專利名稱：電子器件用基板及其制造方法、顯示裝置以及電子機(jī)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電子器件用基板、電子器件用基板的制造方法、顯示裝置以及電子機(jī)器。
背景技術(shù)：
例如，在有源矩陣驅(qū)動方式的顯示裝置中，與各個開關(guān)元件對應(yīng)，分別將像素電極經(jīng)由層間絕緣膜而設(shè)置在它們的上方。
這些像素電極，通過設(shè)置在接觸孔內(nèi)的連接部，從而與開關(guān)元件的端部電連接。
作為這樣的像素電極與連接部之間的形成方法，例如專利文獻(xiàn)1中，公開了一種通過對由噴濺法(氣相工藝)所形成的透明導(dǎo)電膜進(jìn)行蝕刻，從而一體化形成的方法。
然而，通過這樣的氣相工藝所形成的透明導(dǎo)電膜，使在維持一定厚度了的狀態(tài)下形成的。因此，如圖16所示，即使在按照到達(dá)端子503的方式所設(shè)置的接觸孔501的內(nèi)部，因形成膜狀，因此在接觸孔501的內(nèi)側(cè)也會殘存空間502。
即，接觸孔501成為未被連接部510填充而是有空穴殘存的狀態(tài)。
具備這樣的開關(guān)元件的顯示裝置，例如在應(yīng)用于透射型液晶顯示裝置的情況下，雖然按照將像素電極(連接部510)以及層間絕緣膜504覆蓋的方式形成定向膜，但在該定向膜中也會在與接觸孔501對應(yīng)的部分形成凹部。
在這樣的狀態(tài)下，若給定向膜施以摩擦處理，則因摩擦而產(chǎn)生的定向膜的殘片(碎片)會留在(進(jìn)入)凹部。這樣，存在的問題在于，在存在破片的部分，液晶層的定向性降低，在液晶顯示裝置中會產(chǎn)生顯示不均。
另外，在應(yīng)用于具備微膠囊的電泳裝置的情況下，因存在空間502，故會擔(dān)心有微膠囊中產(chǎn)生變形，仍然產(chǎn)生顯示不均。
專利文獻(xiàn)1特開平8-263016號公報發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于，能夠提供一種例如在顯示裝置中，可降低顯示不均的電子器件用基板、該電子器件用基板的制造方法、具備該電子器件用基板的顯示裝置以及可靠性高的電子機(jī)器。
這樣的目的通過下述本發(fā)明實(shí)現(xiàn)。
本發(fā)明的電子器件用基板，其特征在于，具備基板；開關(guān)元件，其被設(shè)置在該基板上；層間絕緣膜，其將該開關(guān)元件覆蓋，并設(shè)置有到達(dá)所述開關(guān)元件的端子的接觸孔；像素電極，其被設(shè)置在所述層間絕緣膜上；和電連接部，其由與該像素電極連續(xù)并在所述接觸孔的內(nèi)面以及所述端子的表面通過氣相工藝形成的導(dǎo)電膜、和按照埋入所述接觸孔的所述導(dǎo)電膜內(nèi)側(cè)的空間的方式被填充的填充材料所構(gòu)成。
這樣，例如在應(yīng)用于顯示裝置中的情況下，能夠確切地得到能夠降低顯示不均的電子器件用基板。
在本發(fā)明的電子器件用基板中，上述填充材料，優(yōu)選通過液相工藝填充。
這樣，能夠比較容易且確切地按照埋入在空間內(nèi)的方式填充填充材料。
在本發(fā)明的電子器件用基板中，優(yōu)選上述電連接部的與上述基板相反側(cè)的面、和上述像素電極的與上述基板相反側(cè)的面，由連續(xù)的平滑面構(gòu)成。
這樣，例如在應(yīng)用于顯示裝置的情況下，能夠確切地得到確切地防止產(chǎn)生顯示不均的電子基板用基板。
在本發(fā)明的電子器件用基板中，優(yōu)選上述電連接部的導(dǎo)電膜與上述像素電極的至少一部分，形成一體化。
在本發(fā)明的電子器件用基板中，優(yōu)選上述像素電極，具有透光性。
這樣，能夠?qū)⒈景l(fā)明的電子器件用基板應(yīng)用于向像素電極請求透光性的透射型液晶顯示裝置這樣的顯示裝置。
在本發(fā)明的電子器件用基板中，優(yōu)選上述填充材料，以導(dǎo)電性材料為主要成分。
這樣，即使在具有向像素電極供給填充材料的部分的情況下，也能夠適當(dāng)抑制或者防止像素電極的電阻值變高。
在本發(fā)明的電子器件用基板中，優(yōu)選上述填充材料，以透明導(dǎo)電性材料為主要成分。
這樣，即使在具備向像素電極供給填充材料的部分的情況下，也能夠適當(dāng)抑制或者防止像素電極的電阻值變高，同時使像素電極確切地具有透光性。
在本發(fā)明的電子器件用基板中，優(yōu)選上述像素電極，具備向與上述基板的相反側(cè)，供給上述填充材料而成的部分。
本發(fā)明的電子器件用基板的制造方法，是制造本發(fā)明的電子器件用基板的方法，其特征在于，具有準(zhǔn)備具備上述開關(guān)元件和上述層間絕緣膜的上述基板的工序；在上述層間絕緣膜中形成上述接觸孔的工序；通過氣相工藝供給導(dǎo)電性材料，在包含形成上述像素電極和上述電連接部的形成區(qū)域在內(nèi)的區(qū)域，形成導(dǎo)電性材料層的工序；在上述接觸孔的上述導(dǎo)電性材料層內(nèi)側(cè)的空間，通過液相工藝選擇性地填充填充材料的工序；通過液相工藝供給掩模形成用材料，形成與上述形成區(qū)域?qū)?yīng)的形狀的掩模的工序；和采用該掩模，將上述導(dǎo)電性材料層的無用部分去除，得到上述像素電極、和上述電連接部的工序。
這樣，便能夠制造一種本發(fā)明的電子器件用基板。
在本發(fā)明的電子器件用基板的制造方法中，優(yōu)選在填充上述填充材料的工序之前，具有在上述導(dǎo)電性材料層的與上述基板相反側(cè)的面，施以使對于在填充上述填充材料之間所采用的液狀材料的疏液性提高的處理的工序。
這樣，在填充填充材料的工序中，能夠選擇性地將填充材料填充在空間內(nèi)。
在本發(fā)明的電子器件用基板的制造方法中，在形成上述掩模的工序之前，具有在上述導(dǎo)電性材料層的與上述基板相反側(cè)的面的除上述形成區(qū)域外的區(qū)域，施以使對于上述掩模形成用材料的疏液性提高的處理的工序。
這樣，在形成掩模的工序中，能夠在上述形成區(qū)域選擇性地形成掩模。
本發(fā)明的電子器件用基板的制造方法，是一種制造本發(fā)明的電子器件用基板的方法，其特征在于，具有準(zhǔn)備具備上述開關(guān)元件和上述層間絕緣膜的上述基板的工序；在上述層間絕緣膜中形成上述接觸孔的工序；通過氣相工藝供給導(dǎo)電性材料，在包含形成上述像素電極和上述電連接部的形成區(qū)域在內(nèi)的區(qū)域，形成導(dǎo)電性材料層的工序；通過液相工藝供給上述填充材料，在上述導(dǎo)電性材料上形成與上述形成區(qū)域?qū)?yīng)的形狀的填充材料層的工序；和采用掩模作為該填充材料層，將上述導(dǎo)電性材料層的無用部分去除，同時將該填充材料層的無用部分去除，得到上述像素電極和上述電連接部的工序。
這樣，便能夠制造本發(fā)明的電子器件用基板。
在本發(fā)明的電子器件用基板的制造方法，在形成上述填充材料層的工序之前，在上述導(dǎo)電性材料層的與上述基板相反側(cè)的面的除上述形成區(qū)域外的區(qū)域，施以使對于在供給上述填充材料之際采用的液狀材料的疏液性提高的處理的工序。
這樣，在形成填充材料層的工序中，能夠在上述形成區(qū)域中選擇性地形成填充材料層。
本發(fā)明的電子器件用基板的制造方法，是制造本發(fā)明的電子器件用基板的方法，其特征在于，具有準(zhǔn)備具備上述開關(guān)元件和上述層間絕緣膜的上述基板的工序；在上述層間絕緣膜中形成上述接觸孔的工序；通過氣相工藝供給導(dǎo)電性材料，在包含形成上述像素電極和上述電連接部的形成區(qū)域在內(nèi)的區(qū)域，形成導(dǎo)電性材料層的工序；通過液相工藝供給上述填充材料，在上述導(dǎo)電性材料層上形成填充材料層的工序；
通過液相工藝供給掩模形成用材料，形成與上述形成區(qū)域?qū)?yīng)的形狀的掩模的工序；和采用掩模，將上述填充材料層以及上述導(dǎo)電性材料層的無用部分統(tǒng)一去除，得到上述像素電極、和上述電連接部的工序。
這樣，便能夠制造本發(fā)明的電子器件用基板。
在本發(fā)明的電子器件用基板的制造方法中，在形成上述掩模的工序之前，具有在上述填充材料層的與上述基板相反側(cè)的面的除上述形成區(qū)域外的區(qū)域，施以使對于上述掩模形成用材料的疏液性提高的處理的工序。
這樣，在形成掩模的工序中，能夠在上述形成區(qū)域中選擇性地形成掩模。
本發(fā)明的顯示裝置，其特征在于，具備本發(fā)明的電子器件用基板。
這樣，能夠得到降低產(chǎn)生顯示不均的顯示裝置。
本發(fā)明的電子機(jī)器，其特征在于，具備本發(fā)明的顯示裝置。
這樣，得到可靠性高的電子機(jī)器。


圖1為表示將本發(fā)明的顯示裝置應(yīng)用于透射性液晶顯示裝置的情況下的實(shí)施方式的分解立體圖。
圖2為如圖1所示的透射型液晶顯示裝置的薄膜晶體管附近的放大縱剖涂。
圖3為在如圖2所示的薄膜晶體管中設(shè)置的電連接部附近的放大縱剖涂，(A)為表示電連接部的第1構(gòu)成的圖，(B)為表示電連接部的第2構(gòu)成的圖。
圖4為表示薄膜晶體管的形成方法的適當(dāng)?shù)膶?shí)施方式的剖面圖。
圖5為表示薄膜晶體管的形成方法的適當(dāng)?shù)膶?shí)施方式的剖面圖。
圖6為用于說明本發(fā)明的電子器件用基板的制造方法的第1實(shí)施方式的示意圖(縱剖圖)。
圖7為用于說明本發(fā)明的電子器件用基板的制造方法的第1實(shí)施方式的示意圖(縱剖圖)。
圖8為用于說明本發(fā)明的電子器件用基板的制造方法的第2實(shí)施方式的示意圖(縱剖圖)。
圖9為用于說明本發(fā)明的電子器件用基板的制造方法的第2實(shí)施方式的示意圖(縱剖圖)。
