專利名稱：半導(dǎo)體裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有帶有焊盤(pán)的芯片、在焊盤(pán)上形成的凸塊電極(bump electrode)、被針腳鍵合(stitch bonding)到凸塊電極上的鍵合絲的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
在將金絲直接針腳鍵合到芯片上的鋁焊盤(pán)上的情況下，毛細(xì)管(capillary)的負(fù)荷集中，裂紋進(jìn)入到鋁焊盤(pán)下的SiO2層間絕緣膜中。因此在芯片-芯片之間的引線鍵合中使用凸塊電極(例如參照專利文獻(xiàn)1)。另外，在薄型封裝中，為了使金絲的高度降低而進(jìn)行使用了凸塊電極的反鍵合(reverse bonding)。
圖10(a)(b)是示出現(xiàn)有的形成凸塊電極的狀態(tài)的截面圖。首先，如圖10(a)所示，在芯片的鋁焊盤(pán)11上由從毛細(xì)管12排出的金絲13形成凸塊電極14。然后，如圖10(b)所示，通過(guò)用鉗子15夾著金絲13向上提拉來(lái)切斷金絲13。
另外，圖11(a)(b)是示出現(xiàn)有的向凸塊電極針腳鍵合金絲的狀態(tài)的截面圖。首先，如圖11(a)所示，通過(guò)毛細(xì)管12將金絲13按壓在凸塊電極14上，并使用超聲波振動(dòng)將金絲13破碎并接合到凸塊電極14上。其后，如圖11(b)所示，通過(guò)用鉗子15夾著金絲13向上提拉來(lái)切斷金絲13。
日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_(kāi)2001-15541號(hào)公報(bào)但是，在現(xiàn)有的由金絲形成凸塊電極或者向凸塊電極針腳鍵合金絲的過(guò)程中，由于作為凸塊電極14的材料的金絲是柔軟的，因此利用毛細(xì)管12和凸塊電極14夾著的金絲13的按壓破碎將變得不充分，因此金絲13不能夠變得充分地薄。由此，由于金絲13的強(qiáng)度變大，因而，出現(xiàn)由于在切斷金絲13時(shí)的反作用力造成的金絲13的扭曲和凸塊電極14從鋁焊盤(pán)11上的剝落。另外，在現(xiàn)有的凸塊電極的形成中也發(fā)生同樣的現(xiàn)象。其結(jié)果，存在由于扭曲而使金絲13彎曲成S形從而造成金絲之間電氣短路、以及由于凸塊電極14剝落而形成電氣斷路的問(wèn)題。
為了解決該問(wèn)題，可使用以更低的加力就能被切斷的軟型的金絲。但是，這種軟型的金絲的彈性系數(shù)低，因此具有當(dāng)密封樹(shù)脂流過(guò)時(shí)金絲流動(dòng)，金絲之間發(fā)生電氣短路的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明正是為了解決上述問(wèn)題而完成的，其目的在于獲得防止鍵合絲之間發(fā)生電氣短路或者凸塊電極的剝落、可穩(wěn)定地制造的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面(權(quán)利要求1)的半導(dǎo)體裝置，具有帶有焊盤(pán)的芯片；在焊盤(pán)上所形成的凸塊電極；以及針腳鍵合在凸塊電極上的鍵合絲，其中，鍵合絲滿足(彈性系數(shù)/每單位面積的斷裂強(qiáng)度)≥400的條件。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面(權(quán)利要求3)的半導(dǎo)體裝置的制造方法，具有使用通過(guò)毛細(xì)管的鍵合絲在焊盤(pán)上形成凸塊電極的工序；在形成凸塊電極的工序之后，使毛細(xì)管以至少大于等于鍵合絲和毛細(xì)管的內(nèi)壁之間的間隙的振幅沿著橫向方向進(jìn)行動(dòng)作的工序；在使毛細(xì)管沿著橫向方向進(jìn)行動(dòng)作的工序之后，通過(guò)用鉗子夾著鍵合絲向上提拉來(lái)切斷鍵合絲的工序，其中，作為鍵合絲采用滿足(彈性系數(shù)/每單位面積的斷裂強(qiáng)度)≥400的條件的鍵合絲。
