專利名稱：：用于在存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中形成自對(duì)準(zhǔn)共源極的方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明一般涉及存儲(chǔ)器的制造工藝，尤其涉及用于在存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中形成自對(duì)準(zhǔn)共源極的方法和裝置。
背景技術(shù)：
：在諸如快閃存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器制造工藝中，采用了自對(duì)準(zhǔn)共源極(SAS)的結(jié)構(gòu)。如圖2所示，示出了待形成SAS的典型閃存單元的局部剖視圖，它是以圖l中的A-A'平面所獲得的截面圖。通常在形成自對(duì)準(zhǔn)共源極結(jié)構(gòu)之前，如圖3所示(圖3是以圖1中的B-B'平面所獲得的截面圖)，在字線形成之前，通過(guò)有源區(qū)光刻和有源區(qū)蝕刻，會(huì)在基底表面會(huì)形成相互交替的有源區(qū)(AA)以及淺槽隔離區(qū)(STI)。在之后的工藝中，各個(gè)組件都在有源區(qū)的區(qū)域進(jìn)行制造，這些組件之間用淺槽隔離區(qū)隔開(kāi)以防止組件之間陰電學(xué)上的相互干擾而失效。圖2是圖1沿AA'線的剖面圖，參考圖2，在基底IO生成氧化層12，隨后在其上依次生成第一多晶層14、介電層16和第二多晶層18而形成多層結(jié)構(gòu)，然后通過(guò)對(duì)多層結(jié)構(gòu)圖案化等步驟而在基底形成源極區(qū)域20和漏極區(qū)域22，而源漏之間的多層結(jié)構(gòu)就形成了字線。這樣就可以在源極區(qū)域20開(kāi)始形成自對(duì)準(zhǔn)共源極的工藝。如圖4所示，示出了現(xiàn)有技術(shù)中形成自對(duì)準(zhǔn)共源極的方法的流程圖。首先進(jìn)行第一次光刻以覆蓋漏極區(qū)域22(步驟401)，這可以通過(guò)在具有字線的基底10以及部分字線上涂覆光刻膠以形成光阻層并對(duì)光阻層進(jìn)行顯影而形成源區(qū)圖形而實(shí)現(xiàn)，之后對(duì)源極區(qū)域20進(jìn)行雜質(zhì)離子注入(步驟402)。隨后，將光阻層去除后對(duì)整個(gè)結(jié)構(gòu)進(jìn)行退火(步驟403)，退火后進(jìn)行第二次光刻(步驟404)，該過(guò)程類似于第一次光刻，從而形成由光阻層組成的共源區(qū)圖形。然后對(duì)光阻層未覆蓋的源極區(qū)域進(jìn)行蝕刻(步驟405)，之后進(jìn)行第二次雜質(zhì)離子注入(步驟406)，最后在將光阻層去除后對(duì)整個(gè)結(jié)構(gòu)進(jìn)行退火(步驟407)以在源極區(qū)域20形成自對(duì)準(zhǔn)共源極。在上述過(guò)程中，由于傳統(tǒng)共源區(qū)離子注入劑量很高，注入離子束是垂直于基底。為了獲得穩(wěn)定均勻的共源極阻值，源區(qū)離子注入需要分兩次進(jìn)行，這樣就需要兩次光刻，第一次主要針對(duì)水平有源區(qū)進(jìn)行一次離子注入，所以光刻后沒(méi)有蝕刻過(guò)程直接進(jìn)行離子注入。第二次光刻后先對(duì)淺槽隔離區(qū)進(jìn)行蝕刻以去除此區(qū)域的氧化物，然后進(jìn)行離子注入使得各個(gè)源極區(qū)域連通以形成共源區(qū)域。這樣在傳統(tǒng)工藝中需要兩次光刻和兩次退火。這樣的工藝過(guò)程只適合0.18微米或以上的技術(shù)制程，且成本較高。此外，在快閃存儲(chǔ)器中使用的SAS結(jié)構(gòu)必須將其阻值保持在低于特定閾值(例如300ohm/sq)以下的水平以提高擦除性能。然而，在當(dāng)前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，一直有一種趨勢(shì)，即追求更高的組件密度和更高的速度，以獲得高性能高容量的快閃存儲(chǔ)器。為了滿足這些需求，芯片中器件的特征尺寸也將不斷地按比例縮小。所謂的按比例縮小即按比例縮小組件結(jié)構(gòu)和電路尺寸以制造更小的組件，而這些縮小的參數(shù)系根據(jù)其原來(lái)較大而為縮小的組件而來(lái)。