專利名稱：化學機械研磨終點的控制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種化學機械研磨終點的控 制方法。
技術(shù)背景隨著超大規(guī)模集成電路ULSI(Ultra Large Scale Integration)的飛速發(fā)展，集 成電路制造工藝變得越來越復(fù)雜和精細，對晶片表面的平整度要求也越來越 嚴格。而現(xiàn)在廣泛應(yīng)用的多層布線技術(shù)會造成晶片表面起伏不平，對圖形制 作極其不利，需要進行平坦化(Planarization)處理，使每一層都具有較高的全 局平整度。雖然有許多平坦化技術(shù)都曾得到應(yīng)用，如反刻法、玻璃回流法和旋涂膜 層等，但是，這些傳統(tǒng)技術(shù)都屬于局部平面化技術(shù)，不能做到全局平坦化。 目前，化學機械研磨法(CMP， Chemical Mechanical Polishing )是達成全局平 坦化的最佳方法，尤其在半導(dǎo)體制作工藝進入亞微米(sub-micron)領(lǐng)域后，化 學機械研磨已成為一項不可或缺的制作工藝技術(shù)。圖l為化學機械研磨示意圖，如圖1所示，化學機械研磨時，通過轉(zhuǎn)動的 研磨頭101將晶片102以一定的壓力壓在置于旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)盤上104的研磨墊103 上，混有極小磨粒的研磨液105在晶片與研磨墊之間流動，研磨液在研磨墊的 傳輸和旋轉(zhuǎn)離心力的作用下，均勻分布其上，在晶片和研磨墊之間形成一層 液體薄膜，液體中的化學成分與晶片產(chǎn)生化學反應(yīng)，將不溶物質(zhì)轉(zhuǎn)化為易溶 物質(zhì)，然后通過磨粒的微機械摩擦將這些化學反應(yīng)物從晶片表面去除，溶入 流動的液體中帶走，從而獲得超光滑無損傷的平坦化表面。該技術(shù)具有工藝 簡單、操作溫度接近室溫，可兼顧局部平坦化與全面平坦化要求的優(yōu)點，是 目前在超大規(guī)模集成電路芯片多層布線中最有效的層間平坦化方法。CMP工藝中最受關(guān)注的是有關(guān)研磨終點的控制問題。CMP在晶片的表面 上，從其凸部開始均勻地一步步少量去除，使之平整，經(jīng)過平整化后的晶片 上所剩余的薄膜厚度需要嚴格的控制，即要準確地確定研磨總量，否則，可 能會出現(xiàn)過度研磨(overpolish)或研磨不足(underpolish)的后果，前者會 導(dǎo)致晶片刮傷，后者雖然可以通過返工挽救，但會導(dǎo)致成本上升。此外，隨
著器件設(shè)計規(guī)則變得越來越嚴格，對CMP工藝的要求也越來越高，希望晶片的研磨結(jié)果盡可能地維持在一定的規(guī)格內(nèi)，浮動較小，保持較高的重復(fù)性， 而這些都要求能盡可能準確地控制研磨的終點。為準確控制研磨終點，發(fā)展了CMP工藝的在線實時終點檢測(EPD, End Point Detection)技術(shù)，但是，由于在CMP過程中，晶片表面完全向下靠在研 磨墊上，對晶片研磨實施在線實時監(jiān)測非常困難。目前為止，雖然已提出了 基于光學、電學、聲學、化學或電化學原理的監(jiān)測方式，但其中已應(yīng)用于生 產(chǎn)的，只有基于驅(qū)動電機電流變化的終點檢測技術(shù)。該技術(shù)的基本原理為 當晶片研磨達到終點時，研磨墊接觸的薄膜材料的變化，導(dǎo)致晶片與研磨墊 之間的摩擦系數(shù)發(fā)生顯著的變化，例如硅片上多晶硅薄膜被去除，露出下方 底層研磨速度相對緩慢的氮化硅薄膜時，硅片與研磨墊之間的摩擦力發(fā)生了 變化，從而使研磨頭或研磨設(shè)備回轉(zhuǎn)扭力發(fā)生變化，其驅(qū)動電機的電流也就 會隨之變化，此時，由安裝在研磨頭和研磨設(shè)備上的傳感器監(jiān)測驅(qū)動電機電 流變化即可推知是否達到研磨終點，從而實現(xiàn)在線實時的終點檢測。但是該 方法在具體實現(xiàn)時仍存在著以下不足1、 該方法易受到研磨液、機械振動等干擾因素的影響，存在監(jiān)測精度低、 信號處理過于復(fù)雜和可靠性差等缺陷，無法確保CMP工藝的重復(fù)性。2、 該方法需要對研磨設(shè)備進行外型和線路上的修改，實現(xiàn)復(fù)雜。3、 該方法只適用于摩擦系數(shù)變化大的研磨過程，不適用于僅以去除薄膜 厚度為目的的研磨過程。因此，目前所用的確定CMP終點的主流技術(shù)仍是基于時間的離線終點檢 測技術(shù)。該技術(shù)檢測研磨終點的方法是依照不同產(chǎn)品的需求，預(yù)先決定研磨 去除量，再以控制研磨時間的方式來決定研磨終點。通常會先對試片進行預(yù) 先實驗研磨，在加工裝置外進行離線評估之后，取得研磨時間及研磨速度的 關(guān)系，再依此來進行產(chǎn)品的CMP平整化。離線終點檢測具有易于實施、操作 性較強等優(yōu)點，但是因為影響CMP工藝研磨速率的因素過多，如設(shè)備工作的 時間長短，研磨墊(polishpad)的新舊程度等會對研磨速率產(chǎn)生影響，導(dǎo)致 簡單地采用研磨時間來確定研磨終點的方法并不可靠；CMP工藝中待研磨晶 片的狀態(tài)及研磨環(huán)境等因素的變化，也會導(dǎo)致到達到研磨終點所需的時間不 同，如不同規(guī)格晶片表面形貌的不同，前步沉積工藝不穩(wěn)定造成的待研磨薄
