專利名稱：柵極結(jié)構(gòu)、包含柵極結(jié)構(gòu)的器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種柵極結(jié)構(gòu)、包含柵極 結(jié)構(gòu)的器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
圖l為說明現(xiàn)有技術(shù)中柵極結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，現(xiàn)行的柵極
結(jié)構(gòu)通常通過在半導(dǎo)體襯底10上首先形成柵氧化層14,進(jìn)而在所述柵氧化層 上形成柵極13、環(huán)繞柵極的側(cè)墻12以及覆蓋柵極和側(cè)墻的阻擋層11后形成。 對(duì)于包含多個(gè)柵極結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件，相鄰柵極結(jié)構(gòu)間存在線縫18。當(dāng)前的 集成電路制造過程中，通過在形成柵極結(jié)構(gòu)后，交互沉積互連的層間介質(zhì)層 和金屬層形成半導(dǎo)體器件。
然而，實(shí)際生產(chǎn)發(fā)現(xiàn)，在形成柵極結(jié)構(gòu)后沉積第一層間介質(zhì)層，即金屬 前絕緣層(Pre-Metal Dielectric, PMD)時(shí)，PMD層在填充柵極結(jié)構(gòu)間線縫 時(shí)易產(chǎn)生孔洞。此孔洞在經(jīng)歷后續(xù)平整化過程后，易造成導(dǎo)電材料對(duì)線縫的 填充，進(jìn)而易導(dǎo)致此導(dǎo)電材料向器件內(nèi)部的擴(kuò)散，此導(dǎo)電材料向器件導(dǎo)電溝 道區(qū)的擴(kuò)散會(huì)使導(dǎo)電溝道內(nèi)電子處于禁帶中的狀態(tài)，致使導(dǎo)電溝道內(nèi)少數(shù)載 流子發(fā)生越遷，最終導(dǎo)致器件漏電流過大；此導(dǎo)電材料向淺溝槽隔離區(qū)的擴(kuò) 散易引發(fā)淺溝槽隔離區(qū)隔離失效，繼而增加淺溝槽隔離區(qū)漏電流；更嚴(yán)重的 是，導(dǎo)電材料對(duì)線縫的填充，極易造成不同柵極結(jié)構(gòu)間線縫的導(dǎo)通，繼而引 發(fā)集成電路器件失效。
分析認(rèn)為，此孔洞是由于器件特征尺寸的減小導(dǎo)致柵極結(jié)構(gòu)間線縫的深 寬比增加，繼而導(dǎo)致現(xiàn)行沉積工藝的線縫填充能力受到限制造成的。由此， 如何降低柵極結(jié)構(gòu)間線縫的深寬比以使PMD層無孔洞地填充柵極結(jié)構(gòu)間線縫 成為本領(lǐng)域技術(shù)人員面臨的主要問題。
顯然，降低通孔的深寬比以對(duì)通孔進(jìn)行無孔洞填充的方法對(duì)如何使PMD層 無孔洞地填充柵極結(jié)構(gòu)間線縫能夠給予一定的技術(shù)啟示。當(dāng)前，業(yè)界普遍認(rèn) 同改變通孔結(jié)構(gòu)，即擴(kuò)大通孔開口的方法為解決通孔填充孔洞問題的指導(dǎo)方 向。
專利號(hào)為"Z198105790. x"的中國專利中提供了 一種通過擴(kuò)大通孔開口 以解決通孔填充孔洞問題的通孔刻蝕方法。將此方法應(yīng)用于沉積PMD層的過程
中，即利用具有同步沉積-濺蝕能力的HDP沉積PMD層或利用沉積-刻蝕-沉積工 藝沉積PMD層時(shí)，隨著器件尺寸的逐漸減小，為保證PMD層無孔洞地填充柵極
結(jié)構(gòu)間線縫，對(duì)沉積、濺蝕/刻蝕工藝參數(shù)的控制變得更為嚴(yán)格，且愈發(fā)難以 實(shí)現(xiàn)。由此，如何擴(kuò)大柵極結(jié)構(gòu)間線縫成為解決PMD層線縫填充問題的關(guān)鍵。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種柵極結(jié)構(gòu)，可借以擴(kuò)大所述4冊(cè)極結(jié)構(gòu)間線縫；本發(fā)明 提供了 一種柵極結(jié)構(gòu)的制造方法，可在所述柵極結(jié)構(gòu)間線縫內(nèi)無孔洞地沉積
