專利名稱：Cof用撓性印刷布線板及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及裝配IC或LSI等電子部件的COF薄膜載體帶、COF用撓性印刷電路(FPC)等的撓性印刷布線板及其制造方法。
背景技術：
隨著電子設備產業(yè)的發(fā)展，裝配IC(集成電路)、LSI(大規(guī)模集成電路)等電子部件的印刷布線板的需求急劇增加，而且要求電子機器的小型化、輕量化、高功能化，作為這些電子部件的裝配方法，最近采用了使用TAB(TapeAutomated Bonding)帶、T-BGA(Ball Grid Array)帶、ASIC帶、FPC(撓性印刷電路)等電子部件裝配用薄膜載體帶的裝配方式。特別在如專用計算機、攜帶電話等，那樣使用要求高清晰化、薄型化、液晶畫面的畫框面積狹小化的液晶顯示元件(LCD)的電子產業(yè)，其重要性更高。
作為在更小的空間進行更高密度裝配的裝配方法，在撓性印刷布線板上直接裝載裸露IC芯片的COF(芯片·導通·薄膜)已經實用化了。
使用COF的撓性印刷布線板，由于不具備裝置孔，則采用了導體層和絕緣層預先進行疊層的疊層薄膜，在向IC芯片的布線圖上直接裝載時，例如，通過透過絕緣層視認的內部引線和定位標記進行定位，在該狀態(tài)利用加熱工具進行IC芯片與布線圖即內部引線的接合(例如，參照專利文獻1)。
這種半導體芯片的裝配，由于在絕緣層直接接觸加熱工具的狀態(tài)下進行，并且在該狀態(tài)用加熱工具加熱到很高溫度，則會發(fā)生絕緣層熔著在加熱工具上的現(xiàn)象，成為裝造裝置停止的原因，有產生帶變形的問題。并且，當與加熱工具熔著時，加熱工具產生污染，存在妨礙可靠性、生產性的問題。
這樣的加熱工具熔著，在對無裝置孔的COF薄膜載體帶如COF用FPC的半導體芯片裝配時成為問題。
因此，為了防止加熱工具的熔著，開發(fā)了在背面設置起模層的COF薄膜載體帶(參照專利文獻2)。
然而，在其間不夾住襯墊帶直接卷繞這樣設置了高型層的COF薄膜載體帶后出廠，到IC芯片裝配的保管時間較長，并且在IC芯片裝配前將各布線圖切斷成長方形重疊保管時，在面板裝配(外部引線連接)時，例如，通過各方異性導電膜(ACF)與撓性線路板接合時，存在其接合力不足的問題。
專利文獻1特開2002-289651號公報(圖4～圖6，段落 、 等)專利文獻2特開2004-207670公報(權利要求)發(fā)明內容針對這種情況，本發(fā)明的目的是提供了一種COF用撓性印刷布線板及其制造方法，絕緣層不與加熱工具熱熔著，并且防止半導體芯片等電子部件裝配后的面板裝配時的接合力降低，提高了生產線的可靠性和生產性。
實現(xiàn)上述目的的本發(fā)明第1形態(tài)的COF用撓性印刷布線板，具有絕緣層、和與使在該絕緣層的至少一個面上疊層的導體層形成圖案的同時裝配半導體芯片的布線圖，其特征是在與上述絕緣層的上述半導體芯片裝配側相反側的面上，由含有Si元素化合物的起模劑形成的起模層，按照用波長分散型螢光X射線分析裝置檢出的Si強度為0.15～2.5kcps的膜厚設置。
該第1形態(tài)中，控制起模劑的膜厚，使Si強度為所定范圍，即可防止加熱工具的熔著以及面板裝配時的接合力降低。
本發(fā)明第2形態(tài)的COF用撓性印刷配線板，其特征是在第1形態(tài)中，上述起模層，按照波長分散型螢光X射線分析裝置檢出的Si強度為0.3～1.0kcps的膜厚設置。
