴(kuò)散的最西邊緣。此外，最西的晶體管源極的布置可以被限定為使得其非多晶面對(duì)邊緣側(cè)向延伸至鄰近的同類、等勢(shì)擴(kuò)散的最東邊緣。在本段中描述的每一個(gè)擴(kuò)散延伸多邊形可以位于設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫(kù)中的唯一的數(shù)據(jù)層上。通過(guò)將多邊形設(shè)置在唯一的數(shù)據(jù)層上，它們可以設(shè)置在標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)中，同時(shí)提供仍然滿足設(shè)計(jì)規(guī)則檢查的最東和最西擴(kuò)散區(qū)。
如圖3所示的穿過(guò)單元邊界來(lái)橋接擴(kuò)散區(qū)，通過(guò)利用通常不使用的鄰近的同類、等勢(shì)擴(kuò)散之間的空間可以增加集成電路的內(nèi)核中的擴(kuò)散密度。擴(kuò)散密度的提高減少了淺溝槽隔離，并對(duì)最終的氮化物厚度變化產(chǎn)生有利的影響。
圖4示出了設(shè)置成行的一行標(biāo)準(zhǔn)單元，而圖5示出只為同一行的具有橋接的擴(kuò)散區(qū)的標(biāo)準(zhǔn)單元畫出的擴(kuò)散層。與圖2中示出的標(biāo)準(zhǔn)單元相似，標(biāo)準(zhǔn)單元402、404和406被設(shè)置成一行。單元402包括具有最東擴(kuò)散區(qū)410的電路，單元404包括具有最西擴(kuò)散區(qū)412和最東擴(kuò)散區(qū)414的電路，而單元406包括具有最西擴(kuò)散區(qū)416的電路。單元402和404在邊界403處被分隔，而單元404和406在邊界405處被分隔。
與圖2中示出的單元行相似，單元行400包括所限定的最東和最西擴(kuò)散區(qū)，使得其可以被穿過(guò)單元邊界橋接以減少淺溝槽隔離。在某些實(shí)施例中，限定標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)中的每一個(gè)單元，使得最東和最西擴(kuò)散區(qū)的頂邊緣被設(shè)定在單元原點(diǎn)之上的同一高度上。該共同的高度在圖4中示為“a”。
圖5示出連續(xù)繪制的橫跨多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單元的擴(kuò)散區(qū)，這是穿過(guò)單元邊界來(lái)橋接擴(kuò)散區(qū)的結(jié)果。例如，單元402和404具有由擴(kuò)散多邊形502橋接的擴(kuò)散區(qū)，而單元404和406具有由擴(kuò)散多邊形504橋接的擴(kuò)散區(qū)。如圖5所示，擴(kuò)散多邊形502和504具有設(shè)置在單元原點(diǎn)之上的同一高度a的頂邊緣。另外，橋接多邊形502和504的垂直尺寸是恒定的。
在某些實(shí)施例中，橋接多邊形502和504的垂直高度不是恒定的。例如，橋接多邊形的高度可以是設(shè)置在單元邊界附近的最東或最西擴(kuò)散區(qū)的高度的函數(shù)。
圖6示出設(shè)置成行的一行標(biāo)準(zhǔn)單元，而圖7示出具有橋接了的擴(kuò)散區(qū)的同一行標(biāo)準(zhǔn)單元。圖6中示出的標(biāo)準(zhǔn)單元的最東和最西擴(kuò)散區(qū)被限定為具有恒定的垂直尺寸，以使得橋接多邊形可以被設(shè)置在鄰近單元之間的相同位置。例如，現(xiàn)在參考圖7，橋接多邊形702和704分別被設(shè)置在單元602和604以及604和606之間。
圖8示出集成電路。集成電路800包括內(nèi)核810。集成電路800可以包括許多其它的電路，諸如輸入/輸出電路、電源電路、參考電壓電路等。內(nèi)核810包括所畫出的擴(kuò)散區(qū)812、814和820。擴(kuò)散區(qū)812表示橫跨設(shè)置成行的多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單元的擴(kuò)散區(qū)。例如，擴(kuò)散區(qū)812可以表示圖3、5或7中示出的連續(xù)的擴(kuò)散區(qū)。此外，擴(kuò)散區(qū)814表示所畫出的橫跨一行中的多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單元的擴(kuò)散區(qū)。雖然圖8示出的所畫出的擴(kuò)散區(qū)橫跨內(nèi)核810中的每一行的整個(gè)長(zhǎng)度，但是這并不是對(duì)本發(fā)明的限制。例如，任何的擴(kuò)散區(qū)可以只橫跨行中的兩個(gè)單元或橫跨行中的任意數(shù)量的單元。擴(kuò)散區(qū)820表示橫跨多個(gè)行中的多個(gè)單元的擴(kuò)散區(qū)。例如，可以使用參考前面附圖描述的橋接多邊形來(lái)橋接存在于分離行中的鄰近單元中的同類、等勢(shì)擴(kuò)散區(qū)。結(jié)果，擴(kuò)散區(qū)可以被橋接以橫跨給定行中的單元，并且擴(kuò)散區(qū)也可以被橋接以橫跨不同行中的單元。