當(dāng)制造技術(shù)達(dá)到0.18pm或更高要求時(shí)，SAS的關(guān)鍵尺寸(CD)就必須隨著工藝要求而減小。而如果仍然采用以上形成SAS的離子注入方案，即離子束以豎直方向(垂直于基底表面的方向)進(jìn)入源極區(qū)域20(如圖5所示)，這就會(huì)導(dǎo)致源極線電阻的突然增加。通常在SASCD從0.24(im減小到0.20]iim(或更小)時(shí)，SAS電阻就會(huì)從低值(比如300ohm/sq)升高到一個(gè)較高的值(比如大于1000ohm/sq)。這就使得在減小組件尺寸的同時(shí)無(wú)法保持原有的擦除性能。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明致力于解決以上現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題而提供一種新穎的用于在存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中形成自對(duì)準(zhǔn)共源極的方法和裝置。根據(jù)本發(fā)明，提供一種用于在存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中形成自對(duì)準(zhǔn)共源極的方法，包括以下步驟在基底上形成多條字線，其中每條字線的兩側(cè)分別為源極區(qū)域和漏極區(qū)域；在所述源極區(qū)域進(jìn)行光刻以形成光阻層，其中所述光阻層覆蓋所述漏極區(qū)域；對(duì)所述光阻層未覆蓋的源極區(qū)域進(jìn)行蝕刻以將所有源極區(qū)域連通為共源區(qū)域；以及通過(guò)離子束對(duì)所述共源區(qū)域進(jìn)行離子注入以形成所述自對(duì)準(zhǔn)共源極，所述離子束的入射方向與基底表面的法線相隔一傾斜角。在以上用于在存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中形成自對(duì)準(zhǔn)共源極的方法中，較佳地，還包括以下步驟在所述進(jìn)行離子注入的步驟后去除所述光阻層；以及對(duì)所述基底進(jìn)行退火。在以上用于在存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中形成自對(duì)準(zhǔn)共源極的方法中，較佳地，所述進(jìn)行離子注入的步驟包括以下步驟以第一入射方向和/或以第二入射方向進(jìn)行離子注入，其中，所述第一入射方向和所述第二入射方向分別位于所述基底表面的法線的兩側(cè)，并分別與所述法線相隔第一傾斜角和第二傾斜角。在以上用于在存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中形成自對(duì)準(zhǔn)共源極的方法中，較佳地，所述第一傾斜角與所述第二傾斜角相同。在以上用于在存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中形成自對(duì)準(zhǔn)共源極的方法中，較佳地，所述第一傾斜角與所述第二傾斜角不同。在以上用于在存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中形成自對(duì)準(zhǔn)共源極的方法中，較佳地，所述傾斜角為10-30度。在以上用于在存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中形成自對(duì)準(zhǔn)共源極的方法中，較佳地，所述傾斜角為15度。在以上用于在存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中形成自對(duì)準(zhǔn)共源極的方法中，較佳地，所述離子束為砷離子束。根據(jù)本發(fā)明，還提供一種一種用于在存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中形成自對(duì)準(zhǔn)共源極的設(shè)備，包括字線形成裝置，用于在基底上形成多條字線，其中每條字線的兩側(cè)分別為源極區(qū)域和漏極區(qū)域；光刻裝置，用于在所述源極區(qū)域進(jìn)行光刻以形成光阻層，其中所述光阻層覆蓋所述漏極區(qū)域和部分字線；蝕刻裝置，用于對(duì)所述光阻層未覆蓋的源極區(qū)域進(jìn)行蝕刻以將所有源極區(qū)域連通為共源區(qū)域；以及離子注入裝置，用于通過(guò)離子束對(duì)所述共源區(qū)域進(jìn)行離子注入以形成所述自對(duì)準(zhǔn)共源極，所述離子束的入射方向與基底表面的法線相隔一傾斜角。