該第2形態(tài)中，由于控制起模層的膜厚，使Si強度是0.3～1.0kcps，則能更可靠地防止加熱工具的熔著以及面板裝配時接合力降低。
本發(fā)明第3形態(tài)的COF用撓性印刷配線板，其特征是在第1或第2形態(tài)中，上述起模層是含有從硅烷化合物和硅溶膠中選擇的至少一種的起模劑。
該第3形態(tài)，可以更可靠防止加熱工具的熔著。
本發(fā)明第4形態(tài)的COF用撓性印刷配線板的制造方法，具備絕緣層、和與使在該絕緣層的至少一個面上疊層的導體層形成圖案的同時裝配半導體芯片的配線圖，其特征是在與上述絕緣層的上述半導體芯片裝配側相反側的面上，由含有Si元素化合物的起模劑形成起模層時，其膜厚按照用波長分散型螢光X射線分析裝置檢出的Si強度為0.15～2.5kcps設置。
該第4形態(tài)中，由于控制起模劑的膜厚，使Si強度為所定范圍，則可防止加熱工具的熔著以及面板裝配時的接合力降低。
本發(fā)明第5形態(tài)的COF用撓性印刷配線板的制造方法，其特征是在第4形態(tài)中，上述起模層，其膜厚按照波長分散型螢光X射線分析裝置檢出的Si強度為0.3～1.0kcps設置。
該第5形態(tài)中，由于按照Si強度為0.3～1.0kcps控制起模層的膜厚，則能更可靠地防止加熱工具的熔著以及面板裝配時的接合力降低。
本發(fā)明第6形態(tài)的COF用撓性印刷配線板的制造方法，其特征是在第4或第5形態(tài)中，作為上述起模層，采用含有從硅烷和硅溶膠中選擇的至少一種的起模劑。
該第6形態(tài)，可以制造能更可靠防止加熱工具熔著的COF用撓性印刷布線板。
本發(fā)明的COF薄膜載體帶和COF用FPC等的COF用撓性印刷布線板，具有導體層和絕緣層。作為用于COF用撓性印刷布線板的導體層和絕緣層的疊層膜，可以是在聚酰亞胺膜等的絕緣膜上噴涂鎳等的粘合強化層后，再進行鍍銅的疊層膜。作為疊層膜還可以是用涂敷法在銅箔上疊層聚酰亞胺膜的鑄造型疊層膜，也可以是通過熱可塑性樹脂·熱硬化性樹脂等在銅箔上熱壓接絕緣膜的熱壓接型疊層膜。本發(fā)明也可以采用任一種。
本發(fā)明的COF用撓性印刷布線板以及用本發(fā)明方法制造的COF用撓性印刷布線板，在與上述疊層膜的導體層相反側的絕緣層上設置起模層。該起模層具有在半導體芯片裝配時不與加熱工具粘合的起模性，而且可以用加熱也不會熱熔著的Si元素化合物形成，有機材料、無機材料都可以，特別希望使用硅系列起模劑。也就是，可以形成具有硅氧烷結合(Si-O-Si結合)的化合物。由硅系列化合物構成的起模層，能比較容易形成，即使在半導體裝置裝配面進行復制，也難以對半導體芯片裝配后的鑄模樹脂的粘結性產生不良影響。
本發(fā)明中，最重要的是按照波長分散型螢光X射線分析裝置檢出的Si強度為0.15～2.5kcps、最好為0.3～1.0kcps的膜厚，設置起模層的厚度。用能量分散型螢光X射線分析裝置時，Si的靈敏度不好，難于定量測定這次的數(shù)μm以下的薄膜厚度。