根據(jù)本發(fā)明的第三方面(權(quán)利要求4)的半導(dǎo)體裝置的制造方法，具有使用毛細(xì)管將鍵合絲針腳鍵合在凸塊電極上的工序；在針腳鍵合的工序之后，使毛細(xì)管以至少大于等于鍵合絲和毛細(xì)管的內(nèi)壁之間的間隙的振幅沿著橫向方向進(jìn)行動(dòng)作的工序；在使毛細(xì)管沿著橫向方向進(jìn)行動(dòng)作的工序之后，通過(guò)用鉗子夾著鍵合絲向上提拉來(lái)切斷鍵合絲的工序，其中，作為鍵合絲采用滿足(彈性系數(shù)/每單位面積的斷裂強(qiáng)度)≥400的條件的鍵合絲。后面將明確本發(fā)明的其他特征。
根據(jù)本發(fā)明，由于能夠維持鍵合絲彈性系數(shù)的同時(shí)以低的加力切斷鍵合絲，因此可防止鍵合絲之間的電氣短路或者凸塊電極的剝落，可穩(wěn)定制造高集成化的半導(dǎo)體裝置。


圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式1的半導(dǎo)體裝置的一個(gè)例子的截面圖(a)以及俯視圖(b)。
圖2是示出形成凸塊電極的工序的截面圖。
圖3是示出將金絲針腳鍵合在凸塊電極上的工序的截面圖。
圖4是示出金絲延伸率和應(yīng)力的關(guān)系的圖。
圖5是示出金絲延伸率和金絲的流線曲率(flow curvature)的圖。
圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式1的半導(dǎo)體裝置的另一個(gè)例子的截面圖(a)以及俯視圖(b)。
圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式1的半導(dǎo)體裝置的再一個(gè)例子的截面圖(a)以及俯視圖(b)。
圖8是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式2的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖。
圖9是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式3的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖。
圖10是示出現(xiàn)有的凸塊電極形成的樣子的截面圖。
圖11是示出現(xiàn)有的向凸塊電極上針腳鍵合金絲的樣子的截面圖。
(符號(hào)說(shuō)明)11鋁焊盤(pán)；12毛細(xì)管；13金絲；14凸塊電極；23、44、45、52芯片；25、47、54密封樹(shù)脂
具體實(shí)施例方式
(實(shí)施方式1)圖1(a)是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式1的半導(dǎo)體裝置的一個(gè)例子的截面圖，圖1(b)是其俯視圖。在裸片焊盤(pán)(die pad)21上并排搭載著芯片22和芯片23。該芯片22、23和引線24通過(guò)金絲13相連接。另外，在芯片23的鋁焊盤(pán)11上形成有凸塊電極14。并且，金絲13被球鍵合在芯片22的鋁焊盤(pán)上，且被針腳鍵合在凸塊電極14上。而且，整體利用密封樹(shù)脂25密封。
圖2(a)～(c)是示出形成凸塊電極的工序的截面圖。首先，如圖2(a)所示，通過(guò)由吹管31放電，熔融從毛細(xì)管12排出的金絲13的前端，形成直徑比金絲13大的金球32。其后，如圖2(b)所示，使用毛細(xì)管12將金球32按壓到在臺(tái)架上所配置的芯片23的鋁焊盤(pán)11上，通過(guò)施加加力、熱、超聲波等將金球32和鋁焊盤(pán)11的界面接合。之后，如圖2(c)所示，用鉗子15夾住在毛細(xì)管12上部的金絲13并提拉，在金球32的上部切斷金絲13。這樣，利用從毛細(xì)管12排出的金絲13，在鋁焊盤(pán)11上形成凸塊電極14。
