專利名稱：用于退火半導(dǎo)體器件內(nèi)的俘獲電荷的結(jié)構(gòu)和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及將俘獲電荷從絕緣體層退火掉的結(jié)構(gòu)和方法。
背景技術(shù)：
電器件中不需要的電荷會導(dǎo)致該電器件失靈。因此需要將所不需要的電荷從電器件除去。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括含主體層、絕緣體層和器件層的襯底；以及形成在該主體層內(nèi)的第一加熱元件，其中該第一加熱元件的第一側(cè)鄰近該絕緣體層的第一部分，且其中該第一加熱元件適于被選擇性地啟動以產(chǎn)生熱能，從而加熱該絕緣體層的所述第一部分并將俘獲的電荷從該絕緣體層的所述第一部分退火掉。
本發(fā)明提供用于形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，包括提供襯底；在該襯底內(nèi)形成主體層、絕緣體層和器件層；以及在該主體層內(nèi)形成第一加熱元件，其中該第一加熱元件的第一側(cè)鄰近該絕緣體層的第一部分，且其中該第一加熱元件適于被選擇性地啟動以產(chǎn)生熱能，從而加熱該絕緣體層的所述第一部分并將俘獲的電荷從該絕緣體層的所述第一部分退火掉。
本發(fā)明有利地提供從電器件去除不需要的電荷的系統(tǒng)和相關(guān)方法。
圖1A-1E示出根據(jù)本發(fā)明一實施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)形成方法和含加熱元件的結(jié)構(gòu)。
圖2示出根據(jù)本發(fā)明一實施例的圖1E的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的替換結(jié)構(gòu)，示出包括替換的加熱元件的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
圖3示出根據(jù)本發(fā)明一實施例的圖2的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第一替換結(jié)構(gòu)。
圖4示出根據(jù)本發(fā)明一實施例的圖2的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第二替換結(jié)構(gòu)。
圖1A示出根據(jù)本發(fā)明一實施例的被加工成絕緣體上硅(SOI)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)2的半導(dǎo)體襯底7。半導(dǎo)體襯底7可包括硅。半導(dǎo)體襯底7包括主體層(bulklayer)20、絕緣體層12和器件層5。包括主體層、絕緣體層12和器件層5的半導(dǎo)體襯底7可以通過本領(lǐng)域普通技術(shù)人員公知的任何方法形成，尤其例如SIMOX、智能切割(smart cut)、深氧注入等等。術(shù)語“主體層”在此處被定義為位于絕緣體層12下面的襯底。主體層20尤其可以包括晶體硅。絕緣體層12尤其可以包括二氧化硅、絕熱氮化物、有機絕緣材料等等。包括二氧化硅的絕緣體層12尤其可以是嵌入型氧化物層(BOX)等。器件層5尤其可以包括有源硅(active silicon)。
圖1B示出根據(jù)本發(fā)明一實施例的半導(dǎo)體襯底7的主體層20內(nèi)加熱元件30的形成。加熱元件30可以包括通過將離子注入物34注入主體層20內(nèi)形成的電阻器(例如擴散電阻器)。離子注入物34尤其可以包括N型摻雜劑，尤其例如磷或砷。作為選擇地，離子注入物34尤其可以包括P型摻雜劑，尤其例如硼。加熱元件30必須被退火，以活化注入的加熱器摻雜劑(例如N型摻雜劑、P型摻雜劑等)從而形成電阻器。加熱元件30可以包括約1μm至約10μm的長度L。加熱元件30可以包括約0.1μm至約0.2μm的深度D。加熱元件30可以包括約1μm至約20μm的寬度。加熱元件30摻雜(例如N型摻雜劑、P型摻雜劑等)可以在約1018cm-3。加熱元件30可以包括約0.01歐姆/cm的電阻率。
圖1C示出根據(jù)本發(fā)明一實施例的深槽24a和24b以及淺槽24c...24f的形成。深槽24a和24b以及淺槽24c...24f可以通過本領(lǐng)域普通技術(shù)人員公知的任何槽形成方法形成，所述方法尤其包括反應(yīng)離子蝕刻。深槽24a和24b以及淺槽24c...24f通常在不同時間在不同工序中形成。深槽24a和24b用于形成圖3中的加熱元件接觸6。淺槽24c...24f用于形成圖3中的淺槽隔離4(STI)，所述淺槽隔離用于從器件層5形成的電器件22a、22b和22c。
