專利名稱：固體電解電容組件的制作方法
相關(guān)申請的交叉引用本申請要求于2006年4月28提交的美國臨時專利申請序列號No.60/795,970的優(yōu)先權(quán)，該申請通過參考整體地結(jié)合在本申請中。
背景技術(shù)：
各種各樣的現(xiàn)代技術(shù)應(yīng)用產(chǎn)生對用在這些應(yīng)用中的有效的電子器件和集成電路的需求。電容器是用于過濾、去耦、旁路和這些現(xiàn)代應(yīng)用的其它方面的基本器件，這些現(xiàn)代應(yīng)用可包括無線通信、高速處理、聯(lián)網(wǎng)、電路轉(zhuǎn)接和許多其它應(yīng)用。集成電路的速度和組裝密度的引人注目的增長要求去耦電容元件技術(shù)的進步。當大電容去耦電容器經(jīng)受目前的許多應(yīng)用的高頻率時，性能特征就變得日益重要。由于電容器對于這些大范圍的應(yīng)用是基本的，所以電容器的精度和效率是必要的。因此，電容器設(shè)計的許多明確方面一直以來是提高電容器的性能特征的焦點。固體電解電容器(如鉭電容器)一直以來對電子電路小型化起著主要作用并使得這些電路能夠應(yīng)用于極端環(huán)境中。例如，通常通過將鉭粉壓制成小丸、燒結(jié)小丸以形成多孔體然后對多孔體進行陽極化以在燒結(jié)體上形成連續(xù)電介質(zhì)氧化膜來制造鉭電容器。鉭陽極的電容是燒結(jié)粉末的比表面積的直接函數(shù)。因此，為了增加電容，可通過更精細的鉭微粒的使用來實現(xiàn)更大的比表面積。可令人遺憾的是，在燒結(jié)期間，往往在精細微粒之間形成“瓶頸”。在使用期間，當電流經(jīng)過陽極時，這些瓶頸往往過熱，從而導(dǎo)致電容器的損壞。
因此，目前需要有一種電容器，在尺寸和性能方面，這種電容器能夠滿足工業(yè)要求，而且還能夠在使用期間避免因不充分的功率耗散而導(dǎo)致的過熱。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，公開一種電容組件，該電容組件包括第一固體電解電容元件和位于第一固體電解電容元件附近的第二固體電解電容元件。第一和第二固體電解電容元件中的每一個都包括用電子管金屬(valve metal)成分(如鉭氧化物或鈮氧化物)形成的陽極，這種電子管金屬成分具有約70,000μF*V/g或更大的荷質(zhì)比。熱導(dǎo)材料(如金屬)位于第一和第二固體電解電容元件之間，其中，熱導(dǎo)材料在20℃的溫度時具有約100W/m-K或更大的熱導(dǎo)系數(shù)。殼體封裝第一和第二固體電解電容元件。
根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，公開一種電容組件，該電容組件包括第一固體電解電容元件和位于第一固體電解電容元件附近的第二固體電解電容元件。第一和第二固體電解電容元件中的每一個都包括用電子管金屬成分形成的陽極。這種陽極具有從約0.1至約4毫米的厚度。第一固體電解電容元件具有第一陽極引線且第二固體電解電容元件具有第二陽極引線，其中，第一陽極引線基本上平行于第二陽極引線并與第二陽極引線基本上水平對齊。該組件還包括陽極終端，該陽極終端包括具有上區(qū)域和下區(qū)域的部分，該上區(qū)域電氣連接到第一陽極引線，該下區(qū)域電氣連接到第二陽極引線。陰極終端位于第一和第二固體電解電容元件之間并電氣連接到第一和第二固體電解電容元件，其中，陰極終端包括熱導(dǎo)材料。殼體封裝第一和第二固體電解電容元件，其中，殼體留下陽極終端和陰極終端的暴露部分。
根據(jù)本發(fā)明的再一個實施例，公開一種形成電容組件的方法。該方法包括提供第一固體電解電容元件和第二固體電解電容元件，第一和第二固體電解電容元件分別包括從陽極延伸的第一和第二陽極引線，其中，該陽極用電子管金屬成分形成。還設(shè)有引線框，該引線框具有第一表面和相對的第二表面，其中，引線框限定陰極終端和陽極終端，而且該引線框包括熱導(dǎo)材料。。第一固體電解電容元件電氣連接到陰極終端的第一表面，且第一陽極引線焊接到陽極終端。第二固體電解電容元件電氣連接到陰極終端的第二表面，且第二陽極引線焊接到陽極終端。
本發(fā)明的其它特征和方面在下面詳細列出。


針對本領(lǐng)域中熟練的技術(shù)人員的本發(fā)明的完整的和可實施的公開，包括其最佳實施方式，在本說明書的余下部分中參考附圖進行更詳細的說明，在這些附圖中圖1是本發(fā)明的電容組件的一個實施例的透視圖；圖2是用在本發(fā)明中的引線框的一個實施例的剖面俯視圖；圖3是用在本發(fā)明中的引線框的一部分的一個實施例的透視圖；圖4是將第一固體電解電容器安裝到示于圖3中的引線框上的一個實施例的透視圖；圖5是將示于圖4中的第一固體電解電容器焊接到引線框的激光器的一個實施例的透視圖；圖6是將第二固體電解電容器安裝到示于圖3中的引線框上的一個實施例的透視圖；圖7是將示于圖6中的第二固體電解電容器焊接到引線框的激光器的一個實施例的透視圖；圖8是示于圖1中的電容組件的透視圖，圖中示出的電容組件具有封裝殼體。
在本說明書和附圖中重復(fù)使用參考符號旨在表示本發(fā)明的相同的或相似的特征或元件。
具體實施例方式
本領(lǐng)域中熟練的技術(shù)人員會理解，本論述僅是對示范性實施例的描述，且并不旨在對本發(fā)明的更廣泛的方面進行限制，更廣泛的方面體現(xiàn)在示范性釋義之中。