圖9示出集成電路的設(shè)計(jì)流程。設(shè)計(jì)流程900示出標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)910、設(shè)計(jì)過(guò)程920、設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫(kù)930、設(shè)計(jì)自動(dòng)化工具940和具有橋接的擴(kuò)散區(qū)的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫(kù)950。
標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)910可以是具有單元的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)，其中單元被限定，以使得最東和最西擴(kuò)散區(qū)滿足為穿過(guò)單元邊界的橋接擴(kuò)散區(qū)提供的特定約束條件。例如，擴(kuò)散區(qū)可以被限定為包括單元邊界附近的晶體管源極。另外，單元邊界附近的擴(kuò)散區(qū)可以被限定為耦合到電源節(jié)點(diǎn)的晶體管源極。此外，最東和最西擴(kuò)散區(qū)的物理尺寸可以被約束。例如，在物理設(shè)置中可以相對(duì)于單元原點(diǎn)來(lái)約束底邊緣和/或頂邊緣。另外，可以在單元內(nèi)規(guī)定橋接多邊形。例如，橋接多邊形可以被限定在分離的數(shù)據(jù)層上，并且這些橋接多邊形可以延伸到單元邊界或超出單元邊界。
標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)910可以被包含在物理介質(zhì)中，諸如硬盤驅(qū)動(dòng)器、光盤或其它存儲(chǔ)設(shè)備。另外，標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)910可以存在于基于網(wǎng)絡(luò)、可以由連接到網(wǎng)絡(luò)的計(jì)算機(jī)訪問的貯存器中。在某些實(shí)施例中，標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)910可以通過(guò)有線或無(wú)線網(wǎng)絡(luò)來(lái)訪問。
設(shè)計(jì)過(guò)程920表示對(duì)來(lái)自于標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)910的單元進(jìn)行實(shí)例化以實(shí)現(xiàn)對(duì)集成電路的設(shè)計(jì)的過(guò)程。在某些實(shí)施例中，設(shè)計(jì)過(guò)程920包括用戶在工作站上使用圖形用戶接口將標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計(jì)成行。此外，設(shè)計(jì)過(guò)程920可以包括使用硬件設(shè)計(jì)語(yǔ)言(HDL)來(lái)對(duì)電路進(jìn)行綜合。設(shè)計(jì)過(guò)程920對(duì)來(lái)自于標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)910的單元進(jìn)行實(shí)例化的方式并非對(duì)本發(fā)明的限制。
設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫(kù)930表示集成電路設(shè)計(jì)，其包括成行的標(biāo)準(zhǔn)單元例示。例如，圖2、4和6示出的行可以存在于設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫(kù)930中。此外，除了圖2、4和6示出的這些層以外的層可以被包括在設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫(kù)930中。
