專利名稱：非易失性存儲(chǔ)器件及相關(guān)器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法，更具體，涉及非易失性存儲(chǔ)器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
通常，非易失性存儲(chǔ)器件配置為電存儲(chǔ)并擦除數(shù)據(jù)，并且即使到存儲(chǔ)器件的電源中斷，保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。非易失性存儲(chǔ)器件通常具有層疊的柵電極，其包括柵絕緣層、浮置柵、介質(zhì)層和控制層，在襯底的有源區(qū)上順序?qū)盈B的柵結(jié)構(gòu)。為了容易地從存儲(chǔ)器件編程和/或擦除數(shù)據(jù)，通常耦合比為高。耦合比可表示為施加到控制柵的電壓和感應(yīng)到浮置柵的電壓之間的比。通常，可以通過使介質(zhì)層和控制柵與浮置柵的側(cè)表面以及上表面相鄰而增加耦合比。
參照?qǐng)D1A至1C，將討論說明傳統(tǒng)增加耦合比方法的存儲(chǔ)器件的截面圖。如圖1A所示，通過隔離層16在襯底10上限定有源區(qū)。在有源區(qū)上形成柵絕緣層12和浮置柵圖形14。通過蝕刻絕緣層16露出浮置柵圖形14的側(cè)表面，使得可以增加耦合比。此時(shí)，可以使用例如干法蝕刻工序、濕法蝕刻工序等來執(zhí)行隔離層16的蝕刻。當(dāng)使用具有各向同性蝕刻特性的濕法蝕刻工序時(shí)，在用于露出浮置柵圖形14的側(cè)壁的濕法蝕刻工序期間，還蝕刻?hào)沤^緣層12。
因此，使用兩個(gè)步驟工序蝕刻隔離層16。首先參照?qǐng)D1B，例如使用干法或濕法蝕刻工序在隔離層16上執(zhí)行第一蝕刻工序，直到露出至少部分柵絕緣層12。如圖1C所示，使用具有各向異性蝕刻特性的干法蝕刻工序執(zhí)行第二蝕刻工序，以蝕刻包圍柵絕緣層12的隔離層16b。在該情況下，由于在干法蝕刻工序期間可用作蝕刻劑的等離子體而生成的電荷將在浮置柵圖形14中積累。此外，因?yàn)橛捎谒e聚的電荷而產(chǎn)生的強(qiáng)電場(chǎng)，將在薄柵絕緣層12中引起擊穿。柵絕緣層12中的該擊穿對(duì)于晶體管的特性將是有害的，其可導(dǎo)致非易失性存儲(chǔ)器件的操作中的不穩(wěn)定。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的某些實(shí)施例提供制造非易失性存儲(chǔ)器件的制造方法。在襯底上形成隔離層。襯底具有存儲(chǔ)區(qū)和阱接觸區(qū)以及隔離層限定襯底的有源區(qū)。在有源區(qū)上形成柵絕緣層。構(gòu)圖柵絕緣層以在其中形成開口。該開口露出襯底的至少部分阱接觸區(qū)，并用作在隔離層隨后的蝕刻期間所生成電荷的電荷路徑(passway)。
在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，可在柵絕緣層上形成第一導(dǎo)電層?？梢赃x擇性地蝕刻該隔離層以露出第一導(dǎo)電層的至少部分側(cè)表面。
在本發(fā)明的另外其他實(shí)施例中，可在第一導(dǎo)電層上形成介質(zhì)層。可在介質(zhì)層上形成第二導(dǎo)電層。可以構(gòu)圖介質(zhì)層和第一及第二導(dǎo)電層以提供襯底的存儲(chǔ)區(qū)和阱接觸區(qū)上的層疊的柵電極。在某些實(shí)施例中，開口在形成在阱接觸區(qū)的層疊的柵電極之下，并且電耦合第一導(dǎo)電層和襯底。在其他實(shí)施例中，開口在形成在阱接觸區(qū)上的層疊的柵電極外側(cè)。
在本發(fā)明的某些實(shí)施例中，可在柵絕緣層上形成緩沖導(dǎo)電層?？蓸?gòu)圖緩沖導(dǎo)電層以限定柵絕緣層和緩沖導(dǎo)電層中的開口。