這里，當Si強度小于上述范圍時，有透明性惡化的傾向。更詳細地說，當Si強度在上述范圍內時，通過設置起模層，絕緣層表面的凹凸平滑化，與設置前相比透明性提高，而小于上述范圍時不能得到這樣的效果。另一方面，當Si強度超過上述范圍時，在形成起模層的起模劑接觸對象的布線圖等，有易于復制的傾向，產生在進行ACF接合和焊接時接合力降低的問題。也就是，當不通過襯墊帶直接卷繞具有Si強度超過上述范圍的起模層的COF用薄膜載體帶時，在起模層被卷繞在下側的薄膜載體帶易于復制，并且，即使疊置切斷成長方形的薄膜載體帶，起模層也易于復制。例如，當測定ACF粘結力時，在設置具有上述范圍的Si強度的起模層的情況下，粘結力為剝離狀態(tài)是凝集破壞的800～1000g/cm。在直接卷繞設置了具有超過上述范圍的Si強度的起模層的薄膜載體帶后，ACF接合時的ACF粘結力，為剝離狀態(tài)是界面剝離的300～500g/cm。
本發(fā)明中，作為起模劑采用硅系列化合物，也就是，作為形成由具有硅氧烷結合的化合物構成的起模層的起模劑，可以是硅系列起模劑，具體地說，可以含有由二硅氧烷、三硅氧烷等硅氧烷化合物中選擇的至少其中一種。
作為理想的起模劑，最好使用含有經過涂敷后反應變化為硅系列化合物的化合物，也就是甲硅烷、乙硅烷、丙硅烷等硅烷化合物或者硅溶膠系列化合物等的起模劑。
作為特別理想的起模劑可以是含有硅烷化合物之一種的烷氧基硅烷化合物的起模劑，以及含有具有硅氧烷結合的前驅體的Si-NH-Si構造的六甲基硅氮烷、全氧硅氮烷化合物的起模劑。通過涂敷或者與涂敷后空氣中的水分等反應，形成具有硅氧烷結合的化合物，例如，對于硅氮烷化合物來說，也可以是保留Si-NH-Si構造的狀態(tài)。
這樣涂敷起模劑后，由經過反應變化形成的硅系列化合物構成起模層，這是特別理想的。
各種起模劑，一般作為溶劑含有有機溶劑，但也可以使用水溶液或乳狀液。
作為具體例，可以是以二甲基硅氧烷為主成分的硅系列油；以甲基三氯甲苯(丁酮肟)、硅烷、甲苯、石油醚為成分的硅系列樹脂SR2411(商品名Dow Corning Toray Silicone Co.，Ltd.的產品)；以硅氮烷、合成異構烷烴、醋酸乙脂為成分的硅系列樹脂SEPA-COAT(商品名信越化學工業(yè)社制)。也可以是含有硅烷化合物的コルコ一トSP-2014S(商品名Colcoat Co.，Ltd.的產品)等。作為含有硅熔膠的起模劑，可以是コルコ一トP(商品名コルコ一ト株式會社制)等。硅溶膠含有的二氧化硅粒子直徑是0.005～0.008μm[50～80(埃)]這里，在半導體芯片裝配時，從具有不與加熱工具粘合的起模性以及不因這樣的加熱而熱熔著的效果來看，特別希望用含有硅氮烷化合物的起模劑設置由硅系列化合物構成的起模層。作為含有這樣的硅氮烷化合物的一種起模劑，可以是以硅氮烷、合成異構烷烴、醋酸乙脂為成分的硅系列樹脂SEPA-COAT(商品名信越化學工業(yè)社制)。
起模層的形成方法并無特別的限定，可以用噴霧器、浸漬、或者滾輪涂敷等涂敷起模劑或其溶液，也可以復制在基材膜上形成的起模層。無論哪種情況，為了防止絕緣層與起模層之間的剝離，也可以通過加熱處理等提高兩者間的接合力。并且，起模層不必全體均勻地設置，也可以保存間隔島狀地設置。例如，在COF薄膜載體帶進行復制時，也可以對應于后述的鏈輪洞孔之間的區(qū)域、或者在后工序裝配半導體芯片(IC)的區(qū)域，連續(xù)地或者間斷島狀地設置。
此外，由于可以直到半導體裝配時再設置起模層，則除了在設置導體層之后設置外，也可以在不設置導體層的絕緣層預先設置，還可以與設置導體層的同時設置。當然，不一定必須在導體層形成圖案前設置，也可以在導體層形成圖案后設置。