從總體上而言，本發(fā)明涉及集成電容組件，這種集成電容組件以方便而節(jié)約空間的包提供改進的性能特征。電容組件包括彼此相鄰(如堆疊)的至少兩個固體電解電容元件。每個電容元件包括用電子管金屬成分形成的陽極。電子管金屬成分可具有高荷質(zhì)比，如約70,000微法拉第*伏特每克(“μF*V/g”)或更大，在某些實施例中，約80,000μF*V/g或更大，在某些實施例中，約100,000μF*V/g或更大，在某些實施例中，約120,000μF*V/g或更大。電子管金屬成分包括電子管金屬(即能夠氧化的金屬)或以電子管金屬為基礎(chǔ)的化合物，如鉭、鈮、鋁、鉿、鈦、它們的合金、它們的氧化物和它們的氮化物等等。例如，可用電子管金屬氧化物形成陽極，這種電子管金屬氧化物具有金屬與氧之比為1∶小于25的原子比，在某些實施例中，1∶小于2.0，在某些實施例中，1∶小于1.5，在某些實施例中，1∶1。這種電子管金屬氧化物的示例可包括鈮氧化物(如NbO)和鉭氧化物等，并且在Fife的美國專利No.6,322,912中對其有詳細的描述，為了所有目的，該專利通過參考整體地結(jié)合在本發(fā)明之中。
多種傳統(tǒng)上的制造程序可通常用于形成這種陽極。在一個實施例中，首先選擇具有某種顆粒尺寸的鉭或鈮氧化物粉末?？筛鶕?jù)所希望的合成電容元件的電壓來改變顆粒尺寸。例如，具有相對較大的顆粒尺寸(如約10微米)的粉末通常用于制造高壓電容元件，而具有相對較小的顆粒尺寸(如約0.5微米)的粉末通常用于制造低壓電容元件。然后選擇性地將這些顆粒與粘結(jié)劑和、或潤滑劑混合，以在壓制顆粒以形成陽極時確保這些顆粒的相互足夠地粘合在一起。適當?shù)恼辰Y(jié)劑可包括樟腦、硬脂和其它肥皂狀脂肪酸、聚乙二醇(聯(lián)合碳化物公司(Union Carbide))、甘酞樹脂(通用電氣公司(General Electric))、聚乙烯醇、萘、植物蠟和微晶石蠟(凈化石蠟)。可將粘結(jié)劑溶解并分散在溶劑中。示范性溶劑可包括水、丙酮、甲基異丁基醇、三氯碘甲烷、氟化碳氫化合物(氟利昂)(杜邦公司(DuPont))、醇類和氯化碳氫化合物(四氯化碳)。在使用時，粘結(jié)劑和、或潤滑劑占整個重量的百分比可從約0.1％至約8％的范圍內(nèi)變化。不過，應(yīng)理解本發(fā)明中并不要求粘結(jié)劑和潤滑劑。一旦將粉末形成，就利用任何傳統(tǒng)上的粉末壓模將粉末緊壓。例如，壓?？梢允鞘褂媚＞吆鸵粋€或多個沖模的單站緊壓壓具?；蛘撸墒褂谜栊途o壓壓具，這種緊壓壓具僅使用模具和單個下沖模?？梢垣@得單站緊壓壓具幾種基本的類型，如凸輪、肘桿式/肘板式和偏心/曲柄壓具，這些壓具具有變動容量，如單動作、雙動作、彈簧模、活動臺板、對沖壓頭、螺釘、沖擊、熱壓、壓印或精壓?？蓪⒎勰┚o壓在陽極引線(如鉭線)周圍。還應(yīng)理解，在陽極的壓制和、或燒結(jié)之后，陽極引線還可以附著(如焊接)到陽極。
在壓縮之后，可通過將小丸在真空中以某種溫度(如從約150℃至約500℃)加熱幾分鐘來將粘結(jié)劑/潤滑劑除去?；蛘?，可通過用水溶液接觸小丸來將粘結(jié)劑/潤滑劑除去，如在為Bishop等人的美國專利No.6,197,252中所描述的那樣，為了所有目的，該專利通過參考整體地結(jié)合在本發(fā)明之中。之后，將小丸燒結(jié)以形成多孔整體塊。例如，在一個實施例中，可將小丸在從約1200℃至約2000℃的溫度下燒結(jié)，且在某些實施例中，可將小丸在約1500℃至約1800℃的溫度下在真空中燒結(jié)。在燒結(jié)時，由于顆粒之間粘合的增長，所以小丸會收縮。除了上面所描述的技術(shù)之外，還可以根據(jù)本發(fā)明使用用于形成陽極的其它任何技術(shù)，如在Galvagni的美國專利No.4,085,435、Sturmer等人的美國專利No.4,945,452、Galvagni的美國專利No.5,198,968、Salisbury的美國專利No.5,357,399、Galvagni等人的美國專利No.5,394,295、Kulkarni的美國專利No.5,495,386和Fife的美國專利No.6,322,912中所描述的技術(shù),為了所有目的，這些專利通過參考整體地結(jié)合在本發(fā)明之中。
不管形成顆粒的方式如何，根據(jù)本發(fā)明對陽極的厚度進行選擇，以提高電容組件的電氣性能。例如，每個單個電容元件的陽極的厚度(在圖1中以-z方向)一般在從約0.1至約4毫米的范圍內(nèi)變化，在某些實施例中，在從約0.2至約3毫米的范圍內(nèi)變化，且在某些實施例中，從約0.4至約1毫米的范圍內(nèi)變化。這種相對較小的陽極厚度(即“低輪廓”)有助于由大荷質(zhì)比粉末所產(chǎn)生的熱的散逸并且還提供較短的傳輸路徑，以減少ESR和電感。而且，雖然電容元件的組合后的陽極厚度可能會相當于傳統(tǒng)上的單電容器的陽極厚度，但用于每個單個電容元件的小的陽極厚度允許電介質(zhì)和固體電解的浸漬的提高，從而導(dǎo)致電氣性能的提高。
還可以對陽極的形狀進行選擇，以提高合成電容元件的電氣性能。例如，陽極可具有彎曲、正弦、矩形、U型、V型等形狀。陽極還可以具有凹面形狀，因為陽極具有一個或多個溝槽、凹槽、凹陷或凹口，以增加表面與體積比來減少ESR并延長電容的頻率響應(yīng)。例如，這種“凹面”形狀的陽極在Webber等人的美國專利No.6,191,936、Maeda等人的美國專利No.5,949,639和Bourgault等人的美國專利No.3,345,545以及Hahn等人的美國專利申請No.2005/0270725中進行了描述，為了所有目的，這些專利和專利申請通過參考整體地結(jié)合在本發(fā)明之中。