在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，可以蝕刻隔離層直到隔離層的表面基本上與第一導(dǎo)電層的上表面同平面。然后，可以蝕刻隔離層直到露出第一導(dǎo)電層的側(cè)表面。直到露出第一導(dǎo)電層的側(cè)表面的隔離層的該蝕刻可包括各向異性的干法蝕刻工序。
盡管主要參照方法實(shí)施例說明了本發(fā)明的實(shí)施例，在此還討論了相關(guān)器件。


圖1A至1C是說明增加耦合比的傳統(tǒng)方法的截面圖。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器件的平面圖。
圖3A至11A是沿圖2的線A-A’所取的說明根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例的制造非易失性存儲(chǔ)器件的處理步驟的截面圖。
圖3B至11B是沿圖2的線B-B’所取的說明根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例的制造非易失性存儲(chǔ)器件的處理步驟的截面圖。
圖12是根據(jù)本發(fā)明的其他實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器件的平面圖。
圖13A至16A是沿圖12的線A-A’所取的說明根據(jù)本發(fā)明的其他實(shí)施例的制造非易失性存儲(chǔ)器件的處理步驟的截面圖。
圖13B至16B是沿圖12的線B-B’所取的說明根據(jù)本發(fā)明的其他實(shí)施例的制造非易失性存儲(chǔ)器件的處理步驟的截面圖。
具體實(shí)施例方式
參照附圖在下文更加全面地說明本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式來實(shí)施，并且不應(yīng)該構(gòu)造為限制于在此闡述的實(shí)施例。而是，提供這些實(shí)施例以使得本公開是完全的和完整的，并且對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員完全闡述本發(fā)明的范圍。在附圖中，為了清楚的目的可放大層和區(qū)域的尺寸和相對(duì)尺寸。應(yīng)理解，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為在其他元件或?qū)印爸稀被颉斑B接到”或“耦接到”其他元件或?qū)訒r(shí)，可以是直接地在其他元件或?qū)又匣蛑苯舆B接到或耦接到其他元件或?qū)?，或者存在中間元件或?qū)印Ｅc此相反，當(dāng)元件稱為“直接在其上”、“直接連接到”或“直接耦接到”其他元件或?qū)訒r(shí)，則沒有中間元件或?qū)?。如在此使用，術(shù)語“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)列項(xiàng)的任何或所有組合。通篇中相似標(biāo)號(hào)指代相似元件。
應(yīng)理解，盡管在此使用術(shù)語第一和第二來說明各個(gè)區(qū)域、層和/或部分，這些區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)被這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅用于將一個(gè)區(qū)域、層或部分從另一個(gè)區(qū)域?qū)踊虿糠种袇^(qū)分。因此，在下文說明的第一區(qū)域、層或部分可稱為第二區(qū)域、層或部分，相似地，第二區(qū)域、層或部分可稱為第一區(qū)域、層或部分，而不背離本發(fā)明的教導(dǎo)。