PMD層；本發(fā)明提供了一種包含柵極結(jié)構(gòu)的器件，所述器件內(nèi)柵極結(jié)構(gòu)間具有 擴(kuò)大化的線縫；本發(fā)明提供了一種包含柵極結(jié)構(gòu)的器件的制造方法，可在所 述柵-極結(jié)構(gòu)間線縫無孔洞地沉積PMD層。
本發(fā)明提供的一種柵極結(jié)構(gòu)制造方法，包括 在半導(dǎo)體襯底上形成氧化層；
沉積柵層，所述柵層覆蓋所述氧化層； 刻蝕所述4冊(cè)層，以形成4冊(cè)極； 去除未被所述柵極覆蓋的所述氧化層； 沉積阻擋層，所述阻擋層覆蓋所述柵極及所述半導(dǎo)體村底。 本發(fā)明提供的一種柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)包含氧化層、覆蓋所述氧化 層的柵極以及覆蓋所述柵極的阻擋層。
本發(fā)明提供的一種包含柵極結(jié)構(gòu)的器件的制造方法，包括 在半導(dǎo)體襯底上形成第一介質(zhì)層；
沉積柵層，所述柵層覆蓋所述第一介質(zhì)層；
刻蝕所述4冊(cè)層，以形成棚-極；
以所述柵極為掩膜，進(jìn)行輕摻雜漏區(qū)離子注入；
沉積第二介質(zhì)層，所述第二介質(zhì)層覆蓋所述柵極及半導(dǎo)體襯底；
刻蝕所述第二介質(zhì)層，以形成環(huán)繞所述柵4及的側(cè)墻；
以所述桶f極及環(huán)繞所述柵-才及的側(cè)墻為掩膜，進(jìn)4亍重?fù)诫s源漏區(qū)離子注入；
去除所述側(cè)墻；
去除未被所述柵極覆蓋的所述第 一介質(zhì)層；
沉積阻擋層，所述阻擋層覆蓋所述柵極及所述半導(dǎo)體襯底。 所述第一介質(zhì)層為氧化層；所述第二介質(zhì)層包含二氧化硅或二氧化硅與 氮化硅/氮氧化硅及二氧化硅、氮化硅/氮氧化硅與二氧化硅構(gòu)成的層疊結(jié)構(gòu)
中的一種；所述去除所述側(cè)墻及未被所述柵極覆蓋的所述第一介質(zhì)層的方法 為濕法刻蝕；去除所述第 一介質(zhì)層及所述側(cè)墻中的二氧化硅層選用的刻蝕溶 液為氫氟酸；去除所述側(cè)墻中的氮化硅/氮氧化硅層選用的刻蝕溶液為熱磷酸。
本發(fā)明提供的一種包含柵極結(jié)構(gòu)的器件，所述器件包含柵極結(jié)構(gòu)，所述 柵極結(jié)構(gòu)包含氧化層、覆蓋所述氧化層的柵極以及覆蓋所述柵極的阻擋層。 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)
1. 通過去除現(xiàn)行柵極結(jié)構(gòu)中包含的側(cè)墻，可最大幅度地?cái)U(kuò)大各柵極結(jié)構(gòu) 間線縫尺寸；
2. 通過以柵極為掩膜，進(jìn)行輕摻雜漏區(qū)離子注入后，形成環(huán)繞所述柵極 的側(cè)墻；再以所述柵極及環(huán)繞所述柵極的側(cè)墻為掩膜，進(jìn)行重?fù)诫s源漏區(qū)離 子注入；最終去除所述側(cè)墻；既能利用側(cè)墻的輔助掩膜作用，以防止更大劑 量的源漏注入過于接近溝道以至可能發(fā)生的源漏穿通，又能在最終形成的柵 極結(jié)構(gòu)中不包含側(cè)墻，以最大幅度地?cái)U(kuò)大各柵極結(jié)構(gòu)間線縫尺寸；
3. 采用濕法刻蝕，可選擇對(duì)不同材料具有的高刻蝕選擇比的刻蝕劑，以 減少對(duì)已形成的位于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)的器件的損害。


圖1為說明現(xiàn)有技術(shù)中柵極結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖2A 2E為說明本發(fā)明實(shí)施例的柵極結(jié)構(gòu)制造方法的流程示意示意圖。
具體實(shí)施例方式