膜厚度的不均勻等都會使需要的研磨時間發(fā)生變化。因此，單純采用基于時 間的離線終點檢測會產(chǎn)生較大的誤差，不能有效避免過度研磨或研磨不足的 產(chǎn)生，對于要保持批與批之間研磨的高重復(fù)性更是尤為困難。圖2為采用現(xiàn)有的離線終點檢測技術(shù)的研磨后厚度統(tǒng)計圖，如圖2所示，圖中201表示的是一批晶片研磨后厚度的數(shù)據(jù)點，可以看到，多批的研磨后厚度離散范圍較大，達500A以上，研磨終點的確定明顯不夠準確。為更為準確地確定研磨終點， 現(xiàn)有的CMP工藝不得不隨時監(jiān)測CMP過程中的各種變化因素，如，頻繁地利 用試片進行研磨速率的測試，在生產(chǎn)過程中進行多次監(jiān)測等，導(dǎo)致了較低的 生產(chǎn)效率，較低的生產(chǎn)成品率以及較高的生產(chǎn)成本。申請?zhí)枮?3150426.4的中國專利公開了 一種決定化學機械研磨的研磨時 間的方法，該方法結(jié)合了在線實時終點檢測和基于時間的離線終點檢測技術(shù)， 通過實驗分別確定了不同研磨和晶片類型的研磨層厚度與EPD檢測時間的對 應(yīng)軌跡關(guān)系，并將根據(jù)這一軌跡關(guān)系導(dǎo)出的等式存于程序(recipe)中，在研 磨時加以套用，實現(xiàn)控制研磨終點的目的。但是該方法中只考慮了不同研磨 層厚度對研磨時間的影響，而未考慮到設(shè)備狀態(tài)、設(shè)備工作時間、待研磨晶 片狀態(tài)等多種其它因素對確定研磨終點的影響，使得由該方法確定的研磨終 點仍不夠準確，仍會導(dǎo)致較高的返工率和廢品率，需要在生產(chǎn)過程中進行多 次監(jiān)測，生產(chǎn)效率較低。 發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供了 一種化學機械研磨終點的控制方法，該方法全面考慮了影 響CMP工藝的眾多因素，并將各因素對確定各批晶片研磨終點的影響計入自 動化程序中，對總的研磨時間進行修正，提高多批晶片研磨中研磨厚度的一 致性和研磨終點的準確性。本發(fā)明提供了 一種化學機械研磨終點的控制方法，包括步驟 確定待研磨晶片的研磨參數(shù)、相關(guān)的前步工藝參數(shù)及研磨修正因子； 根據(jù)所述的研磨參數(shù)、前步工藝參數(shù)及研磨修正因子計算所述晶片的研 磨時間；按照所述研磨時間對所述晶片進行研磨。其中，所述研磨參數(shù)包括預(yù)計研磨前厚度、待研磨層的研磨速率和預(yù)計 研磨時間；所述前步工藝參數(shù)包括實際研磨前厚度；所述研磨修正因子包括 由研磨設(shè)備狀態(tài)所確定的安全因子、由所述晶片的待研磨層材料確定的第一 返工因子和由研磨后的表面材料確定的第二返工因子。且所述安全因子設(shè)置值在0， 85至1之間，所述第一返工因子i殳置值在1至3之間，所述第二返工 因子設(shè)置值在0. 3至3之間。其中，所述研磨時間由公式研磨時間=安全因子x(預(yù)計研磨時間+(實際 研磨前厚度-預(yù)計研磨前厚度)/(第一返工因子x研磨速率)x 60)確定。其中，所述預(yù)計研磨時間由所述研磨設(shè)備之前進行的至少一批的研磨結(jié) 果確定。當總研磨批數(shù)小于20或在20到40批之間時，所述預(yù)計研磨時間由公式TO=T(n) x M+(T(n-l)+T(n-2) +......+T(l))/(n-l) x (l-M)確定，n為總研磨批數(shù)，T(n)為所述研磨進行之前的n批研磨中的最后一批的理想研磨時間，M是影 響預(yù)計研磨時間的改變速率的反饋因子，且所述反饋因子的值在0.25到0.85 之間。當總研磨批數(shù)在20到40批之間或超過40批后，所述預(yù)計研磨時間根據(jù) 所述研磨設(shè)備之前進行的各批次的研磨結(jié)果，由有限接近法確定，其計算公 式為T0= T(n) x M+T(n-1) x M x (l-M)+T(n-2) x M x (l-M)A2+...+T(n-X + 1) x M x (l-M) AX - 1 )， n為總研磨批數(shù)，T(n)為所述研磨進行之前的n批研磨 中的最后一批的理想研磨時間，M是決定TO的改變速率的反饋因子，X表示 確定所述預(yù)計研磨時間時采用的研磨批數(shù)。其中，所述反饋因子M的取值范圍隨所述采用的研磨批數(shù)X發(fā)生相應(yīng)變化。其中，所述最后一批的理想研磨時間是利用最后一批研磨后的實際研磨 后厚度與預(yù)計研磨后厚度之間的差，對實際的最后一批研磨時間進行修正后 的時間。對于淺槽隔離結(jié)構(gòu)的研磨，化學機械研磨終點的控制方法中所述研磨參 數(shù)包括預(yù)計研磨前厚度、待研磨層的研磨速率、預(yù)計研磨時間和預(yù)計溝槽深 度；所述前步工藝參數(shù)包括實際研磨前厚度和實際溝槽深度；所述研磨修正 因子包括由研磨設(shè)備狀態(tài)所確定的安全因子、由所述待研磨層狀態(tài)確定的第 一返工因子、由所述研磨后厚度所確定的第二返工因子和由溝道深度偏離效 應(yīng)所確定的溝槽因子。且所述安全因子設(shè)置值為0. 85至1,所述第一返工因
子設(shè)置值在1至3之間，所述第二返工因子在0. 3至3之間，所述溝槽因子 在2至5之間。其中，所述研磨時間是由公式研磨時間=安全因子x (預(yù)計研磨時間+(實 際研磨前厚度-預(yù)計研磨前厚度)/(第一返工因子x研磨速率)x 60 -(實際溝 槽深度-預(yù)計溝槽深度)/(溝道因子x第二返工因子x研磨速率)x60)確定。其中，所述預(yù)計研磨時間由所述研磨設(shè)備之前進行的至少一批的研磨結(jié) 果確定。當總研磨批數(shù)小于20或在2G到40批之間時，所述預(yù)計研磨時間由公式T0=T(n)xM+(T(n-l)+T(n-2) +......+T(l))/(n-l) x (l-M)所確定，n為總研磨批數(shù)，T(n)為所述研磨進行之前的n批研磨中的最后一批的理想研磨時間，M是 影響所述預(yù)計研磨時間的改變速率的反饋因子，且所述反饋因子的值在0.25 到0.85之間。