圖1D示出根據(jù)本發(fā)明一實施例的加熱元件接觸6和側(cè)墻間隔物4(即STI)的形成。加熱元件接觸6可以通過本領(lǐng)域普通技術(shù)人員公知的任何標準襯底接觸加工方法形成。圖1D中示出的加熱元件接觸6被顯示為與加熱元件30的相對的端部電連接。作為選擇地，加熱元件接觸6可以與部分加熱元件30交迭。加熱元件接觸6可以包括任何導(dǎo)電材料，尤其例如摻雜的多晶硅。側(cè)墻間隔物4(即STI)可以通過本領(lǐng)域普通技術(shù)人員公知的任何STI加工方法形成。側(cè)墻間隔物4尤其可以包括二氧化硅。
圖1E示出根據(jù)本發(fā)明一實施例的所形成的包括加熱元件30和電源電路3的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)2。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)2從半導(dǎo)體襯底7形成，且包括主體層20、加熱元件30、加熱元件30之上的絕緣體層12、器件層5和加熱元件接觸6。器件層5可以包括有源硅。器件層5可以包括被側(cè)墻間隔物4(例如淺槽隔離)隔開的電器件22a、22b和22c。電器件22a、22b和22c尤其可以是晶體管、電阻器、電容器等。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)2可以是CMOS絕緣體上硅(SOI)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。側(cè)墻間隔物4包括電絕緣材料。絕緣體層12尤其可以包括二氧化硅、絕熱氮化物、有機絕緣材料等。包括二氧化硅的絕緣體層12尤其可以是嵌入型氧化物層(BOX)等。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)2可以是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員公知的任何半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，尤其例如半導(dǎo)體芯片、集成電路等。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)2可以在任何類型電路中使用(工作)。當(dāng)在某些環(huán)境下的電路中運行半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)2時，會導(dǎo)致絕緣體層12中積累的不需要的電荷(例如俘獲的空穴)。例如，當(dāng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)2在輻射環(huán)境下的電路(例如衛(wèi)星電路、核電站內(nèi)的電路等)中運行時，輻射(例如來自太陽爆發(fā)、來自核電站設(shè)施等)會導(dǎo)致俘獲的電荷(例如俘獲的空穴)形成在絕緣體層12內(nèi)。絕緣體層12中的俘獲電荷會導(dǎo)致半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)2誤操作且最終發(fā)生故障。加熱元件30可以被選擇性啟動(即在適當(dāng)?shù)臅r間開啟)，以產(chǎn)生熱能從而將熱施加到絕緣體層12。該熱能將俘獲的電荷(例如俘獲的空穴)自絕緣層12退火掉。電壓可以施加到加熱元件接觸6上，從而啟動加熱元件30。用于啟動加熱元件30的電壓可以通過半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)2內(nèi)的內(nèi)部電源3提供。作為選擇地，用于啟動加熱元件30的電壓可以通過外部(即半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)2之外的)電源提供。用于啟動加熱元件30的電壓可以是約5伏特。加熱元件30尤其可以包括電阻器、擴散電阻器等。加熱元件30可以在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)2在某些環(huán)境(例如輻射環(huán)境)中運行期間被周期性地啟動，從而將累積的俘獲電荷自絕緣體層12退火掉。作為選擇地，絕緣體層12中累積的電荷可以被監(jiān)測(例如通過半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)2上的監(jiān)測電路)，且加熱元件30可以在累積的特定量的電荷被檢測到時被啟動(通過電源3內(nèi)的監(jiān)測電路)。電源3可以額外包括控制電路3，以控制加熱元件30的啟動。作為另一種替換，加熱元件30可以被持續(xù)啟動(施加持續(xù)的電壓)，從而絕緣體層12將維持特定溫度，該溫度將限制絕緣體層12內(nèi)俘獲電荷累積形成的量。