此外，相對(duì)術(shù)語，例如“下”或“底”以及“上”或“頂”在此用于說明一個(gè)元件與其他元件的如圖所示的關(guān)系。應(yīng)理解相對(duì)術(shù)語旨在包括除了在圖中所描述的取向之外的器件的不同取向。例如，如果將圖中的器件翻轉(zhuǎn)，描述為在其他元件的“下”側(cè)的元件將位于該其他元件的“上”側(cè)。因此基于圖的特定取向，示例性術(shù)語“下”可包括“下”和“上”的取向。相似地，如果將圖中的一個(gè)器件翻轉(zhuǎn)，描述為在其他元件之“下”或“底下”的元件將位于該其他元件之“上”。因此示例性術(shù)語“下”或“底下”可包括上和下的取向。
參照截面圖在此說明本發(fā)明的實(shí)施例，該截面圖是本發(fā)明的理想化實(shí)施例的原理圖。這樣，期望由于例如制造工藝或容差的圖例的形狀的改變。因此，本發(fā)明的實(shí)施例不應(yīng)被構(gòu)造為限制于在此說明的區(qū)域的特定形狀，而是包括由于例如制造導(dǎo)致的形狀的偏差。例如，說明為矩形的注入?yún)^(qū)將通常具有圓形的或曲線的特性和/或在其邊緣具有梯度的注入濃度而不是從注入?yún)^(qū)到非注入?yún)^(qū)的二元變化。同樣，通過注入形成的掩埋區(qū)將導(dǎo)致掩埋區(qū)和通過其發(fā)生注入的表面之間的區(qū)域中的某些注入。因此，在附圖中能夠說明的區(qū)域是示意性的，并且它們不意圖說明器件的區(qū)域的準(zhǔn)確形狀并不意圖限制本發(fā)明的范圍。
在此使用的術(shù)語僅是為了描述特定實(shí)施例的目的，并不意在限制本發(fā)明。如在此使用，單數(shù)形式“a”、“an”和“the”也旨在包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚地指明。還應(yīng)該理解，術(shù)語“包括”和/或“包含”當(dāng)在此使用的時(shí)候，指所陳述的特性、整體、步驟、操作、元件和/或組件的存在，但并不包括一個(gè)或多個(gè)其他特性、整體、步驟、操作、元件、組件和/或其組的存在或增加。
除非特別限定，在此使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)具有本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)普通技術(shù)人員所通常理解的相同含義。還應(yīng)理解例如在通常使用的字典中定義的術(shù)語應(yīng)被理解為具有在相關(guān)技術(shù)上下文中一致的含義，并且不以理想化或過度形式化的概念來理解，除非在此明確限定。
首先參照?qǐng)D2，將說明根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器件的平面圖。如在圖2中所述，襯底包括阱接觸區(qū)(well contactregion)和存儲(chǔ)區(qū)。如在此使用，存儲(chǔ)區(qū)指將用于存儲(chǔ)單元的襯底部分。使用例如在襯底上布置接地選擇線54、多個(gè)字線56a和56b、以及行選擇線58來形成存儲(chǔ)區(qū)。接地選擇線54、多個(gè)字線56a和56b、以及行選擇線58交叉由隔離層106b限定的多個(gè)有源區(qū)。在襯底上隔離層106彼此平行對(duì)齊。接地選擇線54的源區(qū)耦合到公共源極線52。
阱接觸區(qū)包括阱接觸60和虛擬柵極線50。阱接觸60配置為將阱偏壓施加到襯底?？尚纬啥鄠€(gè)阱接觸60以減小阻抗。阱接觸60可包括在阱接觸區(qū)上額外形成的柵極圖形，以減小在構(gòu)圖工序期間與在存儲(chǔ)區(qū)上設(shè)置的線52、54、56a和58干擾的可能性，因?yàn)榫€52、54、56a和58之間的間隔通常不等于形成阱接觸60處的間隔。盡管在本發(fā)明的某些實(shí)施例中，虛擬柵極線50可配置為與存儲(chǔ)區(qū)中的多個(gè)字線56a和56b相同的結(jié)構(gòu)，它們不操作為存儲(chǔ)單元。