當總研磨批數(shù)在20到40批之間或超過40批后，所述預(yù)計研磨時間根據(jù) 所述研磨設(shè)備之前進行的各批次的研磨結(jié)果，由有限接近法確定，其計算公 式為T0= T(n) x M+T(n-1) x M x (l-M)+T(n-2) x M x (l-M)A2+...+T(n-X + 1) x M x (l-M) AX - 1 )， n為總研磨批數(shù)，T(n)為所述研磨進行之前的n批研磨 中最后一批的理想研磨時間，M是決定TO的改變速率的反饋因子，X表示確 定所述預(yù)計研磨時間時采用的研磨批數(shù)。其中，所述反饋因子的取值范圍隨所述采用的研磨批數(shù)發(fā)生相應(yīng)變化。其中，所述最后一批的理想研磨時間是利用最后一批研磨后的實際研磨 后厚度與預(yù)計研磨后厚度之間的差，對實際的最后一批研磨時間進行修正后 的時間。此外，所述方法進一步包括 測量已研磨晶片的研磨后厚度； 根據(jù)所述研磨后厚度計算已研磨晶片的理想研磨時間； 結(jié)合已研磨晶片的理想研磨時間對下一批待研磨晶片的預(yù)計研磨時間 進行修正。其中，所述已研磨晶片的理想研磨時間由所述已研磨晶片的預(yù)計研磨時間x安全因子+(所述已研磨晶片的實際研磨后厚度-所述已研磨晶片的預(yù)計研磨后厚度)/(第二返工因子x研磨速率)x 60所確定。
另外，在按照所述研磨時間對所述待研磨晶片進行研磨前，先要對計算得到的所述研磨時間與預(yù)計研磨時間的比值進行^r測，所述比值在0.9到1.1 之間，開始研磨；否則，停止運行。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點本發(fā)明化學機械研磨終點的控制方法，全面考慮了影響CMP工藝的眾多 因素，如器件結(jié)構(gòu)、晶片表面狀態(tài)、研磨種類、研磨層厚度、設(shè)備工作時間、 研磨中耗材的消耗情況以及設(shè)備的狀態(tài)等，采用了閉環(huán)控制的方式將各因素 對確定研磨終點的影響計入自動化程序中，利用之前進行的多批研磨數(shù)據(jù)的 統(tǒng)計結(jié)果對總的研磨時間進行修正，提高了研磨終點確定的準確性，確保了 生產(chǎn)中批與批之間的研磨總量的重復(fù)一致性，減少了返工率和廢品率，減少了利用試片進行研磨速率檢測的次數(shù)，提高了生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本。本發(fā)明化學機械研磨終點的控制方法，采用的是研磨時間控制模式，程 序簡單、易于維護，具有較強的靈活性和可操作性。本發(fā)明化學機械研磨終點的控制方法，既適用于各種類型的研磨，如氧 化物的研磨，淺槽隔離(STI， Shallow Trench Isolation)的研磨，也適用于各 種類型的研磨機，具有通用性強的特點。本發(fā)明化學機械研磨終點的控制方法，具有對本身設(shè)置狀態(tài)的檢測能力， 通過對防呆因子K1的檢測，確保了其本身設(shè)置的正確性，進一步提高了研磨 的成品率。


圖1為化學機械研磨工藝示意圖；圖2為采用現(xiàn)有的離線終點檢測技術(shù)的研磨后厚度統(tǒng)計圖； 圖3為本發(fā)明化學機械研磨終點的控制方法的流程圖； 圖4為本發(fā)明第一實施例的研磨后厚度統(tǒng)計圖；圖5為本發(fā)明第一實施例中集中度取最大值時的反饋因子與研磨速率偏 移量的關(guān)系圖；圖6A和6B為本發(fā)明第二實施例中STI溝槽研磨前后的示意圖。
具體實施方式
為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖 對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細的說明。
本發(fā)明化學機械研磨終點的控制方法，可以采用先進的工藝控制(APC, Advance process control)技術(shù)，結(jié)合生產(chǎn)線上各相關(guān)工藝的數(shù)據(jù)，利用設(shè)備上 的自動化程序(EAP， Equpiment Automation Program )，將影響研磨終點確 定的各因素均計入自動化程序中，同時，利用在本次研磨之前進行的多批研 磨結(jié)果的統(tǒng)計數(shù)據(jù)對預(yù)計的本次研磨時間進行修正，提高研磨終點確定的準 確性。本發(fā)明的第 一實施例是對金屬層間介電層(ILD, intel metal dielectric)二氧 化硅層的研磨終點進行控制。圖3為本發(fā)明化學機械研磨控制方法的流程圖。結(jié)合圖3對本發(fā)明的第 一實施例進行詳細介紹首先，在EAP程序中選擇本次研磨的器件種類及研磨類型(S301)。如 果該類器件在EAP中是第一次出現(xiàn)，則在輸入本次研磨的器件種類及研磨類 型后，還要在EAP中設(shè)置該器件種類及研磨類型所對應(yīng)的相關(guān)研磨參數(shù)信息； 如果該類器件的該種研磨在EAP中已出現(xiàn)過，則可以直接調(diào)用研磨參數(shù)信息。 研磨信息包括預(yù)計研磨前厚度Thl，預(yù)計研磨后厚度Th2、理想研磨速率RR 和預(yù)計研磨時間T0。本實施例中，預(yù)計的二氧化硅研磨層在研磨前的厚度為 10000A到20000A，如為12500A;研磨后厚度為5000A到10000A,如為7500A; 理想研磨速率是指無圖形的研磨材料的平均研磨速率，取值可在25 A/s到60 A/s之間，如為35A/s;第一次研磨時可將預(yù)計研磨時間的初始設(shè)置值在100 到200秒之間，如為150秒，隨著研磨批次的增加，每次研磨后都會根據(jù)之 前的研磨結(jié)果對其進行及時修正，以更準確地代表本研磨設(shè)備的研磨狀態(tài)。然后，對修正因子進行設(shè)置(S302)。本發(fā)明全面考慮了影響CMP研磨 終點的各個因素，如研磨設(shè)備的狀態(tài)，研磨層薄膜的性質(zhì)、研磨終止時接觸 到的下層材料的性質(zhì)等，并以修正因子的形式加入到EAP程序中，對確定到 達研磨終點所需的研磨時間進行修正，以確保研磨生產(chǎn)中批與批之間的重復(fù) 性，減少返工率和廢品率。本實施例中采用了三個修正因子對研磨終點的確定進行修正1、安全因子S1:該修正因子主要是考慮了因研磨設(shè)備狀態(tài)不同造成的研 磨終點的偏差。如新更換了研磨墊的研磨設(shè)備，其研磨速率會略快，若仍按 一般的研磨時間作為標準，易造成過度研磨，損傷硅片，此時可將安全因子