圖10為用于說明本發(fā)明的電子器件用基板的制造方法的第3實(shí)施方式的示意圖(縱剖圖)。
圖11為用于說明本發(fā)明的電子器件用基板的制造方法的第3實(shí)施方式的示意圖(縱剖圖)。
圖12為用于說明本發(fā)明的電子器件用基板的制造方法的第3實(shí)施方式的示意圖(縱剖圖)。
圖13為表示應(yīng)用本發(fā)明的電子機(jī)器的移動型(或者筆記本型)個人計算機(jī)的構(gòu)成的立體圖。
圖14為表示應(yīng)用本發(fā)明的電子機(jī)器的便攜式電話機(jī)(還包含PHS)的構(gòu)成的立體圖。
圖15為表示應(yīng)用本發(fā)明的電子機(jī)器的數(shù)字靜態(tài)相機(jī)的構(gòu)成的立體圖。
圖16為表示根據(jù)以往的方法所形成的連接部的示意圖。
圖中1-薄膜晶體管，10-液晶顯示裝置，20-液晶面板，220-第1基板，221-上面，223-像素電極，224-信號線，225-偏光板，228-掃描線，230-第2基板，231-下面，232-對置電極，233-有色層，234-黑矩陣，235-偏光板，240-液晶層，60-背光燈，314-半導(dǎo)體層(多結(jié)晶硅膜)，316-源極區(qū)域，318-漏極區(qū)域，320-溝道區(qū)域，326-柵極絕緣膜，328-第1接觸孔，329-第1接觸孔，342-絕緣層，344-第2接觸孔，345-第2接觸孔，346-第2接觸孔，350-接觸栓塞，351-柵電極，352-導(dǎo)電部，353-接觸栓塞，354-導(dǎo)電部，355-接觸栓塞，356-導(dǎo)電部，360-層間絕緣膜(鈍化膜)，361-接觸孔，362-空間，370-電連接部，371-導(dǎo)電膜，371’-導(dǎo)電性材料層，372-填充材料，372’-填充材料層，373-疏液膜，374-掩模，1100-個人計算機(jī)，1102-鍵盤，1104-主體部，1106-顯示單元，1200-便攜式電話機(jī)，1202-操作鍵，1204-聽話口，1206-傳話口，1300-數(shù)字靜態(tài)相機(jī)，1302-殼子(機(jī)身)，1304-接受單元，1306-快門鍵，1308-電路基板，1312-視頻信號輸出端子，1314-數(shù)據(jù)通信用的輸入輸出端子，1430-電視監(jiān)視器，1440-個兒計算機(jī)，501-接觸孔，502-空間，503-端子，504-層鍵絕緣膜，510-連接部。
具體實(shí)施例方式
以下，關(guān)于本發(fā)明的電子器件用基板、電子器件用基板的制造方法、顯示裝置以及電子機(jī)器，參照附圖詳細(xì)說明(透射型液晶顯示裝置的構(gòu)成)圖1，為表示將本發(fā)明的顯示裝置應(yīng)用于透射型液晶顯示裝置的情況下的實(shí)施方式的分解立體圖。圖2，為如圖1所示的透射型液晶顯示裝置的薄膜晶體管附近的放大縱剖圖。圖3，為在如圖2所示的薄膜晶體管中設(shè)置的電連接部附近的放大縱剖圖，(A)表示電連接部的第1構(gòu)成，(B)表示電連接部的第2構(gòu)成。
另外，圖1中，為了避免圖變復(fù)雜而將一部分的部件省略。并且，在以下說明中，將圖1、圖2、圖3中的上側(cè)稱作“上”、將下側(cè)稱作“下”。
如圖1所示的透射型液晶顯示裝置10(以下僅稱作“液晶顯示裝置10”)，具有液晶面板(顯示面板)20、和背光燈(光源)60。
該液晶顯示裝置10，通過使來自背光燈60的光透射液晶面板20，從而能顯示圖像(信息)。
液晶面板20，具有相互對置所配置的第1基板220和第2基板230，在這些第1基板220與第2基板230之間，按照包圍顯示區(qū)域的方式設(shè)置密封材料(未圖示)。
并且，在通過這些第1基板220、第2基本230以及密封材料所區(qū)分的空間，容納有作為電光學(xué)物質(zhì)的液晶，形成液晶層(中間層)240。即，在第1基板220與第2基板230之間，介入液晶層240。
另外，雖然省略圖示，但在液晶層240的上面以及下面，分別設(shè)置有由例如聚酰亞胺等構(gòu)成的定向膜。通過這些定向膜限制構(gòu)成液晶層240的液晶分子的定向性(定向方向)。
第1基板220以及第2基板230，分別由例如各種玻璃材料、各種樹脂材料等構(gòu)成。
第1基板220，在其上面(液晶層240側(cè)的面)221，設(shè)置有配置成矩陣狀(陣列狀)的多個像素電極223、在X方向延伸的掃描線228、和在Y方向延伸的信號線224。
各像素電極223，由具有透光性(光透過性)的透明導(dǎo)電膜構(gòu)成，分別經(jīng)由1個薄膜晶體管1(開關(guān)元件)，與信號線224以及掃描線228連接。
另外，在本實(shí)施方式中，由第1基板220、像素電極223、信號線224、掃描線228、如下所說明的薄膜晶體管1、層間絕緣膜360、電連接部370，構(gòu)成本發(fā)明的電子器件用基板。
如圖2所示，薄膜晶體管1，具有被設(shè)置在第1基板220上，具備溝道區(qū)域320，源區(qū)域316和溝區(qū)域318的半導(dǎo)體層314、按照覆蓋半導(dǎo)體層314的方式所設(shè)置的柵極絕緣膜326，絕緣層342、按照經(jīng)由柵極絕緣膜326與溝道區(qū)域320對置的方式所設(shè)置的柵電極351、在柵電極351上方的絕緣膜342上設(shè)置的導(dǎo)電部356、在源極區(qū)域316上方的絕緣層342上設(shè)置的、作為源電極發(fā)揮功能的導(dǎo)電部352、在漏極區(qū)域318上方的絕緣層342上設(shè)置的、作為漏電機(jī)發(fā)揮功能的導(dǎo)電部355、將柵電極351和導(dǎo)電部356電連接的接觸栓塞355、將源極區(qū)域316和導(dǎo)電部352電連接的接觸栓塞350、和將漏極區(qū)域318和導(dǎo)電部354電連接的接觸栓塞353。
在本實(shí)施方式中，在第1基板220上，設(shè)置有半導(dǎo)體層314。該半導(dǎo)體層314，由例如多結(jié)晶硅、非晶硅等硅、鍺、砷化鎵等半導(dǎo)體材料構(gòu)成。
如上述，該半導(dǎo)體層314，具有溝道區(qū)域320、源極區(qū)域316和漏極區(qū)域318。
半導(dǎo)體層314，在溝道區(qū)域320的一方的側(cè)部形成源極區(qū)域316，在溝道區(qū)域320的另一方的側(cè)部形成漏極區(qū)域318。
溝道區(qū)域320，由例如真性半導(dǎo)體材料構(gòu)成。
源極區(qū)域316以及漏極區(qū)域318，由例如將磷等n型雜質(zhì)導(dǎo)入的半導(dǎo)體材料構(gòu)成。
另外，半導(dǎo)體層314的構(gòu)成并非限定于該構(gòu)成，例如，源極區(qū)域316以及漏極區(qū)域318，也可由將P型雜質(zhì)導(dǎo)入后的半導(dǎo)體材料構(gòu)成。
并且，溝道區(qū)域320，也可由例如將P型或者n型雜質(zhì)導(dǎo)入后的半導(dǎo)體材料構(gòu)成。
這樣的半導(dǎo)體層314，被絕緣膜(柵極絕緣膜326、絕緣膜342)覆蓋。這樣的絕緣膜中、介入溝道區(qū)域320和柵電極351之間的部分，作為在溝道區(qū)域320和導(dǎo)電部356之間產(chǎn)生的電場的路徑等的柵極絕緣膜發(fā)揮功能。
作為柵極絕緣膜326、絕緣層342的構(gòu)成材料，雖然沒有特別限定，但也可以采用例如SiO2、TEOS(硅酸乙基)、聚硅氮烷等硅化合物。
另外，柵極絕緣膜326、絕緣層342，除上述材料之外，也可以由例如樹脂、陶瓷等構(gòu)成。
作為柵電極351的構(gòu)成材料，由例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦(IO)、氧化錫(SnO2)、三氧化銻(ATO)、氧化銦鋅(IZO)、Al、Al合金、Cr、Mo、Ta、Ta合金等導(dǎo)電性材料構(gòu)成。
在絕緣層342上，設(shè)置導(dǎo)電部352、導(dǎo)電部354、以及導(dǎo)電部356。這些部位，分別形成于源極區(qū)域316、漏極區(qū)域318、溝道區(qū)域320的上方。
在形成了柵極絕緣膜326和絕緣層342之間的源極區(qū)域316以及漏極區(qū)域318的區(qū)域內(nèi)，分別向其厚度方向，形成連通于源極區(qū)域316以及漏極區(qū)域318的孔部(接觸孔)。
導(dǎo)電部352以及導(dǎo)電部354，分別經(jīng)由在該孔部形成的接觸栓塞350以及接觸栓塞353，與源極區(qū)域316以及漏極區(qū)域318電連接。
并且，在形成了絕緣層342的柵極電極351的區(qū)域內(nèi)，向其厚度方向，形成連通于柵極電極351的孔部。
導(dǎo)電部356，經(jīng)由在該孔部形成的接觸栓塞355，與柵電極351電連接。
另外，導(dǎo)電部352以及導(dǎo)電部356，分別與信號線224以及掃描線228電連接。
層間絕緣膜(鈍化膜)360，按照將薄膜晶體管1、即絕緣層342、導(dǎo)電部352、導(dǎo)電部354、和導(dǎo)電部356覆蓋的方式而設(shè)置。并且，在層間絕緣膜360中，形成向其厚度方向到達(dá)導(dǎo)電部354的接觸孔361。
作為層間絕緣膜360的構(gòu)成材料，可采用與作為柵極絕緣膜326以及絕緣層342的構(gòu)成材料所說明同樣的材料。
電連接部370，埋入接觸孔361中，同時按照與在層間絕緣膜360上設(shè)置的像素電極223電連接的方式，形成一體化。
在本發(fā)明的電子器件用基板中，在該電連接部370的構(gòu)成中具有特征。
