專利名稱：用于光刻應(yīng)用的專用測量臺的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光刻曝光系統(tǒng)參數(shù)的測量，更具體地涉及一種用于光刻應(yīng)用的專用測量臺。
背景技術(shù)：
光刻是用于在襯底表面構(gòu)建形貌的工藝。這樣的襯底包括那些在平板顯示器、電路板、各種集成電路等的制造中使用的襯底。對于這樣的應(yīng)用經(jīng)常使用的襯底是半導(dǎo)體晶片。本領(lǐng)域技術(shù)人員會知道這里的說明也適用于其它類型的襯底。
在光刻期間，設(shè)置在晶片臺上的晶片曝露在通過位于光刻系統(tǒng)中的曝光系統(tǒng)投影到晶片表面的圖像中。該曝光系統(tǒng)包括用于投影圖像到晶片上的標線(也稱作掩模)。
該標線通常位于半導(dǎo)體芯片和光源之間，一般安裝在標線臺上。在光刻中，該標線用作例如在半導(dǎo)體芯片上印刷電路的光掩模。光刻光經(jīng)過掩模然后通過一組使圖像縮小的光學(xué)透鏡照射。然后將該小的圖像投影到硅或半導(dǎo)體晶片上。該工藝與照相機使光彎曲以在膠片上形成圖像的原理類似。光在光刻工藝中起到了主要作用。例如，在微處理器制造中，制作更強大微處理器的關(guān)鍵是光的波長。波長越短，就能在硅晶片表面蝕刻越多的晶體管。具有許多晶體管的硅晶片產(chǎn)生更強大的微處理器。
在光刻領(lǐng)域相對共同的問題是需要測量用作光刻曝光的光學(xué)系統(tǒng)的參數(shù)。作為一個通用法則，需要能夠在不使得光刻曝光系統(tǒng)脫機的情況下，和不需要構(gòu)件的拆卸和重新裝配的情況下進行這樣的測量。工業(yè)中現(xiàn)有技術(shù)是在空間允許的程度內(nèi)在晶片臺上放置傳感器。這些傳感器通常位于未被晶片本身占據(jù)的空間內(nèi)，在晶片臺的角落中。
然而，隨著曝光系統(tǒng)復(fù)雜化的增加和曝光波長的減小，以及光學(xué)器件復(fù)雜度的增加，最終用戶需要的不同傳感器的數(shù)量增加了。與此同時，對可用空間存在著嚴重限制。例如，增加晶片臺的尺寸通常是不實際或不希望的，這是由于這樣使臺定位、臺移動復(fù)雜化，且增加了光刻設(shè)備的總尺寸，而這樣增加光刻設(shè)備的總尺寸是有問題的，因為在制造工廠內(nèi)部的超凈室空間是有限的。
因此，需要一種在不影響總的光刻工具尺寸的情況下，能夠進行光刻曝光光學(xué)系統(tǒng)的測量傳感器的定位的方法。

發(fā)明內(nèi)容
在本發(fā)明的一個實施例中，提供了一種包括襯底臺和測量臺的系統(tǒng)。設(shè)置該襯底臺以定位襯底以接收來自光刻系統(tǒng)的曝光部分的曝光束。該測量臺其上具有傳感器系統(tǒng)，設(shè)置所述傳感器系統(tǒng)以檢測曝光系統(tǒng)或曝光束的參數(shù)。
在本發(fā)明的另一實施例中，該系統(tǒng)位于光刻系統(tǒng)中，該光刻系統(tǒng)進一步包括照明系統(tǒng)、構(gòu)圖裝置和投影系統(tǒng)。該構(gòu)圖裝置構(gòu)圖來自照明系統(tǒng)的輻射束。位于曝光部分內(nèi)的投影系統(tǒng)投影構(gòu)圖束到襯底或傳感器系統(tǒng)上。
在本發(fā)明的另一實施例中，提供了一種測量光刻系統(tǒng)的曝光部分的光學(xué)參數(shù)的方法，包括以下步驟。從曝光部分的光軸處移開襯底臺。移動測量臺以在光軸中定位傳感器。測量曝光系統(tǒng)的光學(xué)參數(shù)。
本發(fā)明另外的特點和優(yōu)點將在下面的說明書中描述，并且一部分特點和優(yōu)點在說明書中是顯而易見的，或者可以通過本發(fā)明的實踐了解。通過在說明書和權(quán)利要求書以及附圖中的結(jié)構(gòu)和特定描述，將實現(xiàn)和達到本發(fā)明的優(yōu)點。應(yīng)當理解的是前面的一般性描述和下面的詳細描述都是示例性的，用于對所要求保護的本發(fā)明提供進一步解釋。