設(shè)為0.95，將其與通常所用的研磨時間相乘，得到本批的研磨時間，就可以 有效防止過度研磨。該修正因子可隨研磨墊使用時間的長短而取不同的值， 一般取值范圍在0.85到1之間，隨著研磨墊使用的時間越長，其取值越接近 于l,該安全因子主要是為了防止硅片過研磨，造成廢品率上升。2、 第一返工因子Rl:該修正因子主要是考慮不同的待研磨層材料性質(zhì) 不同，軟硬程度不同，其研磨速率也會有所差別，會對研磨終點的確定有所 影響。其取值范圍一般在1到3之間，如摻雜不同的氧化硅材料的研磨速率 就有所不同，若待研磨材料是摻有硼(B)、磷(P)的二氧化硅材料硼磷硅 玻璃BPSG，其研磨速率會較快，就可以將第一返工因子Rl設(shè)置在2-2.5左 右，如為2.3;若是未摻雜的二氧化硅，則可將第一返工因子Rl設(shè)置為接近 1，如為1。3、 第二返工因子R2:該修正因子主要是考慮到研磨后表面材料的性質(zhì) 對確定研磨終點的影響。其取值也是根據(jù)不同的研磨后表面材料的不同性質(zhì)， 不同軟硬程度而確定，設(shè)置范圍一般在0.3到3之間，如若二氧化硅研磨后， 露出的下層材料為較硬的SiN層，則其第二返工因子R2可取值0.3。本實施 例中只是將二氧化硅層減薄，研磨后露出的仍是二氧化硅層，則此時的第二 返工因子R2的取值可與第一返工因子R1相同，如都設(shè)置為1?？梢钥闯觯斞心ピO(shè)備和待研磨器件的種類及研磨類型確定后，這兩個 修正因子也就確定了 ，可以在EAP中直接輸入對應(yīng)的設(shè)置值。接著，輸入本批待研磨硅片的批號，得到與本批硅片相關(guān)的前步工藝數(shù) 據(jù)(S303 )。除利用修正因子對研磨時間進行修正外，還考慮到了前面工藝對 研磨結(jié)果的影響。本實施例中，前面沉積二氧化硅層工藝具有一定不穩(wěn)定性， 其所沉積的二氧化硅層很可能與系統(tǒng)中設(shè)置的預(yù)計研磨前厚度不一致。如果 不加考慮，研磨后這一原有的厚度不一致性還會被繼承下去，不可能在CMP 后實現(xiàn)硅片厚度一致。本實施例中利用APC技術(shù)，實現(xiàn)了生產(chǎn)線上相關(guān)工藝 數(shù)據(jù)的共享，在EAP中輸入本批待研磨硅片的批號后，即可自動調(diào)入本批待 研磨硅片在前步工藝中的相關(guān)數(shù)據(jù)信息，如可得到本批硅片在沉積二氧化硅 后測量得到的實際二氧化硅層厚度，即實際研磨前厚度Th。再接著，利用公式計算本批硅片的研磨時間T (S304)。本實施例中所用 的公式為T=S1 x ( T0+(Th - Thl)/(R1 x RR) x 60) 其中，T為計算所得的本批硅片的研磨時間；Sl為安全因子；TO為預(yù)計研磨時間；Th為實際研磨前厚度；Thl為預(yù)計研磨前厚度；Rl為第一返工因子；RR為理想的研磨速率。 由公式可以看到，本實施例中計算本批硅片的研磨時間時，考慮到了前 步工藝對研磨時間的影響，并結(jié)合修正因子S1、 Rl對實際所需要的研磨時間 進行了修正，提高了確定研磨終點的準確性，提高了批與批之間研磨結(jié)果的 重復(fù)性。圖4為本發(fā)明第一實施例的研磨后厚度統(tǒng)計圖，如圖4所示，圖中 401表示的是一批硅片研磨后厚度的數(shù)據(jù)點，可以看到，與圖2相比，多批的 研磨后厚度的離散范圍已縮小至200A左右，批與批之間的重復(fù)性有顯著的提 高。本實施例中，在計算得到本批硅片的研磨時間T后，要對該計算結(jié)果進 行防呆檢查(S305 )。為進一步提高研磨的成品率，要防止一些人為因素導(dǎo)致 研磨時間T計算錯誤，如某個參數(shù)輸入錯誤，可能會導(dǎo)致研磨時間遠遠偏離 正常值，例如，前步沉積二氧化硅的操作人員錯將測量的二氧化硅層實際厚 度10000 A輸為IOOOOOA，此時，計算得到的本批的研磨時間T時會遠遠大于通常的預(yù)計研磨時間，如果不進行防呆檢查，直接由程序自動按計算得到的研磨時間T進行研磨，顯然會造成過度研磨，導(dǎo)致本批硅片全部報廢。本 實施例中，設(shè)置了防呆因子K1，其定義為計算得到的本批研磨時間T與預(yù)計 研磨時間TO的比值，由于每批結(jié)束后都要對下一批的預(yù)計研磨時間TO進行 修正，故而K1值也是隨時更新的。在正式研磨前由程序自動檢查該K1值， 如果K1值在0.9到l.l之間，表明正常，可以進入下一步程序的執(zhí)行；如果 發(fā)現(xiàn)Kl值超出了 0.9到U之間的范圍，則有可能是因一些參數(shù)輸入錯誤造 成，此時，程序會停止運行，提示工程師對所設(shè)置參數(shù)進行檢查，杜絕人為 失誤造成的損失。然后，在檢查判斷出防呆因子K1正常后，按照計算得到的本批硅片的研