可將陽極進行陽極化處理，以在多孔陽極上面和內(nèi)部形成電介質(zhì)膜。陽極化處理是一種電化學(xué)過程，通過這種過程將陽極金屬氧化，以形成具有相對較高的介電常數(shù)的材料。例如，可將鉭陽極進行陽極化處理以形成五氧化二鉭(Ta2O5)，這種五氧化二鉭具有約27的介電常數(shù)“k”。這種陽極可浸入在升高溫度(如約85℃)下的弱酸溶液(如磷酸)中，這種溶液在提供時具有受控電壓和電流量，以形成具有某種厚度的五氧化二鉭涂層。粉末的提供最初保持在恒定的電流，直到達到所要求的形成電壓。之后，將粉末保持在恒定的電壓，以確保在鉭小丸的表面上形成所希望的介電質(zhì)量。陽極化處理電壓通常在約5至約200伏特之間變化，且在某些實施例中從約20至約100伏特。除了在陽極的表面上形成之外，介電氧化膜的一部分還通常在孔的表面上形成。應(yīng)理解，還可以用其它類型的材料并使用不同的技術(shù)來形成介電膜。
介電膜一旦形成，可選擇涂覆保護性涂層，如用相對絕緣的(天然的或合成的)樹脂材料制成的保護性涂層。這些材料可具有約大于0.05ohm-cm的電阻率，在某些實施例中大于約5ohm-cm，在某些實施例中大于約1,000ohm-cm，在某些實施例中大于1×105ohm-cm，在某些實施例中大于1×1010ohm-cm?？捎迷诒景l(fā)明中的一些樹脂材料包括但并不僅限于聚氨酯、聚苯乙烯、不飽和或飽和脂肪酸酯(如甘油酯)等等。例如，適當?shù)闹舅狨グǖ⒉粌H限于月桂酸酯、肉豆蔻酸酯、棕櫚酸酯、硬脂酸酯、桐酸酯、油酸酯、亞油酸酯、亞麻酸酯、紫膠酮酸酯、蟲膠酸酯等等?，F(xiàn)已發(fā)現(xiàn)這些脂肪酸酯在用在相對復(fù)雜的組合物中以形成“干性油”時特別有用，這種干性油允許合成膜快速聚合成穩(wěn)定的層。干性油可包括甘油一酸酯、甘油二酸酯和、或甘油三酸酯，這些干性油分別具有甘油酯主要成分，甘油酯主要成分分別具有一個、兩個和三個酯化的脂肪酰殘基。例如，可使用的適當?shù)母尚杂桶ǖ⒉粌H限于橄欖油、亞麻子油、蓖麻油、桐油、大豆油和蟲膠。Fife等人的美國專利No.6,674,635詳細地描述了這些和其它保護性涂層材料，為了所有目的，該專利通過參考整體地結(jié)合在本發(fā)明之中。
之后，根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)對經(jīng)過陽極化處理的部分進行形成陰極的步驟。例如，可形成位于介電膜上的固體電解陰極。可通過硝酸錳(Mn(NO3)2)的熱解分解來形成陰極，以形成二氧化錳(MnO2)陰極。例如，Sturmer等人的美國專利No.4,945,452對這種技術(shù)進行了描述，為了所有目的，該專利通過參考整體地結(jié)合在本發(fā)明之中。或者，導(dǎo)電聚合物涂層可用于形成固體電解電容元件的陰極。這種導(dǎo)電聚合物涂層可包括一種或多種導(dǎo)電聚合物，如聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺、聚乙炔、聚苯醚以及它們的衍生物，聚噻吩如聚3，4-乙烯二氧二氧噻吩(PEDT)。而且，若有需要，還可以用多個導(dǎo)電聚合物層來形成導(dǎo)電聚合物涂層。例如，在一個實施例中，導(dǎo)電聚合物涂層包括用PEDT形成的一個層和用聚吡咯形成的另一個層。可采用不同的方法來將導(dǎo)電聚合物涂層涂覆到陽極部分上。例如，傳統(tǒng)上的技術(shù)如電聚合、絲網(wǎng)印刷、浸涂、電泳涂層和噴涂可用于形成導(dǎo)電聚合物涂層。例如，在一個實施例中，用于形成導(dǎo)電聚合物(如3，4-乙烯二氧噻吩)的單體可在最初與聚合催化劑混合，以形成分散液。例如，一種適當?shù)木酆洗呋瘎┦荁AYTRON C，這種聚合催化劑是甲苯硫酸三鐵和正丁醇，由拜耳公司(Bayer Corporation)出售。BAYTRON C是用于BAYTRON M的可從商業(yè)上得到的催化劑，BAYTRON M是聚3，4-乙烯二氧噻吩，聚3，4-乙烯二氧噻吩是同樣由拜耳公司出售的PEDT單體。在大多數(shù)實施例中，一旦涂覆，導(dǎo)電聚合物就會固化。固化可在得到聚合物的每次涂覆之后出現(xiàn)，或者可在整個聚合物的涂覆之后出現(xiàn)。雖然在前面描述了各種各樣的方法，但應(yīng)理解用于涂覆陰極層的其它任何方法也可用在本發(fā)明之中。
一旦形成固體電解層，那么就用碳涂層(如石墨)和銀涂層分別將該部分涂覆。銀涂層可作為用于電容元件的可焊接導(dǎo)體和、或電荷收集器，碳涂層限制銀涂層與固體電解質(zhì)的接觸。然后，可提供引線電極，如現(xiàn)有技術(shù)中公知的那樣。每個單個電容元件的總厚度在從約0.1至約4毫米的范圍內(nèi)變化，在某些實施例中，在從約0.2至約3毫米的范圍內(nèi)變化，且在某些實施例中，從約0.4至約1毫米的范圍內(nèi)變化。
任何數(shù)量的固體電解電容元件可用在本發(fā)明中，如從2至8個電容元件(如2、3或4)，且在一個特別實施例中，用2個電容元件。不管所使用的電容元件的數(shù)量如何，將熱導(dǎo)材料布置在至少兩個電容元件之間，以進一步散逸由大荷質(zhì)比陽極所產(chǎn)生的熱。這就允許電容組件應(yīng)對更大的電流，耳更大的電流通常會導(dǎo)致過熱。從總體上而言，在20℃的溫度下進行測量時，熱導(dǎo)材料具有約100瓦每米-開(W/m-K)或更大的熱導(dǎo)系數(shù)，在某些實施例中，約從150至約500W/m-K，且在某些實施例中，約從200至約400W/m-K?？墒褂萌魏螣釋?dǎo)材料，如導(dǎo)電金屬(如銅、鎳、銀、鋅、錫、鈀、鉛、銅、鋁、鉬、鈦、鐵、鋯、鎂以及它們的合金)。特別適合的導(dǎo)電材料包括，如銅、銅合金(如銅鋯合金、銅鎂合金、銅鋅合金或銅鐵合金)、鎳和鎳合金(如鎳鐵合金)。通常對熱導(dǎo)材料的厚度進行選擇，以優(yōu)化熱散逸和容積效率。例如，熱導(dǎo)材料的厚度從約0.01至約1毫米的范圍內(nèi)變化，在某些實施例中，在從約0.05至約0.5毫米的范圍內(nèi)變化，且在某些實施例中，從約0.1至約0.2毫米的范圍內(nèi)變化。一種示范性熱導(dǎo)材料是可從Batten&Allen公司(英國)得到的銅鐵合金金屬板。