盡管下面將參照附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本發(fā)明的 優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)當(dāng)理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明而仍然實(shí) 現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列的描述應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員 的廣泛教導(dǎo)，而并不作為對(duì)本發(fā)明的限制。為了清楚，不描述實(shí)際實(shí)施例的全部特征。在下列描述中，不詳細(xì)描述 公知的功能和結(jié)構(gòu)，因?yàn)樗鼈儠?huì)使本發(fā)明由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn) 為在任何實(shí)際實(shí)施例的開發(fā)中，必須做出大量實(shí)施細(xì)節(jié)以實(shí)現(xiàn)開發(fā)者的特定 目標(biāo)，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個(gè)實(shí)施例改變?yōu)榱硪粋€(gè)實(shí) 施例。另外，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費(fèi)時(shí)間的，但是對(duì)于具 有本發(fā)明優(yōu)勢(shì)的本領(lǐng)域技術(shù)人員來說僅僅是常規(guī)工作。
在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下列說明 和權(quán)利要求書本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常 簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比率，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實(shí) 施例的目的。
在本文件中，術(shù)語"線縫"表示芯片內(nèi)同層材料圖形間的隔離區(qū)域，并可與術(shù)語"縫隙，，或"間隙"互換；術(shù)語"孔洞"表示線縫填充后形成的材 料內(nèi)的隔離區(qū)域，并可與術(shù)語"空洞"或"空隙"互換。
應(yīng)用本發(fā)明提供的方法制造柵極結(jié)構(gòu)的步驟包括在半導(dǎo)體襯底上形成 氧化層；沉積柵層，所述柵層覆蓋所述氧化層；刻蝕所述柵層，以形成柵極； 去除未被所述柵極覆蓋的所述氧化層；沉積阻擋層，所述阻擋層覆蓋所述柵 極及所述半導(dǎo)體襯底。
圖2A 2E為說明本發(fā)明實(shí)施例的柵極結(jié)構(gòu)制造方法的流程示意圖，如圖 所示，應(yīng)用本發(fā)明提供的方法制造柵極結(jié)構(gòu)的步驟具體包括
步驟2G1:如圖2A所示，在半導(dǎo)體襯底10上形成氧化層20。
所述形成氧化層20的方法可選用熱氧化法或CVD方法；所述氧化層20 材料為二氧化硅(Si02)或摻雜鉿(Hf )的二氧化硅；所述氧化層20厚度根 據(jù)產(chǎn)品要求及工藝條件確定，實(shí)際生產(chǎn)中，所述氧化層20厚度范圍為1~20 納米。
步驟202:如圖2B所示，沉積柵層30,所述4冊(cè)層覆蓋所述氧化層20。 所述柵層30包含多晶硅層，或多晶硅與金屬硅化物的組合層；所述金屬 硅化物包含硅化鴒(WSi)或硅化鈦(TiSi2)等材料中的一種。
所述沉積柵層30的步驟包含對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行摻雜的操作。 步驟203:如圖2C所示，刻蝕所述柵層30，以形成柵極13。 所述刻蝕工藝選為等離子體刻蝕；所述刻蝕氣體為CF4、 CF4/02、 NF3、 SF6、
C2F6/02、 C3F8、 C4F8、 CHF3、 Cl2、 BC13、 CC14、 CHC13、 CH2C12、 C3C18、 C4C18、 NC13 或SiF4中的一種或其組合。
步驟204:如圖2D所示，去除未被所述柵極覆蓋的所述氧化層20，形成 柵氧化層14。
去除所述氧化層選用的刻蝕溶液為氫氟酸(HF, Hydrofluoric acid), 所述刻蝕溶液百分比濃度小于或等于2%，優(yōu)選為比0 : HF = 50 : 1 ;反應(yīng)溫 度范圍為22 ~ 24攝氏度，優(yōu)選為23攝氏度；刻蝕速率范圍為55 ~ 60 A/min， 優(yōu)選為57 A/min。刻蝕反應(yīng)時(shí)間根據(jù)產(chǎn)品要求及工藝條件確定。