磨時間T對本批硅片進行研磨(S306 )。本批硅片研磨完成后，需要對硅片的研磨后厚度進行測量，并輸入EAP 中(S307)。本步操作可以為下一次研磨時間的確定提供數(shù)據(jù)。接著，EAP根據(jù)輸入的實際研磨后厚度對對本研磨設(shè)備的下一批預(yù)計研 磨時間TO進行修正(S308 )。當該種器件種類及研磨類型在本研磨設(shè)備上進行的次數(shù)還較少時，如少 于20次或在20到40次之間時，可利用公式<formula>formula see original document page 15</formula>對本研磨設(shè)備上該種器件種類及研磨類型的預(yù)計研磨時間TO進行修正。當該種器件種類及研磨類型在本研磨設(shè)備上進行研磨的總次數(shù)已較多， 如總次數(shù)達到20到40次之間或多于40次時，可用有限接近法對預(yù)計研磨時 間TO進行修正，該方法更為精確，其公式為<formula>formula see original document page 15</formula>上述兩個公式中的，n為總研磨批數(shù)；M是決定TO的改變速率的反饋因 子；X表示確定所述預(yù)計研磨時間時采用的研磨批數(shù)，X的取值由計算精度 要求和數(shù)據(jù)庫的大小決定，X越大,則計算越精確，但所需存儲的有關(guān)研磨結(jié)果 的數(shù)據(jù)量越多，需要的數(shù)據(jù)存儲空間也越大；公式中的T(n)為所述研磨進行 之前的n批研磨中最后一批的理想研磨時間，即根據(jù)最后一次研磨的實際研 磨后厚度Thk與預(yù)計研磨后厚度Thkl之間的差，計算得出的若要達到預(yù)計研 磨后厚度Thkl的研磨時間，所用的公式為<formula>formula see original document page 15</formula>其中，T(n)為計算所得的之前的n批研磨中最后一批的理想研磨時間；SI為安全因子；TO為本次的預(yù)計研磨時間；Thk為實際研磨后厚度；Thkl為預(yù)計研磨后厚度；R2為第二返工因子；RR為理想的研磨速率。 另外，對TO進行修正的兩個公式中的M是決定預(yù)計研磨時間TO的改變
速率的反饋因子，M的取值范圍隨著采用的研磨批數(shù)X取值的不同會有相應(yīng)的變化，如當X取值為20時，M的可取值范圍在0.25到0.85之間，如果此時M 取值過小，假設(shè)取為0.1，則會造成對T0的修正不準確，最終影響到研磨終 點確定的準確性；但當X的取值較大時，如100，此時即使M的取值略小些， 對TO的修正影響也不會很大，因此，在設(shè)置M值時需要注意其取值范圍隨X 的取值的不同要有相應(yīng)的變化。 一般M取值范圍的確定是通過大量實驗數(shù)據(jù) 確定的，目的是為了得到更準確的研磨終點，實現(xiàn)批與批之間的高重復(fù)性。半導(dǎo)體制造工藝中，衡量批與批之間重復(fù)性的一個重要參數(shù)是制造能力 指數(shù)或稱為集中度Cpk， Cpk值越大，表示批與批之間的重復(fù)性越好。為得到 反饋因子M的最佳取值范圍，在利用有限接近法對預(yù)計研磨時間T0進行修 正時，采用的研磨批數(shù)為20的情況下，對多批硅片在不同研磨速率RR下， 取不同M值時的Cpk進行了統(tǒng)計。圖5為本發(fā)明第一實施例中集中度取最大 值時的反饋因子與研磨速率偏移量的關(guān)系圖，如圖5所示，圖中501是實驗 數(shù)據(jù)點，可以看出，隨著研磨速率偏移量的增大，對于集中度Cpk為最大值 時的反饋因子M值集中在0.25到0.85之間，因此，本發(fā)明中反饋因子M — 般取值在此范圍內(nèi)，以達到對預(yù)計研磨時間T0的最佳的修正效果。本修正步 驟利用該研磨設(shè)備本次及之前的多批研磨的結(jié)果數(shù)據(jù)對下次的預(yù)計研磨時間 進行修正，用這種統(tǒng)計的修正方法可以將該研磨設(shè)備的研磨特點及研磨規(guī)律 綜合到一起，更為準確地控制下一批硅片的研磨。至此，完成了一次硅片上ILD層的研磨過程，通過以上各種修正，本實 施例實現(xiàn)了準確的研磨終點的確定，提高了批與批間研磨結(jié)果的重復(fù)性。本發(fā)明的第二實施例是對淺槽隔離(STI)結(jié)構(gòu)進行研磨。 一般的APC 系統(tǒng)只能用于氧化硅的研磨控制，而本發(fā)明的APC系統(tǒng)還可以用于STI結(jié)構(gòu) 的研磨控制。圖6A和6B為本發(fā)明的第二實施例中的STI結(jié)構(gòu)研磨前后示意圖。圖6A為 研磨前的STI結(jié)構(gòu)示意圖，如圖6A所示，STI結(jié)構(gòu)的形成為首先在Si襯底601 上沉積生長一層SiN停止層602，厚度在1000-3000A之間，如為1700A,光刻 出隔離圖案后進行刻蝕形成STI溝槽，溝槽深度一般在2000A - 6000A之間， 如為4000A;接著沉積一層厚的SiO2層603作為填充物填充溝槽，厚在度4000 -8000A之間，如為6000A。形成STI結(jié)構(gòu)后需要作平坦化處理以去除多余的 填充物，圖6B為研磨后的STI結(jié)構(gòu)示意圖，如圖6B所示，填充溝槽后，表面多 余的二氧化硅603已研磨去除，形成了一個平坦的硅片表面。下面結(jié)合圖3對控制該STI結(jié)構(gòu)研磨的終點的方法進行詳細介紹 首先，在EAP程序中選擇待研磨的STI結(jié)構(gòu)對應(yīng)的器件種類及研磨類型 (S301)。如果該類器件已在選用的研磨設(shè)備上處理過，則可以直接調(diào)用在 EAP中已設(shè)置的該器件種類及研磨類型所對應(yīng)的相關(guān)參數(shù)信息。如預(yù)計研 磨前Si02層603的厚度為6000A;預(yù)計研磨后SiN停止層602的厚度為1100A; 預(yù)計溝槽深度為4000A;理想研磨速率為35 A/s;本批的預(yù)計研磨時間為100 秒。然后，對修正因子進行設(shè)置(S302) 。 STI結(jié)構(gòu)的研磨是要將表面多余的 填充物二氧化硅研磨去除，在研磨至下層的SiN層時停止，在確認研磨終點 時下層的SiN層的材料性質(zhì)也會對研磨結(jié)果有影響。