即，電連接部370，具有特征在于，與像素電極223連接，由在接觸孔361的內(nèi)部以及導(dǎo)電部(端子)354的表面，通過氣相工藝所形成的導(dǎo)電膜371、和按照填入接觸孔361的導(dǎo)電膜371內(nèi)側(cè)的空間362中的方式而填充的填充材料372構(gòu)成。
通過形成這樣構(gòu)成的導(dǎo)電膜371，從而與由通過液相工藝所形成的導(dǎo)電材料所構(gòu)成與導(dǎo)電部354的連接部的情況進(jìn)行比較，所得到的電連接部370，在與導(dǎo)電部354的接合部發(fā)揮優(yōu)良的粘合性，同時具有優(yōu)良的導(dǎo)電性。這樣，能夠使所形成的液晶顯示裝置10的應(yīng)答速度更快。
進(jìn)而，根據(jù)用填充材料372填充在空間362中這樣的構(gòu)成，從而能夠由使電連接部379的上面、和像素電極223的上面連續(xù)的平滑面構(gòu)成。其結(jié)果為，能夠確切地防止在按照將層間絕緣膜360、電連接部379以及像素電極223覆蓋的方式所形成的定向膜的表面形成凹部。這樣，能夠適當(dāng)?shù)刈柚挂蚪o定向膜實(shí)施的摩擦處理而產(chǎn)生的的定向膜的殘片(碎片)停留在定向膜上。
并且，如本發(fā)明，因用填充材料372填充在空間362中的構(gòu)成，從而即使在給薄膜晶體管1施以外部應(yīng)力的情況下，也存在能夠適當(dāng)防止在導(dǎo)電膜371與導(dǎo)電部354之間的接合部產(chǎn)生剝離。
作為這樣的電連接部370的構(gòu)成，只要用填充材料372填充在空間362中即可，可至少列舉如圖3(A)所示的第1構(gòu)成或如圖3(B)所示的第2構(gòu)成。
在此，在如圖3(A)所示的構(gòu)成中，按照用填充材料372填充空間362，同時將導(dǎo)電膜371的上面即與第1基板220相反側(cè)的面覆蓋的方式，供給填充材料372。
在如圖3(B)所示的第2構(gòu)成中，不是用填充材料372覆蓋導(dǎo)電膜371的上面，而是用填充材料372填充空間362。
作為導(dǎo)電膜371的構(gòu)成材料，可列舉例如氧化銦錫(ITO)、含氟氧化銦錫(FITO)、三氧化銻(ATO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化錫(SnO2)、氧化鋅(ZnO)、含氟氧化錫(FTO)、含氟氧化銦(FIO)含氟氧化鋼(IO)、等透明導(dǎo)電性材料。
即使在它們當(dāng)中，也尤其優(yōu)選含有Sn、F中的至少一種在內(nèi)的氧化銦(ITO、FITO)、Sb、F、Nb、Ta中的至少1種的氧化錫(SnO2)、包含Al、Co、Fe、In、Sn、Ti、Ga、B、In、Y、Sc、F、V、Si、Ge、Zr、Hf中的至少一種在內(nèi)的氧化鋅(ZnO)。通過選擇這些透明導(dǎo)電材料，從而以它們?yōu)橹鞑牧系膶?dǎo)電膜371，能發(fā)揮優(yōu)良的導(dǎo)電性和透明性。
并且，以上的透明導(dǎo)電性材料，不僅可單獨(dú)采用1個種類，還可使2個種類以上組合采用。
另外，作為透明導(dǎo)電性材料，在采用以含有Sn在內(nèi)的氧化銦(ITO)為主材料的粒子的情況下，優(yōu)選銦與錫之間的原子比(銦/錫)，為99/1～80/20，更優(yōu)選97/3～85/15。這樣，能夠發(fā)揮更顯著的上述效果。
作為填充材料372的構(gòu)成材料，除由導(dǎo)電膜371的構(gòu)成材料所說明的透明導(dǎo)電性材料之外，還可列舉Al、Al合金、Cr、Mo、Ta、Ta合金等導(dǎo)電性材料、Si、Ge、碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)等半導(dǎo)體材料、二氧化硅(SiO2)、HSQ、MSQ、氮化硅(SiN)、氮化鈦(TiN)、聚酰亞氨系樹脂、聚對二甲苯、苯環(huán)、聚乙烯苯基、酚醛清漆樹脂、聚四氟乙烯(PTEE)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙烯、聚丙烯、聚異丁烯、聚丁烯、聚酰胺等絕緣材料，可使它們中的1種或者2種以上組合采用。
另外，在選擇第1構(gòu)成作為電連接部370的情況下，優(yōu)選填充材料372，以導(dǎo)電性材料為主成分而構(gòu)成。這樣，能夠適當(dāng)抑制或者防止像素電極223的電阻值變高。
進(jìn)而，將本發(fā)明的顯示裝置應(yīng)用于本實(shí)施方式的透射型液晶顯示裝置種，選擇電連接部370作為第1構(gòu)成的情況下，填充材料372，優(yōu)選以透明導(dǎo)電性材料作為主成分而構(gòu)成。這樣，能夠適當(dāng)抑制或者防止像素電極223的電阻值變高，同時使像素電極223確切具有透光性。
另外，在選擇第2構(gòu)成作為電連接部370的情況下，填充材料372，并非限定于選擇具有透明性的構(gòu)成材料。
并且，在其它顯示裝置中，在像素電極223中不要求透光性的情況下，即使導(dǎo)電膜371以及填充材料372雙方，由透光性、不透光性任何一方的構(gòu)成材料構(gòu)成都可。
具體來說，作為導(dǎo)電膜371的構(gòu)成材料，例如，可采用以導(dǎo)電性材料為主成分，作為填充材料372的構(gòu)成材料。
作為這樣的其它顯示裝置，列舉從與電泳顯示裝置或者有機(jī)電致發(fā)光元件中的像素電極對置的對置電極側(cè)對發(fā)光進(jìn)行視覺確認(rèn)的形式等。
優(yōu)選由這樣的導(dǎo)電膜371和填充材料372所構(gòu)成的像素電極223，其表面電阻值為100Ω/square以下，更優(yōu)選為50Ω/square。通過使透明導(dǎo)電膜的表面電阻值在上述范圍內(nèi)，從而能夠使液晶顯示裝置的應(yīng)答速度更高。
并且，如圖1所示，在第1基板220的下面，設(shè)置偏光板225。
另一方面，第2基板230，在其下面(液晶層240側(cè)的面)231上，設(shè)置有多個呈帶狀的對置電極232。這些對置電極232，按照相互以給定的間隔基本平行配置，且與像素電極223對置的方式配置。
像素電極223和對置電極232重疊的部分(也包含其附近的部分)，構(gòu)成1個像素，通過在這些電極之間進(jìn)行充放電，從而按每個像素，對液晶層240的液晶進(jìn)行驅(qū)動，即液晶的定向狀態(tài)改變。
對置電極232，也與上述像素電極223同樣，由具有透明性(透光性)的透明導(dǎo)電膜構(gòu)成。
在各對置電極232的下面，分別設(shè)置紅色(R)、綠色(G)、藍(lán)色(B)的有色層(濾色器)233，這些各個有色層233被黑矩陣234隔開。
黑矩陣234，具有遮光功能，例如，由將鉻、鋁、鋁合金、鎳、鋅、鈦這樣的金屬、鹽等分散后的樹脂等構(gòu)成。
并且，在第2基板230的上面，設(shè)置與上述偏光板225偏光軸不同的偏光板235。
在這樣的構(gòu)成的液晶面板20中，從背光燈60發(fā)出的光，由偏光板225進(jìn)行偏光后，經(jīng)由第1基板220以及各像素電極223，向液晶層240入射。向液晶層240入射的光，通過按每個像素控制定向狀態(tài)后的液晶，進(jìn)行強(qiáng)化調(diào)制。被強(qiáng)化調(diào)制后的光，通過有色層233、對置電極232以及第2基板230之后，由偏光板235進(jìn)行偏光，向外部出射。這樣，在液晶顯示裝置10中，從與第2基板230的液晶層240的相反側(cè)，例如能夠?qū)ψ址?、?shù)字、圖形等彩色圖像(包含動態(tài)圖像以及靜態(tài)圖像雙方)進(jìn)行視覺確認(rèn)。
(薄膜晶體管的制造方法)接著，針對在第1基板220上制造薄膜晶體管1(開關(guān)元件)的具體方法一例進(jìn)行說明。
圖4、圖5，為表示薄膜晶體管的形成方法的合適的實(shí)施方式的剖面圖。另外，在以下說明中，將圖4、圖5的上側(cè)作為“上”說明，將下策作為“下”說明。
(I)首先，如圖4(a)所示，在第1基板220上形成半導(dǎo)體層(多結(jié)晶硅膜)314。
通過例如光刻法等，在形成半導(dǎo)體層314的區(qū)域形成具有開口部的抗蝕劑層之后，采用該抗蝕劑層作為掩模，給開口部通過涂布法供給液狀半導(dǎo)體層形成用材料之后，通過施以規(guī)定的處理從而能夠得到半導(dǎo)體層314。
另外，在第1基板220上，涂布(供給)抗蝕劑材料之后，經(jīng)由與形成該抗蝕劑材料的半導(dǎo)體層314的形狀對應(yīng)的光刻掩模，通過由I線、紫外線、電子線等進(jìn)行曝光·顯影從而得到上述抗蝕劑層。
作為涂布抗蝕劑材料的方法，列舉例如噴墨法、旋涂法、澆鑄法、精細(xì)雕型涂布(Micro-Gravure Coating)、雕輪式涂布法(Gravure)、棒(bar)涂布法、滾筒式涂布法、環(huán)棒(wirebar)涂布法、浸沾式涂布、噴涂、網(wǎng)板印刷法、膠版印刷法、微接觸印刷法這樣的各種涂布法，可使它們中的1種或者2種以上組合采用。
另外，所采用的抗蝕劑材料，可以是負(fù)性抗蝕劑材料以及正性抗蝕劑材料種的任一種。
作為負(fù)性抗蝕劑材料，列舉松香重鉻酸鹽、聚乙烯醇(PVA)-重鉻酸鹽、蟲膠-重鉻酸鹽、酪蛋白-重鉻酸鹽、PVA-重氮、丙烯系光致抗蝕劑等這樣的水溶性光致抗蝕劑、聚硅酸β-vinyloxy等由溶性光刻抗蝕劑等。
另外，作為正性抗蝕劑材料，列舉例如O-naphthoquinone diazide等油溶性光刻抗蝕劑等。
抗蝕劑層的除去，可通過例如在大氣壓或者減壓下的氧等離子或臭氧蒸氣進(jìn)行的。