在本發(fā)明的某些實(shí)施例中，在虛擬柵極線50下面形成開口135，以減少在蝕刻隔離層106b中生成的電荷在浮置柵圖形積累的可能性。將在下面說明制造非易失性存儲(chǔ)器件的方法。
現(xiàn)在參照?qǐng)D3A至11B，將討論說明根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例的制造非易失性存儲(chǔ)器件的方法的處理步驟的截面圖。圖3A至11A是沿圖2的線A-A’所取的截面圖，圖3B至11B是沿圖2的線B-B’所取的截面圖。
如圖3A和3B所示，在襯底100上形成墊(pad)氧化物層102，以及在墊氧化物層102上形成墊氮化物層104。墊氧化物層102和墊氮化物層104用作用于在襯底100中形成溝槽的掩模。
現(xiàn)在參照?qǐng)D4A和4B，在墊氮化物層104上形成光刻膠圖形(未示出)。順序蝕刻墊氮化物層104、墊氧化物層102以及襯底100以在其中形成溝槽。在溝槽中淀積用于溝槽絕緣層的高密度等離子體(HDP)氧化物層之后，執(zhí)行用于平整化其頂表面的化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工序，以形成隔離層106，其限定襯底100的有源區(qū)。
現(xiàn)在參照?qǐng)D5A和5B，選擇性地除去用作蝕刻掩模的墊氧化物層102和墊氮化物層104。在露出的襯底100上形成柵絕緣層108。在本發(fā)明的某些實(shí)施例中，柵絕緣層108可包括熱氧化層。在柵絕緣層10上形成緩沖導(dǎo)電層110。緩沖導(dǎo)電層110可減少在后續(xù)工序中在柵絕緣層108上額外地形成氧化物層的可能性。緩沖導(dǎo)電層110可包括例如導(dǎo)電材料。特別地，在本發(fā)明的某些實(shí)施例中，緩沖導(dǎo)電層110可包括與浮置柵圖形相同的材料，將在下文中說明該浮置柵圖形的形成，使得緩沖導(dǎo)電層110和浮置柵圖形之間的阻抗盡可能的小。
現(xiàn)在參考圖6A和6B，在緩沖導(dǎo)電層110和柵絕緣層108上形成光刻膠圖形(未示出)之后，使用例如蝕刻工序形成開口135。開口135可用作電荷路徑(passway)，使得在隔離層106的隨后蝕刻工序期間生成的電荷不在浮置柵圖形中積累，而是放電到襯底100。在阱接觸區(qū)上提供開口135，使得在隨后工序中形成的虛擬柵極線之下形成該開口135。在本發(fā)明的某些實(shí)施例中，形成開口135使得其寬度等于或小于虛擬柵極線的寬度。
現(xiàn)在參考圖7A和7B，在所得結(jié)構(gòu)上形成浮置柵圖形112，并使用例如化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工序來平整化該浮置柵圖形112，以露出隔離層106的至少部分上表面。浮置柵圖形112可包括例如金屬材料、摻雜的多晶硅等。在開口135中提供浮置柵圖形112，因此浮置柵圖形112通過開口135電耦合到襯底100。
在本發(fā)明的某些實(shí)施例中，可以通過在襯底100上形成柵絕緣層108并構(gòu)圖該柵絕緣層108以形成開口135，來修改上述參照?qǐng)D3A至7B所討論的存儲(chǔ)器件制造中的處理步驟，該開口135露出襯底100的至少部分阱接觸區(qū)。隨后，可在所得結(jié)構(gòu)上形成導(dǎo)電層，然后形成隔離層。
現(xiàn)在參考圖8A和8B，執(zhí)行第一蝕刻工序以除去至少部分隔離層106。在本發(fā)明的某些實(shí)施例中，在第一蝕刻工序之后，隔離層106a的表面可高于在襯底100上形成的柵絕緣層108的上表面?？梢允褂美绺煞ㄎg刻或濕法蝕刻工序來執(zhí)行第一蝕刻工序。