例如，除了在設置了導體層之后設置外，當在不設置導體層的絕緣層預先設置時，最好采用復制法。當在導體層形成圖案以后設置時，最好采用涂敷法，然而并不限定于此，在導體層形成圖案前的初期階段，也可以用涂敷法設置，在導體層形成圖案以后，也可以用復制法設置。
本發(fā)明的一個制造方法可以在光刻后，半導體裝配時設置起模層。這是因為由于光敏抗蝕層的剝離液等的作用，起模層有溶解的危險，則最好在導體層蝕刻并已除去布線圖用抗蝕掩模后設置。也就是，最好在除去抗蝕掩模并進行鍍錫后的工序中設置；或者，最好在除去抗蝕掩模、設置絕緣保護層、對導線電極進行電鍍以后的工序中設置。此外，這種起模層也可以通過涂敷起模劑溶液，經自然干燥形成，但為了提高接合強度，最好進行加熱處理。這里，作為加熱條件，例如加熱溫度為50～200℃，最好是100～200℃，加熱時間為1分～120分，最好是30分～120分。
本發(fā)明的另一制造方法是在絕緣層的導體層的相反側，也就是在裝配半導體芯片(IC)側的相反側的面上，復制在作為基材的復制用薄膜上形成的起模層。這里，作為復制條件，例如，加熱溫度是15～200℃，由滾輪或壓床加的載荷為5～50kg/cm2，處理時間為0.1秒～2小時。為了防止絕緣層與起模層之間剝離，復制后，可以通過加熱處理等提高兩者之間的接合力。作為此時的加熱條件，例如，加熱溫度為50～200℃，最好是100～200℃，加熱時間為1分～120分，最好是30分～120分。
采用復制法，由于可在半導體裝配時設置起模層，則可以在不設置導體層的絕緣層預先設置，也可以在設置導體層時，同時設置。當然，不一定必須在導體層形成圖案前設置，也可以在導體層形成圖案后設置。
例如，在不設置導體層的絕緣層預先設置時，采用復制法是恰當?shù)?。在制造工序的初期階段用復制法設置起模層時，不剝離形成起模層的基材膜，而作為增強膜使用，在最后工序再剝離基材膜。
本發(fā)明的COF用撓性印刷布線板，用于裝配半導體芯片等電子部件。這時，裝配方法沒有特別的限定，例如在芯片固定臺上載置的半導體芯片上，定位配置COF用撓性印刷布線板，在COF用撓性印刷布線板壓加熱器具，裝配半導體芯片。這時，由于具有上述所定范圍的Si強度的膜厚的起模層，則在位置對合時具有良好的透明性，位置對合比較容易。裝配時，加熱工具即使最低也在200℃以上，根據(jù)情況也可加熱到350℃以上，但由于在絕緣層上形成了起模層，則具有在兩者之間沒有產生熱熔著危險的效果。即使直接卷繞具有起模層的薄膜載體帶，或者即使疊層保存切斷為長方形的薄膜，起模層都具有在布線圖面難于復制的效用。


圖1是表示本發(fā)明一種實施形式的COF薄膜載體帶的概略構成圖，(a)是平面圖，(b)是斷面圖。
圖2是表示本發(fā)明一種實施形式的COF薄膜載體帶制造方法一例的斷面圖。
圖3是表示本發(fā)明另一種實施形式的COF用疊層膜的制造方法一例的斷面圖。
圖4是表示本發(fā)明一種實施形式的半導體裝置的制造方法的斷面圖。
圖5是表示本發(fā)明一種實施形式的起模層形成方法的概略圖。
具體實施例方式
以下，根據(jù)實施例說明屬于本發(fā)明一種實施形式的COF用撓性印刷布線板之一例的COF薄膜載體帶。以下的實施形式，將COF薄膜載體帶作為例子予以說明，對于COF用FPC也同樣可以實施。
圖1表示該實施形式的COF薄膜載體帶20。