設(shè)計(jì)自動(dòng)化工具940讀取設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫(kù)930，并在鄰近的標(biāo)準(zhǔn)單元例示之間有條件地執(zhí)行擴(kuò)散區(qū)的橋接，使得淺溝槽隔離減少。以下參考圖10描述設(shè)計(jì)自動(dòng)化工具940的操作。設(shè)計(jì)自動(dòng)化工具940可以是運(yùn)行在合適的計(jì)算設(shè)備上的軟件工具。例如，設(shè)計(jì)自動(dòng)化工具940可以是一套指令，該指令保存在機(jī)器可讀的諸如磁盤驅(qū)動(dòng)器或固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備的介質(zhì)上。在本例中，當(dāng)指令被合適的計(jì)算設(shè)備訪問時(shí)，設(shè)計(jì)自動(dòng)化工具940可以如所述那樣實(shí)施。
具有橋接的擴(kuò)散區(qū)的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫(kù)950對(duì)應(yīng)于用于包括橫跨多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單元例示的擴(kuò)散區(qū)的集成電路的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫(kù)。例如，內(nèi)核810(圖8)可以被包括在設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫(kù)950內(nèi)。
圖10示出根據(jù)本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例的流程圖。在某些實(shí)施例中，方法1000可以用于橋接擴(kuò)散區(qū)，以減少淺溝槽隔離。在某些實(shí)施例中，方法1000或其中的部分通過(guò)集成電路設(shè)計(jì)自動(dòng)化工具來(lái)執(zhí)行，其實(shí)施例在各個(gè)圖中示出。方法1000中的各種動(dòng)作可以以所示順序?qū)嵤蛘呖梢砸圆煌捻樞騺?lái)執(zhí)行。此外，在某些實(shí)施例中，從方法1000中省略掉圖10中列出的某些操作。
方法1000從1010開始，其中讀取設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫(kù)。在某些實(shí)施例中，1010的操作對(duì)應(yīng)于設(shè)計(jì)自動(dòng)化工具940讀取設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫(kù)930(圖9)。在1020處，設(shè)計(jì)自動(dòng)化工具確定鄰近單元在共同的邊界處是否具有同類、等勢(shì)的擴(kuò)散區(qū)。如果不具有，則方法1000在1050繼續(xù)，即寫入設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫(kù)。在這些實(shí)施例中，寫入的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫(kù)將不具有橋接的擴(kuò)散區(qū)。然而，如果在1020處，鄰近單元具有同類、等勢(shì)的擴(kuò)散區(qū)，則方法1000在1030繼續(xù)，即設(shè)計(jì)自動(dòng)化工具確定該同類、等勢(shì)的擴(kuò)散區(qū)是否將耦合到電源節(jié)點(diǎn)。如果其將耦合到電源節(jié)點(diǎn)，則在1040處穿過(guò)所述共同的邊界將擴(kuò)散區(qū)橋接。如果擴(kuò)散區(qū)將不耦合到電源節(jié)點(diǎn)，則在1050處寫入不具有橋接擴(kuò)散區(qū)的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫(kù)。
在某些實(shí)施例中，1030處的操作被省略，并且無(wú)論所述同類、等勢(shì)的擴(kuò)散區(qū)是否將要耦合到電源節(jié)點(diǎn)，都將擴(kuò)散區(qū)橋接。