并且，作為半導(dǎo)體層形成用材料，在采用液體氫化硅的情況下，通過涂布?xì)浠柘蜷_口部供給之后，通過實(shí)施以下這樣的給定處理，從而能夠得到半導(dǎo)體層(多結(jié)晶硅膜)。
首先，使向開口部供給的液體氫化硅干燥。
接著，對干燥所得到的膜進(jìn)行焙燒，使膜中的氫化硅熱分解，使之與非結(jié)晶硅產(chǎn)生反應(yīng)。
接著，通過向由非晶硅構(gòu)成的膜照射XeCl等受激準(zhǔn)分子激光器，進(jìn)行退火，通過使非晶硅多結(jié)晶化從而得到半導(dǎo)體層(多結(jié)晶硅膜)9314。
之后，也可對半導(dǎo)體層(多結(jié)晶硅膜)9314進(jìn)行溝道摻雜。具體來說，在整個面射進(jìn)規(guī)定量的雜質(zhì)(例如在形成n型導(dǎo)電層的情況下為PH3離子)并使之?dāng)U散。
(II)接著，如圖4(b)所示，形成具有第1接觸孔328、329的柵極絕緣膜326。
柵極絕緣膜326，通過例如光刻法等，在形成第1接觸孔328、329的區(qū)域形成抗蝕劑層之后，采用該抗蝕劑層作為掩模，在形成了半導(dǎo)體層314后的第1基板220上，通過涂布法供給液狀的柵極絕緣膜形成用材料之后，通過實(shí)施規(guī)定的處理從而得到可以柵極絕緣膜326。
作為規(guī)定的處理，在采用例如包含柵極絕緣膜326的構(gòu)成材料的前體(以下僅稱作“前體”)的柵極絕緣膜形成用材料的情況下，只要對前體進(jìn)行使柵極絕緣膜326的構(gòu)成材料改變的處理即可。
作為該處理方法，依據(jù)前體的種類而適當(dāng)選擇，雖然未特別限定，但可列舉例如加熱器、紅外線燈、激光照射、電磁波照射以及尖峰退火(FTP)等進(jìn)行加熱的方法，照射紫外線的方法等。
另外，在該處理之前，可將柵極絕緣膜形成用材料的調(diào)制中采用的溶劑或者分散劑的至少一部分除去。
具體來說，當(dāng)柵極絕緣膜326是以二氧化硅為主成分的情況下，作為其前體，列舉例如二氯乙硅烷、六氯硅烷、四乙氧基硅烷、四(氫乙胩)硅烷、三(氫乙胩)硅烷、等，通過在氧化氣氛中進(jìn)行加熱等，從而能夠改變?yōu)槎趸琛?br> 并且，例如，在采用包含柵極絕緣膜326的構(gòu)成材料本身的柵極絕緣膜形成用材料的情況下，只要進(jìn)行使液狀材料中的溶劑或者分散劑除去的處理即可。
作為將溶劑或者分散劑除去的方法，例如除上述加熱的方法之外，還列舉真空(減壓)干燥、噴出惰性氣體的方法等。
(III)接著，如圖4(c)所示，按照與應(yīng)形成的溝道區(qū)域320的位置對應(yīng)的方式，在絕緣膜326上形成柵電極351。
通過例如光刻法等，采用在形成柵電極351的區(qū)域具有開口部的抗蝕劑層，采用與上述工序(I)所說明的同樣的方法形成柵電極351。
另外，作為用于形成柵電極351的液狀柵電極形成材料，可采用例如以有機(jī)金屬化合物等為主成分。
(IV)接著，采用柵電極351作為掩模，進(jìn)行向源極區(qū)域316和漏極區(qū)域318射進(jìn)規(guī)定量的雜質(zhì)(例如在形成P型導(dǎo)電層的情況下為B2H6離子)。
這樣，如圖4(d)所示，能夠得到與柵電極351的下部對應(yīng)的位置是溝道區(qū)域320的半導(dǎo)體層314。
(V)接著，如圖5(e)所示，形成絕緣膜342，其具有與第1接觸孔328以及第2接觸孔329分別連通的第2接觸孔344以及第2接觸孔345、和具有第2接觸孔346的絕緣膜342。
通過例如光刻法等，在形成第2接觸孔344、345、346的區(qū)域形成抗蝕劑層之后，可采用該抗蝕劑層作為掩模，采用與上述工序(II)所說明的同樣的方法形成絕緣膜342。
(VI)接著，如圖5(f)所示，按照分別埋入第1接觸孔328和第2接觸孔344、第1接觸孔329和第2接觸孔345、以及第2接觸孔346的方式，形成接觸栓塞350、接觸栓塞353、以及接觸栓塞355。
這樣，接觸栓塞355和源極區(qū)域316、接觸栓塞353和漏極區(qū)域318、接觸栓塞355和柵電極351，便分別電連接。
在首先按照埋入各接觸孔內(nèi)的方式，且將絕緣膜342覆蓋的方式，供給導(dǎo)電性材料之后，通過除去導(dǎo)電性材料直至露出絕緣層342的上面為止，從而形成這樣的接觸栓塞350、353、355作為導(dǎo)電性材料，可采用與柵電極351同樣的構(gòu)成材料，導(dǎo)電性材料的供給，也可與形成柵電極351之際采用的方法同樣地進(jìn)行。
并且，作為導(dǎo)電性材料的去除方法，可使例如等離子蝕刻、活性離子蝕刻、光束蝕刻、光加速蝕刻等物理蝕刻法、濕蝕刻等化學(xué)蝕刻法中的1種或2種以上組合采用。
(VII)接著，如圖5(g)所示，在絕緣膜342上，按照分別與接觸栓塞350、接觸栓塞353、以及接觸栓塞355電連接的方式，形成導(dǎo)電部352、導(dǎo)電部354以及導(dǎo)電部356。
通過例如光刻法等，在形成這樣的導(dǎo)電部352、導(dǎo)電部354以及導(dǎo)電部356的區(qū)域，采用具有開口部的抗蝕劑層，采用與上述工序(I)所說明的同樣的方式形成導(dǎo)電部352、導(dǎo)電部354以及導(dǎo)電部356另外，作為用于形成導(dǎo)電部352、導(dǎo)電部354以及導(dǎo)電部356的液狀導(dǎo)電部形成材料，可以采用與上述柵電極形成材料相同的材料。
通過以上的工序，在第1基板220上形成薄膜晶體管1。
(電子器件用基板的制造方法)接著，采用具備上述薄膜晶體管1的第1基板220，制造本發(fā)明的電子器件用基板。
以下，針對本發(fā)明的電子器件用基板的制造方法的適當(dāng)?shù)膶?shí)施方式進(jìn)行說明。
(第1實(shí)施方式)首先，針對本發(fā)明的電子器件用基板的制造方法的第1實(shí)施方式進(jìn)行說明。
通過本第1實(shí)施方式，可制造具備如圖3(A)所示的電連接部370的第1構(gòu)成的電子器件用基板。
圖6、圖7，分別為用于說明本發(fā)明的電子器件用基板的制造方法的第1實(shí)施方式的示意圖(縱剖圖)。另外，以下的說明中，將圖6、與7中的上側(cè)稱作“上”，將下側(cè)稱作“下”。
圖6、圖7所示的電子器件用基板的制造方法的第1實(shí)施方式，具有(1-a)基板形成工序，其準(zhǔn)備具備開關(guān)元件和層間絕緣膜的基板；(1-b)接觸孔形成工序，其在層間絕緣膜上形成接觸孔；(1-c)導(dǎo)電性材料層形成工序，其通過氣相工藝供給導(dǎo)電性材料，并形成導(dǎo)電性材料層；(1-d)填充材料層形成工序，其通過液相工藝供給填充材料，并形成填充材料層；(1-e)疏液處理工序，其使掩模形成用材料對應(yīng)的疏液性提高；(1-f)掩模形成工序，其在形成像素電極和電連接部的形成區(qū)域，形成掩模；(1-g)疏液部去除工序，其將被施以疏液處理后的部分去除；(1-h)無用部分去除工序，其將填充材料層以及導(dǎo)電性材料層的無用部分去除；和(1-i)掩模去除工序，其將掩模去除。
以下，針對各工序進(jìn)行說明。
(1-a)基板形成工序首先，準(zhǔn)備具備開關(guān)元件和層間絕緣膜的基板。
在第1基板220上通過上述薄膜晶體管的制造方法形成的薄膜晶體管1中，通過按照將該薄膜晶體管1覆蓋的方式形成層間絕緣膜360從而能夠得到這樣的基板。
在通過涂布法按照將薄膜晶體管1覆蓋的方式供給與上述工序(II)所說明的柵極絕緣膜形成材料同樣的材料之后，通過實(shí)施規(guī)定的處理從而能夠得到層間絕緣膜360。在此，作為所采用的涂布法以及規(guī)定的處理，分別列舉同樣上述工序(I)以及(II)所說明的同樣的工序。
(1-b)接觸孔形成工序接著，在層間絕緣膜360中按照到達(dá)導(dǎo)電部354(開關(guān)元件的端子)的方式，換言之，按照導(dǎo)電部354的表面露出的方式，向?qū)娱g絕緣膜360的厚度方向形成接觸孔361(參照圖6(1-b))。
通過例如由上述工序(I)所說明的光刻法等，在形成接觸孔361的區(qū)域形成具有開口部的抗蝕劑層之后，采用該抗蝕劑層作為掩模，通過對層間絕緣膜360進(jìn)行蝕刻，從而得到接觸孔361。
作為對層間絕緣膜360進(jìn)行蝕刻的方法，可將例如由上述工序(VI)所說明的物理蝕刻方法、和化學(xué)蝕刻法中的1種或者2種以上組合采用。
(1-c)導(dǎo)電性材料層形成工序接著，通過氣相工藝供給導(dǎo)電性材料，并在包含形成像素電極223和電連接部370的形成區(qū)域(以下也僅稱作“形成區(qū)域”)在內(nèi)的區(qū)域，形成導(dǎo)電性材料層371’(參照圖6(1-c))。
這樣，便可在接觸孔361的內(nèi)部以及導(dǎo)電部354的表面，形成幾乎相同厚度的導(dǎo)電性材料層371’。其結(jié)果為，在接觸孔361的導(dǎo)電性材料層371’內(nèi)側(cè)產(chǎn)生空間362。
在此，在形成導(dǎo)電性材料層371’之前，也可以在層間絕緣膜360和導(dǎo)電部354的表面施以蝕刻處理。這樣，各自的表面變粗，能夠使所形成的導(dǎo)電性材料層371’的粘合性提高。進(jìn)而，由于能將導(dǎo)電部354的表面產(chǎn)生氧化所形成的氧化膜的這樣的雜質(zhì)去除，因此能夠適當(dāng)?shù)匾种苹蛘叻乐乖趯?dǎo)電部354與導(dǎo)電性材料層371’的接觸面電阻值變高。
作為蝕刻處理，可以使例如由上述工序(VI)所說明的物理蝕刻法、或化學(xué)蝕刻法種的1種或者2種以上組合而采用。
作為氣相工藝，沒有被特別限定，例如列舉噴濺法、真空蒸鍍法、離子鍍膜法、激光磨損法這樣的物理氣相工藝(PVD法)、若CVD法、MOCVD法、激光CVD法、等離子CVD、大氣壓CVD法這樣的化學(xué)氣相工藝、液體源霧化學(xué)體積法(LSMCD法)、噴霧熱分解法(SPD法)、有機(jī)金屬氣相外延法(MOVPE法)這樣的方法。