現(xiàn)在參考圖9A和9B，在隔離層106a的剩余部分上執(zhí)行第二蝕刻工序以露出浮置柵圖形112的至少部分側(cè)表面。此時(shí)，具有各向異性蝕刻特性的干法蝕刻工序可用于減少與隔離層106b同時(shí)蝕刻襯底100上的柵絕緣層108的可能性。在本發(fā)明的某些實(shí)施例中，由于在干法蝕刻工序中使用的等離子體而生成的電荷將不在柵極圖形112中積聚，而是通過開口135放電到襯底100。盡管開口135形成在阱接觸區(qū)中，注入存儲(chǔ)區(qū)域的電荷將移動(dòng)到阱接觸區(qū)中的開口135，使得電荷可被放電到襯底100，因?yàn)殡姾哨呌谶x擇最小的路徑。因此，根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例，將不在形成在襯底100上的柵絕緣層108中發(fā)生擊穿現(xiàn)象。
現(xiàn)在參考圖10A和10B，在所得結(jié)構(gòu)上形成介質(zhì)層114和導(dǎo)電層116。介質(zhì)層114可包括例如氧化物-氮化物-氧化物(ONO)層。在導(dǎo)電層116上形成硬掩模層118。硬掩模層118用作用于形成控制柵、介質(zhì)層114和浮置柵圖形112的蝕刻導(dǎo)電層116的蝕刻掩模。
現(xiàn)在參考圖11A和11B，在硬掩模層118上形成光刻膠圖形(未示出)，以及使用由光刻膠構(gòu)圖形成的硬掩模(未示出)將柵絕緣層108上的疊加層116、114、112和110蝕刻至預(yù)設(shè)深度，由此形成虛擬柵極線50、接地選擇線54和多個(gè)字線56a和56b。此時(shí)，柵絕緣層108用作蝕刻阻擋層。在阱接觸區(qū)上形成掩模之后，在存儲(chǔ)區(qū)上執(zhí)行離子注入工序以形成源區(qū)/漏區(qū)140。盡管未在圖中說明，在形成層間絕緣層并形成接觸孔之后，執(zhí)行用于將接地選擇線54的源區(qū)連接到公共源極線52的處理步驟。盡管示為似乎接地選擇線54的浮置柵112a和控制柵116a通過介質(zhì)層114a而彼此分隔，在本發(fā)明的某些實(shí)施例中，浮置柵112a和控制柵116a可以彼此電連接。
如圖所示，開口135穿過緩沖導(dǎo)電層110延伸，以及在形成在阱接觸區(qū)上的虛擬柵極線50之下形成柵絕緣層108，使得虛擬柵極線50通過開口135電連接到襯底100。如上所述，由于虛擬柵極線50不操作為存儲(chǔ)單元，將不會(huì)有操作存儲(chǔ)器件中的問題，即使襯底100電連接到虛擬柵極線50。此外，在襯底100上形成的結(jié)合存儲(chǔ)區(qū)的接地選擇線54和多個(gè)字線56A和56B，通過柵絕緣層108與襯底100電隔離。因此，浮置柵112a操作為存儲(chǔ)單元，其用作數(shù)據(jù)記錄層。
現(xiàn)在參照?qǐng)D12，將討論根據(jù)本發(fā)明的其他實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器件的平面圖。如圖12所示，在隔離層的蝕刻工序期間用作電荷路徑的開口145不形成在虛擬柵極線50’之下，而是形成在虛擬柵極線50’之間的有源區(qū)上。僅僅在隔離層的蝕刻工序期間，開口145用作開口145，此后，其保持作為阱接觸區(qū)的有源區(qū)上的凹陷(concavity)147(圖16B)，而上面參照?qǐng)D3A至11B說明的開口135在完成所有工序之后保持在虛擬柵極線50之下。
現(xiàn)在參照?qǐng)D13A至16B的橫截面，將討論根據(jù)本發(fā)明的其他實(shí)施例的制造非易失性存儲(chǔ)器件的處理步驟。圖13A至16A是沿著圖12的線A-A’所取的截面圖，而圖13B至16B是沿著圖12的線B-B’所取的截面圖。執(zhí)行上述根據(jù)圖3A至5B所述的處理步驟，因此在此將不詳細(xì)討論這些處理步驟的細(xì)節(jié)。具體地，在襯底100’上形成蝕刻掩模，并且構(gòu)圖襯底100’以在其中形成溝槽。此后，在溝槽中形成氧化層以形成隔離層106’。在除去蝕刻掩模之后，在所得結(jié)構(gòu)上形成柵絕緣層108’和緩沖導(dǎo)電層110’，并且構(gòu)圖它們以形成開口145。此時(shí)，在有源區(qū)上形成開口145，除了在虛擬柵極線之下的部分，其將稍候形成。然而，可在虛擬柵極線之下以及在有源區(qū)上同時(shí)形成該開口145。