步驟205:如圖2E所示，沉積阻擋層11,所述阻擋層11覆蓋所述柵極 及所述半導(dǎo)體襯底。
至此，形成所述柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)間具有線縫18。
所述阻擋層材料優(yōu)選地由氮化硅(Si3N4)構(gòu)成；所述阻擋層利用LPCVD、 PECVD等工藝形成。
顯然，應(yīng)用上述柵極結(jié)構(gòu)制造方法，本發(fā)明還提供了一種柵極結(jié)構(gòu)，所 述柵極結(jié)構(gòu)包含氧化層、覆蓋所述氧化層的柵極以及覆蓋所述柵極的阻擋層。
所述氧化層材料為二氧化硅(Si02)或摻雜鉿(Hf )的二氧化硅；所述氧 化層厚度范圍為1~20纟內(nèi)米；所述柵極包含多晶硅，或多晶硅與金屬硅化物 的組合；所述金屬硅化物包含硅化鴿(WSi )或硅化鈦(TiSi2)等材料中的一 種；所述阻擋層材料優(yōu)選地由氮化硅(Si3N4)構(gòu)成。
利用本發(fā)明提供的方法形成柵極結(jié)構(gòu)由于不再形成現(xiàn)行柵極結(jié)構(gòu)中包含 的側(cè)墻，可最大幅度地?cái)U(kuò)大各柵極結(jié)構(gòu)間線縫尺寸。
襯底上形成第一介質(zhì)層；沉積柵層，所述柵層覆蓋所述第一介質(zhì)層；刻蝕所 述柵層，以形成柵極；以所述柵極為掩膜，進(jìn)行輕摻雜漏區(qū)離子注入；沉積 第二介質(zhì)層，所述第二介質(zhì)層覆蓋所述柵極及半導(dǎo)體襯底；刻蝕所述第二介 質(zhì)層，以形成環(huán)繞所述柵極的側(cè)墻；以所述柵極及環(huán)繞所述柵極的側(cè)墻為掩 膜，進(jìn)行重?fù)诫s源漏區(qū)離子注入；去除所述側(cè)墻；去除未被所述柵極覆蓋的 所述第一介質(zhì)層；沉積阻擋層，所述阻擋層覆蓋所述柵極及所述半導(dǎo)體襯底。
示意圖，如圖所示，應(yīng)用本發(fā)明提供的方法制造包含柵極結(jié)構(gòu)的器件的具體
步驟包括
步驟301:如圖3A所示，在半導(dǎo)體襯底10上形成第一介質(zhì)層21。 所述第一介質(zhì)層21為氧化層。所述形成氧化層的方法可選用熱氧化法或
CVD方法；所述氧化層材料為二氧化硅(Si02)或摻雜鉿(Hf )的二氧化硅；
所述氧化層厚度根據(jù)產(chǎn)品要求及工藝條件確定，實(shí)際生產(chǎn)中，所述氧化層厚
度范圍為1 20納米。
步驟302:如圖3B所示，沉積柵層30，所述柵層覆蓋所述第一介質(zhì)層21。 所述柵層包含多晶硅層，或多晶硅與金屬硅化物的組合層；所述金屬硅
化物包含硅化鶴(WSi)或硅化鈦(TiSi2)等材料中的一種。 所述沉積柵層的步驟包含對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行摻雜的操作。 步驟303:如圖3C所示，刻蝕所述4冊(cè)層30,以形成棚4及13。 所述刻蝕工藝選為等離子體刻蝕；所述刻蝕氣體為CF4、 CF4/02、 NF3、 SF6、
C2F6/02、 C3F8、 C4F8、 CHF3、 Cl2、 BC13、 CC14、 CHC13、 CH2C12、 C3C18、 C4C18、 NC13
或SiF4中的一種或其組合。
步驟304:如圖3D所示，以所述柵極13為掩膜，進(jìn)行輕摻雜漏區(qū)15離子注入。
所述注入離子材料包括但不限于硼(B)、氟化亞硼(BF2)、砷(As)、 磷(P)或其它可摻雜材料中的一種。
所述進(jìn)行輕摻雜漏區(qū)離子注入操作包含離子注入后的退火操作。
步驟305:如圖3E所示，沉積第二介質(zhì)層，所述第二介質(zhì)層覆蓋所述柵極 及半導(dǎo)體襯底；刻蝕所述第二介質(zhì)層，以形成環(huán)繞所述4冊(cè)極的側(cè)墻12。
所述第二介質(zhì)層包含二氧化硅(Si02)或二氧化硅與氮化硅/氮氧化硅及 二氧化硅、氮化硅/氮氧化硅與二氧化硅構(gòu)成的層疊結(jié)構(gòu)中的一種；所述側(cè)墻 利用沉積-反刻工藝形成；所述沉積工藝選用化學(xué)氣相淀積；所述刻蝕工藝選 為等離子體刻蝕。