如圖1(a)、(b)所示，本實施形式的COF薄膜載體帶20，采用由銅層構成的導體層11和聚酰亞胺構成的絕緣層12組成的COF用疊層膜制造，具有形成導體層11圖案的布線圖21以及在配線圖21的寬方向兩側設置的鏈輪孔22。布線圖21連續(xù)地設置在絕緣層12的表面。在布線圖21上，具有用絲網印刷法涂敷焊料保護材料涂敷溶液形成的或添加薄膜的絕緣保護層23。在焊接絕緣層12背面?zhèn)鹊闹辽買C芯片等的電極和內部引線的區(qū)域，通過涂敷起模劑或者復制復制用起模層，設置起模層13。起模層13也可以設置在整個絕緣層12的背面。并且，也可以在絕緣層12的兩面形成布線圖(2-metal COF薄膜載體帶)，這時，可以僅在加熱工具接觸的區(qū)域涂敷起模劑或者復制復制用起模層，形成起模層13。
這里，作為導體層11，除采用銅之外，還可以使用鋁、金、銀等，銅層是一般的。作為銅層，都可以使用由蒸鍍和電鍍法形成銅層、電解銅箔、壓延銅箔等。導體層11的厚度一般為1～70μm，最好是5～35μm。
另外，作為絕緣層12，除采用聚酰亞胺之外，還可以使用聚酯、聚酰胺、聚醚、液晶聚合物等，也可以采用由苯均四酸2無水物與4，4′二氨基二苯基醚聚合得到的全芳香族聚酰亞胺(例如，商品名聚酰亞胺EN；東レ·デユポン社制)，以及聯(lián)苯四羧酸-2無水物與對苯二胺(PPD)的聚合物(例如，商品名ユ一ピレツクスS；字部興產社制)。絕緣層12的厚度，一般為12.5～125μm，好的是12.5～75μm，更理想是12.5～50μm。
這里，COF用疊層膜的形成是在銅箔構成的導體層11上，涂敷含有聚酰亞胺前驅本和清漆的聚酰亞胺前驅體樹脂組成物，形成涂敷層，使溶劑干燥進行卷繞，然后在清除了氧氣的硫化爐內進行熱處理，再酰亞胺化作為絕緣層12，當然，并不僅限于此種形式。
起模層13可以使用含有硅氮烷化合物的硅系列起模劑和含有硅熔膠的起模劑形成。起模層13最好在通過涂敷等設置起模劑之后，進行加熱處理，與絕緣層12堅固接合。起模層13的膜厚標準是用波長分散型螢光X射線分析裝置檢出的Si強度為0.15～2.5kcps，好的是0.3～1.0kcps，更理想為0.5±0.1kcps。
本發(fā)明的COF薄膜載體帶，例如，用于邊運送邊進行的半導體芯片的裝配以及印刷線路板等電子部件的裝配工序，進行COF裝配，這時，由于絕緣層12和起模層13的光透過性是50％以上，則用CCD等可以從起模層13側對布線圖21(例如內部引線)進行圖象識別，還能識別裝配的半導體芯片和印刷線路板的布線圖，通過圖象處理能進行良好的相互位置配合，能夠高精度地裝配電子部件。
本發(fā)明的COF薄膜載體帶，例如，從卷軸卷出，邊卷繞邊運送，用于半導體芯片和從動部件等的電子部件裝配工序。起模層13還具有作為帶電防止層的作用，由含有硅氮烷化合物的硅系列起模劑和含有硅溶膠的起模劑形成。因此，在電子部件裝配工序中，可防止靜電發(fā)生·帶電，其結果是具有事先防止電子部件靜電破壞等事故的效果。
以下，邊參照圖2邊說明上述COF薄膜載體帶的一種制造方法。