可以以許多不同的方式來(lái)橋接擴(kuò)散區(qū)。例如，其中限定了單元的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)可以包括適合用于橋接擴(kuò)散區(qū)的多邊形，其中所述多邊形被設(shè)置在除擴(kuò)散層以外的層上，以便不違背設(shè)計(jì)規(guī)則。在將多邊形從“隱藏”的數(shù)據(jù)層移到擴(kuò)散層后，可以使用諸如或運(yùn)算、和運(yùn)算以及異或運(yùn)算等合適的邏輯操作來(lái)將其邏輯地結(jié)合。此外，在某些實(shí)施例中，設(shè)計(jì)自動(dòng)化工具可以生成新的多邊形，以便橋接擴(kuò)散區(qū)。另外，在1040處，設(shè)計(jì)自動(dòng)化工具可以伸長(zhǎng)存在的擴(kuò)散多邊形，使其穿過(guò)單元邊界，以橋接擴(kuò)散區(qū)?？梢源┻^(guò)任何單元邊界來(lái)橋接擴(kuò)散區(qū)，包括東、西、北和南邊界。
圖11示出根據(jù)本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例的電子系統(tǒng)。電子系統(tǒng)1100包括處理器1110、存儲(chǔ)控制器1120、存儲(chǔ)器1130、輸入/輸出(I/O)控制器1140、射頻(RF)電路1150和天線1160。在操作中，系統(tǒng)1100使用天線1160來(lái)發(fā)送和接收信號(hào)，并且通過(guò)圖11中示出的各種元件來(lái)處理這些信號(hào)。天線1160可以是定向天線或全向天線。術(shù)語(yǔ)全向天線用在這里是指在至少一個(gè)平面中具有基本均勻的方向圖的任何天線。例如，在某些實(shí)施例中，天線1160可以是諸如偶極子天線或四分之一波長(zhǎng)天線的全向天線。又例如，在某些實(shí)施例中，天線1160可以是諸如拋物面天線、貼片天線或八木天線的定向天線。在某些實(shí)施例中，天線1160可以包括多個(gè)物理天線。
射頻電路1150與天線1160和I/O控制器1140通信。在某些實(shí)施例中，RF電路1150包括對(duì)應(yīng)于通信協(xié)議的物理接口(PHY)。例如，RF電路1150可以包括調(diào)制器、解調(diào)器、混頻器、頻率合成器、低噪聲放大器、功率放大器等。在某些實(shí)施例中，RF電路1150可以包括外差接收器，而在其它的實(shí)施例中，RF電路1150可以包括直接變換接收器。在某些實(shí)施例中，RF電路1150可以包括多個(gè)接收器。例如，在具有多個(gè)天線1160的實(shí)施例中，每一個(gè)天線可以耦合到對(duì)應(yīng)的接收器。在操作中，RF電路1150從天線1160接收通信信號(hào)，并向I/O控制器1140提供模擬信號(hào)或數(shù)字信號(hào)。此外，I/O控制器1140可以向RF電路1150提供信號(hào)，該RF電路對(duì)這些信號(hào)進(jìn)行處理，而后將它們傳輸?shù)教炀€1160。
處理器1110可以是任何類型的處理設(shè)備。例如，處理器1110可以是微處理器、微控制器等。此外，處理器1110可以包括任意數(shù)量的處理內(nèi)核，或者可以包括任意數(shù)量的單獨(dú)處理器。
存儲(chǔ)控制器1120在處理器1110和圖11示出的其它設(shè)備之間提供通信路徑。在某些實(shí)施例中，存儲(chǔ)控制器1120是也提供其它功能的集線器設(shè)備的一部分。如圖11所示，存儲(chǔ)控制器1120耦合到處理器1110、I/O控制器1140和存儲(chǔ)器1130。
存儲(chǔ)器1130可以是任何類型的存儲(chǔ)技術(shù)。例如，存儲(chǔ)器1130可以是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)、例如閃速存儲(chǔ)器的非易失性存儲(chǔ)器，或任何其它類型的存儲(chǔ)器。
存儲(chǔ)器1130可以表示單個(gè)存儲(chǔ)設(shè)備或在一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器模塊上的許多存儲(chǔ)設(shè)備。存儲(chǔ)控制器1120通過(guò)總線1122向存儲(chǔ)器1130提供數(shù)據(jù)，并響應(yīng)于讀取請(qǐng)求從存儲(chǔ)器1130接收數(shù)據(jù)?？梢酝ㄟ^(guò)除總線1122以外的導(dǎo)體或通過(guò)總線1122向存儲(chǔ)器1130提供命令和/或地址。存儲(chǔ)控制器1130可以從處理器1110或從其它的來(lái)源接收將要存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器1130中的數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)控制器1120可以向處理器1110或另一目標(biāo)提供它從存儲(chǔ)器1130接收到的數(shù)據(jù)?？偩€1122可以是雙向總線或單向總線?？偩€1122可以包括許多并聯(lián)的導(dǎo)體。信號(hào)可以是差分的或單端的。