在以上用于在存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中形成自對(duì)準(zhǔn)共源極的裝置中，較佳地，還包括退火裝置，用于對(duì)去除所述光阻層的所述基底進(jìn)行退火。隨著微電子技術(shù)的不斷發(fā)展，存儲(chǔ)器也正在向高容量、高速度、便攜式(小體積)、低能耗的方向發(fā)展，但是當(dāng)器件的特征尺寸降低到0.18微米以下時(shí)，用傳統(tǒng)的共源區(qū)離子束注入形成的快閃存儲(chǔ)器的共源區(qū)阻值將會(huì)急速上升，這必將增加器件的能耗。采用以上本發(fā)明新穎的技術(shù)方案，在綜合考慮了芯片結(jié)構(gòu)和離子束注入的工藝細(xì)節(jié)之后，對(duì)傳統(tǒng)的共源區(qū)離子注入做了改進(jìn)，巧妙地將離子束的入射方向與基底表面的法線相隔一傾斜角，使得共源區(qū)域邊界下的側(cè)向攙雜濃度顯著增加，從而在源區(qū)尺寸持續(xù)減小(0.13微米及以下)的情況下，共源極的電阻始終能保持大尺寸(0.18微米以上)共源極同樣的水平，共源極阻值降低到符合要求的范圍。這樣，在減小組件尺寸的同時(shí)還能夠保持原有的高擦除性能。另外，采用以上與傳統(tǒng)的技術(shù)方案相比，本發(fā)明還減少了光刻和高溫退火步驟，從而簡(jiǎn)化了工藝并大大減少了制造成本。圖1是待形成自對(duì)準(zhǔn)共源極的基底的頂視圖；圖2是以圖1中的A-A'平面所獲得的截面圖；圖3是以圖1中的B-B'平面所獲得的截面圖；圖4是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)中形成自對(duì)準(zhǔn)共源極的方法的流程圖；圖5是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的形成自對(duì)準(zhǔn)共源極的方法中進(jìn)行離子注入步驟的示意圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例形成自對(duì)準(zhǔn)共源極的方法的流程圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例形成自對(duì)準(zhǔn)共源極的方法中進(jìn)行離子注入步驟的示意圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例形成自對(duì)準(zhǔn)共源極的裝置的結(jié)構(gòu)框圖。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明，附圖中類似的結(jié)構(gòu)采用相同的標(biāo)號(hào)。用于在存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中形成自對(duì)準(zhǔn)共源極的方法以下參照?qǐng)D6描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例形成自對(duì)準(zhǔn)共源極的方法。在形成自對(duì)準(zhǔn)共源極之前，如圖3所示，在基底表面會(huì)形成相互交替的有源區(qū)域(AA)以及淺槽隔離區(qū)(STI)。之后，參考圖2，在基底IO生成氧化層12，隨后在其上依次生成第一多晶層14、介電層16和第二多晶層18而形成多層結(jié)構(gòu)，然后通過(guò)對(duì)多層結(jié)構(gòu)圖案化等步驟而在基底形成源極區(qū)域20和漏極區(qū)域22，而源漏之間的多層結(jié)構(gòu)就形成了字線。這樣就可以在源極區(qū)域20開(kāi)始形成自對(duì)準(zhǔn)共源極的工藝。圖6是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例形成自對(duì)準(zhǔn)共源極的方法的流程圖，該方法包括以下步驟步驟602:在源極區(qū)域20進(jìn)行光刻以形成光阻層24，其中所述光阻層24覆蓋所述漏極區(qū)域22以及部分字線。在該步驟中，通過(guò)在多層結(jié)構(gòu)上涂覆光刻膠已形成光阻層并對(duì)光阻層進(jìn)行顯影而實(shí)現(xiàn)。