在此，在采用物理氣相工藝作為氣相工藝的情況下，作為用于供給透明導(dǎo)電性材料的材料，只要采用透明導(dǎo)電性材料本身即可。
并且，在采用化學(xué)氣相工藝或磊晶法作為氣相工藝的情況下，作為用于供給透明導(dǎo)電性材料的材料，只要采用透明導(dǎo)電性材料的前體即可。
另外，作為透明導(dǎo)電性材料的前體，例如列舉、上述透明導(dǎo)電性材料的醇鹽、或者這些電介質(zhì)或綜合物。
作為醇鹽，列舉例如、甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙基、丁氧基等。作為鹽，列舉例如鹵化物、甲酸鹽、醋酸鹽、丙酸鹽、草酸鹽、硝酸鹽等。
另外，作為電介質(zhì)，列舉例如摻水物、中和或者通過加水分解所得到的氫氧化物等。作為綜合物，列舉例如α-或者β-二酮基類、α-或者β-酮酸、α-或者β-酮酸酯、氨基醇類等螯合化合物。
具體來說，在通過例如噴濺法供給以銦鈦化合物(ITO)為主要成分的透明導(dǎo)電性材料的情況下，在將形成薄膜晶體管1和層間絕緣膜360的第1基板220、和作為目標(biāo)采用的ITO分別設(shè)置(set)于箱內(nèi)的狀態(tài)下，向該ITO照射離子束。這樣，向ITO的表面沖擊離子束，將ITO的離子(噴濺離子)敲出，通過覆蓋在包含形成區(qū)域的區(qū)域，從而形成導(dǎo)電性材料層371’。
(1-d)填充材料層形成工序接著，通過液相工藝供給填充材料372，在導(dǎo)電性材料層371’形成填充材料層372’。
這樣，通過填充材料372覆蓋導(dǎo)電性材料層371’的上面，同時通過填充材料372埋入空間362中(參照圖6(1-d))。
在此，如本實(shí)施方式通過采用液相工藝供給填充材料372，從而比較容易且可靠地埋入在空間362中的方式填充填充材料372。
本工序(1-d)，具體來說，按照如下進(jìn)行。
首先，調(diào)制含有上述的填充材料372以及/或者該其前體的液狀材料。
另外，作為填充材料372的前體，采用上述填充體372的醇或鹽、或者他們的電介質(zhì)或綜合物。
作為醇或鹽、或者它們的電介質(zhì)或綜合物，列舉與上述工序(1-c)所說明的同樣。
并且，作為填充材料372的前體，在采用例如醇或鹽的情況下，優(yōu)選添加向前體的填充材料372變化(變換)的酸催化劑、鹽基催化劑等。
作為酸催化劑，列舉例如鹽酸、硝酸、硼酸、硼氟化氫酸等無機(jī)酸、或醋酸、三氟乙酸、P-甲苯二磺酸等有機(jī)酸。
作為該液狀材料的調(diào)制所采用的溶劑或者分散劑，列舉例如硝酸、硫酸、氨、過氧化氫、水、二硫化碳、乙烯碳酸鹽等無機(jī)溶劑、或甲基乙基酮(MEK)、丙酮、二乙基酮、甲基異丁基酮(MIBK)、甲基異丙基酮(MIPK)、環(huán)己酮等酮系溶劑，甲醇、乙醇、異丙醇、甘醇、二甘醇(DEG)、丙三醇等醇系溶劑，二乙醚、二異丙醚、1，2-二甲氧基乙烷(DME)，1，4-二氧雜環(huán)乙烷、四氫呋喃(THF)、四氫吡喃(THP)、苯甲醚、二甘醇二甲醚、二甘醇乙基醚(卡必醇)等醚系溶劑，甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、苯酚溶纖劑等溶纖劑系溶劑，已烷、戊烷、庚烷、環(huán)己烷等脂肪族碳?xì)湎等軇?，甲苯、二甲苯、苯、三甲基苯、四甲基苯等芳香族碳?xì)湎等軇?，嘧啶、吡嗪、呋喃、吡咯、噻吩、甲基吡咯烷酮等芳香族多環(huán)化合物系溶劑、N、N-二甲基甲酰胺(DMF)、N、N-二甲基乙酰胺(DMA)等酰胺系溶劑、乙酸乙酯、乙酸甲酯、甲酸乙酯等酯系溶劑，二甲基亞砜(DMSO)、環(huán)丁砜等硫磺化合物系溶劑、乙腈、丙腈、丙烯腈等腈系溶劑，甲酸、乙酸、三氯乙酸、三氟醋酸等有機(jī)酸系溶劑這樣的各種溶劑，或者，包含它們的混合溶劑等。
接著，將通過液相工藝所調(diào)制了的液狀材料，提供給導(dǎo)電性材料層371’。
關(guān)于該液相工藝，例如將由上述工序(I)所說明的各種涂布中的1種或者2種以上組合采用。
之后，對于液狀材料施以規(guī)定的處理。這樣，便可在導(dǎo)電性材料層371’上形成填充材料層372’。
關(guān)于在此所采用的規(guī)定的處理，列舉例如與上述工序(II)所說明同樣的。
(1-e)疏液處理工序接著，在填充材料層372’的上面的除形成像素電極223和電連接部370的形成區(qū)域外的區(qū)域，施以使對于由下一工序(1-f)所采用的掩模形成用材料的疏液性提高的處理。
這樣，在下一工序(1-f)中，在形成區(qū)域選擇性地使掩模374形成。
該疏液處理，可以使例如在填充材料層372’上面的除形成區(qū)域外的區(qū)域，形成疏液膜的方法、將氟氫離子等能賦予疏液性的離子注入(射進(jìn))的方法等中的1種或者2種以上組合采用。
即使其中，如圖6(1-e)所示，關(guān)于疏液處理，優(yōu)選采用在將填充材料層372’的上面的除形成區(qū)域外的區(qū)域，形成疏液膜373的方法。根據(jù)該方法，比較容易能夠給將填充材料層372’的上面的除形成區(qū)域外的區(qū)域賦予疏液性。
例如在供給疏液膜形成用材料之后，根據(jù)需要，通過進(jìn)行干燥從而形成該疏液膜373。
并且，在該情況下，疏液膜373，在按照將填充材料層372’的上面整體覆蓋的方式形成之后，雖然可按照將無用部分去除的方式形成，但也可在除形成區(qū)域外的區(qū)域選擇性地形成。
作為在除形成區(qū)域外的區(qū)域，選擇性地選擇疏液膜373的方法，列舉例如(1)例如通過光刻法，在形成區(qū)域形成抗蝕劑層之后，采用該抗蝕劑層作為掩模的方法；(2)在浸含疏液膜形成用材料的狀態(tài)下，使與除形成區(qū)域外的區(qū)域的形狀對應(yīng)的壓印等與填充材料層372’的上面接觸的方法；(3)通過噴墨法將疏液膜形成用材料噴出至除形成區(qū)域外的區(qū)域的方法等。即使這些其中，也尤其優(yōu)選采用根據(jù)(3)的噴墨法的方法。根據(jù)該方法，能夠比較容易且確切地在除形成區(qū)域外的區(qū)域，選擇性地形成疏液膜373。
作為疏液膜373，列舉例如，由具有表示疏液性的官能團(tuán)的耦合劑或？硫醇等構(gòu)成的自組織化單分子膜(SAM膜)、以及由疏液性的樹脂材料等構(gòu)成的聚合膜。
另外，關(guān)于疏液膜形成用材料，可以采用將疏液膜373的構(gòu)成材料以及/或者其前體與溶劑或者分散劑混合調(diào)制的溶劑或者分散液。
作為耦合劑，可以采用例如硅烷系耦合劑、鈦系耦合劑、鋁系耦合劑、鋯系耦合劑、有機(jī)磷酸系耦合劑、甲硅烷基過氧化物系耦合劑等。
作為表示疏液性的官能團(tuán)，列舉例如氟代烷基、烷基、乙烯基、環(huán)氧基、苯乙烯基、丙烯基等。
作為耦合劑的具體例，列舉例如十三氟-1、1、2、2四氫辛基三乙氧基硅烷、十三氟-1、1、2、2四氫辛基三甲氧基硅烷、三氯氟烷基硅烷(FAS)、十八烷基三甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷等。
作為疏液性的樹脂材料，列舉例如聚四氟乙烯(PTFE)、四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物(PFA)、乙烯-四氟乙烯共聚物(ETFE)、全氟乙烯-丙烯共聚物(FEP)、乙烯-一氯三氟乙烯共聚物(ECTFE)等氟系樹脂等。
并且，作為溶劑或者分散劑，可以采用與上述工序(1-d)所說明的同樣。
(1-f)掩模形成工序接著，通過液相工藝供給掩模形成用材料，在形成填充材料層372’的上面的像素電極223和電連接部370的形成區(qū)域，形成與形成區(qū)域?qū)?yīng)的形狀的掩模374(參照圖7(1-f))本工序(1-f)，可以采用與采用含有例如硬化性樹脂、熱可塑性樹脂以及/或者它們的前體等的液狀掩模用材料在上述工序(1-d)中所說明的同樣的方法。
在此，在本實(shí)施方式中，在上述工序(1-e)中，由于在除形成區(qū)域以外的區(qū)域，形成疏液膜373，因此可以在形成區(qū)域選擇性地形成掩模374。
另外，作為掩模形成用材料，在采用上述工序(I)所說明的抗蝕劑材料的情況下，也可以省略上述工序(1-e)。這種情況下，在填充材料層372’的整個面形成抗蝕劑層之后，只要通過例如光刻法等，將在除形成區(qū)域以外的區(qū)域所形成的抗蝕劑層去除即可。這樣，能夠形成與形成區(qū)域?qū)?yīng)的形狀的掩模374(抗蝕劑層)。
(1-g)疏液部去除工序接著，將在除形成區(qū)域外的區(qū)域所形成的疏液膜373去除(參照圖7(1-g))。
作為將疏液膜373去除的方法，除上述工序(VI)所說明的物理蝕刻方法、或化學(xué)蝕刻法外，還可列舉例如紫外線的照射、臭氧水或水蒸氣的噴霧等，將它們其中的1種或者2種以上組合采用。
(1-h)無用部分去除工序接著，采用在形成區(qū)域設(shè)置的掩模374，將在除形成區(qū)域以外的區(qū)域存在的填充材料層372’以及導(dǎo)電性材料層371’的無用部分統(tǒng)一去除(參照圖7(1-h))。
作為將填充材料層372’以及導(dǎo)電性材料層371’的無用部分去除的方法，例如可以將上述工序(VI)所說明的物理蝕刻法、或化學(xué)蝕刻法種的1種或者2種以上組合采用。
(1-i)掩模去除工序接著，將在形成區(qū)域設(shè)置的掩模374去除(參照圖7(1-i))。
作為將掩模374去除的方法，列舉例如使上述工序(W)所說明的物理蝕刻法、或化學(xué)蝕刻法種的1種或者2種以上組合采用。
另外，上述工序(1-g)～本工序(1-i)，也可以在對疏液膜373、填充材料372’、以及導(dǎo)電性材料層371’統(tǒng)一去除之后，按照將掩模374去除的方式連續(xù)進(jìn)行。
