專利名稱：：側(cè)射型發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明是有關(guān)于一種發(fā)光二極管(lightemittingdiode;LED),且特別是有關(guān)于一種側(cè)射型發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
：發(fā)光二極管是一種接合二極管，主要由在半導(dǎo)體基板上的p型外延層與n型外延層所構(gòu)成。在形成外延結(jié)構(gòu)之后，芯片經(jīng)過切割，接著固定在面板上，然后經(jīng)過打線，最后再進(jìn)行封裝，形成發(fā)光二極管發(fā)光燈泡。一般而言，發(fā)光二極管使用的封裝材料為環(huán)氧樹脂(Epoxy)。發(fā)光二極管種類繁多、用途廣泛，早已成為現(xiàn)代生活中不可或缺的重要工具之-。一般發(fā)光二極管主要系用于照明或警示，例如應(yīng)用在家電、音響及儀表的指示燈；傳真機(jī)、條形碼閱讀機(jī)及光學(xué)鼠標(biāo)的光源；以及應(yīng)用在手機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理(personaldigitalassistant;PDA)、液晶顯示器中的背光模塊及其它電子產(chǎn)品內(nèi)。隨著手機(jī)、PDA、背光模塊等電子產(chǎn)品的發(fā)展，發(fā)光二極管之發(fā)光功率的要求也越來越高。因此，如何使LED所發(fā)出的光線可以充分被利用，為目前重要考慮項(xiàng)目之-。傳統(tǒng)上，提高LED亮度的方法不外乎是改變LED的封裝結(jié)構(gòu)或是改變LED芯片結(jié)構(gòu)。然而，當(dāng)改變LED的封裝結(jié)構(gòu)時(shí)，例如使用折射率較大的封裝材料來覆蓋芯片等，則其所能提高的整體亮度有限。因?yàn)楣饩€在傳遞的過程中，光線會(huì)被LED芯片的部分結(jié)構(gòu)或本身所使用的部分材料，例如LED芯片中的半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)或電極等，吸收而降低了光線的使用率。所以，即使使用折射率較大的封裝材料，也無法大幅提高整體的亮度。但是，若改變LED芯片結(jié)構(gòu)時(shí)，例如粗化LED芯片的表面、使用不同的外延材料、或是在LED芯片的底部形成反射結(jié)構(gòu)等，又會(huì)在后續(xù)封裝LED芯片時(shí)，因?yàn)長(zhǎng)ED芯片的發(fā)光位置、或LED芯片所發(fā)出的光線形狀(lightpattem)等因素，而影響封裝完的LED整體亮度。如此一來，則無法再進(jìn)一步提高發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的整體亮度。因此，欲制造出一種高亮度的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，確實(shí)是一種極為困難的技術(shù)挑戰(zhàn)。因此，有必要提供一種改良式的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，以解決上述問題。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于，提供一種側(cè)射型發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供的側(cè)射型發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)包含基座、二電極、發(fā)光二極管芯片、封裝材料以及導(dǎo)線架。其中，基座具有一凹陷部。二電極系設(shè)置于凹陷部底部。發(fā)光二極管芯片系設(shè)置于凹陷部底部上并與二電極電性連接。其中，發(fā)光二極管芯片之基板的厚度系大于140微米。進(jìn)一步，該基板的厚度可為140微米至400微米。更進(jìn)一步，該基板的厚度還可為190微米至240微米。進(jìn)一步的，上述封裝材料是填入凹陷部?jī)?nèi)，以封裝發(fā)光二極管芯片。導(dǎo)線架是設(shè)置于基座的兩側(cè)，且與二電極電性連接。進(jìn)一步的，更可以依需求于基座之凹陷部的內(nèi)側(cè)壁上設(shè)置一反射層，以進(jìn)一步提高亮度。因此，由上述本發(fā)明的內(nèi)容可知，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的側(cè)射型發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)具有較高的發(fā)光效率，其亮度約可增加30%。再者，由于本發(fā)明是利用一厚度較厚的基板來增加LED芯片側(cè)邊的出光量，所以不僅可以具有較高的發(fā)光效率，而且更可以得到體積較小的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。圖1是一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是沿著圖1中線段i-r的剖面示意圖；圖3是圖1中發(fā)光二極管芯片的剖面放大示意圖。其中附圖標(biāo)記為100:發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)102:基座104:二電極104a:第一電極104b:第二電極106:導(dǎo)線架108:發(fā)光二極管芯片108b:活化層110a、110b:導(dǎo)線114:凹陷部108a:基板109:光線112:封裝材料114a:上部寬度具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的具體實(shí)施例方式本發(fā)明提供一種改良式的側(cè)射型發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，以提高亮度。請(qǐng)參照?qǐng)Dl，其繪示出一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D2，其繪示出沿圖i線段i-r的剖面示意圖。在圖i中，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100包含基座102、二電極104a與104b、導(dǎo)線架106、發(fā)光二極管芯片108、二導(dǎo)線110a與110b以及封裝材料112。其中，基座102具有一凹陷部114。上述基座102的材質(zhì)例如可為環(huán)氧樹脂、玻璃纖維、氧化鈦、氧化鈣、液晶高分子或陶瓷以及所述材料的任意組合。上述二電極104是設(shè)置于凹陷部114的底部。在本發(fā)明之一實(shí)施例中，二電極104是區(qū)分為第一電極區(qū)104a與第二電極區(qū)104b，且第一電極104a與第二電極104b之間彼此互相絕緣。導(dǎo)線架106系設(shè)置于基座102的兩側(cè)，且與二電極104電性連接。其中，二電極104的材質(zhì)例如可為金、銀、銅、鉑、鋁、錫或鎂以及所述材料任意組合所組成的族群。發(fā)光二極管芯片108是設(shè)置于凹陷部114的底部，并透過導(dǎo)線llOa、110b分別電性連接第一電極104a與第二電極104b。在本發(fā)明之一實(shí)施例中，發(fā)光二極管芯片108是設(shè)置于第一電極104a之上。在本發(fā)明之一實(shí)施例中，更可以在基座102的凹陷部114的內(nèi)側(cè)壁上設(shè)置一反射層(未繪示)，以進(jìn)一步提高亮度。