可對固體電解電容元件的屬性進行控制，以優(yōu)化合成電容組件的性能。例如，固體電解電容元件可展示出低的等效串聯(lián)電阻(ESR)，等效串聯(lián)電阻是指電容元件具有與電容串聯(lián)的電阻的范圍，這種等效串聯(lián)電阻延遲充電和放電并導(dǎo)致電子電路中的損失。例如，在用2伏特的偏壓和100kHz頻率下的1伏特信號測量時，電解電容元件可具有約小于1歐姆的ESR，在某些實施例中，小于約300毫歐姆，在某些實施例中，小于約200毫歐姆，且在某些實施例中，小于約100毫歐姆。同樣，在用2伏特的偏壓和100kHz頻率下的1伏特信號測量時，等效串聯(lián)電感(“ESL”)值也可以小于約10納亨(“nH”)，且在某些實施例中，小于約1.5nH。在以120Hz的頻率測量時，固體電解電容元件的電容也可以在從約1至約5,000微法拉第的范圍內(nèi)變化，在某些實施例中，從約250至約2,500微法拉第的范圍內(nèi)變化，在某些實施例中，從約400至約1,000微法拉第的范圍內(nèi)變化。
除了固體電解電容元件本身之外，電容組件還包括陽極終端，電容元件的陽極引線電氣連接到該陽極終端。陽極引線一般基本上相互平行并朝向相同的側(cè)面。因此，以緊密鄰接關(guān)系放置這些陽極引線，這樣就提高效率，且這些引線可通過這種關(guān)系連接到陽極終端。還可將這些陽極引線基本上水平對齊(即以x方向)放置，這樣就提高電容組件的尺寸穩(wěn)定性。例如，這可以通過將一條陽極引線連接到陽極終端的上區(qū)域并將另一條陽極引線連接到陽極終端的下區(qū)域來實現(xiàn)。電容組件還包括陰極終端，固體電解電容元件的陰極電氣連接到該陰極終端。例如，在一個實施例中，陰極終端位于電容元件之間，以使陰極終端同時作為熱導(dǎo)材料。電容組件還包括封裝單個元件的殼體，但仍將這些終端的各自的部分暴露，以形成用于電路應(yīng)用的安裝表面。
參看圖1，圖中示出了本發(fā)明的電容組件64的一個特別實施例，現(xiàn)對該特別實施例進行詳細描述。電容組件64包括第一固體電解電容元件22，第一固體電解電容元件22與第二固體電解電容元件24電氣連通。在此實施例中，這些固體電解電容元件具有通常呈直角棱柱形的形狀并且堆疊，以使具有最大面積的表面相互鄰接以優(yōu)化組件64的容積效率。更確切地來講，將由固體電解電容元件22的寬度(-x方向)和長度(-y方向)所限定的固體電解電容元件22表面90置于鄰接于對應(yīng)的固體電解電容元件24的表面80。固體電解電容元件22和24可在垂直構(gòu)造中堆疊，其中，表面90設(shè)在基本上垂直于-x方向和、或-y方向的平面中，且位于水平構(gòu)造中，而表面90設(shè)在基本上垂直于-z方向平面中。例如，在所描述的實施例中，電容元件22和24水平堆疊在垂直于-z方向的平面中。應(yīng)理解，電容元件22和24不必以相同的方向延伸。例如，電容元件22的表面90可設(shè)在基本上垂直于-x方向的平面中，而電容元件24的表面80可設(shè)在基本上垂直于-y方向的平面中。不過，理想的是電容元件22和24以基本上相同的方向延伸。
固體電解電容元件22和24并聯(lián)連接到共用電氣終端，以形成電容組件64。例如，電容組件64包括陰極終端72，陰極終端72電氣連接到固體電解電容元件22和24的陰極。在此特別實施例中，陰極終端72位于固體電解電容元件22和24之間并在最初設(shè)在基本上平行于電容組件64的底部表面77的平面中。不過，正如在下面所詳細描述的那樣，陰極終端72包括暴露部分42，可在隨后將該暴露部分42彎曲以形成安裝端子。因此，雖然位于電容元件22和24之間的陰極終端72的部分通常會保持與底部表面77平行，但根據(jù)暴露部分42所彎曲的方式，可以以相對于表面77的多種角度中的任何一種(如垂直)將暴露部分42放置在最終的電容組件64中。
當用熱導(dǎo)材料形成時，陰極終端72還可作為前面所描述的用于散逸使用期間所產(chǎn)生的熱的熱導(dǎo)材料。例如，可用導(dǎo)熱的銅或銅合金形成陰極終端72。若有需要，可如現(xiàn)有技術(shù)中所公知的那樣用鎳、銀、金和錫等電鍍陰極終端72的表面，以確保最終的部分可安裝到電路板。在一個特別實施例中，陰極終端72的兩個表面分別用鎳和銀電鍍，而安裝表面用錫焊料層電鍍。不過，應(yīng)理解，陰極終端不必作為熱導(dǎo)材料，而且這些器件可以是分立的。例如，熱導(dǎo)材料可直接或通過另外的導(dǎo)電元件(如金屬)電氣連接到陰極終端(如激光焊接、導(dǎo)電粘合劑等)。
電容組件64還包括陽極終端62，陽極終端62由第一部分65和第二部分67形成。如圖1所示，第一部分65與第二部分67成整體。不過，應(yīng)理解，這些部分65和67還可以是直接或通過另外的導(dǎo)電元件(如金屬)連接在一起的分立件。在所示出的實施例中，第一部分65最初設(shè)在基本上平行于電容組件64的底部表面77的平面中。不過，正如在下面所詳細描述的那樣，可在實質(zhì)上將第一部分65彎曲，以形成安裝端子。因此，根據(jù)第一部分65所彎曲的方式，可以以相對于表面77的多種角度中的任何一種(如垂直)將第一部分65放置在最終的電容組件64中。