圖3(a)、(b)是示出在凸塊電極上針腳鍵合金絲的工序的截面圖。首先，和圖2(a)一樣，在從毛細(xì)管12排出的金絲13的前端形成金球32，如圖3(a)所示，使用毛細(xì)管12，將金絲13的前端金球32球鍵合在芯片22的鋁焊盤(pán)上(第一鍵合)。其后，從毛細(xì)管12排出從金球32延伸的金絲13，一直伸展到凸塊電極14上，然后利用毛細(xì)管12將金絲13按壓到凸塊電極14上，按壓時(shí)間為10ms，并使用超聲波振動(dòng)，將從金球32延伸的金絲13的一部分針腳鍵合在凸塊電極14上(第二鍵合)。然后，如圖3(b)所示，通過(guò)用鉗子15夾著金絲13向上提拉來(lái)切斷金絲13(尾部切斷)。這樣一來(lái)，利用從毛細(xì)管12排出的金絲13，形成將芯片22的鋁焊盤(pán)和凸塊電極14電氣連接的金絲13。
這里，在本發(fā)明中，為了防止鍵合絲之間的電氣短路或者凸塊電極的剝落，對(duì)金絲13的材質(zhì)進(jìn)行如下設(shè)定。首先，圖4是示出金絲的延伸率和應(yīng)力之間的關(guān)系的圖。對(duì)金絲A向長(zhǎng)度方向施加拉伸應(yīng)力，則其在延伸率變?yōu)?％時(shí)被切斷，此時(shí)的應(yīng)力(斷裂強(qiáng)度)是12.4gf。同樣地，金絲B在其延伸率為7％時(shí)被切斷，此時(shí)應(yīng)力是9.5gf；金絲C在其延伸率為11％時(shí)被切斷，此時(shí)應(yīng)力是8.8gf；金絲D在其延伸率為15％時(shí)被切斷，此時(shí)應(yīng)力是8.3gf。而金絲E是軟型的金絲，與硬型金絲A～D相比斷裂強(qiáng)度低。
另外，在對(duì)金絲施加應(yīng)力時(shí)，其最初是彈性形變，其后是塑性形變。該彈性形變時(shí)的斜率對(duì)應(yīng)于金絲的彈性系數(shù)(又稱彈性模量)。硬型的金絲A～D的彈性系數(shù)分別是9.4、9.3、9、8.5(×103kgf/mm2)，軟型金絲E與它們相比彈性系數(shù)低。
為了防止由于在切斷金絲時(shí)反作用力引起的金絲的扭曲(變形)或者凸塊電極14從鋁焊盤(pán)11上剝落，優(yōu)選使用斷裂強(qiáng)度低的金絲。這是因?yàn)樵跀嗔褟?qiáng)度低的金絲上，直到斷裂為止所施加的最大負(fù)荷小，而且斷裂時(shí)作為反作用力釋放的能量也小。另外，為了防止金絲變形優(yōu)選為彈性系數(shù)高的金絲。這是因?yàn)閺椥韵禂?shù)高的金絲能夠更好地抑制施加能量時(shí)的變形。因此，彈性系數(shù)和每單位面積上的斷裂強(qiáng)度的比，即(彈性系數(shù)(kgf/mm2)/每單位面積的斷裂強(qiáng)度(kgf/mm2))高時(shí)為優(yōu)選。但是，存在彈性系數(shù)高的鍵合絲像上述金絲A那樣斷裂強(qiáng)度高，且斷裂強(qiáng)度低的鍵合絲像上述金絲E那樣彈性系數(shù)低的傾向。
于是，將滿足以下條件的材料作為金絲來(lái)使用。
(彈性系數(shù)(kgf/mm2)/每單位面積的斷裂強(qiáng)度(kgf/mm2))≥400由此，由于能夠在維持鍵合絲彈性系數(shù)的同時(shí)以低的加力切斷鍵合絲，因此能夠穩(wěn)定地制造防止伴隨著鍵合絲的變形而產(chǎn)生的鍵合絲之間的電氣短路或者凸塊電極的剝落，且高集成化的半導(dǎo)體裝置。特別是，在斷裂時(shí)鍵合絲的延伸率高的、例如至少大于等于6％，優(yōu)選是大于等于10％的材料上，容易像金絲B、C、D那樣獲得高彈性系數(shù)、低斷裂強(qiáng)度這樣的特性。
另外，在本發(fā)明中，為了防止密封樹(shù)脂流過(guò)時(shí)金絲流動(dòng)，金絲之間電氣短路，對(duì)密封樹(shù)脂的材質(zhì)進(jìn)行如下設(shè)定。首先，圖5(a)、(b)是示出金絲的延伸率和金絲的流線曲率的圖。所謂金絲的流線曲率是在用密封樹(shù)脂密封時(shí)流動(dòng)的金絲的曲率。另外，圖5(a)是使用了螺旋流動(dòng)性(spiral flow)小于110cm，并且粘度大于等于10Pa·S的樹(shù)脂的情況，圖5(b)是使用了螺旋流動(dòng)性大于等于110cm，且粘度小于10Pa·S的樹(shù)脂的情況。