上述封裝材料112是填入于基座102的凹陷部114內(nèi)，以封裝發(fā)光二極管芯片108。其中，上述封裝材料112的材質(zhì)例如可為環(huán)氧樹脂(Epoxy)、壓克力或硅膠。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D3，其繪示第l圖中發(fā)光二極管芯片的剖面放大示意圖。在圖3中，發(fā)光二極管芯片108的基板108a的厚度大于140微米以上。在本發(fā)明之一實(shí)施例中，基板108a的厚度為140微米至400微米。在另一實(shí)施例中，更佳為190微米至240微米。上述基板108a的材質(zhì)例如可為藍(lán)寶石(sapphire)或碳化硅。請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D3，由于基板108a的厚度大于140微米，亦即發(fā)光二極管芯片108的側(cè)邊出光窗口的高度也大于140微米。所以當(dāng)發(fā)光二極管芯片108的活化層(activelayer)108b產(chǎn)生光線109時(shí)，通過基板108a側(cè)邊的出光窗口的出光量會(huì)增加。因此，在完成LED封裝結(jié)構(gòu)之后，由于發(fā)光二極管芯片108本身的出光量大幅提升，所以可以得到具有較高發(fā)光效率的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。再者，由于本發(fā)明的發(fā)光二極管芯片108的出光量大幅提升，所以更可以依需求將上述發(fā)光二極管芯片108封裝在具有寬度較小之凹陷部的基座上，以縮小封裝結(jié)構(gòu)的體積。如此一來，不僅不會(huì)影響整體的發(fā)光效率，同時(shí)還能得到較輕薄的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，如第2圖所示，凹陷部114之上部寬度114a可以為1.2厘米以下，更佳為0.3厘米至0.8厘米。隨后，進(jìn)行發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100的亮度測(cè)試。由表一的結(jié)果得知，當(dāng)發(fā)光二極管芯片108中之基板108a的厚度為140微米增加至400微米時(shí)，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的亮度約可提高10%至30%。下表是不同厚度的LED芯片及其封裝結(jié)構(gòu)的亮度的關(guān)系<table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table>因此，由上述分析可知，本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)具有較高的發(fā)光效率，其亮度約可增加10%至30%。再者，由于本發(fā)明系利用厚度較厚的基板來提高發(fā)光二極管芯片的側(cè)邊的出光量，所以不僅可以得到較高的發(fā)光效率，而且更可以得到體積較小的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。權(quán)利要求1.一種側(cè)射型發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其包含一基座，具有一凹陷部；二電極，設(shè)置于該凹陷部之底部中；一發(fā)光二極管芯片，設(shè)置于該凹陷部之底部上并與該些電極二電極電性連接，該發(fā)光二極管芯片之一基板的厚度系大于140微米以上；以及一封裝材料，填入該凹陷部?jī)?nèi)，以封裝該發(fā)光二極管芯片。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的側(cè)射型發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該基板的厚度為140微米至400微米。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的側(cè)射型發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該基板的厚度為190微米至240微米。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的側(cè)射型發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該凹陷部的上寬度為1.2厘米以下。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的側(cè)射型發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該凹陷部的上寬度為0.3厘米至0.8厘米。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的側(cè)射型發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包含一反射層，環(huán)設(shè)于該基座之該凹陷部的內(nèi)側(cè)壁上。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的側(cè)射型發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該基座的材質(zhì)是選自于環(huán)氧樹脂、玻璃纖維、氧化鈦、氧化鈣、液晶高分子、陶瓷以及上述材料的任意組合。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的側(cè)射型發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該些電極的材質(zhì)是選自于金、銀、銅、鉬、鋁、錫、鎂以及其任意組合所組成的族群。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的側(cè)射型發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中該基板的材質(zhì)為藍(lán)寶石或碳化硅。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的側(cè)射型發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包含一導(dǎo)線架，設(shè)置于該基座的外側(cè)邊且與該些電極電性連接。全文摘要本發(fā)明公開了一種側(cè)射型發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)。此側(cè)射型發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)包含基座、二電極、發(fā)光二極管芯片以及封裝材料。其中，基座具有一凹陷部。二電極系設(shè)置于凹陷部的底面。發(fā)光二極管芯片是設(shè)置于凹陷部的底面并與二電極電性連接。其中，發(fā)光二極管芯片之基板的厚度為大于140微米以上。上述封裝材料是填入凹陷部?jī)?nèi)，以封裝發(fā)光二極管芯片。文檔編號(hào)H01L33/00GK101132036SQ20061011157公開日2008年2月27日申請(qǐng)日期2006年8月23日優(yōu)先權(quán)日2006年8月23日發(fā)明者葉寅夫,莊世任,林治民申請(qǐng)人:億光電子工業(yè)股份有限公司