存儲(chǔ)控制器1120也耦合到I/O控制器1140，且在處理器1110和I/O控制器1140之間提供通信路徑。I/O控制器1140包括用于與諸如串行端口、并行端口、通用串行總線(USB)端口等的I/O電路通信的電路。如圖11所示，I/O控制器1140提供到RF電路1150的通信路徑。
在本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例中，系統(tǒng)1100中的一個(gè)或多個(gè)集成電路包括具有橋接的擴(kuò)散區(qū)的標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計(jì)。例如，存儲(chǔ)控制器1120可以是具有內(nèi)核的集成電路，該內(nèi)核具有橋接的擴(kuò)散區(qū)和減少的淺溝槽隔離。在這里描述的任何的實(shí)施例都可以結(jié)合系統(tǒng)1100中的任何電路使用。
圖12示出根據(jù)本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例的電子系統(tǒng)。電子系統(tǒng)1200包括存儲(chǔ)器1130、I/O控制器1140、RF電路1150和天線1160，所有這些都已參考圖11進(jìn)行了描述。電子系統(tǒng)1200還包括處理器1210和存儲(chǔ)控制器1220。如圖12所示，存儲(chǔ)控制器1220被包括在處理器1210中。處理器1210可以是以上參考處理器1110(圖11)所描述的任何種類的處理器。處理器1210與處理器1110的區(qū)別在于處理器1210包括存儲(chǔ)控制器1220，而處理器1110不包括存儲(chǔ)控制器。
圖11和圖12所表示的示例系統(tǒng)包括臺(tái)式計(jì)算機(jī)、膝上型計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話、個(gè)人數(shù)字助理、無(wú)線局域網(wǎng)絡(luò)接口或任何其它合適的系統(tǒng)。許多其它的系統(tǒng)用于存在有橋接的擴(kuò)散區(qū)的集成電路。例如，在這里所描述的各個(gè)實(shí)施例可以用在服務(wù)器計(jì)算機(jī)、網(wǎng)橋或網(wǎng)絡(luò)路由器或任何其它具有或不具有天線的系統(tǒng)中。
此外，圖11和圖12所表示的系統(tǒng)可以是能夠執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計(jì)的系統(tǒng)。例如，用于本發(fā)明的各個(gè)方法實(shí)施例的指令可以存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器1130中，并且處理器1110和處理器1210可以執(zhí)行與所述方法相關(guān)的操作。
雖然已經(jīng)結(jié)合特定的實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是應(yīng)該理解的是，正如本領(lǐng)域的那些技術(shù)人員很容易理解的那樣，可以想到很多改變和變化，而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣的改變和變化被認(rèn)為是包括在本發(fā)明和所附權(quán)利要求的范圍中。
權(quán)利要求
1.一種用在集成電路設(shè)計(jì)自動(dòng)化工具中的單元庫(kù)，所述單元庫(kù)包括多個(gè)具有限定在單元邊界附近的擴(kuò)散區(qū)的單元限定，其中所述擴(kuò)散區(qū)是可以穿過(guò)所述單元邊界結(jié)合起來(lái)的同類和等勢(shì)的區(qū)域。-
2.如權(quán)利要求1所述的單元庫(kù)，其中所述擴(kuò)散區(qū)表示晶體管源極節(jié)點(diǎn)。
3.如權(quán)利要求2所述的單元庫(kù)，其中所述晶體管源極節(jié)點(diǎn)將要耦合到電源節(jié)點(diǎn)。
4.如權(quán)利要求1所述的單元庫(kù)，其中所述擴(kuò)散區(qū)具有相對(duì)于單元原點(diǎn)被限定在同一高度上的底邊緣。
5.如權(quán)利要求1所述的單元庫(kù)，其中所述擴(kuò)散區(qū)具有相對(duì)于單元原點(diǎn)被限定在同一高度上的頂邊緣。
6.如權(quán)利要求1所述的單元庫(kù)，其中所述擴(kuò)散區(qū)具有被限定的同一垂直尺寸。