刻蝕二氧化硅選用的刻蝕氣體為CF4、 C3F8、 C4F8、 CHF3、 NF3或SiF沖的一 種或其組合；刻蝕氮化硅/氮氧化硅選用的刻蝕氣體為CF4、 SiF4、 NF3、 CHF3或
C2F6中的一種或其組合。
步驟306:如圖3F所示，以所述柵極13及環(huán)繞所述柵極的側(cè)墻12為掩膜， 進(jìn)行重?fù)诫s源漏區(qū)16離子注入。
所述注入離子材料包括但不限于硼(B)、氟化亞硼(BF2)、砷(As)、 磷(P)或其它可摻雜材料中的一種。
所述進(jìn)行重?fù)诫s漏區(qū)離子注入操作包含離子注入后的退火操作。
步驟307:如圖3G所示，去除所述側(cè)墻12及未被所述柵極覆蓋的所述第一 介質(zhì)層21。
去除所述第一介質(zhì)層及所述側(cè)墻中的二氧化硅層選用的刻蝕溶液為氬氟 酸(HF, Hydrofluoric acid)，所述刻蝕溶液百分比濃度小于或等于2%， 優(yōu)選為&0 : HF = 50 : 1 ;反應(yīng)溫度范圍為22 ~ 24攝氏度，優(yōu)選為23攝氏 度；刻蝕速率范圍為55~60A/min,優(yōu)選為57 A/min?？涛g反應(yīng)時(shí)間根據(jù) 產(chǎn)品要求及工藝條件確定。
去除所述側(cè)墻中的氮化硅/氮氧化硅層選用的刻蝕溶液為熱磷酸(H3P04)， 反應(yīng)溫度范圍為150~170攝氏度，優(yōu)選為160攝氏度；所述刻蝕溶液百分比 濃度小于或等于5%;刻蝕速率及刻蝕反應(yīng)時(shí)間根據(jù)產(chǎn)品要求及工藝條件確定。
通過去除所述側(cè)墻，可最大幅度地?cái)U(kuò)大各柵極結(jié)構(gòu)間線縫尺寸；采用濕 法刻蝕，可選擇對(duì)不同材料具有的高刻蝕選擇比的刻蝕劑，以減少對(duì)已形成 的位于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)的器件的損害。
步驟308:如圖3H所示，沉積阻擋層ll,所述阻擋層覆蓋所述棚-極13及所 述半導(dǎo)體襯底IO。
繼而，在所述阻擋層上交疊沉積互連的層間介質(zhì)層和金屬層后形成所述 包含柵極結(jié)構(gòu)的器件，所述4冊(cè)極結(jié)構(gòu)間具有線縫l8。
所述阻擋層材料優(yōu)選地由氮化硅(Si3N4)構(gòu)成；所述阻擋層利用LPCVD、 PECVD等工藝形成。
通過以柵極為掩膜，進(jìn)行輕摻雜漏區(qū)離子注入后，形成環(huán)繞所述柵極的 側(cè)墻；再以所述柵極及環(huán)繞所述柵極的側(cè)墻為掩膜，進(jìn)行重?fù)诫s源漏區(qū)離子 注入；最終去除所述側(cè)墻；既能利用側(cè)墻的輔助掩膜作用，以防止更大劑量 的源漏注入過于4妄近溝道以至可能發(fā)生的源漏穿通，又能在最終形成的4冊(cè)極 結(jié)構(gòu)中不包含側(cè)墻，以最大幅度地?cái)U(kuò)大各柵極結(jié)構(gòu)間線縫尺寸。
顯然，應(yīng)用上述包含柵極結(jié)構(gòu)的器件的制造方法，本發(fā)明還提供了一種包含柵極結(jié)構(gòu)的器件，所述器件包含柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)包含氧化層、 覆蓋所述氧化層的柵極以及覆蓋所述柵極的阻擋層。
所述氧化層材料為二氧化硅(Si02)或摻雜鉿(Hf )的二氧化硅；所述氧 化層厚度范圍為1 20納米；所述柵極包含多晶硅，或多晶硅與金屬硅化物的 組合；所述金屬硅化物包含硅化鴒(WSi)或硅化鈦(TiSi2)等材料中的一種； 所述阻擋層材料優(yōu)選地由氮化硅(Si3N4)構(gòu)成。
利用本發(fā)明提供的方法形成包含柵極結(jié)構(gòu)的器件由于不再形成現(xiàn)行柵極 結(jié)構(gòu)中包含的側(cè)墻，可最大幅度地?cái)U(kuò)大器件內(nèi)各柵極結(jié)構(gòu)間線縫尺寸。