這里引入附圖并形成說明書的一部分，與說明書一起說明本發(fā)明的一個或多個實施例，進一步用作解釋本發(fā)明的原理并使得本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠制造和使用本發(fā)明。
圖1說明根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的測量臺。
圖2示意性地說明根據(jù)本發(fā)明一個實施例的使用測量臺的示例性光刻系統(tǒng)。
圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例能夠在圖2的系統(tǒng)中使用的示例性偏振傳感器。
圖4示出了在測量臺上的傳感器的示例性排列。
圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，在傳感器中的變跡傳感器。
圖6和7示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，在傳感器中的散射光傳感器。
現(xiàn)在參考附圖描述本發(fā)明的一個或多個實施例。在附圖中，相同的附圖標記表示相同或功能類似的元件。另外，附圖標記最左邊的數(shù)字表示該附圖標記第一次出現(xiàn)的附圖。
具體實施例方式
圖1描述了本發(fā)明的一個實施例。圖1中示出的是曝光設(shè)備的襯底操作裝置102的等比例的三維圖(為了清楚，在圖1中未示出曝光裝置的其余部分，如投影光學(xué)系統(tǒng)、標線臺、照明光源等，但是請參考以下關(guān)于圖2的討論)。襯底操作裝置102具有框架104，在圖1中示出了它的一部分。機器臂108或類似裝置是用于將襯底112移入和移出襯底操作裝置102。在這種情況下，標記為106A和106B的兩個襯底臺位于襯底操作裝置102內(nèi)。襯底臺106A、106B其上具有襯底112A、112B。在另一示例中，被曝光的襯底可以是半導(dǎo)體晶片或平板顯示器(FPD)襯底。襯底臺106A、106B的典型尺寸稍微大于襯底112自身的尺寸。對于現(xiàn)在技術(shù)發(fā)展水平的12英寸直徑的襯底，襯底臺可以大約是正方形并且在約13-14英寸的尺寸量級。在雙襯底臺系統(tǒng)中，襯底臺的其中一個一般用于曝光，而另一個用于測量曝光結(jié)果(例如，測量加工后襯底表面高度等)。
每個襯底臺106A、106B具有相應(yīng)的用于移動襯底臺106A、106B的致動系統(tǒng)110A、110B。襯底臺106A、106B可以具有安裝在其上的相應(yīng)的傳感器，對于襯底臺106A分配有124A-130A，對于襯底臺106B分配有124B-130B。在一個例子中，由于襯底112通常在襯底臺106的中心，所以傳感器124-130的位置在襯底臺106的角中。
同樣圖1中示出了測量臺116，其包括用于光學(xué)參數(shù)測量的傳感器140A、140B、140C和140D?？梢岳斫怆m然測量臺116的總尺寸一般比襯底臺106的尺寸小，但在測量臺116上的傳感器140數(shù)量并沒有特別的限制。
在一個示例中，由于多種原因設(shè)置在襯底臺106上的傳感器124-130的垂直尺寸會受到限制。例如，襯底臺106的最小高度和投影光學(xué)系統(tǒng)的最低元件的位置(圖中沒有示出)會限制襯底臺106上的傳感器124-130的垂直尺寸。在一個例子中，關(guān)于測量臺116，由于測量臺116可以比襯底臺106更“薄”，傳感器140可以比傳感器124-130更“高”。同樣，在一個例子中，襯底臺106可以在X-Y(水平)方向上更小，(例如“角”可以被“切除”，產(chǎn)生比圖1中示出的基本正方形的形狀更小的襯底臺的“臺面面積”)，實現(xiàn)空間節(jié)省。