按照以上，形成如圖3(A)所示的電連接部370的第1構(gòu)成和像素電極223，制造本發(fā)明的電子器件用基板。
(第2實(shí)施方式)
接著，針對本發(fā)明的電子器件用基板的制造方法的第2實(shí)施方式進(jìn)行說明。
通過本第2實(shí)施方式，能夠制造如圖3(B)所示的電連接部370的第2構(gòu)成的電子器件用基板。
圖8、圖9，分別表示用于說明本發(fā)明的電子識別用基板的制造方法的第2實(shí)施方式的示意圖(縱剖圖)。另外，以下的說明中，將圖8、圖9中的上側(cè)稱作“上”，下側(cè)稱作“下”。
圖8、圖9所示的電子器件用基板的制造方法的第2實(shí)施方式，具有(2-a)基板形成工序，其準(zhǔn)備具備開關(guān)元件和層間絕緣膜的基板；(2-b)接觸孔形成工序，其在層間絕緣膜上形成接觸孔；(2-c)導(dǎo)電性材料層形成工序，其通過氣相工藝供給導(dǎo)電性材料，并形成導(dǎo)電性材料層；(2-d)疏液處理工序，其使液狀材料對應(yīng)的疏液性提高；(2-e)填充材料層形成工序，其通過液相工藝供給填充材料，并形成填充材料層；(2-f)掩模形成工序，其在形成像素電極和電連接部的形成區(qū)域，形成掩模；(2-g)疏液部去除工序，其將被施以疏液處理后的部分去除；和(2-h)無用部分去除工序，其將導(dǎo)電性材料層的無用部分和填充材料層的一部分去除。
以下針對各工序依次進(jìn)行說明。
(2-a)基板形成工序首先，準(zhǔn)備具備薄膜晶體管1和層間絕緣膜360的第基板220(參照圖8(2-a))。
本工序(2-a)，可以與上述工序(1-a)同樣地進(jìn)行。
(2-b)接觸孔形成工序接著，在層間絕緣膜360中按照到達(dá)導(dǎo)電部354(開關(guān)元件的端子)的方式，向?qū)娱g絕緣膜360的厚度方向形成接觸孔361(參照圖8(2-b))。
本工序(2-b)，可以與上述工序(1-b)同樣地進(jìn)行。
(2-c)導(dǎo)電性材料層形成工序接著，通過氣相工藝供給透明導(dǎo)電性材料，在包含形成區(qū)域在內(nèi)的區(qū)域，形成透明導(dǎo)電性材料層371’(參照圖8(2-c))。
本工序(2-c)，可以與上述工序(1-c)同樣地進(jìn)行。
(2-d)疏液處理工序接著，在導(dǎo)電性材料層371’的上面的除形成區(qū)域外的區(qū)域，施以使對于由下一工序(2-e)所采用的液狀材料的疏液性提高的處理。
這樣，在下一工序(2-e)中，便可以在形成區(qū)域中選擇性地選擇填充材料層372。
本工序(2-d)，除與上述工序(1-e)同樣，進(jìn)行如圖8(2-d)所示的疏液膜373的形成之外，例如也可以按照以下進(jìn)行疏液膜的形成。
首先，在導(dǎo)電性材料層371’的上面的除形成區(qū)域外的區(qū)域，形成抗蝕劑層。
該抗蝕劑層的形成，是通過例如上述工序(I)所說明的同樣的方法進(jìn)行的。
接著，在該抗蝕劑層的整個面施以親液處理。
作為該親液處理，采用可例如，在含氧氣氛中照射紫外線以及/或者紅外線的方法、照射氧等離子的氧離子處理法，但其中優(yōu)選采用氧等離子處理法。
該氧等離子處理法，通過將含有氧的氣體導(dǎo)入使氧等離子產(chǎn)生的放電區(qū)域，將在該放電區(qū)域所產(chǎn)生的氧等離子，向抗蝕劑層的整個面照射，從而賦予親液性。
根據(jù)該處理法，容易且可靠地在抗蝕劑層的整個面，賦予親液性。
并且，作為含有氧氣的氣體，雖然典型地采用純氧氣，但優(yōu)選采用氧氣和氟化碳?xì)?例如四氟化甲烷氣體)的混合氣體。這樣，維持氧等離子的事件變長，在氧等離子的狀態(tài)下，使之到達(dá)抗抗蝕劑層為止。
接著，在被施以親液處理后的抗蝕劑層的上面施以疏液處理。
這樣，能夠得到在抗蝕劑層的側(cè)面施以親液處理；在上面施以疏液處理后的(疏液膜)。通過采用該構(gòu)成的疏液膜，在下一工序(2-e)中，能夠防止在疏液膜上附著填充材料，確切地向形成區(qū)域供給填充材料。
作為該疏液處理，可以采用例如對于抗蝕劑層的上面，照射氟等離子的氟等離子處理法等。
該氟等離子處理法，向產(chǎn)生氟等離子的放電區(qū)域?qū)牒蟹臍怏w，通過將在該放電區(qū)域產(chǎn)生的氟等離子，入射至抗蝕劑層的上面，從而給該氟等離子所入射的區(qū)域賦予疏液性。
根據(jù)該處理方法，從而使抗蝕劑層的上面幾乎跨越整體被均勻氟化，即給抗蝕劑層的上面均勻地賦予(沒有不均)疏液性。
作為含有氟院子的氣體種類，列舉例如四氟化甲烷(CF4)、四氟化乙烯(C2F4)、六氟化丙烯(C3F6)、八氟化丁烯(C4F8)等，即使其中，液優(yōu)選尤其以四氟化甲烷為主要成分。
另外，當(dāng)抗蝕劑層本身具有親液性時，以及抗蝕劑層本身具有疏液性時等，可以將親液處理、疏液處理中的一方或者雙方省略。
(2-e)填充材料層形成工序接著，在導(dǎo)電性材料層371’上，按照與形成區(qū)域的方式通過液相工藝供給填充材料372，并形成填充材料層37’。
這樣，通過填充材料372將導(dǎo)電性材料層371’的上面的形成區(qū)域覆蓋，同時可以用填充材料372埋入空間362中(參照圖8(2-e))。
在此，本實(shí)施方式中，在上述工序(2-d)中，因?yàn)樵诔纬蓞^(qū)域外的區(qū)域，形成疏液膜，因此可以在形成區(qū)域選擇性地形成填充材料層372’。
本工序(2-e)，可以根據(jù)與上述工序(1-d)所采用的同樣的方法進(jìn)行。
(2-f)疏液部去除工序接著，將在除形成區(qū)域外的區(qū)域所形成的疏液膜373去除(參照圖9(2-f))。
本工序(2-f)，可以根據(jù)與上述(1-g)所采用的同樣的方法進(jìn)行。
(2-g)無用部分去除工序接著，采用填充材料層372’作為掩模，將導(dǎo)電性材料層371’的無用部分去除，同時將填充材料層372’的無用部分去除。
這樣，便能夠得到與形成區(qū)域的形狀對應(yīng)的形狀的導(dǎo)電膜371。并且，能夠一邊將向?qū)щ娦圆牧蠈?71’的上面的形成區(qū)域供給的填充材料372去除，同時使在空間362中填充的填充材料372殘存(參照圖9(2-g))。
本工序(2-g)，可以根據(jù)與上述工序(1-h)所采用的同樣的方法進(jìn)行。
另外，上述工序(2-f)和本工序(2-g)，也可以統(tǒng)一進(jìn)行。即，也可以將疏液膜373的去除、和導(dǎo)電性材料層371’的無用部分的去除統(tǒng)一進(jìn)行。
按照以上，形成如圖3(B)所示的電連接部370的第2構(gòu)成和像素電極223，可以制造本發(fā)明的電子器件用基板。
(第3實(shí)施方式)接著，針對本發(fā)明的電子器件用基板的制造方法的第3實(shí)施方式進(jìn)行說明。
根據(jù)本第3實(shí)施方式，能夠制造具備如圖3(B)所示的電連接部370的第2構(gòu)成的電子器件用基板。
圖10～圖12，分別為用于說明本發(fā)明的電子器件用基板的制造方法的第3實(shí)施方式的示意圖(縱剖圖)。另外，以下說明中，將圖10～圖12中的上側(cè)稱作“上”，將下側(cè)稱作“下”。
如圖10～圖12所示的電子器件用基板的制造方法的第3實(shí)施方式，具有(3-a)基板形成工序，其準(zhǔn)備具備開關(guān)元件和層間絕緣膜的基板；(3-b)接觸孔形成工序，其在層間絕緣膜上形成接觸孔；(3-c)導(dǎo)電性材料層形成工序，其通過氣相工藝供給導(dǎo)電性材料，并形成導(dǎo)電性材料層；(3-d)疏液處理工序，其使液狀材料對應(yīng)的疏液性提高；(3-e)填充工序，其通過液相工藝填充填充；(3-f)疏液部去除工序，其將被施以疏液處理后的部分去除；(3-g)疏液處理工序，其使掩模形成用材料對應(yīng)的疏液性提高；(3-h)掩模形成工序，其在形成像素電極和電連接部的形成區(qū)域，形成掩模；(3-i)疏液部去除工序，其將被施以疏液處理后的部分去除；(3-j)無用部分去除工序，其將導(dǎo)電性材料層的無用部分去除；和(3-k)掩模去除工序，其將掩模去除。
以下，針對各工序進(jìn)行說明。
(3-a)基板形成工序首先，準(zhǔn)備具備薄膜晶體管1和層間絕緣膜360的第1基板220(參照圖10(3-a))。
本工序(3-a)，可以與上述工序(1-a)同樣地進(jìn)行。
(3-b)接觸孔形成工序接著，在層間絕緣膜360中按照到達(dá)導(dǎo)電部354(開關(guān)元件的端子)的方式，向?qū)娱g絕緣膜360的厚度方向形成接觸孔361(參照圖10(3-b))。
本工序(3-b)，可以與上述工序(3-b)同樣地進(jìn)行。
(3-c)導(dǎo)電性材料層形成工序接著，向包含形成區(qū)域在內(nèi)的區(qū)域，通過氣相工藝供給透明導(dǎo)電性材料，并形成導(dǎo)電性材料層371’(參照圖10(3-c))。
本工序(3-c)，可以與上述工序(1-c)同樣地進(jìn)行。
(3-d)疏液處理工序接著，在導(dǎo)電性材料層371’的上面、即在空間362內(nèi)存在的除導(dǎo)電性材料層371’的表面外的區(qū)域，施以使對于由下一工序(3-e)所采用的液狀材料的疏液性提高的處理。
這樣，在下一工序(3-e)中，便可以在空間362內(nèi)選擇性地選擇填充材料層372。
本工序(3-d)，根據(jù)與上述工序(2-d)所采用的同樣的方法，便可以得到如圖10(3-d)所示的疏液膜373。
(3-e)填充工序接著，在空間362內(nèi)，通過液相工藝選擇性地填充填充材料372(參照圖10(3-e))。
在此，本實(shí)施方式中，在上述工序(3-d)中，由于在導(dǎo)電性材料層371’的上面形成疏液膜373，因此可以在空間363中選擇性地填充填充材料372。