如圖2(a)所示，準備COF用疊層薄膜10，如圖2(b)所示，通過穿孔等貫通導體層11和絕緣層12，形成鏈輪孔22。該鏈輪孔22，可以從絕緣層12的表面上形成，也可以從絕緣層12的背面形成。然后，如圖2(c)所示，使用一般的光刻法，在導體層11上的形成布線圖的整個區(qū)域，涂敷負值型光致抗蝕材料涂敷溶液，形成光致抗蝕材料涂敷層30。當然，也可以使用正值型光致抗蝕材料。在鏈輪孔22內扦入定位銷，進行絕緣層12的定位后，通過光掩模31進行曝光·顯象，使光致抗蝕材料涂敷層30形成圖案，形成圖2(d)所示的布線圖用抗蝕圖32。然后，將布線圖用抗蝕圖32作為掩模圖，用蝕刻液溶解除去導體層11，再用堿溶液等溶解除去布線圖用抗蝕圖32，如圖2(e)所示形成布線圖21。
在形成布線圖21時，也可以在鏈輪孔22周圍與布線圖21不連續(xù)地設置空置布線?？罩貌季€增強了絕緣層12，在帶制造時能夠可靠且良好地運送絕緣層12?？罩貌季€可以在絕緣層12的寬方向兩側、縱方向連續(xù)地帶狀設置，也可以在各鏈輪孔22的周圍間斷地設置，在可靠運送方面可以提高剛性。
接著，根據(jù)需要，在整個布線圖21上進行鍍錫等電鍍處理后，如圖2(f)所示，在與絕緣層12的配線圖21一面的相反面上，至少包含焊接IC芯片等的電極和內部引線的區(qū)域，用涂敷法形成起模層13。該起模層13可以僅進行涂敷干燥，然而為了提高不與加熱工具熱熔著的起模效果，最好進行加熱處理。這里，加熱條件是加熱溫度為50～200℃，最好是100～200℃，加熱時間為1分～120分，最好是30分～120分。該加熱處理也可以與焊料抗蝕劑的固化同時進行。然后，如圖2(g)所示，例如用絲網印刷法形成絕緣保護層23。根據(jù)需要，對絕緣保護層23未遮蓋的內部引線和外部引線施加金屬鍍層。金屬鍍層沒有特別的限定，可根據(jù)用途適當設置，進行鍍錫、鍍錫合金、鍍鎳、鍍金、鍍金合金、Sn-Bi等的Pb游離焊錫鍍等。
以上說明的實施形式中，起模層13的形成是在用堿溶液等溶解除去布線圖用抗蝕圖32之后、設置絕緣保護層23之前進行的，但是也可以在設置絕緣保護層23之后的薄膜載體帶制造工序最后形成起模層13。這樣，在形成起模層13時，由于起模層13不會暴露在蝕刻液和光致抗蝕的剝離液等中，具有起模效果較高的優(yōu)點。這里所謂制造工序最后，意味著產品檢查工序之前。
本發(fā)明的起模層13，最好在形成布線圖21的光刻工序之后、與半導體芯片等電子部件的焊接之前形成。這是因為在光致抗蝕層的剝離工序中起模層可能溶解。因此，最好在光致抗蝕工序結束之后，或者電鍍處理后，或者絕緣保護層23形成后，設置起模層13。當然，也可以在光刻工序之前進行。
起模層也可以用復制法形成。作為一例，也可以使用圖3所示的COF用疊層膜10A，如上述那樣制造COF薄膜載體帶20。圖3所示的COF用疊層膜10A，首先，在銅箔構成的導體層11上(圖3(a))，涂敷含有聚酰亞胺前驅體和清漆的聚酰亞胺前驅體樹脂組成物，形成涂敷層12a(圖3(b))，再使溶劑干燥，進行卷繞。接著，在固化爐內進行熱處理，酰亞胺化作為絕緣層12(圖3(c))。然后，將在作為基材的復制用薄膜14上形成的起模層13a粘合在絕緣層12的與導體層11相反側(圖3(d))，對其進行加熱處理后，剝離復制用薄膜14，形成具有起模層13A的COF用疊層膜10A(圖3(e))。這里，作為復制條件，可以設加熱溫度為15～200℃，設滾輪或壓床產生的載荷為5～50kg/cm2，，處理時間為0.1秒～2小時。作為加熱條件，可以設加熱溫度50～200℃，最好是100～200℃，設加熱時間為1分～120分，最好是30分～120分。當然，也可以在光刻后的工序等用這樣的復制法形成起模層13A。這里復制用薄膜14的材料，可以是PET(聚對苯二甲酸乙酯)、PI(聚酰亞胺)、以及液晶聚合物等。作為這樣的復制用薄膜14的厚度為15～100μm，最好是20～75μm。