圖2示意性地說明了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的示例光刻系統(tǒng)200，其使用光刻臺116。如圖2中所示，該光刻系統(tǒng)200(在側(cè)視圖中示出)包括光源(照明光源)210，如激光或燈，照明光學(xué)系統(tǒng)212(例如會聚透鏡)，和構(gòu)圖裝置(例如標線、掩模、空間光調(diào)制器等，在下文中會使用標線)214，其通常安裝在構(gòu)圖裝置臺(未示出)上。注意，標線214可以是其上具有曝光圖案的板。在另一示例中，標線可以用動態(tài)構(gòu)圖裝置代替，如在非掩模光刻中使用的可編程元件陣列或空間光調(diào)制陣列。使用投影光學(xué)系統(tǒng)216把來自標線214的光成像到襯底112上。襯底112安裝在襯底臺106(兩個襯底臺的僅其中一個在這個圖中示出，本發(fā)明并不局限于任何具體數(shù)量的襯底臺)上。圖2中還示出了外殼104(其可以封閉襯底臺106和測量臺116，或可以封閉在圖中示出的其它元件)。
在一個實例中，傳感器140(見圖1)可以包括偏振傳感器，其對于投影光學(xué)系統(tǒng)隨時間變化的偏振(絕對的和相對的)屬性的測量非常有用。偏振傳感器是一個其中安裝具有基本高度的傳感器的能力變得非常重要的傳感器。
圖3示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的示例性的可用在圖2的系統(tǒng)中的偏振傳感器。該偏振傳感器包括四分之一波片302，準直透鏡304、偏振器306、檢測器308和旋轉(zhuǎn)四分之一波片302的機械裝置。
偏振器(檢偏器)306位于投影光學(xué)系統(tǒng)216下面并定位在光路上。偏振器306傳遞一個特殊偏振的入射光，所述特殊偏振的入射光隨后能在測量臺116上測量。偏振器的例子可以是這樣的光學(xué)元件如偏振板、偏振束分裂器等。這樣的光學(xué)元件經(jīng)常是相對體積密集型的，例如，在幾個立方厘米的數(shù)量級。并且，這樣的光學(xué)元件在角范圍內(nèi)通常非常受限制(即對入射角來說)，通常在小于1度的量級，經(jīng)?；拘∮?度。與此同時，投影光學(xué)系統(tǒng)216一般是高數(shù)值孔徑的透鏡或一組透鏡，其對于光學(xué)元件(如偏振束分裂器)的非常小的角度范圍是不匹配的。
在一個示例中，為了使用這樣的偏振器306，需要適當?shù)爻尚问?。在一個實例中，通過準直透鏡304(或透鏡組)進行這樣的成形。該準直透鏡304的小型化是相對困難的，并且通常有幾個立方厘米的體積。并且，經(jīng)常需要不僅僅測量一個偏振，而是測量一個范圍內(nèi)的偏振。為了實現(xiàn)這個目的，在一個示例中需要旋轉(zhuǎn)整個偏振傳感器，而在另一示例中四分之一波片302可以插入到束徑中(例如在準直透鏡304和投影光學(xué)系統(tǒng)216之間)，然后被旋轉(zhuǎn)以選擇適當?shù)钠瘛６ㄎ粰z測器308，例如電荷耦合裝置(CCD)陣列(或光電二極管)，以使得檢測器308位于正確的焦距處并對準在X-Y平面上(注意這是成像測量，正確地定位檢測器很重要)。
從以上描述可以看出整個偏振傳感器占據(jù)了相對大的體積，所述整個偏振傳感器包括四分之一波片302、準直透鏡304、偏振器306、CCD陣列308和用于旋轉(zhuǎn)四分之一波片302的機械裝置。例如，該體積可以在幾立方厘米的量級，其為光刻工具的設(shè)計者給出了“狹窄”的尺寸，如果它們需要安裝在傳統(tǒng)襯底臺上的話，使用這樣的偏振傳感器是不實際的。然而，由于測量臺116可制得較薄，在上述示例中的偏振傳感器可以安裝在測量臺116上。