本工序(3-e)，可以根據(jù)與由上述工序(1-d)所采用的同樣的方法進(jìn)行。
另外，作為液相工藝，在采用噴墨法這樣的可以選擇性地向空間362內(nèi)供給填充材料372的方法的情況下，也可以省略上述疏液處理工序(3-d)。
(3-f)疏液部去除工序接著，將在導(dǎo)電性材料層371’的上面所形成的疏液部373去除(參照圖11(3-f))。
本工序(3-f)，可以根據(jù)與由上述工序(1-g)所采用的同樣的方法進(jìn)行。
(3-g)疏液處理工序接著，在導(dǎo)電性材料層371的上面的除形成像素電極223和電連接部370的形成區(qū)域外的區(qū)域，施以使對于由下一工序(3-h)所采用的掩模形成用材料的疏液性提高的處理。
這樣，在下一工序(3-h)中，可以在形成區(qū)域選擇性地形成掩模374。
本工序(3-g)，可以根據(jù)與由上述工序(1-e)所采用的同樣的方法進(jìn)行。
并且，本工序(3-g)，既可以按照給除形成區(qū)域外的區(qū)域施以疏液處理的方式進(jìn)行，也可以按照將由上述工序(3-d)施以疏液處理后的區(qū)域的一部分去除的方式進(jìn)行。另外，在采用后者的方法的情況下，可以將上述疏液部去除工序(3-f)省略。
(3-h)掩模形成工序接著，通過液相工藝供給掩模形成用材料，在導(dǎo)電性材料層371’的上面的形成區(qū)域，形成掩模374(參照圖11(3-h))。
本工序(3-h)，可以根據(jù)與由上述工序(1-f)所采用的同樣的方法進(jìn)行。
在此，本實(shí)施方式中，在上述工序(3-g)中，由于在除導(dǎo)電性材料層371’的形成區(qū)域外的區(qū)域，形成疏液膜373，因此可以在形成區(qū)域選擇性地形成掩模374。
(3-i)疏液部去除工序接著，將在導(dǎo)電性材料層371’的上面形成的疏液膜373去除(參照圖11(3-i))。
本工序(3-i)，可以根據(jù)與由上述工序(1-g)所采用的同樣的方法進(jìn)行。
(3-j)無用部分去除工序接著，采用在形成區(qū)域設(shè)置的掩模374，將在除形成區(qū)域外的區(qū)域存在的、導(dǎo)電性材料層371’的無用部分去除(參照圖12(3-j))。
本工序(3-j)，可以根據(jù)與由上述工序(1-h)所采用的同樣的方法進(jìn)行。
(3-k)掩模去除工序接著，將在形成區(qū)域設(shè)置的掩模374去除(參照圖12(3-k))。
本工序(3-k)，可以根據(jù)與由上述工序(1-i)所采用的同樣的方法進(jìn)行。
另外，上述工序(3-i)～本工序(3-k)，也可以按照在將疏液膜373和導(dǎo)電性材料層371統(tǒng)一去除后，按照將掩模374去除的方式連續(xù)進(jìn)行。
按照以上，形成如圖3(B)所示的電連接部370的第2構(gòu)成和像素電極223，能夠制造本發(fā)明的電子器件用基板。
另外，通過采用第1實(shí)施方式～第3實(shí)施方式所說明的電子器件用基板的制造方法，即通過采用氣相工藝和液相工藝制造電連接部370和像素電極223，從而具有有點(diǎn)在于，容易進(jìn)行所形成的這些膜厚的控制。
(電子機(jī)器)本發(fā)明的顯示裝置，可以用于各種電子機(jī)器的顯示部。
圖13，為表示應(yīng)用了本發(fā)明的電子機(jī)器的移動型(或者筆記本型)的個人計算機(jī)的構(gòu)成的立體圖。
在該圖中，個人計算機(jī)1100，由具備鍵盤1102的主體部1104、和顯示單元1106構(gòu)成，顯示單元1106，相對主體部1104經(jīng)由鉸鏈構(gòu)造部被支撐保持可轉(zhuǎn)動。
在該個人計算機(jī)1100中，顯示單元1106具備上述的液晶顯示裝置(電光學(xué)裝置)。
圖14，為表示應(yīng)用本發(fā)明的電子機(jī)器的便攜式電話機(jī)(也包含PHS)的構(gòu)成的立體圖。
在該圖中，便攜式電話機(jī)1200，具備多個操作鍵1202、聽話口1204以及傳話口1206，同時顯示部還具備上述液晶顯示裝置(電光學(xué)裝置)10。
圖15，為表示應(yīng)用了本發(fā)明的電子機(jī)器的數(shù)字靜態(tài)相機(jī)的構(gòu)成的立體圖。另外，在該圖中，針對與外部機(jī)器的連接也簡單表示。
在此，相對于一般的相機(jī)，通過被攝體的光像對銀鹽照相膠卷進(jìn)行感光，而數(shù)字靜態(tài)相加1300，通過CCD(Charge Couple Device)等攝像元件對被攝體的光像進(jìn)行光電變換，生成攝像信號(圖像信號)。
在數(shù)字靜態(tài)相機(jī)1300中的殼子(機(jī)身)1302的背面，在顯示部中設(shè)置上述液晶顯示裝置10，是基于根據(jù)CCD的攝像信號進(jìn)行顯示的構(gòu)成，作為顯示被攝體作為電子圖像的打印機(jī)發(fā)揮功能。
在殼子的內(nèi)部，設(shè)置電路基板1308。該電路基板1308，設(shè)置有能存儲(記憶)攝像信號的存儲器。
另外，關(guān)于殼子1302的正面?zhèn)?圖示的構(gòu)成中背面?zhèn)?，設(shè)置有包含光學(xué)透鏡(攝影光學(xué)系)或CCD等在內(nèi)的接受單元1304。
在攝影者對在液晶顯示裝置10中顯示的被攝體像進(jìn)行確認(rèn)，并按下快門鍵1306時，將在該時刻的CCD的攝像信號，傳送·保存在電路基板1308的存儲中。
并且，在該數(shù)字靜態(tài)相機(jī)1300中，在殼子1302的側(cè)面，設(shè)置視頻信號輸出端子1312、和數(shù)據(jù)通信用的輸入輸出端子1314。并且，如圖所示，根據(jù)需要，在視頻信號輸出端子1312中連接有數(shù)字監(jiān)視器1430、在數(shù)據(jù)通信用的輸入輸出端子1314中連接有個人計算機(jī)1440。并且，其構(gòu)成為，通過給定的操作，保存在電路基板1308的存儲器中的攝像信號，向電視監(jiān)視器1430、個人計算機(jī)1440輸出的構(gòu)成。
另外，本發(fā)明的電子機(jī)器，除圖13的個人計算機(jī)(移動型個人計算機(jī))、圖14的便攜式電話機(jī)、圖15的數(shù)字靜態(tài)相機(jī)之外，還可以應(yīng)用于例如電視機(jī)、視頻相機(jī)、取景器型、監(jiān)視直視型的磁帶錄音機(jī)、攜帶型個人計算機(jī)、汽車導(dǎo)航裝置、尋呼機(jī)、電子筆記本(也包含通信功能)、電子辭典、電子計算器、電子游戲機(jī)器、文字處理器、工作臺、電視電話、防盜用電視監(jiān)視器、電子雙筒望遠(yuǎn)鏡、POS終端、具備觸摸屏的機(jī)器(例如金融機(jī)關(guān)的自動現(xiàn)金付款機(jī)、自動販賣機(jī))、醫(yī)療機(jī)器(例如電子體溫計、血壓計、血糖計、心電顯示裝置、超聲波診斷裝置、內(nèi)視鏡用顯示裝置)、魚群探測機(jī)、各種測定機(jī)器、計量儀器類(例如車輛、航空飛機(jī)、船舶的機(jī)器類)、其它各種監(jiān)視器類、投影儀等投射型顯示裝置等。
以上，基于圖示的實(shí)施方式說明了本發(fā)明的電子器件用基板、電子器件用基板的制造方法、顯示裝置、電子機(jī)器，但本發(fā)明并非限于這些。
例如，雖然針對在本發(fā)明的電子器件用基板中，薄膜晶體管1具備的導(dǎo)電部354與電連接部370連接的情況作了說明，但本發(fā)明的電子器件用基板，并非限定于此，也可以應(yīng)用于開關(guān)元件具備的任何端子與電連接部連接的情況。例如，還可以應(yīng)用于薄膜晶體管1具備的漏極區(qū)域318直接與電連接部連接的情況。
作為開關(guān)元件，除薄膜晶體管之外，還可以應(yīng)用于例如具備薄膜二極管(TED)等的情況。
另外，在本發(fā)明的電子器件用基板的制造方法中，也可以追加任意目的1道或者2道工序。
進(jìn)一步，本發(fā)明的顯示裝置，并非限定于液晶面板的應(yīng)用。例如，也可以應(yīng)用于有機(jī)EL元件、電泳顯示裝置等。
(實(shí)施例)接著，針對本發(fā)明的具體實(shí)施例進(jìn)行說明。
(實(shí)施例)(1)首先，準(zhǔn)備如圖5(g)所示的在適應(yīng)玻璃基板上形成薄膜晶體管的部件。
(2)接著，按照使聚硅氮烷為0.5wt％的方式，通過旋涂法將被二甲苯溶解的液狀材料向薄膜晶體管供給之后，以450℃×15分鐘加熱，并使液狀材料干燥，從而在薄膜晶體管上形成平均厚度300nm的層尖絕緣膜。
(3)接著，在層間絕緣膜上，通過旋涂法對負(fù)性的抗蝕劑材料(東京化工股份有限公司制造『TELR-N101PM』)進(jìn)行涂布。
接著，經(jīng)由與在層間絕緣膜中形成的接觸孔的形狀對應(yīng)的光掩膜，照射i線(波長365nm，強(qiáng)度120mJ/cm2)之后，通過NMD-W(顯影液)被顯影。這樣，便得到在形成接觸孔的區(qū)域，具有開口部的抗蝕劑層。
(4)接著，采用抗蝕劑層作為掩模，根據(jù)等離子蝕刻法通過對層間絕緣膜進(jìn)行蝕刻，從而形成接觸孔之后，將抗蝕劑層去除。
(5)接著，在腔內(nèi)，分別在令形成薄膜晶體管一側(cè)的面為垂直下方的陽極設(shè)置石英玻璃基板；在陰極設(shè)置由ITO構(gòu)成的靶。
然后，采用氬作為放電氣體，根據(jù)RF噴濺法向石英玻璃基板供給ITO。
這樣，在層間絕緣膜的與石英玻璃基板相反側(cè)的一面上以及過孔的內(nèi)側(cè)，形成由ITO構(gòu)成的平均厚度100nm的導(dǎo)電性材料層。
另外，ITO，采用銦/錫(原子比)＝92.5/7.5。