本發(fā)明的半導體裝置，如圖4所示，是將半導體芯片50裝配到上述制造的COF薄膜載體帶20上制成的。也就是，將半導芯片50載置到芯片工作臺41上，運送COF薄膜載體帶20。在這種狀態(tài)下，定位在所定位置后，上部接線板42下降同時下部接線板43上升，固定COF薄膜載體帶20，在該狀態(tài)下，加熱工具45下降壓緊薄膜載體帶，邊加熱邊下降，將COF薄膜載體帶20的內部引線按所定時間按壓在半導體芯片50的凸出點51上，將兩者接合。接合后，進行樹脂密封，制成半導體裝置。
加熱工具45的溫度，根據(jù)按壓時間、壓力等條件而不同，一般為200℃以上，最好是350℃以上。本發(fā)明中，加熱工具45的溫度設置為高溫，由于在COF薄膜載體帶20的與加熱工具45的接觸面設置了起模層13，則不會與加熱工具45熱熔著。也就是，按照本發(fā)明，由于可使接合條件的溫度足夠高，則能確保足夠的接合強度；反之，為了得到一定的接合強度，通過提高加熱溫度，有能縮短壓接時間的優(yōu)點。
上述實施形式，例示說明了1列設置由布線圖21和鏈輪孔22等構成的載體圖的電子部件裝配用薄膜載體帶20，然而并不限于此，例如也可以是多列并行設置載體圖的多條電子部件裝配用薄膜載體帶。
上述實施形式，例示了COF薄膜載體帶的電子部件裝配用薄膜載體帶，然而，也可以是其他電子部件裝配用薄膜載體帶，例如TAB、CSP、BGA、μ-BGA、FC、QFP等類型，其構成等也沒有限定。
不僅是內部引線焊接，而且對于使用焊錫等外部引線焊接的情況也可以實施。
(實施例1)在作為市售聚酰亞胺制基膜的カプトンEN(商品名東レ·デユポン社制)上噴射Ni-Cr合金，設置種子層，使用在其上用電鍍法形成銅層的二層帶，通過蝕刻形成配線圖21后，如圖5所示，用滾筒狀涂料器61，在與裝配薄膜載體帶的半導體芯片側相反側的面上，以薄膜載體帶運送速度分速1m涂敷作為起模劑的含有硅膠的コルコ一トP(商品名コルコ一ト株式會社制)，在形成鏈輪孔的兩端部以外形成起模層。干燥后，涂敷焊料抗蝕劑，同時加熱處理起模層和絕緣保護層，制成薄膜載體帶。這樣形成的起模層是用波長分散型螢光X射線分析裝置檢出的Si強度為0.5±0.1kcps的均勻膜。這時的薄膜載體帶的工具附著溫度是390℃。
(實施例2)調整薄膜對涂料器61的接觸力，與實施例1同樣，形成用波長分散型螢光X射線分析裝置檢出的Si強度為0.3±0.1kcps的起模層。這時的工具附著溫度是360℃。
(實施例3)調整薄膜對涂料器61的接觸力，與實施例1同樣，形成用波長分散型螢光X射線分析裝置檢出的Si強度為2.3±0.1kcps的起模層。這時的器具附著溫度是490℃。
(比較例1)在與裝配薄膜載體帶的半導體芯片側相反側的面上，以薄膜載體帶的運送速度分速1m進行涂料器61的涂敷，調整薄膜對涂料器61的接觸力，與實施例1同樣，形成用波長分散型螢光X射線分析裝置檢出的Si強度為0.05±0.05kcps的起模層。這時的工具附著溫度是320℃。
(比較例2)調整對涂料器61的接觸力，與實施例1同樣，形成用波長分散型螢光X射線分析裝置檢出的Si強度為2.7±0.1kcps的起模層。這時的薄膜載體帶的工具附著溫度是500℃。