另外，確定研磨終點時， STI結(jié)構(gòu)中溝槽的形成狀態(tài)，如深度也會影響到研磨的結(jié)果，若溝槽深度比預(yù) 計的要深，則意味著為了防止STI結(jié)構(gòu)受到損傷，對于厚度相同的表面氧化 硅層的研磨量必須要減小，即研磨時間要縮短。此外，為了更好地控制STI 結(jié)構(gòu)的研磨，還要考慮到器件密度對溝槽研磨速率的影響。所以在本實施例 中，除第一實施例中的所說的考慮到被研磨設(shè)備狀態(tài)不同造成的研磨終點的 偏差而設(shè)置的安全因子Sl、考慮到不同的待研磨層材料性質(zhì)對研磨結(jié)果的影 響的第一返工因子Rl和考慮到研磨后表面材料的性質(zhì)對確定研磨終點的影 響的第二返工因子R2外，還需要增加為了彌補刻蝕溝槽的偏離效應(yīng)而設(shè)置的 溝槽因子Tr，其兼顧到了器件密集度對研磨結(jié)果的影響。其中，安全因子S1、第一返工因子R1和第二返工因子R2的設(shè)置方法與 第一實施例中的一致。安全因子S1的取值范圍也在0.85到l之間，如對于新 更換了研磨墊或新更換了在研磨過程中用于處理研磨墊的金剛盤的研磨設(shè) 備，可將安全因子設(shè)為0.95,以防止研磨速率過快造成過度研磨。第一返工 因子R1的設(shè)置范圍在1到3之間，本實施例中待研磨的表面材料二氧化硅層， 可取值為1。第二返工因子R2的取值范圍在0.3到3之間，本實施例中要將 待研磨的表面材料二氧化硅層完全去除，露出其下層的SiN層，為防止二氧 化硅去除不干凈， 一般也會研磨掉一小部分SiN，因此，研磨完成后露出的表 面材料應(yīng)是SiN，故而第二返工因子R2取值可為0.3。溝槽因子Tr決定了補 償溝槽的深度差異的程度，其取值與器件密集度有關(guān)，密集度越大，其取值越大，取值范圍一般在2到5之間，如為4。接著，輸入本批待研磨硅片的批號，獲得本批硅片的相關(guān)數(shù)據(jù)(S303 )。 本實施例中前面工藝中對研磨結(jié)果有較大影響的除了有二氧化硅層的實際沉 厚度外，還有STI溝槽的實際刻蝕深度。本實施例中，在EAP中輸入本批待 研磨硅片的批號后，即可利用APC技術(shù)自動調(diào)入本批待研磨硅片的相關(guān)工藝 的共享數(shù)據(jù)，如可得到本批硅片在沉積二氧化硅后測量得到的實際二氧化硅 層厚度，即實際研磨前厚度Th，如為61 OOA;和本批硅片在刻蝕STI溝槽后 形成的實際溝槽深度Thr,如為4100A。再接著，就可以利用公式計算本批硅片的研磨時間T (S304)。本實施例 中所用的公式為T=S1 x ((T0+(Th - Thl)/(R1 x rr) x 60) - (Thr-Thrl)/(Tr x R2 x rr) x 60) 其中，T為計算所得的本批硅片的研磨時間；Sl為安全因子；TO為預(yù)計研磨時間；Th為實際研磨前'厚度；Thl為預(yù)計研磨前厚度；Rl為第一返工因子；RR為理想的研磨速率；Thr為實際溝槽深度；Thrl為預(yù)計溝槽深度；Tr為溝槽因子；R2為第二返工因子。 由公式可以看到，本實施例中的公式與第一實施例中的公式相比，增加 了有關(guān)溝槽深度的偏移量的修正項，該修正項是考慮到研磨時，STI結(jié)構(gòu)中溝 槽的實際深度對確定STI研磨終點的影響。如若溝槽深度比預(yù)計的要深， 則意味著填充相同厚度的二氧化硅層后，在溝槽上的需要研磨去除的二氧化 硅層厚度要小，這顯然會影響到研磨終點的判斷，需要縮短研磨時間，以防 止損傷STI結(jié)構(gòu)。然后，進行防呆檢查(S305 )。在正式研磨前由程序自動檢查防呆因子
Kl值，如果K1值在0.9到1.1之間，表明正常，可以進入下一步程序的執(zhí)行； 如果發(fā)現(xiàn)K1值超出了 0.9到1.1之間的范圍，則可能出現(xiàn)了錯誤，此時，程 序會停止運行，提示工程師對所設(shè)置參數(shù)進行檢查。接著，判斷出防呆因子K1正常后，按照計算得到的研磨時間T對本批硅 片進行研磨(S306 )。本批硅片研磨完成后，需要對硅片的研磨后厚度進行測量，并輸入EAP 中(S307 )。本步操作可以為下一次研磨時間的確定提供數(shù)據(jù)。接著，EAP根據(jù)輸入的實際研磨后厚度對對本研磨設(shè)備的下一批預(yù)計研 磨時間T0進行修正(S308 )。當該種器件種類及研磨類型在本研磨設(shè)備上進行的次數(shù)還較少時，如少 于20次，或在20到40次之間時，可利用公式T0=T(n) x M+(T(n-l)+T(n-2)+......+T(l))/(n-l) x (1-M)對本研磨設(shè)備上該種器件種類及研磨類型的預(yù)計研磨時間TO進行修正。當該種器件種類及研磨類型在本研磨設(shè)備上進行研磨的總次數(shù)已較多， 達到20到40次之間或超過40次時，可用有限接近法對預(yù)計研磨時間TO進 行修正，該方法更為精確，其所用公式為T0= T(n) x M+T(n-1) x M x (l-M)+T(n畫2) x M x (l-M)A2+...+T(n-X + ) x M x (1-M) A (X - 1 )上述兩個公式中的，n為總研磨批數(shù)，M是決定TO的改變速率的反饋因 子，其取值范圍所所采用的研磨批數(shù)有關(guān)， 一般在0.25到0.85之間，如為0.3; X表示確定所述預(yù)計研磨時間時采用的研磨批數(shù)，其取值同樣由計算精度要 求和數(shù)據(jù)庫的大小決定；公式中的T(n)為所述研磨進行之前的n批研磨中最 后一批的理想研磨時間，即根據(jù)最后一次研磨的實際研磨后厚度Thk與預(yù)計 研磨后厚度Thkl之間的差，計算得出的若要達到預(yù)計研磨后厚度Thkl的研 磨時間，所用的7>式為T(n)= TO x Sl+(Thk _ Thkl)/(R2 x RR) x 60其中，T(n)為計算所得的之前的n批研磨中最后一批的理想研磨時間； SI為安全因子； TO為本次的預(yù)計研磨時間； Thk為實際研磨后厚度；Thkl為預(yù)計研磨后厚度； R2為第二返工因子； RR為理想的研磨速率。 