圖2示出根據(jù)本發(fā)明一實施例的圖1E的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)2的替換結(jié)構(gòu)的剖視圖，其示出包括替換的加熱元件31的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)32。與圖1的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)2不同，圖2的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)32包括隔熱層14和隔離結(jié)構(gòu)16。此外，加熱元件31僅向絕緣體層12的一部分12a提供熱能。隔熱層14可以通過進行加熱元件31之下主體層20內(nèi)的高能氧化物注入來形成。通過進行反應(yīng)離子蝕刻來形成用于隔離結(jié)構(gòu)16的槽(例如圖1C中的槽24c...24f)并用CVD沉積工藝以氧化物填充槽，可形成隔離結(jié)構(gòu)16。圖2所示的隔離結(jié)構(gòu)16為剖視圖。隔離結(jié)構(gòu)16圍繞加熱元件30的四側(cè)。隔熱層14和隔離結(jié)構(gòu)16均具有比主體層20的熱導(dǎo)率小的熱導(dǎo)率。在加熱元件31運行期間，隔熱層14和隔離結(jié)構(gòu)16圍繞加熱元件31并將加熱元件31與主體層20熱隔離。因此，由于隔熱層14和隔離結(jié)構(gòu)16的導(dǎo)熱性能，主體層20與加熱元件31熱隔離，來自加熱元件31的熱能被迫進入絕緣體層12的部分12a，從而將俘獲的電荷自絕緣體層12的部分12a退火掉。隔熱層14和隔離結(jié)構(gòu)16通過減小運行加熱元件31以加熱絕緣體層12的部分12a所需的電量，導(dǎo)致加熱元件31更有效地工作(即與圖1中的加熱元件30相比)。隔離結(jié)構(gòu)16可以是深槽隔離結(jié)構(gòu)。隔離結(jié)構(gòu)16尤其可以包括二氧化硅、絕熱氮化物、有機絕緣材料等。隔熱層14尤其可以包括二氧化硅、絕熱氮化物、有機絕緣材料等。加熱元件31尤其可以包括電阻器、擴散電阻器等。
圖3示出根據(jù)本發(fā)明一實施例的圖2的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)32的第一替換結(jié)構(gòu)的剖視圖，其示出半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)40。與圖2的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)32不同，圖3的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)40包括取代圖2的隔熱層14的氣隙35。氣隙35形成在主體層20內(nèi)。通過在加熱元件31下面的區(qū)域內(nèi)在主體層20中注入磷(在形成加熱元件31之前)、進行反應(yīng)離子蝕刻從而形成向下至加熱元件31下面將成為氣隙35的區(qū)域的槽、以及以濕蝕刻去除重度磷摻雜的區(qū)域從而形成氣隙35，可形成氣隙35。在加熱元件31工作期間，氣隙35和隔離結(jié)構(gòu)16圍繞加熱元件31，并將加熱元件31與主體層20熱隔離。因此，由于氣隙35和隔離結(jié)構(gòu)16的導(dǎo)熱性能，主體層20與加熱元件31熱隔離，來自加熱元件31的熱能被迫進入絕緣體層12的部分12a，從而將俘獲的電荷自絕緣體層12的部分12a退火掉。氣隙35和隔離結(jié)構(gòu)16通過減小運行加熱元件31以加熱絕緣體層12的部分12a所需的電量，導(dǎo)致加熱元件31更有效地工作(即與圖1中的加熱元件30相比)。
圖4示出根據(jù)本發(fā)明一實施例的圖2的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)32的第二替換結(jié)構(gòu)的剖視圖，其示出半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)49。與圖2的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)32不同，圖4的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)49包括加熱元件31a和31b、以及兩個隔離結(jié)構(gòu)16a和16b，所述兩個隔離結(jié)構(gòu)分別圍繞加熱元件31a和31b的四側(cè)放置?？蛇x擇地，可圍繞加熱元件31a和31b的每一個的三側(cè)放置一個隔離結(jié)構(gòu)。加熱元件31a位于絕緣體層12的部分12a下面。加熱元件31b位于絕緣體層12的部分12b下面。隔離結(jié)構(gòu)16a和16b將加熱元件31a與加熱元件31b熱隔離。加熱元件31a和31b均尤其可包括電阻器、擴散電阻器等。在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)49在某些環(huán)境(例如輻射環(huán)境)中工作期間，加熱元件31a和31b可同時被周期性啟動，從而將累積的俘獲電荷自絕緣體層12的部分12a和12b退火掉。