(試驗例1)對于實施例1和比較例1，測定600nm的光透射率，實施例1的薄膜是69％，比較例1是65％。用蝕刻除去銅后未形成起模層的薄膜的透射率為65％。
其結果，Si強度在本發(fā)明范圍內的實施例1，光透射率比空白薄膜提高了，而Si強度小于上述范圍的比較例1，透射率與空白薄膜相比幾乎沒有變化。
(試驗例2)
將IC芯片裝配在實施例1～3和比較例2的薄膜上，不通過襯墊帶進行直接卷繞，放置7日后，卷起后切斷，進行面板裝配，此后，測定ACF粘結力。ACF粘結力的測定方法如下，結果示于表1。
這里，ACF粘結力測定，如下進行。
首先，將10mm寬的環(huán)氧系列ACF放在玻璃基板上，并在80℃暫時壓接，然后，在其上面重疊未裝配半導體芯片等電子部件的薄膜載體帶的輸出側外部引線部分，在溫度180℃、壓力0.3Mpa狀態(tài)下壓接10秒。接著，將在該玻璃基板上壓接的薄膜載體帶放在拉伸試驗機上，拉伸薄膜載體帶的另一端，將測定的拉伸力作為粘結力。
其結果，實施例1～3，ACF粘結力在成為凝集破壞的剝離狀態(tài)的800～1000kg/cm的范圍；具有Si強度大于本發(fā)明范圍的起模層的比較例2，ACF粘結力低至380kg/cm，產生界面破壞。


權利要求
1.一種COF用撓性印刷布線板，具有絕緣層和在該絕緣層的至少一個面上疊層的導體層形成圖案的同時裝配半導體芯片的布線圖，其特征是在與上述絕緣層的上述半導體芯片裝配側相反側的面上，按照用波長分散型螢光X射線分析裝置檢出的Si強度為0.15～2.5kcps的膜厚，設置由含有Si元素化合物的起模劑形成的起模層。
2.權利要求1記載的COF用撓性印刷布線板，其特征是按照用波長分散型螢光X射線分析裝置檢出的Si強度為0.3～1.0kcps的膜厚設置上述起模層。
3.權利要求1或2記載的COF用撓性印刷布線板，其特征是上述起模層是含有從硅烷化合物和硅溶膠中選擇的至少一種的起模劑。
4.一種COF用撓性印刷布線板的制造方法，該COF用撓性印刷布線板具有絕緣層、和在該絕緣層的至少一個面上疊層的導體層形成圖案的同時裝配半導體芯片的配線圖，其特征是在與上述絕緣層的上述半導體芯片裝配側相反側的面上，用含有Si元素化合物的起模劑形成起模層時，其膜厚按照用波長分散型螢光X射線分析裝置檢出的Si強度為0.15～2.5kcps設置。
5.權利要求4記載的COF用撓性印刷布線板的制造方法，其特征是上述起模層采用含有從硅烷化合物和硅溶膠中選擇的至少一種的起模劑。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種絕緣層不與加熱工具熱熔著、可以防止半導體芯片裝配后面板裝配時接合力降低、提高生產線可靠性和生產性的COF用撓性印刷布線板及其制造方法。COF用撓性印刷配線板具有絕緣層12和與使在該絕緣層12的至少一個面上疊層的導體層11形成圖案的同時裝配半導體芯片的配線圖21，在與上述絕緣層12的上述半導體芯片裝配側相反側的面上，按照用波長分散型螢光X射線分析裝置檢出的Si強度為0.15～2.5kcps的膜厚設置由含有Si元素化合物的起模劑形成的起模層13。
文檔編號H01L21/00GK1784113SQ200510131518
公開日2006年6月7日 申請日期2005年9月29日 優(yōu)先權日2004年9月29日
發(fā)明者粟田秀俊, 切通慶裕 申請人:三井金屬礦業(yè)株式會社