陽極終端62的第二部分67設(shè)在通常垂直于電容組件64的底部表面77的平面中。第二部分67具有上區(qū)域51和下區(qū)域53，上區(qū)域51電氣連接到陽極引線6a，下區(qū)域53電氣連接到陽極引線6b。如圖所示，第二部分67將陽極引線6a和6b保持在基本上水平對齊(即以-x方向)，以進一步提高電容組件64的尺寸穩(wěn)定性。區(qū)域51和53還可以具有“U形”形狀，以提高引線6a和6b的表面接觸和機械穩(wěn)定性。第二部分67還包括上弓形表面55和下弓形表面57，上弓形表面55和下弓形表面57分別位于上和下區(qū)域51和53附近。開口75限定在形表面55和57之間，在將陽極終端62連接到電容元件22和24時，開口75便于對陽極終端62進行操作。雖然并無要求，但第二部分67還包括兩個另外的相對的弓形表面58和59，這些弓形表面58和59可進一步提高第二部分67的強度。在以前面所描述的方式構(gòu)造時，可將陽極終端62用有效而實際的方式容易地連接到固體電解電容元件22和24。
現(xiàn)對示于圖2至圖7中的用于形成電容組件64的技術(shù)的一個實施例進行詳細描述。在此方面，圖2示出了引線框87，引線框87可用于形成根據(jù)本發(fā)明的多個電容組件。在以批量制造多個電容元件組件時，可在將電容元件附到框87之后將引線框87切成單個組件(如圖3所示)。為了簡單起見，將參考單個電容組件對將這些電容元件附到引線框87的示范性方式進行描述。
最初將導(dǎo)電粘合劑89涂覆到陰極終端72的表面33上。導(dǎo)電粘合劑89可包括，例如，含在樹脂混合物中的導(dǎo)電金屬顆粒。金屬顆粒可以是銀、銅、金、鉑、鎳、鋅和鉍等。樹脂混合物可包括熱固樹脂(如環(huán)氧樹脂)、固化劑(如酸酐)和偶聯(lián)劑(如硅烷偶聯(lián)劑)。一種特別適用的粘合劑是可從埃默森·卡明公司(Emerson andCuming)以“Amicon CE 3513”得到的含有銀的環(huán)氧樹脂。Osako等人的美國專利申請No.2006/0038304對其它適當?shù)膶?dǎo)電粘合劑進行了描述，為了所有目的，該專利申請通過參考整體地結(jié)合在本發(fā)明之中?？衫枚喾N技術(shù)中的任何一種來將導(dǎo)電粘合劑89涂覆到陰極終端72上。例如，可以采用印刷技術(shù)，因為印刷技術(shù)具有實用和節(jié)約成本的優(yōu)點。
如示于圖4中的方向箭頭所指明的那樣，陽極終端62的第二部分67向上彎曲，以使部分67位于基本上垂直于電容元件22的表面90的位置。之后，將電容元件22置于陰極終端72的表面33上，以使電容元件22的底部表面90接觸粘合劑89且陽極引線6a由上U形區(qū)域51容納。然后，利用現(xiàn)有技術(shù)中公知的任何技術(shù)將陽極引線6a電氣連接到上區(qū)域50，現(xiàn)有技術(shù)中公知的技術(shù)如機械焊接、激光焊接和導(dǎo)電粘合劑等。例如，如圖5所示，可利用激光器97將陽極引線6a焊接到上區(qū)域51。激光器通常具有諧振腔，這些諧振腔包括激光介質(zhì)和能量源，激光介質(zhì)能夠通過受激發(fā)射來釋放光子，能量源激發(fā)激光介質(zhì)的元素。適當?shù)募す馄鞯囊环N類型是其中的激光介質(zhì)包括摻釹(Nd)鋁釔石榴石(YAG)的激光器。受激顆粒是釹離子Nd3+。能量源可向激光介質(zhì)提供連續(xù)的能量，以發(fā)射脈沖激光束。在將陽極引線6a電氣連接到陽極終端62時，就可將導(dǎo)電粘合劑89固化。例如，可使用熱壓來施加熱和壓力，以確保電容元件22由粘合劑89充分地粘合到陰極終端72。加熱溫度和時間通常以粘合劑的固化溫度(例如，對于Amicon CE 3513來講，約195℃，時間為10秒鐘)為基礎(chǔ)。
參看圖6，然后將導(dǎo)電粘合劑89涂覆到相對的陰極終端72的表面35上。接著將第二電容元件24置于陰極終端72的表面35附近，以使第二電容元件24的頂部表面80接觸粘合劑99且陽極引線6b由下U形區(qū)域53容納。然后通過如圖7所示的激光焊機97將陽極引線6b電氣連接到下區(qū)域53。若有需要，還可在焊接期間將激光焊機97置于電容組件64的另一側(cè)面上，以減少與組件的其它器件干擾的程度。如在前面所描述的那樣，可使用熱壓來施加熱和壓力，以確保電容元件24由粘合劑99充分地粘合到陰極終端72。不過，應(yīng)理解，粘合劑89和99可同時固化，這樣就不要求單獨的熱壓步驟。
一旦將這些電容元件附著，就將引線框封裝在樹脂殼體內(nèi)，如“V殼體”、“D”殼體或“Y”殼體(AVX公司)，然后可用二氧化硅或任何公知的其它封裝材料填充樹脂殼體。這種封裝殼體的一個實施例在圖8中示出為元件58。封裝殼體58向電容組件64提供另外的結(jié)構(gòu)性保護和熱保護。在封裝之后，將陽極和陰極終端62和72各自的暴露部分65和42修切并沿著殼體58的外側(cè)(如以約90°的角)彎曲。這樣，部分65和42就形成用于成品電容組件64的J形引線，但根據(jù)本發(fā)明也可形成其它任何公知的構(gòu)造。合成的電容組件64包括可安裝到所希望的表面上的表面77。
作為本發(fā)明的結(jié)果，可形成展示出良好電氣性能的電容組件。例如，由于本發(fā)明終端電容組件具有散熱能力，所以可實現(xiàn)相對較高的峰值沖擊電流和波紋電流。例如，峰值沖擊電流可以約為12.0安培或更大，在某些實施例中，約為13.0安培或更大，且在某些實施例中，從約14.0至約30.0安培。同樣，最大波紋電流(即在100kHz的頻率時將電容組件的溫度升高到10℃所要求的電流)也可以約為2.5安培或更大，在某些實施例中，約為3.0安培或更大，且在某些實施例中，約為3.5安培或更大。在用2伏特的偏壓和100kHz頻率下的1伏特信號測量時，電容組件的等效串聯(lián)電阻也可小于約60毫歐姆，在某些實施例中，小于約50毫歐姆，且在某些實施例中，小于約35毫歐姆。還相信電容組件的耗散因數(shù)(DF)也可保持在相對較低的水平。耗散因數(shù)(DF)一般指在電容組件中出現(xiàn)的損失且通常用理想性能的百分比表示。例如，在以120Hz的頻率測量時，本發(fā)明中的電容組件的耗散因數(shù)通常小于約15％，且在某些實施例中，小于約5％。同樣，在以120Hz的頻率測量時，組件的電容可從約100至5,000μF的范圍內(nèi)變化，在某些實施例中，可從約150至1,500μF的范圍內(nèi)變化，且在某些實施例中，可從約200至800μF的范圍內(nèi)變化。