圖5示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的在傳感器140中的變跡傳感器502。變跡傳感器502測量作為在XY平面(像平面)中相對于到光軸的距離的函數(shù)的曝光束強度。這也是成像測量。變跡傳感器502是傳感器的另一示例，其中垂直高度的要求使得在傳統(tǒng)襯底臺上安裝這樣的傳感器不切實際。在一個示例中，變跡傳感器502包括“看”到投影光學(xué)系統(tǒng)216的光瞳的CCD陣列504。通常，該CCD陣列504需要與投影光學(xué)系統(tǒng)216的光瞳光學(xué)共軛。這需要在電荷耦合器件504和投影光學(xué)系統(tǒng)216之間使用中繼透鏡506。在一個示例中，中繼透鏡504具有幾毫米或甚至幾個厘米數(shù)量級的尺寸。因此，在傳統(tǒng)襯底臺上安裝這樣的變跡傳感器502極其困難。
在一個示例中，用于變跡傳感器502的CCD陣列504測量在像平面中的光強度作為(X，Y)的函數(shù)并且至少在像平面中曝光區(qū)域的尺寸。在一個示例中，曝光區(qū)域是幾十個毫米乘以幾個毫米尺寸，和約26毫米乘以10毫米的數(shù)量級尺寸(雖然在技術(shù)發(fā)展水平上光刻工具中曝光區(qū)域通常隨著時間的推移增加)。因此，CCD陣列504尺寸上至少與曝光區(qū)域一樣大，或比曝光區(qū)域稍大。
在一個示例中，可以使用變跡傳感器502以驗證系統(tǒng)的數(shù)值孔徑。最終用戶可能希望這樣的測量以確認系統(tǒng)如規(guī)定的那樣工作，即如“所通知的那樣”工作。應(yīng)當注意到與許多其它需要更頻繁地進行的測量相比，數(shù)字孔徑測量是一次(或至多是相對少)測量。
圖4示出了在測量臺(由頂視圖和側(cè)視圖示出)上的傳感器的示例性排列。在這種情況下，在柵格圖案排列中示出了9個傳感器140A-140I。上述或下面討論的傳感器中的任意一個傳感器可以是具有上述排列和結(jié)構(gòu)的這9個傳感器140A-140I中的一個，為了方便這里未示出。
在一個示例中，如果縫隙用在光刻光學(xué)器件中，傳感器140A-140I可以包括傳感器以測量縫隙均勻性。這是照明光源質(zhì)量的測量。如上所述的典型高端光刻系統(tǒng)曝光襯底上幾十毫米乘以幾毫米尺寸的區(qū)域(取決于光刻系統(tǒng)的制造商)，例如，約26毫米乘以10毫米。為了命名的目的，該26毫米尺寸通常被稱為“X”，10毫米尺寸通常稱為“Y”。理想地，光學(xué)系統(tǒng)能夠成像一個完美的“矩形”，在整個所述矩形內(nèi)具有均勻的強度分布。設(shè)計縫隙均勻性傳感器以測量成像的“均勻矩形”是否真的均勻，如果不是，它偏離均勻多遠。這也可以例如通過使用集成的在Y方向掃描的精密光電二極管實現(xiàn)。該光電二極管“在它的頂部”具有小孔或縫隙，以限制到達光電二極管的光量。
也應(yīng)當注意電荷耦合器件通常不用于這個目的，這是因為大部分CCD隨著時間的過去出現(xiàn)偏差。由于精確地將來自光電二極管的電壓與由光阻所接收的光量相關(guān)非常重要，所以在縫隙均勻性測量中最重要的是強度的絕對值(另外相對強度是X，Y距離的函數(shù))。還注意到使用精密光電二極管可以具有更好的信噪比。通過移動光電二極管或通過使用縫隙的積分，所述光電二極管提供了在Y方向所接收光的積分。
在一個示例中，傳感器140A-140I可以包括波前傳感器以測量波前圖像的質(zhì)量以及任何像差。這樣的波前傳感器的一個示例是測量波前質(zhì)量的ILIAS傳感器(直列式透鏡干涉計系統(tǒng))。應(yīng)當注意雖然ILIAS傳感器在過去已經(jīng)使用了，但是在傳統(tǒng)系統(tǒng)中這樣傳感器的一個問題是由于缺少用于中繼透鏡或準直透鏡的空間，因此需要測量“遠場”。如上所述，ILIAS傳感器可以包括這樣的中繼和/或準直透鏡以基本改善ILIAS傳感器的性能，以及由此改善像差和波前的質(zhì)量的測量。
在一個示例中，傳感器140A-140I可以包括傳感器以測量圖像對比度。對比度傳感器測量像平面中 數(shù)量。執(zhí)行該對比度傳感器的一個方法是在標線上具有縫隙，設(shè)置該縫隙使其具有一定的節(jié)距。在像平面中可以使用一個光檢測器或每節(jié)距一個單個光檢測器。通過完全的對比度，在標線中的縫隙(在物平面中)會在像平面中形成“光線”以及在所述光線外部的完全黑暗的區(qū)域。實際上，這可能不能實現(xiàn)，即使在“黑暗區(qū)域”總會測量到一些信號。對比度傳感器因此在明亮區(qū)域和黑暗區(qū)域之間提供相對強度的測量。