當(dāng)然，還可以使用本領(lǐng)域其他熟知的光刻材料。步驟604:對(duì)光阻層24未覆蓋的源極區(qū)域20進(jìn)行蝕刻以將所有源極區(qū)域20連通為共源區(qū)域。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，可以使用氯氣、氧氣等化學(xué)氣體與光阻未覆蓋的源極區(qū)域發(fā)生化學(xué)反應(yīng)繼而形成揮發(fā)氣體而進(jìn)行蝕刻。本領(lǐng)域已知的其他蝕刻方式和蝕刻材料也可應(yīng)用于本發(fā)明，其對(duì)本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)沒(méi)有任何影響。該蝕刻步驟的主要目的是實(shí)現(xiàn)所有源極區(qū)域的連通，以利于后續(xù)離子注入時(shí)形成阻值均勻的共源極。步驟606:通過(guò)離子束對(duì)所述共源區(qū)域進(jìn)行離子注入。在該步驟中，與現(xiàn)有技術(shù)中的不同，雜質(zhì)離子束并不是垂直于基底表面入射，而是以與基底表面的法線相隔一傾斜角的方向入射到基底表面，如圖7所示。具體工藝可采用機(jī)械裝置將基底旋轉(zhuǎn)對(duì)應(yīng)角度來(lái)達(dá)到離子束入射方向與基底表面的法線相隔一傾斜角的效果。當(dāng)然，還可以采用其他本領(lǐng)域的已知的方向來(lái)使離子束的入射方向傾斜，比如直接旋轉(zhuǎn)離子束發(fā)生器的角度等。由于在離子注入過(guò)程中引入傾斜角，使得共源區(qū)域邊界下(即AA區(qū)域兩側(cè))的側(cè)向攙雜濃度顯著增加，從而在源區(qū)尺寸持續(xù)減小(0.13微米及以下)的情況下，共源極的電阻始終能保持大尺寸(0.18微米以上)共源極同樣的水平，共源極阻值降低到符合要求的范圍。關(guān)于傾斜的角度，只要能夠達(dá)到AA區(qū)域兩側(cè)的側(cè)向攙雜濃度增加的效果，可釆用任何的傾斜角的角度，這都包含在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。當(dāng)然，由于設(shè)備和環(huán)境的限制以及根據(jù)所達(dá)到效果的顯著性，本申請(qǐng)的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)該傾斜角角度在10-30度之間能夠達(dá)到較佳的技術(shù)效果，尤其是15度的傾斜角能夠獲得最佳的技術(shù)效果。以下表1示出了現(xiàn)有技術(shù)以及本發(fā)明一實(shí)施例所獲得的共源極電阻的數(shù)8值:表l<table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table>另外，根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例還可以以下方式實(shí)現(xiàn)離子注入的步驟以第--入射方向和/或以第二入射方向進(jìn)行離子注入，其中，第一入射方向和第二入射方向分別位于基底表面的法線的兩側(cè)，并分別與該法線相隔第一傾斜角和第二傾斜角。具體說(shuō)來(lái)，如圖7所示的入射方向位于法線的右側(cè)，同樣可以交替采用位于法線左側(cè)的入射方向。在一個(gè)實(shí)施例中，第一傾斜角和第二傾斜角采用相同的傾斜角；在另一實(shí)施例中，根據(jù)所應(yīng)用的環(huán)境，可使第一傾斜角和第二傾斜角采用不同的傾斜角。對(duì)于離子束的類型、能量和劑量，可以采用本領(lǐng)域己知的任何方式，比如砷離子、磷離子或各種混合類型離子束。例如，在注入砷離子時(shí)，能量可用40千電子伏特，劑量為10'5厘米—2，等等。最后，可選的，在將光阻層24去除后對(duì)基底IO進(jìn)行退火(步驟608)。在該步驟中，可以采用氮?dú)獾榷栊詺怏w環(huán)境進(jìn)行退火以使所注入的離子層能夠充分活化以更有效地獲得符合要求的源極區(qū)域阻值。當(dāng)然，可以采用本領(lǐng)域己知的其他退火方式。用于在存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中形成自對(duì)準(zhǔn)共源極的裝置以下參照?qǐng)D8描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例形成自對(duì)準(zhǔn)共源極的裝置。