通過參考下面的示例，可對本發(fā)明有更進一步的了解。
測試程序等效串聯(lián)電阻(ESR)、電容和耗散因數(shù)利用Angilent 4284A Precision電感電容電阻測定計對等效串聯(lián)電阻進行測量，這種Angilent 4284A Precision電感電容電阻測定計具有Angilent 16089B開氏引線，這種Angilent 16089B開氏引線具有2伏特的偏壓和1伏特的信號。工作頻率為100kHz。也將濕到干電容的百分比確定?！案呻娙荨笔鞘豌y層的涂覆之后的電容，而“濕電容”是在液體電解質(zhì)中測量的電介質(zhì)層的形成之后的電容。通過將濕電容除以干電容然后減去“1”之后再乘以“100”來確定濕到干電容的百分比。
泄漏電流用英國Mantracourt Electronics有限公司制造的MC 190漏電測試裝置測量泄漏電流(“DCL”)。MC 190測試在25℃的溫度下并在某個額定電壓的10秒鐘之后測量泄漏電流。
擊穿電壓電容器的擊穿電壓值通過在恒定的電流時以0.5伏特的增量增加所加的電壓來確定。將電容器損壞時的電壓記錄為擊穿電壓。
峰值沖擊電流為了確定峰值沖擊電流，將實測電容器穿過5千歐姆的電阻器以額定電壓預(yù)充電45秒鐘，然后放電。然后將預(yù)先充到1.1×額定電壓的電解電容器穿過0.33歐姆的電阻器放電到實測電容器。在僅幾微秒之后，電路中的電流達到其峰值或最大值，然后降低，并具有電路的RC常數(shù)。用“PLUT”測試裝置(Placepower英國有限公司)監(jiān)控最大電流。
波紋電流波紋電流是在100kHz的頻率時將電容組件的溫度升高到10℃所要求的電流。利用Fluke Scopemeter99B(Fluke公司)測量電流，然后用Inframetrics ThermaCamTMPM250(馬薩諸塞州波士頓市Flir系統(tǒng)公司)測量電容器的溫度。
示例1如前面所描述并在圖1至圖8示出的那樣用兩個鉭電容元件構(gòu)成電容組件。用于形成每個電容元件的鉭粉末具有150,000μF*V/g的荷質(zhì)比(可從H.C.Starck公司得到)。利用公知的技術(shù)壓制鉭粉末，以使合成的小丸具有約5.35毫米的長度、3.7毫米的寬度和0.75毫米的厚度。將這些小丸以1245℃燒結(jié)10分鐘。以15伏特的電壓對這些小丸進行陽極化處理，用二氧化錳浸漬，然后用前面所描述的方式用石墨和銀層涂覆。每個單個的鉭部分具有約500μF的電容。然后將這些部分像前面所描述的那樣與共用陽極終端和陰極終端并聯(lián)，以使組件的最終的電容約為1000μF且額定電壓為4伏特。將這些電容組件封裝在殼體之中，該殼體具有約7.5mm的長度、約4.5mm的寬度和約3.1mm的高度(“D”殼體，AVX公司)。
比較示例1用具有150,000μF*V/g的荷質(zhì)比的鉭粉末(可從H.C.Starck公司得到)形成單鉭電容器。利用公知的技術(shù)壓制鉭粉末，以使合成的小丸具有約5.00毫米的長度、3.7毫米的寬度和1.95毫米的厚度。將這些小丸以1245℃燒結(jié)10分鐘。以15伏特的電壓對這些小丸進行陽極化處理，用二氧化錳浸漬，然后用前面所描述的方式用石墨和銀層涂覆。合成的鉭部分具有約1000μF的電容。用傳統(tǒng)上的技術(shù)將這些電容器終結(jié)并封裝在殼體之中，該殼體具有約7.5mm的長度、約4.5mm的寬度和約3.1mm的高度(“D”殼體，AVX公司)。對示例1和比較示例1的10至50個試樣的各種電性能進行了測試。測試結(jié)果在下面的表1中列出。
表1電性能比較(測量值的平均值)


如表中所示，本發(fā)明中的電容組件展示出優(yōu)于比較試樣的電性能。
示例2如前面所描述并在圖1至圖8示出的那樣用兩個氧化鈮(“NbO”)電容元件構(gòu)成電容組件。用于形成這些電容元件的氧化鈮粉末具有80,000μF*V/g的荷質(zhì)比(可從H.C.Starck公司得到)。利用公知的技術(shù)壓制氧化鈮粉末，以使合成的小丸具有約5.35毫米的長度、3.7毫米的寬度和0.75毫米的厚度。將這些小丸以1380℃燒結(jié)10分鐘。以27伏特的電壓對這些小丸進行陽極化處理，用二氧化錳浸漬，然后用前面所描述的方式用石墨和銀層涂覆。每個單個的氧化鈮部分具有約110μF的電容。然后將這些部分像前面所描述的那樣與共用陽極終端和陰極終端并聯(lián)，以使組件的最終的電容約為220μF且額定電壓為4伏特。將這些電容組件封裝在殼體之中，該殼體具有約7.5mm的長度、約4.5mm的寬度和約3.1mm的高度(“D”殼體，AVX公司)。
示例3除了將陽極開槽且采用21伏特的形成電壓之外，如示例2所描述的那樣構(gòu)成電容器。開槽陽極具有兩個平行的凹槽，這兩個平行的凹槽沿著陽極的整個長度在每個側(cè)面延伸(-x方向)。每個凹槽具有0.4毫米的寬度和0.25毫米的厚度。開槽陽極具有5.35毫米的長度、3.7毫米的寬度和0.76毫米的厚度。