現(xiàn)在參照?qǐng)D13A和13B，在所得結(jié)構(gòu)上形成浮置柵圖形112’。浮置柵圖形112’包括例如導(dǎo)電材料。此外，浮置柵圖形112’可通過開口145電連接到襯底100’。
現(xiàn)在參照?qǐng)D14A和14B，在蝕刻隔離層106’生成的電荷不在浮置柵圖形112’中積累，而是通過開口145放電到襯底100’。因此，可以減少在柵絕緣層108’中引起擊穿現(xiàn)象的可能性。
現(xiàn)在參照?qǐng)D15A和15B，順序地在所得結(jié)構(gòu)上形成介質(zhì)層114’和導(dǎo)電層116’，然后在導(dǎo)電層116’上形成硬掩模層118’。硬掩模層118’用作用于蝕刻導(dǎo)電層116’、介質(zhì)層114’和浮置柵圖形112’的蝕刻掩模。
現(xiàn)在參照?qǐng)D16A和16B，在硬掩模118’上形成光刻膠圖形(未示出)，并且使用由光刻膠圖形所形成的硬掩模(未示出)蝕刻?hào)沤^緣層108’上的疊加層116’、114’、112’和110’，由此形成虛擬柵極線50’、接地選擇線54’、以及多個(gè)字線56a’和56b’。柵絕緣層108’變?yōu)槿缟纤龅奈g刻阻擋層。然而，由于不在開口上提供柵絕緣層108’，蝕刻合并了阱接觸區(qū)的部分襯底100’，使得部分開口145保留為凹陷147。執(zhí)行離子注入工序以形成源區(qū)/漏區(qū)140’。
根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例，由于在蝕刻隔離層時(shí)生成的電荷不在浮置柵圖形中積累，而是通過開口放電到襯底，可以減少在柵絕緣層中發(fā)生擊穿的可能性。因此，根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例可以提供更加可靠的存儲(chǔ)器件。
在附圖和說明書中，公開了本發(fā)明的典型優(yōu)選實(shí)施例，盡管使用了特定術(shù)語，它們僅以通用的和描述性的意義使用而不是為了限制的目睹，在下面的權(quán)利要求書中闡述本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1.一種制造非易失性存儲(chǔ)器件的方法，該方法包括在襯底上形成隔離層，該襯底具有存儲(chǔ)區(qū)和阱接觸區(qū)，以及隔離層限定襯底的有源區(qū)；在有源區(qū)上形成柵絕緣層；以及構(gòu)圖柵絕緣層以在其中限定開口，該開口露出襯底的至少部分阱接觸區(qū)，并用作在隔離層隨后的蝕刻期間所生成電荷的電荷路徑。
2.如權(quán)利要求1的方法，還包括在柵絕緣層上形成第一導(dǎo)電層；以及選擇性地蝕刻隔離層以露出第一導(dǎo)電層的至少部分側(cè)表面。
3.如權(quán)利要求2的方法，還包括在第一導(dǎo)電層上形成介質(zhì)層；在介質(zhì)層上形成第二導(dǎo)電層；以及構(gòu)圖介質(zhì)層和第一及第二導(dǎo)電層，以在襯底的存儲(chǔ)區(qū)和阱接觸區(qū)上提供層疊的柵電極。
4.如權(quán)利要求3的方法，其中開口在形成在阱接觸區(qū)上的層疊的柵電極之下，并電連接第一導(dǎo)電層和襯底。
5.如權(quán)利要求3的方法，其中開口在形成在阱接觸區(qū)上的層疊的柵電極外側(cè)。
6.如權(quán)利要求2的方法，其中在形成柵絕緣層之后，在柵絕緣層上形成緩沖導(dǎo)電層，并且其中構(gòu)圖還包括構(gòu)圖緩沖導(dǎo)電層以限定柵絕緣層和緩沖導(dǎo)電圖形中的開口。
7.如權(quán)利要求2的方法，其中選擇性地蝕刻包括蝕刻隔離層，直到隔離層的表面基本上與第一導(dǎo)電層的上表面同平面；以及然后蝕刻隔離層，直到露出第一導(dǎo)電層的至少部分側(cè)表面。