圖6是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例形成自對(duì)準(zhǔn)共源極的裝置的結(jié)構(gòu)框圖。如圖8所示，在字線形成裝置802中，在基底上形成多條字線，其中每條字線的兩側(cè)分別為源極區(qū)域和漏極區(qū)域，其具體操作如上所述，在此不再贅述。在光刻裝置804中，在源極區(qū)域進(jìn)行光刻以形成光阻層，其中光阻層覆蓋漏極區(qū)域和部分字線。光刻裝置804可通過(guò)在多層結(jié)構(gòu)上涂覆光刻膠以形成光阻層并對(duì)光阻層進(jìn)行顯影而實(shí)現(xiàn)。當(dāng)然，還可以使用本領(lǐng)域其他熟知的光刻材料。在蝕刻裝置806中，對(duì)光阻層未覆蓋的源極區(qū)域進(jìn)行蝕刻以將所有源極區(qū)域連通為共源區(qū)域，氯氣、氧氣等化學(xué)氣體與光阻未覆蓋的源極區(qū)域發(fā)生化學(xué)反應(yīng)繼而形成揮發(fā)氣體而進(jìn)行蝕刻。隨后在離子注入裝置808中，通過(guò)離子束對(duì)所述共源極區(qū)域進(jìn)行離子注入，其中，雜質(zhì)離子束并不是垂直于基底表面入射，而是以與基底表面的法線相隔一傾斜角的方向入射到基底表面。具體說(shuō)來(lái)，可在離子注入裝置808設(shè)置機(jī)械裝置將基底旋轉(zhuǎn)對(duì)應(yīng)角度來(lái)達(dá)到離子束入射方向與基底表面的法線相隔一傾斜角的效果。當(dāng)然，還可以采用其他本領(lǐng)域的已知的方向來(lái)使離子束的入射方向傾斜，比如在離子注入裝置808中直接旋轉(zhuǎn)離子束發(fā)生器的角度等。由于在離子注入過(guò)程中引入傾斜角，使得共源區(qū)域邊界下(即AA區(qū)域兩側(cè))的側(cè)向攙雜濃度顯著增加，從而在源區(qū)尺寸持續(xù)減小(0.13微米及以下)的情況下，共源極的電阻始終能保持大尺寸(0.18微米以上)共源極同樣的水平，共源極阻值降低到符合要求的范圍。最后，可選的，在退火裝置810中對(duì)去除光阻層的基底進(jìn)行退火以在源極區(qū)域形成自對(duì)準(zhǔn)共源極，其中可以采用氮?dú)猸h(huán)境進(jìn)行退火以使所注入的離子層能夠充分活化。當(dāng)然，可以采用本領(lǐng)域已知的其他退火方式。以上結(jié)合快閃存儲(chǔ)器描述了本發(fā)明的較佳實(shí)施例，然而本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解，本發(fā)明還可應(yīng)用于其他存儲(chǔ)器制造工藝中，比如EEPROM等。采用以上本發(fā)明新穎的技術(shù)方案，在綜合考慮了芯片結(jié)構(gòu)和離子束注入的工藝細(xì)節(jié)之后，對(duì)傳統(tǒng)的共源區(qū)離子注入做了改進(jìn)，巧妙地將離子束的入射方向與基底表面的法線相隔一傾斜角，使得共源區(qū)域邊界下的側(cè)向攙雜濃度顯著增加，從而在源區(qū)尺寸持續(xù)減小(0.13微米及以下)的情況下，共源極的電阻始終能保持大尺寸(0.18微米以上)共源極同樣的水平，共源極阻值降低到符合要求的范圍。這樣，在減小組件尺寸的同時(shí)還能夠保持原有的高擦除性能。另外，采用以上與傳統(tǒng)的技術(shù)方案相比，本發(fā)明還減少了光刻和高溫退火步驟，從而簡(jiǎn)化了工藝并大大減少了制造成本。雖然本發(fā)明已參照當(dāng)前的具體實(shí)例進(jìn)行了描述，但是本
技術(shù)領(lǐng)域：
的普通技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，以上的實(shí)例僅是用來(lái)說(shuō)明本發(fā)明，在沒(méi)有脫離本發(fā)明精神的情況下還可作出各種等效的變化和修改。因此，只要在本發(fā)明的實(shí)質(zhì)精神范圍內(nèi)對(duì)上述實(shí)例的變化，變型都將落在本發(fā)明的權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。權(quán)利要求1.