比較示例2用有80,000μF*V/g的荷質(zhì)比(可從H.C.Starck公司得到)的氧化鈮粉末構(gòu)成單氧化鈮電容器。利用公知的技術(shù)壓制氧化鈮粉末，以使合成的小丸具有約4.10毫米的長度、3.7毫米的寬度和1.95毫米的厚度。將這些小丸以1380℃燒結(jié)10分鐘。以27伏特的電壓對這些小丸進行陽極化處理，用二氧化錳浸漬，然后用前面所描述的方式用石墨和銀層涂覆。合成部分具有約220μF的電容。用傳統(tǒng)上的技術(shù)將這些電容器終結(jié)并封裝在殼體之中，該殼體具有約7.5mm的長度、約4.5mm的寬度和約3.1mm的高度(“D”殼體，AVX公司)。
比較示例3除了將陽極開槽且在27伏特的電壓時進行陽極化處理之外，如比較示例2所描述的那樣構(gòu)成單氧化鈮電容器。開槽陽極具有兩個平行的凹槽，這兩個平行的凹槽沿著陽極的整個長度在每個側(cè)面延伸(-x方向)。陽極的角成圓形。每個凹槽具有0.4毫米的寬度和0.25毫米的厚度。開槽陽極具有4.90毫米的長度、3.6毫米的寬度和1.95毫米的厚度。對示例2和示例2以及比較示例2和3的10至50個試樣的各種電性能進行了測試。測試結(jié)果在下面的表2中列出。
表2電性能比較(測量值的平均值)


如表中所示，本發(fā)明中的電容組件展示出優(yōu)于比較試樣的電性能。
本領(lǐng)域中熟練的技術(shù)人員可實施本發(fā)明的這些和其它修改及變化，而并不背離本發(fā)明的精神和范圍。此外，應(yīng)理解，可全部或部分地將各種實施例的方面進行互換。而且，本領(lǐng)域中熟練的技術(shù)人員可以理解，前面進行的描述僅作為示例，且并不旨在對本發(fā)明進行限制，本發(fā)明由所附的權(quán)利要求書進行限制。
權(quán)利要求
1.一種電容組件，包括第一固體電解電容元件；位于所述第一固體電解電容元件附近的第二固體電解電容元件，其中，所述第一和第二固體電解電容元件均包括陽極，所述陽極用電子管金屬成分形成，所述電子管金屬成分具有約70,000μF*V/g或更大的荷質(zhì)比，所述陽極具有從約0.1至約4毫米的厚度；熱導(dǎo)材料，所述熱導(dǎo)材料位于所述第一和第二固體電解電容元件之間并電氣連接到其上，其中，所述熱導(dǎo)材料在20℃的溫度時具有約100W/m-K或更大的熱導(dǎo)系數(shù)；以及殼體，所述殼體封裝所述第一和第二固體電解電容元件。
2.如權(quán)利要求1所述的電容組件，其特征在于所述電子管金屬成分具有約80,000μF*V/g或更大的荷質(zhì)比。
3.如權(quán)利要求1所述的電容組件，其特征在于所述電子管金屬成分具有約120,000μF*V/g或更大的荷質(zhì)比。
4.如權(quán)利要求1所述的電容組件，其特征在于所述電子管金屬成分包括鉭。
5.如權(quán)利要求1所述的電容組件，其特征在于所述電子管金屬成分包括氧化鈮。
6.如權(quán)利要求1所述的電容組件，其特征在于所述第一和第二固體電解電容元件包括覆蓋所述陽極的介電膜和覆蓋所述介電膜的固體電解質(zhì)。
7.如權(quán)利要求1所述的電容組件，其特征在于所述陽極具有從約0.2至約3毫米的厚度。
8.如權(quán)利要求1所述的電容組件，其特征在于所述陽極具有從約0.4至約1毫米的厚度。
9.如權(quán)利要求1所述的電容組件，其特征在于所述熱導(dǎo)材料在20℃的溫度時具有從約200至約400W/m-K的熱導(dǎo)系數(shù)。
10.如權(quán)利要求1所述的電容組件，其特征在于所述熱導(dǎo)材料用選自包括銅、鎳、銀、鎳、鋅、錫、鈀、鉛、銅、鋁、鉬、鈦、鐵、鋯、鎂以及它們的合金的金屬形成。
11.如權(quán)利要求10所述的電容組件，其特征在于所述金屬是銅或銅合金。
12.如權(quán)利要求1所述的電容組件，其特征在于所述熱導(dǎo)材料具有從約0.01至約1毫米的厚度。
13.如權(quán)利要求1所述的電容組件，其特征在于所述熱導(dǎo)材料具有從約0.1至約0.2毫米的厚度。
14.如權(quán)利要求1所述的電容組件，其特征在于所述第一和第二固體電解電容元件以水平構(gòu)造堆疊。
15.如權(quán)利要求1所述的電容組件，其特征在于所述熱導(dǎo)材料由導(dǎo)電粘合劑電氣連接到所述第一和第二固體電解電容元件。
16.如權(quán)利要求1所述的電容組件，其特征在于還包括陽極終端，所述第一和第二固體電解電容元件的第一和第二陽極引線分別電氣連接到所述陽極終端；以及陰極終端，所述第一和第二固體電解電容元件的陰極分別電氣連接到所述陰極終端，其中，所述殼體留下所述陽極終端和陰極終端的暴露部分。
17.如權(quán)利要求16所述的電容組件，其特征在于所述熱導(dǎo)材料由所述陰極終端形成。
18.如權(quán)利要求16所述的電容組件，其特征在于所述陽極終端包括具有上區(qū)域和下區(qū)域的部分，所述上區(qū)域電氣連接到所述第一陽極引線，且所述下區(qū)域電氣連接到所述第二陽極引線。
19.如權(quán)利要求18所述的電容組件，其特征在于所述上區(qū)域、所述下區(qū)域或二者具有U形形狀。
20.如權(quán)利要求18所述的電容組件，其特征在于所述第一陽極引線基本上平行于所述第二陽極引線并與所述第二陽極引線基本上水平對齊。
21.如權(quán)利要求18所述的電容組件，其特征在于所述陽極終端的所述部分包括兩個或更多弓形表面，開口限定在所述這些弓形表面之間。
22.如權(quán)利要求18所述的電容組件，其特征在于所述陽極終端的所述部分位于基本上垂直于所述電容元件的底部表面的位置。
23.如權(quán)利要求1所述的電容組件，其特征在于還包括另外的固體電解電容元件，所述另外的固體電解電容元件位于所述第一固體電解電容元件附近。
24.如權(quán)利要求1所述的電容組件，其特征在于所述組件具有約12.0安培或更大的峰值沖擊電流。
25.如權(quán)利要求1所述的電容組件，其特征在于所述組件具有從約14.0至約30.0安培的峰值沖擊電流。