在此，通過段差計對接觸孔的導(dǎo)電膜內(nèi)側(cè)的空間進(jìn)行測定，確認(rèn)平均深度為180nm的段差。
(6)接著，按照分別通過旋涂法將溶解在乙醇中的液狀材料，填充在接觸孔的導(dǎo)電性材料層內(nèi)側(cè)的空間，同時覆蓋導(dǎo)電性材料層的方式，供給氯化銦以及氯化錫之后，將液狀材料中的乙醇去除(干燥)。
之后，在氮?dú)夥?非氧化性氣氛)中，以溫度400℃×?xí)r間10分鐘施以熱處理。這樣，使氯化銦和氯化錫產(chǎn)生反應(yīng)，變化成ITO(導(dǎo)電性物質(zhì))，形成平均厚度50nm的填充材料層。
另外，氯化銦以及氯化錫的混合比，為銦/錫(原子比)＝92.5/7.5。
在此，雖然通過段差計測定與填充材料層上的接觸孔對應(yīng)的部分，但由連續(xù)的平滑面構(gòu)成，無法識別段差。
(7)接著，在該填充材料層的與石英玻璃基板相反側(cè)的面的除形成像素電極和電連接部的形成區(qū)域外的區(qū)域，采用噴墨法供給十三氟1，1，2，2四氫辛基三乙氧基甲硅烷的處理液之后，以100℃×10分鐘施以熱處理，使處理也干燥。這樣，在除上述形成區(qū)域外的區(qū)域形成了疏液膜。
(8)接著，通過旋涂法涂布由上述工序(3)所采用的負(fù)性的抗蝕劑材料，對該抗蝕劑材料進(jìn)行曝光·顯影，并在上述形成區(qū)域形成抗蝕劑層。
(9)接著，采用由上述工序(7)所形成的抗蝕劑層作為掩模，在通過等離子蝕刻法將在除上述形成區(qū)域外的區(qū)域存在的疏液膜、填充材料層以及導(dǎo)電性材料層統(tǒng)一去除后，將抗蝕劑層去除。這樣，在層間絕緣膜上形成像素電極和電連接部，得到電子器件用基板。
(10)接著，在按照將層間絕緣膜覆蓋的方式，形成由聚酰亞胺構(gòu)成的平均厚度60nm的定向膜之后，對于該定向膜，采用摩擦裝置施以摩擦處理。
另外，令摩擦處理的條件為，塞進(jìn)量0.4mm，旋轉(zhuǎn)數(shù)600rpm，送入速度1m/min。
(11)接著，采用具備定向膜的電子器件用基板，制造如圖1所示的液晶顯示裝置。
雖然按照以上所形成的液晶顯示裝置制造了5個，但任一液晶顯示裝置中，都無法確認(rèn)顯示不均的發(fā)生。
(比較例)除將上述工序(6)中的填充材料層的形成省略外，與上述實(shí)施例同樣地制造液晶顯示裝置。
雖然按照以上所形成的液晶顯示裝置制造了5個，但任一液晶顯示裝置中，都能確認(rèn)在與接觸孔對應(yīng)的部分發(fā)生了明顯的顯示不均。
權(quán)利要求
1.一種電子器件用基板，具備基板；開關(guān)元件，其被設(shè)置在該基板上；層間絕緣膜，其將該開關(guān)元件覆蓋，并設(shè)置有到達(dá)所述開關(guān)元件的端子的接觸孔；像素電極，其被設(shè)置在所述層間絕緣膜上；和電連接部，其由與該像素電極連續(xù)并在所述接觸孔的內(nèi)面以及所述端子的表面通過氣相工藝形成的導(dǎo)電膜、和按照埋入所述接觸孔的所述導(dǎo)電膜內(nèi)側(cè)的空間的方式被填充的填充材料所構(gòu)成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件用基板，其特征在于，所述電連接部的與所述基板相反側(cè)的面、和所述像素電極的與所述基板相反側(cè)的面，由連續(xù)的平滑面構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件用基板，其特征在于，所述電連接部的導(dǎo)電膜與所述像素電極的至少一部分，一體化形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件用基板，其特征在于，所述像素電極具有透光性。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件用基板，其特征在于，所述填充材料以導(dǎo)電性材料作為主要成分。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件用基板，其特征在于，所述填充材料以透明導(dǎo)電性材料作為主要成分。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件用基板，其特征在于，所述像素電極在與該所述基板相反側(cè)具備供給所述填充材料而成的部分。
8.一種電子器件用基板的制造方法，是制造權(quán)利要求1～6中的任一項(xiàng)所述的電子器件用基板的方法，其特征是，包括準(zhǔn)備具備所述開關(guān)元件和所述層間絕緣膜的所述基板的工序；在所述層間絕緣膜中形成所述接觸孔的工序；通過氣相工藝供給導(dǎo)電性材料，在包含形成所述像素電極和所述電連接部的形成區(qū)域的區(qū)域，形成導(dǎo)電性材料層的工序；在所述接觸孔的所述導(dǎo)電性材料層內(nèi)側(cè)的空間，通過液相工藝選擇性地填充填充材料的工序；通過液相工藝供給掩模形成用材料，形成與所述形成區(qū)域?qū)?yīng)的形狀的掩模的工序；和采用該掩模，將所述導(dǎo)電性材料層的無用部分去除，得到所述像素電極、和所述電連接部的工序。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子器件用基板的制造方法，其特征在于，在填充所述填充材料的工序之前，具有在所述導(dǎo)電性材料層的與所述基板相反側(cè)的面，施以使對于填充所述填充材料之際采用的液狀材料的疏液性提高的處理的工序。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子器件用基板的制造方法，其特征在于，在形成所述掩模的工序之前，具有在所述導(dǎo)電性材料層的與所述基板相反側(cè)的面的除所述形成區(qū)域外的區(qū)域，施以使對于所述掩模形成用材料的疏液性提高的處理的工序。
11.一種電子器件用基板的制造方法，是制造權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的電子器件用基板的方法，其特征是，包括準(zhǔn)備具備所述開關(guān)元件和所述層間絕緣膜的所述基板的工序；在所述層間絕緣膜中形成所述接觸孔的工序；通過氣相工藝供給導(dǎo)電性材料，在包含形成所述像素電極和所述電連接部的形成區(qū)域的區(qū)域，形成導(dǎo)電性材料層的工序；通過液相工藝供給所述填充材料，在所述導(dǎo)電性材料層上形成與所述形成區(qū)域?qū)?yīng)的形狀的填充材料層的工序；和將該填充材料層作為掩模，將所述導(dǎo)電性材料層的無用部分去除，同時將該填充材料層的無用部分去除，得到所述像素電極和所述電連接部的工序。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電子器件用基板的制造方法，其特征在于，在形成所述填充材料層的工序之前，在所述導(dǎo)電性材料層的與所述基板相反側(cè)的面的除所述形成區(qū)域外的區(qū)域，施以使對于在供給所述填充材料之際采用的液狀材料的疏液性提高的處理的工序。
13.一種電子器件用基板的制造方法，是制造權(quán)利要求7所述的電子器件用基板的方法，其特征是，包括準(zhǔn)備具備所述開關(guān)元件和所述層間絕緣膜的所述基板的工序；在所述層間絕緣膜中形成所述接觸孔的工序；通過氣相工藝供給導(dǎo)電性材料，在包含形成所述像素電極和所述電連接部的形成區(qū)域的區(qū)域，形成導(dǎo)電性材料層的工序；通過液相工藝供給所述填充材料，在所述導(dǎo)電性材料層上形成填充材料層的工序；通過液相工藝供給掩模形成用材料，形成與所述形成區(qū)域?qū)?yīng)的形狀的掩模的工序；和采用該掩模，將所述填充材料層以及所述導(dǎo)電性材料層的無用部分統(tǒng)一去除，得到所述像素電極、和所述電連接部的工序。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電子器件用基板的制造方法，其特征在于，在形成所述掩模的工序之前，具有在所述填充材料層的與所述基板相反側(cè)的面的除所述形成區(qū)域外的區(qū)域，施以使對于所述掩模形成用材料的疏液性提高的處理的工序。
15.一種顯示裝置，其特征在于，具備權(quán)利要求1～7中的任一項(xiàng)所述的電子器件用基板。
16.一種電子機(jī)器，其特征在于，具備權(quán)利要求15所述的顯示裝置。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于，提供一種例如在顯示裝置中，能夠降低顯示不均的電子器件用基板、該電子器件用基板的制造方法、具備該電子器件用基板的顯示裝置以及可靠性高的電子機(jī)器。本發(fā)明的電子器件用基板，具有基板；在該基板上設(shè)置的開關(guān)元件；將該開關(guān)元件覆蓋并設(shè)置有到達(dá)所述開關(guān)元件的端子(連接部(354))的接觸孔(361)的層間絕緣膜(360)；在層間絕緣膜(360)上設(shè)置的像素電極(223)；由與像素電極(223)連續(xù)并在接觸孔(361)的內(nèi)側(cè)以及連接部(354)的表面通過氣相工藝所形成的導(dǎo)電膜(371)、和按照埋入接觸孔(361)的導(dǎo)電膜(371)內(nèi)側(cè)的空間(362)的方式填充的填充材料(372)所構(gòu)成的電連接部(370)。
文檔編號H01B5/14GK1835049SQ20061005917
公開日2006年9月20日 申請日期2006年3月15日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月15日
發(fā)明者佐藤充, 松下亮 申請人:精工愛普生株式會社