一種用于在存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中形成自對(duì)準(zhǔn)共源極的方法，包括以下步驟在基底上形成多條字線，其中每條字線的兩側(cè)分別為源極區(qū)域和漏極區(qū)域；在所述源極區(qū)域進(jìn)行光刻以形成光阻層，其中所述光阻層覆蓋所述漏極區(qū)域；對(duì)所述光阻層未覆蓋的源極區(qū)域進(jìn)行蝕刻以將所有源極區(qū)域連通為共源區(qū)域；以及通過(guò)離子束對(duì)所述共源區(qū)域進(jìn)行離子注入以形成所述自對(duì)準(zhǔn)共源極，所述離子束的入射方向與基底表面的法線相隔一傾斜角。2.如權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于，還包括以下步驟在所述進(jìn)行離子注入的步驟后去除所述光阻層；以及對(duì)所述基底進(jìn)行退火。3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述進(jìn)行離子注入的步驟包括以下步驟以第一入射方向和/或以第二入射方向進(jìn)行離子注入，其中，所述第一入射方向和所述第二入射方向分別位于所述基底表面的法線的兩側(cè)，并分別與所述法線相隔第一傾斜角和第二傾斜角。4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一傾斜角與所述第二傾斜角相同。5.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一傾斜角與所述第二傾斜角不同。6.如權(quán)利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述傾斜角為10-30度。7.如權(quán)利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述傾斜角為15度。8.如權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于，所述離子束為砷離子束。9.一種用于在存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中形成自對(duì)準(zhǔn)共源極的設(shè)備，包括字線形成裝置，用于在基底上形成多條字線，其中每條字線的兩側(cè)分別為源極區(qū)域和漏極區(qū)域；光刻裝置，用于在所述源極區(qū)域進(jìn)行光刻以形成光阻層，其中所述光阻層覆蓋所述漏極區(qū)域和部分字線；蝕刻裝置，用于對(duì)所述光阻層未覆蓋的源極區(qū)域進(jìn)行蝕刻以將所有源極區(qū)域連通為共源區(qū)域；以及離子注入裝置，用于通過(guò)離子束對(duì)所述共源區(qū)域進(jìn)行離子注入以形成所述自對(duì)準(zhǔn)共源極，所述離子束的入射方向與基底表面的法線相隔一傾斜角。10.如權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于，還包括退火裝置，用于對(duì)去除所述光阻層的所述基底進(jìn)行退火。全文摘要本發(fā)明提供一種用于在存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中形成自對(duì)準(zhǔn)共源極的方法，包括以下步驟在基底上形成多條字線，其中每條字線的兩側(cè)分別為源極區(qū)域和漏極區(qū)域；在源極區(qū)域進(jìn)行光刻以形成光阻層，其中光阻層覆蓋漏極區(qū)域和部分字線；對(duì)光阻層未覆蓋的源極區(qū)域進(jìn)行蝕刻以將所有源極區(qū)域連通為共源區(qū)域以及通過(guò)離子束對(duì)共源區(qū)域進(jìn)行離子注入以形成自對(duì)準(zhǔn)共源極，離子束的入射方向與基底表面的法線相隔一傾斜角。另外，本發(fā)明還提供實(shí)現(xiàn)以上方法的裝置。采用以上技術(shù)方案，使得共源區(qū)域邊界下的側(cè)向攙雜濃度顯著增加，從而在源區(qū)尺寸持續(xù)減小的情況下，共源極的電阻始終能保持大尺寸共源極同樣的水平，共源極阻值降低到符合要求的范圍。文檔編號(hào)H01L21/02GK101330056SQ20071004220公開(kāi)日2008年12月24日申請(qǐng)日期2007年6月19日優(yōu)先權(quán)日2007年6月19日發(fā)明者吳佳特,李紹彬,高建玉申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司