這里，基于JIS K7210進(jìn)行熔融粘度測(cè)量，作為測(cè)量條件將樣品量設(shè)定為3g、將溫度水平設(shè)定為175±2℃、將管口尺寸設(shè)定為(1.00±0.02)mmφ×10mm。另外所謂螺旋流動(dòng)性指的是在做成螺旋狀的流動(dòng)測(cè)試型模中在一定條件下填充樹(shù)脂時(shí)，樹(shù)脂所達(dá)到的長(zhǎng)度。根據(jù)該螺旋流動(dòng)性可評(píng)估在噴射成型中的樹(shù)脂的流動(dòng)性。
在螺旋流動(dòng)性的測(cè)量中，將在EMMI-1-66中規(guī)定的型模和傳遞模塑機(jī)(transfer-molding machine)作為測(cè)量裝置使用。另外，測(cè)量樣品從保存?zhèn)}庫(kù)取出，保持未開(kāi)封地在室溫下放置兩個(gè)小時(shí)后，開(kāi)封進(jìn)行測(cè)量。而且，在開(kāi)封后兩個(gè)小時(shí)以內(nèi)將試驗(yàn)結(jié)束。另外，作為測(cè)量條件將樣品量設(shè)定為約15g，廢料(cull)厚度設(shè)定為約3mm，噴射壓力設(shè)定為6.9±0.5MPa，成型時(shí)間設(shè)定為120±5秒鐘，預(yù)熱設(shè)定為無(wú)，將溫度水平設(shè)定為175±2℃。在這些條件下，確認(rèn)達(dá)到了規(guī)定的溫度水平后，投入樣品，然后迅速使活塞降下，并在10秒鐘內(nèi)開(kāi)始加壓。然后，通過(guò)在規(guī)定時(shí)間結(jié)束后拆開(kāi)型模，讀取樹(shù)脂的流動(dòng)長(zhǎng)度(cm)來(lái)測(cè)量螺旋流動(dòng)性。
與圖5(a)相比，在圖5(b)中金絲的流線曲率小。因此，為了防止在密封樹(shù)脂流過(guò)時(shí)金絲流動(dòng)，金絲之間產(chǎn)生電氣短路，優(yōu)選為使用螺旋流動(dòng)性大于等于110cm，并且粘度小于10Pa·S的樹(shù)脂。
圖6(a)是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式1的半導(dǎo)體裝置的另一個(gè)例子的截面圖。圖6(b)是其俯視圖。在玻璃環(huán)氧布線基板41上層疊安裝有芯片42、隔離芯片43、芯片44、芯片45。另外，在芯片44、45的鋁焊盤(pán)11上形成有凸塊電極14。并且，金絲13被球鍵合在引線46上，并被針腳鍵合在凸塊電極14上。而且，整體被密封樹(shù)脂47密封，在玻璃環(huán)氧布線基板41的底面上形成焊錫球48。
圖7(a)是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式1的半導(dǎo)體裝置的再一個(gè)例子的截面圖，圖7(b)是其俯視圖。裸片焊盤(pán)51上搭載有芯片52。而且，在芯片52的中心處設(shè)置了一列多個(gè)鋁焊盤(pán)11。該鋁焊盤(pán)11上形成有凸塊電極14。而且，金絲13被球鍵合在引線53上，且被針腳鍵合在凸塊電極14上。而且，整體通過(guò)密封樹(shù)脂54被密封。
(實(shí)施方式2)圖8(a)～(d)是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式2的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖。首先，如圖8(a)所示，使從毛細(xì)管12排出的金絲13的前端的金球接合在芯片23的鋁焊盤(pán)11上，形成凸塊電極14。但是使用與實(shí)施方式1相同的材質(zhì)的材料作為金絲13。
而且，如圖8(b)所示，使毛細(xì)管12向上升高15μm。這里，由于凸塊電極14的高度是15μm，因此毛細(xì)管12退到凸塊電極14的上方。在本實(shí)施方式中所使用的毛細(xì)管12和金絲13的尺寸分別是，毛細(xì)管12的內(nèi)徑為30μm，金絲13的直徑是23μm。