至此，控制完成了一批硅片的STI結(jié)構(gòu)的研磨過程。通過采用本發(fā)明的 控制方法，本實施例中的STI研磨后的SiN后厚度偏離小于50 A。本發(fā)明利用APC系統(tǒng)采用閉合循環(huán)的控制方式，監(jiān)控研磨工藝中批與批 之間的研磨狀態(tài)，并將產(chǎn)品信息自動反饋給微調(diào)程序，及時調(diào)整對預(yù)計研磨 時間，減少廢品率和返工率，大大節(jié)約了監(jiān)控研磨速率所需的時間和成本， 返工率由采用本發(fā)明的控制方法之前的〉6%降到3%，所需的監(jiān)控頻率由采 用本發(fā)明的控制方法之前的每6批監(jiān)控一次，降到每天一次，效果顯著。另外，采用本發(fā)明對研磨時間進行修正前，硅片研磨的集中度Cpk的平 均值<1，而采用本發(fā)明對研磨時間進行修正后，硅片研磨的集中度Cpk的平 均值達到>1.55,也就是說，批與批之間的研磨結(jié)果重復(fù)性、集中度有了明顯 的提高。本發(fā)明綜合考慮了眾多影響CMP研磨結(jié)果的因素，如安全因子、第一返 工因子、第二返工因子等，并利用防呆因子對程序結(jié)果進行自檢，利用反饋 因子調(diào)整對預(yù)計研磨時間進行修正的速率。以上實施例中，列舉了當研磨設(shè)備新更換了研磨墊或新更換了在研磨過 程中用于處理研磨墊的金剛盤時，對安全因子的影響；在本發(fā)明的其它實施 例中，安全因子的設(shè)置還可以因其它研磨設(shè)備狀態(tài)的變化而發(fā)生改變，如使 用研磨液的狀態(tài)、研磨頭的狀態(tài)等。以上實施例中，列舉了部分修正因子的設(shè)置方法，在本發(fā)明的其它實施 例中，工程師還可以根據(jù)一些實際情況對各修正因子進行靈活的設(shè)置，給予 了工程師較大的可操作空間。以上實施例中，是利用APC技術(shù)自動獲得相關(guān)的工藝參數(shù)，并通過EAP 設(shè)置及運行控制程序的；在本發(fā)明的其它實施例中，也可以通過人工計算或 自編程序確定本批所需的研磨時間，再直接對研磨終點進行控制。本發(fā)明雖然以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本 領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動和修 改，因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng)當以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的范圍為準。
權(quán)利要求
1、 一種化學機械研磨終點的控制方法，其特征在于，包括步驟確定待研磨晶片的研磨參數(shù)、相關(guān)的前步工藝參數(shù)及研磨修正因子； 根據(jù)所述的研磨參數(shù)、前步工藝參數(shù)及研磨修正因子計算所述晶片 的研磨時間；按照所述研磨時間對所述晶片進行研磨。
2、 如權(quán)利要求1所述的控制方法，其特征在于所述研磨參數(shù)包括預(yù)計 研磨前厚度、待研磨層的研磨速率和預(yù)計研磨時間。
3、 如權(quán)利要求1所述的控制方法，其特征在于所述前步工藝參數(shù)包括 實際研磨前厚度。
4、 如權(quán)利要求1所述的控制方法，其特征在于所述研磨修正因子包括 由研磨設(shè)備狀態(tài)所確定的安全因子、由所述晶片的待研磨層材料確定的第一 返工因子和由研磨后的表面材料確定的第二返工因子。
5、 如權(quán)利要求4所述的控制方法，其特征在于所述安全因子設(shè)置值在 0. 85至1之間。
6、 如權(quán)利要求4所述的控制方法，其特征在于所述第一返工因子設(shè)置 值在1至3之間。
7、 如權(quán)利要求4所述的控制方法，其特征在于所述第二返工因子設(shè)置 值在0. 3至3之間。
8、 如權(quán)利要求2或3或4所述的控制方法，其特征在于所述研磨時間 由公式研磨時間=安全因子x (預(yù)計研磨時間+(實際研磨前厚度-預(yù)計研磨前 厚度)/(第 一返工因子x研磨速率)x 60)確定。
9、 如權(quán)利要求8所述的控制方法，其特征在于所述預(yù)計研磨時間由所 述研磨設(shè)備之前進行的至少 一批的研磨結(jié)果確定。
10、 如權(quán)利要求8所述的控制方法，其特征在于總研磨批數(shù)小于20或 在20到40批之間時，所述預(yù)計研磨時間由公式TO=T(n) x M+(T(n-1 )+T(n-2) +......+T(l))/(n-l)x(l-M)確定，n為總研磨批數(shù)，T(n)為所述研磨進行之前的n批研磨中的最后一批的理想研磨時間，M是影響預(yù)計研磨時間的改變速率的 反饋因子。
11、 如權(quán)利要求IO所述的控制方法，其特征在于所述反饋因子的值在 0.25到0.85之間。
12、 如權(quán)利要求8所述的控制方法，其特征在于總研磨批數(shù)在20到40 批之間或超過40批后，所述預(yù)計研磨時間4艮據(jù)所述研磨設(shè)備之前進行的各批 次的研磨結(jié)果，由有限接近法確定。
13、 如權(quán)利要求12所述的控制方法，其特征在于所述預(yù)計研磨時間由 公式T0= T(n) x M+T(n-1) x M x (l-M)+T(n-2) x M x (l-M)A2+...+T(n-X + 1) x M x (l-M) AX - 1 )確定，n為總研磨批數(shù)，T(n)為所述研磨進行之前的n批研 磨中的最后一批的理想研磨時間，M是決定TO的改變速率的反饋因子，X表 示確定所述預(yù)計研磨時間時采用的研磨批數(shù)。