圖6和7示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的在傳感器140A-140I中的散射光傳感器602。圖7示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的傳感器602的板部分706的另一實施例。傳感器602可以測量散射光(其可能造成光學(xué)系統(tǒng)的污染)。散射光傳感器602主要測量在像平面中作為離光軸的徑向距離的函數(shù)的強度。在一個示例中，這通過在物平面中創(chuàng)建點源(point source)而進行，換句話說，標線用作點源，而不是作為用作曝光的掩模。理想地，點源成像為像平面中的一個點。散射光傳感器602也可以包括具有阻擋來自點源的光的鉻608(或其它金屬)的透射玻璃板606。玻璃板606定位在像平面中。例如，作為光檢測器或CCD陣列的檢測器604定位在玻璃板下面。檢測器也可以是集成光電二極管。
在圖7中示出的示例中，除了具有鉻708阻擋來自點源的光的中心部分之外，環(huán)狀的環(huán)710打開，玻璃板706的其余部分也被鉻或金屬708覆蓋。因此，傳感器602測量從光軸一定距離r(即I(r))處接收的光量，其在點源被阻擋的情況下表示散射光?？梢允褂镁哂胁煌霃降沫h(huán)的不同玻璃板以“單步調(diào)試”各種距離r。可以理解在物平面中的源、檢測器和阻擋元件(像玻璃板)的其它分布是可能的。
在一個示例中，傳感器140A-140I可以包括聚焦傳感器，以檢測在垂直方向上聚焦(圖像)平面的位置。該聚焦傳感器一般是初始設(shè)置在所希望的聚焦位置處的光電二極管并測量光強。然后在三個自由度上(X，Y和Z)移動光電二極管以定位最大值，然后移動到聚焦的位置。
在一個實例中，傳感器140A-140I可以包括傳感器以測量標線的對準，與聚焦傳感器(為了在對準點處找到最大強度)類似的方式工作。
結(jié)論雖然以上描述了本發(fā)明的多個實施例，但應(yīng)當理解的是它們僅僅是以例子而不是限制的形式給出的。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當清楚在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以做出形式和細節(jié)上的多種改變。因此，本發(fā)明的寬度和范圍不應(yīng)該局限于上述的示例性實施例，而是應(yīng)該僅根據(jù)下面的權(quán)利要求和它們的等價物限定。
應(yīng)當理解的是具體實施例部分而不是概述和摘要部分來用于解釋權(quán)利要求。概述和摘要部分可以說明一個或多個，但不是由發(fā)明者期望的本發(fā)明的全部示例實施例，因此總之并不傾向于限制本發(fā)明和所附權(quán)利要求書。
權(quán)利要求
1.一種系統(tǒng)，包括襯底臺，設(shè)置所述襯底臺用于定位襯底以接收來自光刻系統(tǒng)的曝光部分的曝光束；和其上具有傳感器系統(tǒng)的測量臺，設(shè)置所述傳感器系統(tǒng)以檢測曝光系統(tǒng)或曝光束的參數(shù)，其中所述傳感器系統(tǒng)包括散射光傳感器、縫隙均勻傳感器、相對偏振傳感器、變跡傳感器、絕對偏振傳感器、圖像質(zhì)量傳感器或波前像差傳感器。
2.如權(quán)利要求1的裝置，其中偏振傳感器包括四分之一波片；準直透鏡；偏振器；和電荷耦合器件陣列。
3.如權(quán)利要求1的裝置，其中變跡傳感器包括在曝光光學(xué)系統(tǒng)下的中繼透鏡；和與曝光光學(xué)系統(tǒng)的光瞳光學(xué)共軛的電荷耦合器件陣列。