然后，如圖8(c)所示，使毛細(xì)管12沿橫向方向往復(fù)運(yùn)動(dòng)。但是，將毛細(xì)管12的動(dòng)作振幅設(shè)定為至少大于等于金絲13與毛細(xì)管12的內(nèi)壁之間的間隙。具體而言，因?yàn)榻鸾z13的直徑是23μm，毛細(xì)管12的內(nèi)徑是30μm，所以將兩者的間隙進(jìn)行平均，在一側(cè)為3.5μm，兩側(cè)合起來(lái)為7μm。作為動(dòng)作振幅最低必須大于等于毛細(xì)管12的內(nèi)壁和金絲13的一側(cè)的間隙3.5μm。為了對(duì)金絲13的尾部切斷部分施加充分的應(yīng)力，使切斷強(qiáng)度降低，作為動(dòng)作振幅優(yōu)選為大于等于毛細(xì)管12內(nèi)壁和金絲13的兩側(cè)之間的間隙的和7μm。于是，例如使毛細(xì)管12向一方水平移動(dòng)了30μm之后，再向反方向水平移動(dòng)了65μm。由此，可對(duì)金絲13的尾部切斷部分施加應(yīng)力，使切斷強(qiáng)度降低。另外，隨著水平移動(dòng)的大小，也可以通過(guò)水平移動(dòng)來(lái)將金絲13從凸塊電極14上切斷。
其后，如圖8(d)所示，通過(guò)用鉗子15夾著金絲13向上提拉切斷金絲13。此時(shí)，由于通過(guò)毛細(xì)管12的往復(fù)運(yùn)動(dòng)降低了金絲13的強(qiáng)度，因此可降低切斷金絲13時(shí)的反作用力，能夠比實(shí)施方式1更進(jìn)一步抑制金絲13呈S形彎曲或凸塊電極14的剝落。
另外，通過(guò)在毛細(xì)管12進(jìn)行往復(fù)運(yùn)動(dòng)之前將毛細(xì)管12退到凸塊電極14上方，可防止在往復(fù)運(yùn)動(dòng)時(shí)毛細(xì)管12和凸塊電極14相接觸，從而使凸塊電極14受到損傷。
另外，可以使毛細(xì)管12沿橫向進(jìn)行圓周運(yùn)動(dòng)來(lái)代替沿橫向進(jìn)行往復(fù)運(yùn)動(dòng)，此外只要是在矢量分解的情況下包含橫向移動(dòng)的動(dòng)作即可。另外，關(guān)于振動(dòng)頻率和動(dòng)作手段并不作特別限定，但是由于超聲波振動(dòng)的振幅一般是小于等于1μm，因此，很難得到充分的振幅作為用于使金絲13的強(qiáng)度降低的毛細(xì)管12的動(dòng)作。在本實(shí)施方式中，通過(guò)將電動(dòng)機(jī)作為動(dòng)力源，一邊機(jī)械地進(jìn)行位置控制一邊使其動(dòng)作，產(chǎn)生上述毛細(xì)管12的水平移動(dòng)動(dòng)作。
(實(shí)施方式3)圖9(a)～(d)是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式3的半導(dǎo)體裝置的制造方法的截面圖。首先，如圖9(a)所示，使用毛細(xì)管12，將金絲13的前端的金球球鍵合在芯片22的鋁焊盤(pán)上之后，將金絲13針腳鍵合在形成于芯片23的鋁焊盤(pán)11上的凸塊電極14上。具體地，利用毛細(xì)管12將金絲13按壓在凸塊電極14上，按壓時(shí)間為10ms，并使用超聲波振動(dòng)將金絲13破碎并接合到凸塊電極14上。但是，使用與實(shí)施方式1相同的材質(zhì)的材料作為金絲13。
其后，如圖9(b)所示，使毛細(xì)管12在金絲13的循環(huán)(loop)的前進(jìn)方向上退到在其后工序中毛細(xì)管12進(jìn)行橫向動(dòng)作的振幅的一半以上的距離。例如，使毛細(xì)管12水平移動(dòng)30μm。
其后，如圖9(c)所示，與實(shí)施方式3同樣，使毛細(xì)管12沿橫向往復(fù)運(yùn)動(dòng)。但是，毛細(xì)管12的動(dòng)作振幅設(shè)定為至少大于等于金絲13與毛細(xì)管12的內(nèi)壁之間的間隙。即，作為動(dòng)作振幅最低限度必須大于等于毛細(xì)管12的內(nèi)壁和金絲13的一側(cè)的間隙3.5μm。另外，為了對(duì)金絲13的尾部切斷部分施加充分的應(yīng)力，從而使切斷強(qiáng)度降低，作為動(dòng)作振幅優(yōu)選為大于等于毛細(xì)管12內(nèi)壁和金絲13的兩側(cè)之間的間隙的和7μm。在本實(shí)施方式中的動(dòng)作振幅是40μm。