8.如權(quán)利要求7的方法，其中蝕刻隔離層直到露出第一導(dǎo)電層的側(cè)表面包括各向異性的干法蝕刻工序。
9.一種制造非易失性存儲(chǔ)器件的方法，該方法包括在襯底上形成柵絕緣層，該襯底具有存儲(chǔ)區(qū)和阱接觸區(qū)；構(gòu)圖柵絕緣層以在其中限定開口，該開口露出襯底的至少部分阱接觸區(qū)；在柵絕緣層上形成第一導(dǎo)電層；在襯底上形成隔離層，該隔離層限定有源區(qū)；以及選擇性地蝕刻隔離層，以露出第一導(dǎo)電層的至少部分側(cè)表面。
10.如權(quán)利要求9的方法，還包括在第一導(dǎo)電層上形成介質(zhì)層；在介質(zhì)層上形成第二導(dǎo)電層；以及構(gòu)圖介質(zhì)層和第一及第二導(dǎo)電層，以在襯底的存儲(chǔ)區(qū)和阱接觸區(qū)上提供層疊的柵電極。
11.如權(quán)利要求10的方法，其中開口在形成在阱接觸區(qū)上的層疊的柵電極之下，并電連接第一導(dǎo)電層和襯底。
12.如權(quán)利要求10的方法，其中開口在形成在阱接觸區(qū)上的層疊的柵電極外側(cè)。
13.如權(quán)利要求9的方法，其中開口用作在隔離層隨后的蝕刻期間所生成電荷的電荷路徑。
14.一種非易失性存儲(chǔ)器件，包括具有存儲(chǔ)區(qū)和阱接觸區(qū)的襯底；襯底上的隔離層，其限定襯底的有源區(qū)；以及襯底上的柵絕緣層，該柵絕緣層在其中限定開口，該開口露出襯底的至少部分阱接觸區(qū)并用作在隔離層隨后的蝕刻期間所生成電荷的電荷路徑。
15.如權(quán)利要求14的存儲(chǔ)器件，還包括柵絕緣層上的第一導(dǎo)電層圖形，該第一導(dǎo)電層圖形具有其露出的至少部分側(cè)表面。
16.如權(quán)利要求15的存儲(chǔ)器件，還包括第一導(dǎo)電層上的介質(zhì)層圖形；以及介質(zhì)層上的第二導(dǎo)電層圖形，該第一導(dǎo)電層圖形、介質(zhì)層圖形和第二導(dǎo)電層圖形在襯底的存儲(chǔ)區(qū)和阱接觸區(qū)上提供層疊的柵電極。
17.如權(quán)利要求16的存儲(chǔ)器件，其中開口在阱接觸區(qū)上的層疊的柵電極之下，并電連接第一導(dǎo)電層和襯底。
18.如權(quán)利要求16的存儲(chǔ)器件，其中開口在阱接觸區(qū)上的層疊的柵電極外側(cè)。
19.如權(quán)利要求15的存儲(chǔ)器件，還包括柵絕緣層和第一導(dǎo)電層圖形之間的柵絕緣層上的緩沖導(dǎo)電層，其中柵絕緣層和緩沖導(dǎo)電層限定開口。
20.如權(quán)利要求15的存儲(chǔ)器件，其中第一導(dǎo)電層通過開口電連接到襯底。
21.一種非易失性存儲(chǔ)器件，包括具有存儲(chǔ)區(qū)和阱接觸區(qū)的襯底；襯底上的柵絕緣層；以及在柵絕緣層上形成的柵電極，該柵電極包括順序?qū)盈B的第一導(dǎo)電層圖形、介質(zhì)層圖形和第二導(dǎo)電層圖形，其中在襯底上形成凹陷，其設(shè)置在形成在阱接觸區(qū)上的層疊的柵電極的外側(cè)。
全文摘要
提供了制造非易失性存儲(chǔ)器件的方法。在襯底上形成隔離層。襯底具有存儲(chǔ)區(qū)和阱接觸區(qū)，以及隔離層限定襯底的有源區(qū)。在有源區(qū)上形成柵絕緣層。構(gòu)圖柵絕緣層以在其中限定開口。該開口露出至少部分襯底的阱接觸區(qū)，并用作在隔離層隨后的蝕刻期間所生成電荷的電荷路徑。還提供了相關(guān)的存儲(chǔ)器件。
文檔編號(hào)H01L27/115GK1855445SQ20061007358
公開日2006年11月1日 申請(qǐng)日期2006年4月13日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月14日
發(fā)明者崔正達(dá), 辛允承, 薛鐘善 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社