26.如權(quán)利要求1所述的電容組件，其特征在于所述組件具有約2.5安培或更大的最大波紋電流。
27.如權(quán)利要求1所述的電容組件，其特征在于所述組件具有約3.5安培或更大的最大波紋電流。
28.一種電容組件，包括第一固體電解電容元件；第二固體電解電容元件，所述第二固體電解電容元件位于所述第一固體電解電容元件附近，其中，所述第一和第二固體電解電容元件中的每一個包括陽極，所述陽極用電子管金屬成分形成，所述陽極具有從約0.1至約4毫米的厚度，所述第一固體電解電容元件具有第一陽極引線，且所述第二固體電解電容元件具有第二陽極引線，其中，所述第一陽極引線基本上平行于所述第二陽極引線并與所述第二陽極引線基本上水平對齊；陽極終端，所述陽極終端包括具有上區(qū)域和下區(qū)域的部分，所述上區(qū)域電氣連接到所述第一陽極引線，且所述下區(qū)域電氣連接到所述第二陽極引線；以及陰極終端，所述陰極終端位于所述第一和第二固體電解電容元件之間并電氣連接到所述第一和第二固體電解電容元件，其中，所述陰極終端包括熱導(dǎo)材料；以及殼體，所述殼體封裝所述第一和第二固體電解電容元件，其中，所述殼體留下所述陽極終端和陰極終端的暴露部分。
29.如權(quán)利要求28所述的電容組件，其特征在于所述電子管金屬成分具有約70,000μF*V/g或更大的荷質(zhì)比。
30.如權(quán)利要求28所述的電容組件，其特征在于所述電子管金屬成分具有約120,000μF*V/g或更大的荷質(zhì)比。
31.如權(quán)利要求28所述的電容組件，其特征在于所述電子管金屬成分包括鉭或氧化鈮。
32.如權(quán)利要求28所述的電容組件，其特征在于所述陽極具有從約0.4至約1毫米的厚度。
33.如權(quán)利要求28所述的電容組件，其特征在于所述熱導(dǎo)材料在20℃的溫度時具有約100W/m-K或更大的熱導(dǎo)系數(shù)。
34.如權(quán)利要求28所述的電容組件，其特征在于所述熱導(dǎo)材料是銅或銅合金。
35.如權(quán)利要求28所述的電容組件，其特征在于所述第一和第二固體電解電容元件以水平構(gòu)造堆疊。
36.如權(quán)利要求28所述的電容組件，其特征在于所述上區(qū)域、所述下區(qū)域或二者具有U形形狀。
37.如權(quán)利要求28所述的電容組件，其特征在于所述陽極終端的所述部分包括兩個或更多弓形表面，開口限定在所述這些弓形表面之間。
38.如權(quán)利要求28所述的電容組件，其特征在于所述陽極終端的所述部分位于基本上垂直于所述電容元件的底部表面的位置。
39.一種形成電容組件的方法，所述方法包括提供第一固體電解電容元件和第二固體電解電容元件，所述第一和第二固體電解電容元件分別包括從陽極延伸的第一和第二陽極引線，其中，所述陽極用電子管金屬成分形成；提供引線框，所述引線框具有第一表面和相對的第二表面，其中，所述引線框限定陰極終端和陽極終端，且所述引線框包括熱導(dǎo)材料；將所述第一固體電解電容元件電氣連接到所述陰極終端的第一表面；將所述第一陽極引線焊接到所述陽極終端；將所述第二固體電解電容元件電氣連接到所述陰極終端的第二表面；將所述第二陽極引線焊接到所述陽極終端。
40.如權(quán)利要求39所述的方法，其特征在于所述電子管金屬成分具有約70,000μF*V/g或更大的荷質(zhì)比。
41.如權(quán)利要求39所述的方法，其特征在于所述電子管金屬成分具有約120,000μF*V/g或更大的荷質(zhì)比。
42.如權(quán)利要求39所述的方法，其特征在于所述電子管金屬成分包括鉭或氧化鈮。
43.如權(quán)利要求39所述的方法，其特征在于所述陽極具有從約0.1至約4毫米的厚度。
44.如權(quán)利要求39所述的方法，其特征在于所述陽極具有從約0.4至約1毫米的厚度。
45.如權(quán)利要求39所述的方法，其特征在于所述熱導(dǎo)材料包括銅或銅合金。
46.如權(quán)利要求39所述的方法，其特征在于所述第一和第二固體電解電容元件以水平構(gòu)造堆疊。
47.如權(quán)利要求39所述的方法，其特征在于所述陽極終端包括具有上區(qū)域和下區(qū)域的部分。
48.如權(quán)利要求47所述的方法，其特征在于還包括將所述陽極終端的部分彎曲，然后將所述上區(qū)域焊接到所述第一陽極引線并將所述下區(qū)域焊接到所述第二陽極引線
49.如權(quán)利要求48所述的方法，其特征在于所述上區(qū)域、所述下區(qū)域或二者具有U形形狀。
50.如權(quán)利要求39所述的方法，其特征在于所述第一陽極引線基本上平行于所述第二陽極引線并與所述第二陽極引線基本上水平對齊。
51.如權(quán)利要求39所述的方法，其特征在于將所述第一和第二陽極引線激光焊接到所述陽極終端。
52.如權(quán)利要求39所述的方法，其特征在于還包括將所述電容元件封裝入殼體。
53.如權(quán)利要求39所述的方法，其特征在于還包括沿著所述殼體的周緣彎曲所述引線框的部分，以形成第一和第二表面安裝終端。
全文摘要
本發(fā)明提供一種以方便而節(jié)約空間的包提供改進的性能特征的集成電容組件。更明確地來講，電容組件包括第一固體電解電容元件和與第一固體電解電容元件相鄰的第二固體電解電容元件。第一和第二固體電解電容元件中的每一個包括用電子管金屬成分形成的陽極，這種電子管金屬成分具有約70,000μF
文檔編號H01G2/08GK101064217SQ20071010297
公開日2007年10月31日 申請日期2007年4月27日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月28日
發(fā)明者L·馬雷克, J·托馬斯科, S·澤德尼切克 申請人:Avx公司