在其后，如圖9(d)所示，通過(guò)用鉗子15夾住金絲13向上提拉來(lái)切斷金絲13。此時(shí)，由于通過(guò)毛細(xì)管12的往復(fù)運(yùn)動(dòng)降低了金絲13的切斷強(qiáng)度，因此可降低金絲13被切斷時(shí)的反作用力，能夠比實(shí)施方式1更進(jìn)一步抑制金絲13呈S形彎曲和凸塊電極14的剝落。隨著往復(fù)運(yùn)動(dòng)的動(dòng)作振幅，也可以通過(guò)往復(fù)運(yùn)動(dòng)將金絲13切斷。在這種情況下，能夠把金絲13被切斷時(shí)的反作用力造成的金絲呈S形彎曲抑制在最小限度。
另外，由于在毛細(xì)管12往復(fù)運(yùn)動(dòng)之前，使毛細(xì)管12離開(kāi)開(kāi)始針腳鍵合的位置，即金絲13接觸到凸塊電極14的位置大于等于往復(fù)運(yùn)動(dòng)的振幅一半的距離，因此在毛細(xì)管12進(jìn)行往復(fù)運(yùn)動(dòng)時(shí)，能夠減輕對(duì)金絲13和凸塊電極14之間的接合部分以及金絲13的根部分施加的應(yīng)力，可防止金絲大幅的強(qiáng)度降低和斷線。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有帶有焊盤(pán)的芯片；在上述焊盤(pán)上所形成的凸塊電極；以及針腳鍵合在上述凸塊電極上的鍵合絲，其中，上述鍵合絲滿足(彈性系數(shù)/每單位面積的斷裂強(qiáng)度)≥400的條件。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還具有密封上述芯片、上述凸塊電極、以及上述鍵合絲的密封樹(shù)脂，上述密封樹(shù)脂的螺旋流動(dòng)性大于等于110cm并且粘度小于10Pa·S。
3.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具有使用通過(guò)毛細(xì)管的鍵合絲在焊盤(pán)上形成凸塊電極的工序；在形成上述凸塊電極的工序之后，使上述毛細(xì)管以至少大于等于上述鍵合絲和上述毛細(xì)管的內(nèi)壁之間的間隙的振幅沿著橫向方向進(jìn)行動(dòng)作的工序；以及在使上述毛細(xì)管沿著橫向方向進(jìn)行動(dòng)作的工序之后，通過(guò)用鉗子夾著上述鍵合絲向上提拉來(lái)切斷上述鍵合絲的工序，其中，作為上述鍵合絲，采用滿足(彈性系數(shù)/每單位面積的斷裂強(qiáng)度)≥400的條件的鍵合絲。
4.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具有使用毛細(xì)管將鍵合絲針腳鍵合在凸塊電極上的工序；在上述針腳鍵合的工序之后，使上述毛細(xì)管以至少大于等于上述鍵合絲和上述毛細(xì)管的內(nèi)壁之間的間隙的振幅沿著橫向方向進(jìn)行動(dòng)作的工序；以及在使上述毛細(xì)管沿著橫向方向進(jìn)行動(dòng)作的工序之后，通過(guò)用鉗子夾著上述鍵合絲向上提拉來(lái)切斷上述鍵合絲的工序，其中，作為上述鍵合絲，采用滿足(彈性系數(shù)/每單位面積的斷裂強(qiáng)度)≥400的條件的鍵合絲。
全文摘要
提供一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法，可防止鍵合絲之間的電氣短路或者凸塊電極剝落，并且可穩(wěn)定地制造。該半導(dǎo)體裝置具有帶有焊盤(pán)的芯片；在焊盤(pán)上所形成的凸塊電極；針腳鍵合在凸塊電極上的鍵合絲，其中，鍵合絲滿足(彈性系數(shù)/每單位面積的斷裂強(qiáng)度)≥400的條件。另外，還具有用于密封芯片、凸塊電極以及鍵合絲的密封樹(shù)脂，優(yōu)選為密封樹(shù)脂的螺旋流動(dòng)性大于等于110cm并且粘度小于10Pa·S。
文檔編號(hào)H01L21/60GK1866505SQ200610073629
公開(kāi)日2006年11月22日 申請(qǐng)日期2006年4月13日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月20日
發(fā)明者倉(cāng)谷英敏, 新川秀之, 英賀文昭 申請(qǐng)人:株式會(huì)社瑞薩科技