14、 如權(quán)利要求13所述的控制方法，其特征在于所述反饋因子的取值 范圍隨所述采用的研磨批數(shù)發(fā)生相應(yīng)變化。
15、 如權(quán)利要求13所述的控制方法，其特征在于所述最后一批的理想 研磨時間是利用最后一批研磨后的實際研磨后厚度與預(yù)計研磨后厚度之間的 差，對實際的最后 一批研磨時間進行修正后的時間。
16、 如權(quán)利要求1所述的控制方法，其特征在于對于淺槽隔離結(jié)構(gòu)的 研磨，所述研磨參數(shù)包括預(yù)計研磨前厚度、待研磨層的研磨速率、預(yù)計研磨 時間和預(yù)計溝槽深度。
17、 如權(quán)利要求1所述的控制方法，其特征在于對于淺槽隔離結(jié)構(gòu)的 研磨，所述前步工藝參數(shù)包括實際研磨前厚度和實際溝槽深度。
18、 如權(quán)利要求1所述的控制方法，其特征在于對于淺槽隔離結(jié)構(gòu)的 研磨，所述研磨修正因子包括由研磨設(shè)備狀態(tài)所確定的安全因子、由所述待 研磨層狀態(tài)確定的第一返工因子、由所述研磨后厚度所確定的第二返工因子 和由溝道深度偏離效應(yīng)所確定的溝槽因子。
19、 如權(quán)利要求18所述的控制方法，其特征在于所述安全因子設(shè)置值 為0. 85至1。
20、 如權(quán)利要求18所述的控制方法，其特征在于所述第一返工因子設(shè) 置值在1至3之間。
21、 如權(quán)利要求18所述的控制方法，其特征在于所述第二返工因子在 0. 3至3之間。
22、 如權(quán)利要求18所述的控制方法，其特征在于所述溝槽因子在2至 5之間。
23、 如權(quán)利要求16或17或18所述的控制方法，其特征在于所述研磨 時間是由公式研磨時間=安全因子x (預(yù)計研磨時間+(實際研磨前厚度-預(yù) 計研磨前厚度)/(第一返工因子x研磨速率)x 60 -(實際溝槽深度-預(yù)計溝槽 深度)/(溝道因子x第二返工因子x研磨速率)x60)確定。
24、 如權(quán)利要求23所述的控制方法，其特征在于所述預(yù)計研磨時間由 所述研磨設(shè)備之前進行的至少 一批的研磨結(jié)果確定。
25、 如權(quán)利要求23所述的控制方法，其特征在于總研磨批數(shù)小于20 或在20到40批之間時，所述預(yù)計研磨時間由公式T0=T(n) x M+(T(n-l)+T(n-2)+......+丁(1))/(11-1)乂(1_^/1)所確定，n為總研磨批數(shù)，T(n)為所述研磨進行之前的n批研磨中的最后一批的理想研磨時間，M是影響所述預(yù)計研磨時間的改 變速率的反饋因子。
26、 如權(quán)利要求25所述的控制方法，其特征在于所述反饋因子的值在 0.25到0.85之間。
27、 如權(quán)利要求23所述的控制方法，其特征在于總研磨批數(shù)在20到 40批之間或超過40批后，所述預(yù)計研磨時間根據(jù)所述研磨設(shè)備之前進行的各 批次的研磨結(jié)果，由有限接近法確定。
28、 如權(quán)利要求27所述的控制方法，其特征在于所述預(yù)計研磨時間由 公式T0= T(n) x M+T(n-1) x M x (l-M)+T(n-2) x M x (l-M)A2+...+T(n-X + 1) x Mx (l-M) AX- 1 )確定，n為總研磨批數(shù)，T(n)為所述研磨進行之前的n批研 磨中最后一批的理想研磨時間，M是決定TO的改變速率的反饋因子，X表示 確定所述預(yù)計研磨時間時采用的研磨批數(shù)。
29、 如權(quán)利要求28所述的控制方法，其特征在于所述反饋因子的取值 范圍隨所述采用的研磨批數(shù)發(fā)生相應(yīng)變化。
30、 如權(quán)利要求28所述的控制方法，其特征在于所述最后一批的理想 研磨時間是利用最后一批研磨后的實際研磨后厚度與預(yù)計研磨后厚度之間的 差，對實際的最后 一批研磨時間進行修正后的時間。
31、 如權(quán)利要求1所述的控制方法，其特征在于所述方法進一步包括 測量已研磨晶片的研磨后厚度；根據(jù)所述研磨后厚度計算已研磨晶片的理想研磨時間；結(jié)合已研磨晶片的理想研磨時間對下一批待研磨晶片的預(yù)計研磨時間 進行修正。
32、 如權(quán)利要求31所述的控制方法，其特征在于所述已研磨晶片的理 想研磨時間由所述已研磨晶片的預(yù)計研磨時間x安全因子+(所述已研磨晶片 的實際研磨后厚度-所述已研磨晶片的預(yù)計研磨后厚度)/(第二返工因子x研 磨速率)x60所確定。
33、 如權(quán)利要求1所述的控制方法，其特征在于對所述待研磨晶片進 行研磨前，先對計算得到的所述研磨時間與預(yù)計研磨時間的比值進行檢測， 所述比值在0.9到1.1之間，開始研磨；否則，停止運行。
全文摘要
公開了一種化學機械研磨終點的控制方法，該方法設(shè)置了研磨晶片的研磨參數(shù)、相關(guān)的前步工藝參數(shù)及研磨修正因子，并據(jù)此計算得到晶片的研磨時間；再按照研磨時間對所述晶片進行研磨，提高了研磨終點確定的準確性，確保了生產(chǎn)中批與批之間的研磨結(jié)果重復(fù)性，減少了返工率和廢品率。
文檔編號H01L21/02GK101121246SQ200610030018
公開日2008年2月13日 申請日期2006年8月11日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月11日
發(fā)明者張映斌, 章媛媛, 莉 蔣, 衣冠君 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司