盡管通過在此的實(shí)施例描述說明了本發(fā)明，和盡管已經(jīng)足夠詳細(xì)地描述 了實(shí)施例，申請(qǐng)人不希望以任何方式將權(quán)利要求書的范圍限制在這種細(xì)節(jié)上。 對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說另外的優(yōu)勢(shì)和改進(jìn)是顯而易見的。因此，在較寬范 圍的本發(fā)明不限于表示和描述的特定細(xì)節(jié)、表達(dá)的設(shè)備和方法和說明性例子。 因此，可以偏離這些細(xì)節(jié)而不脫離申請(qǐng)人總的發(fā)明概念的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種柵極結(jié)構(gòu)制造方法，包括在半導(dǎo)體襯底上形成氧化層；沉積柵層，所述柵層覆蓋所述氧化層；刻蝕所述柵層，以形成柵極；去除未被所述柵極覆蓋的所述氧化層；沉積阻擋層，所述阻擋層覆蓋所述柵極及所述半導(dǎo)體襯底。
2. —種柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)包含氧化層、覆蓋所述氧化層的柵極以 及覆蓋所述柵極的阻擋層。
3. —種包含柵極結(jié)構(gòu)的器件的制造方法，包括 在半導(dǎo)體襯底上形成第一介質(zhì)層；沉積柵層，所述柵層覆蓋所述第一介質(zhì)層；刻蝕所述柵層，以形成柵極；以所述柵極為掩膜，進(jìn)行輕摻雜漏區(qū)離子注入；沉積第二介質(zhì)層，所述第二介質(zhì)層覆蓋所述片冊(cè)極及半導(dǎo)體村底；刻蝕所述第二介質(zhì)層，以形成環(huán)繞所述柵極的側(cè)墻；以所述柵極及環(huán)繞所述柵極的側(cè)墻為掩膜，進(jìn)行重?fù)诫s源漏區(qū)離子注入；去除所述側(cè)墻；去除未被所述柵極覆蓋的所述第 一介質(zhì)層；沉積阻擋層，所述阻擋層覆蓋所述柵極及所述半導(dǎo)體襯底。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的包含柵極結(jié)構(gòu)的器件的制造方法，其特征在于 所述第 一介質(zhì)層為氧化層。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的包含柵極結(jié)構(gòu)的器件的制造方法，其特征在于 所述第二介質(zhì)層包含二氧化硅或二氧化硅與氮化硅/氮氧化硅及二氧化硅、氮 化硅/氮氧化硅與二氧化硅構(gòu)成的層疊結(jié)構(gòu)中的一種。
6. 根據(jù)權(quán)利要求3或5所述的包含柵極結(jié)構(gòu)的器件的制造方法，其特征 在于所述去除所述側(cè)墻及未被所述柵極覆蓋的所述第 一介質(zhì)層的方法為濕 法刻蝕。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的包含柵極結(jié)構(gòu)的器件的制造方法，其特征在于 去除所述第一介質(zhì)層及所述側(cè)墻中的二氧化硅層選用的刻蝕溶液為氬氟酸。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的包含柵極結(jié)構(gòu)的器件的制造方法，其特征在于 去除所述側(cè)墻中的氮化硅/氮氧化硅層選用的刻蝕溶液為熱磷酸。
9. 一種包含柵極結(jié)構(gòu)的器件，所述器件包含柵極結(jié)構(gòu)，其特征在于所 述柵極結(jié)構(gòu)包含氧化層、覆蓋所述氧化層的柵極以及覆蓋所述柵極的阻擋層。
全文摘要
一種柵極結(jié)構(gòu)制造方法，包括在半導(dǎo)體襯底上形成氧化層；沉積柵層，所述柵層覆蓋所述氧化層；刻蝕所述柵層，以形成柵極；去除未被所述柵極覆蓋的所述氧化層；沉積阻擋層，所述阻擋層覆蓋所述柵極及所述半導(dǎo)體襯底。通過去除現(xiàn)行柵極結(jié)構(gòu)中包含的側(cè)墻，可最大幅度地?cái)U(kuò)大各柵極結(jié)構(gòu)間線縫尺寸。
文檔編號(hào)H01L21/02GK101202221SQ20061014732
公開日2008年6月18日 申請(qǐng)日期2006年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月15日
發(fā)明者張文廣, 郭佳衢 申請(qǐng)人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司