4.如權(quán)利要求1的裝置，其中散射光傳感器包括其上具有吸收涂層的板，其中所述涂層形成環(huán)狀透射區(qū)；和用于感測穿過所述環(huán)狀透射區(qū)的光的光電檢測器。
5.如權(quán)利要求1的裝置，進一步包括第二襯底臺，設(shè)置所述第二襯底臺用于定位第二襯底以接收來自光刻系統(tǒng)的曝光部分的曝光束。
6.如權(quán)利要求1的裝置，其中測量臺比襯底的直徑小。
7.一種光刻系統(tǒng)，包括產(chǎn)生輻射束的照明系統(tǒng)；構(gòu)圖該輻射束的構(gòu)圖裝置；將構(gòu)圖束投影到襯底上的投影系統(tǒng)；被設(shè)置成用于定位襯底以接收構(gòu)圖束的襯底臺；和其上具有傳感器系統(tǒng)的測量臺，設(shè)置所述傳感器系統(tǒng)以檢測投影系統(tǒng)或構(gòu)圖束的參數(shù)，其中所述傳感器系統(tǒng)包括散射光傳感器、縫隙均勻傳感器、相對偏振傳感器、變跡傳感器、絕對偏振傳感器、圖像質(zhì)量傳感器或波前像差傳感器。
8.如權(quán)利要求7的系統(tǒng)，進一步包括第二襯底臺，設(shè)置所述第二襯底臺用于定位第二襯底以接收構(gòu)圖束。
9.如權(quán)利要求7的系統(tǒng)，其中測量臺比襯底的直徑小。
10.如權(quán)利要求7的系統(tǒng)，其中偏振傳感器包括四分之一波片；準直透鏡；偏振器；和電荷耦合器件陣列。
11.如權(quán)利要求7的系統(tǒng)，其中變跡傳感器包括在投影光學(xué)系統(tǒng)下的中繼透鏡；和與投影光學(xué)系統(tǒng)的光瞳光學(xué)共軛的電荷耦合器件。
12.如權(quán)利要求7的系統(tǒng)，其中散射光傳感器包括其上具有吸收涂層的板，其中所述涂層形成環(huán)狀透射區(qū)；和用于感測穿過所述環(huán)狀透射區(qū)的光的光電檢測器。
13.一種測量光刻系統(tǒng)的曝光部分的光學(xué)參數(shù)的方法，該方法包括把襯底臺從曝光部分的光軸移出；移動測量臺以定位在光軸上的傳感器；和測量來自曝光系統(tǒng)的光的光學(xué)參數(shù)，該光學(xué)參數(shù)包括散射光、變跡、縫隙均勻度、相對偏振、絕對偏振傳感器、圖像質(zhì)量或波前像差。
14.如權(quán)利要求13的方法，其中偏振測量包括經(jīng)過四分之一波片、準直透鏡、偏振器將來自曝光系統(tǒng)的光傳輸?shù)诫姾神詈掀骷嚵猩稀?br> 15.如權(quán)利要求13的方法，其中變跡測量包括經(jīng)過中繼透鏡將來自曝光系統(tǒng)的光傳輸?shù)脚c投影光學(xué)系統(tǒng)的光瞳共軛的電荷耦合器件上。
16.如權(quán)利要求13的方法，其中散射光測量包括經(jīng)過其上具有吸收涂層的板將來自曝光系統(tǒng)的光傳輸?shù)接糜诟袦y穿過環(huán)狀透射區(qū)的光的光檢測器上，其中所述涂層形成環(huán)狀透射區(qū)。
全文摘要
用于檢測關(guān)于曝光部分或曝光束的參數(shù)的系統(tǒng)和方法。該系統(tǒng)包括襯底臺和測量臺。設(shè)置該襯底臺以定位襯底以接收來自光刻系統(tǒng)曝光部分的曝光束。測量臺具有設(shè)置成檢測曝光系統(tǒng)或曝光束的參數(shù)的傳感器系統(tǒng)。在一個示例中，該系統(tǒng)位于光刻系統(tǒng)內(nèi)，其進一步包括照明系統(tǒng)、構(gòu)圖裝置和投影系統(tǒng)。該構(gòu)圖裝置構(gòu)圖來自照明系統(tǒng)的輻射束。位于曝光部分內(nèi)的該投影系統(tǒng)將該構(gòu)圖束投影到襯底或傳感器系統(tǒng)。
文檔編號H01L21/027GK1841207SQ200610071179
公開日2006年10月4日 申請日期2006年3月2日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月3日
發(fā)明者M·A·范德科克霍夫, H·P·C·沃斯 申請人:Asml荷蘭有限公司