7.一種方法，包括讀取包括標(biāo)準(zhǔn)單元的實(shí)例的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫(kù)；確定鄰近的所述實(shí)例在共同的邊界處是否具有同類、等勢(shì)的擴(kuò)散區(qū)；以及如果存在所述同類、等勢(shì)的擴(kuò)散區(qū)，則將其橋接以形成穿過(guò)所述共同邊界的連續(xù)的擴(kuò)散區(qū)。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述鄰近的實(shí)例在一行中是鄰接的。
9.如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述鄰近的實(shí)例在不同的行中是鄰接的。
10.如權(quán)利要求7所述的方法，進(jìn)一步包括確定所述同類、等勢(shì)擴(kuò)散區(qū)是否將要電耦合到電源節(jié)點(diǎn)；以及只有當(dāng)它們將要電耦合到電源節(jié)點(diǎn)時(shí)，才橋接所述同類、等勢(shì)的擴(kuò)散區(qū)。
11.一種集成電路，包括設(shè)置成行的多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單元；以及橫跨所述多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單元中的至少兩個(gè)的連續(xù)擴(kuò)散區(qū)。
12.如權(quán)利要求11所述的集成電路，其中所述連續(xù)擴(kuò)散區(qū)電耦合到電源節(jié)點(diǎn)。
13.如權(quán)利要求11所述的集成電路，其中所述多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單元中的所述至少兩個(gè)各自包括至少一個(gè)具有形成在所述連續(xù)擴(kuò)散區(qū)中的源極節(jié)點(diǎn)的晶體管。
14.如權(quán)利要求11所述的集成電路，其中所述多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單元中的所述至少兩個(gè)在同一行中。
15.如權(quán)利要求11所述的集成電路，其中所述多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單元中的所述至少兩個(gè)在不同的行中。
16.如權(quán)利要求11所述的集成電路，其中所述多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單元形成存儲(chǔ)控制器的內(nèi)核。
17.一種系統(tǒng)，包括天線；耦合到所述天線的射頻電路；以及耦合到所述射頻電路的集成電路，所述集成電路包括多個(gè)設(shè)置成行的標(biāo)準(zhǔn)單元，以及橫跨所述多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單元中的至少兩個(gè)的連續(xù)的擴(kuò)散區(qū)。
18.如權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，其中所述連續(xù)的擴(kuò)散區(qū)電耦合到電源節(jié)點(diǎn)。
19.如權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，其中所述多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單元中的所述至少兩個(gè)各自包括至少一個(gè)具有形成在所述連續(xù)擴(kuò)散區(qū)中的源極節(jié)點(diǎn)的晶體管。
20.如權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，其中所述多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單元中的所述至少兩個(gè)在同一行中。
全文摘要
穿過(guò)單元邊界橋接標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計(jì)中的擴(kuò)散區(qū)。減少了淺溝槽隔離，并且減小了氮化物鈍化厚度變化。
文檔編號(hào)H01L21/82GK101071454SQ20071010530
公開日2007年11月14日 申請(qǐng)日期2007年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月30日
發(fā)明者J·戴維斯, R·多德馬尼, B·朱, D·源, D·蘇提, E·依姆 申請(qǐng)人:英特爾公司