作為替換地，在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)49在某些環(huán)境(例如輻射環(huán)境)中工作期間，加熱元件31a和31b可在不同時間被周期性啟動，從而將累積的俘獲電荷自絕緣體層12的部分12a和12b退火掉。另外，絕緣體層12的部分12a和12b中累積的電荷可以被監(jiān)測(例如通過半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)2上的監(jiān)測電路)，并且當(dāng)在部分12a和12b中檢測到(通過監(jiān)測電路)累積的特定量的電荷時，加熱元件31a和31b可被啟動(即通過電源3a和3b)。加熱元件31a和31b可以被多路復(fù)用，從而加熱元件31a和31b每個可在不同時刻被選擇性啟動。作為另一種替換地，加熱元件31a和31b可以被持續(xù)啟動，從而絕緣體層12的部分12a和12b將維持一溫度，該溫度將限制絕緣體層12的部分12a和12b中俘獲電荷累積形成的量。
雖然此處已經(jīng)出于說明的目的描述了本發(fā)明的實施例，但是諸多改型和變化對本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是顯然的。因此，所附權(quán)利要求試圖涵蓋本發(fā)明主旨和范圍內(nèi)的所有改型和變化。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括襯底，其包括主體層、絕緣體層和器件層；以及形成在該主體層內(nèi)的第一加熱元件，其中該第一加熱元件的第一面鄰近該絕緣體層的第一部分，且其中該第一加熱元件適于被選擇性啟動以產(chǎn)生熱能，從而加熱該絕緣體層的所述第一部分并將俘獲的電荷自該絕緣體層的所述第一部分退火掉。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括形成在該主體層內(nèi)且與所述第一加熱元件的第二面鄰近的隔熱層，其中該隔熱層具有比所述主體層的熱導(dǎo)率小的熱導(dǎo)率，且其中該隔熱層適于將該第一加熱元件的該第二面與該主體層熱隔離。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該絕緣體層包括從含有二氧化硅、絕熱氮化物和有機絕緣材料的組中選擇的材料。
4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該隔熱層包括從含有二氧化硅、絕熱氮化物和氣隙的組中選擇的材料。
5.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括圍繞所述第一加熱元件的第三面、第四面、第五面和第六面形成的熱隔離結(jié)構(gòu)，其中該熱隔離結(jié)構(gòu)將該第一加熱元件的該第三面、該第四面、該第五面和該第六面與該主體層熱隔離。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括在該主體層內(nèi)形成的第二加熱元件，其中該器件層包括第一電部件和第二電部件，其中該第一加熱元件在該第一電部件下面，其中該第二加熱元件在該第二電部件下面，其中該第二加熱元件的第一面鄰近該絕緣體層的第二部分，其中該第二加熱元件適于被選擇性啟動以產(chǎn)生熱能，從而加熱該絕緣體層的所述第二部分并將俘獲的電荷從該絕緣體層的所述第二部分退火掉。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括適于在不同時間選擇性啟動該第一加熱元件和該第二加熱元件的控制電路。
8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括鄰近所述第一加熱元件的第二面和所述第二加熱元件的第二面定位的隔熱層，其中該隔熱層具有比所述主體層的熱導(dǎo)率小的熱導(dǎo)率，且其中該隔熱層適于將該第一加熱元件的該第二面和該第二加熱元件的該第二面與該主體層熱隔離。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括圍繞所述第一加熱元件的第三面、第四面、第五面和第六面形成的第一熱隔離結(jié)構(gòu)；以及圍繞所述第二加熱元件的第三面、第四面、第五面和第六面形成的第二熱隔離結(jié)構(gòu)，其中該第一熱隔離結(jié)構(gòu)適于將該第一加熱元件的該第三面、該第四面、該第五面和該第六面與該主體層熱隔離，其中該第二熱隔離結(jié)構(gòu)適于將該第二加熱元件的該第三面、該第四面、該第五面和該第六面與該主體層熱隔離。
10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括圍繞所述第一加熱元件和所述第二加熱元件的第三面、第四面和第五面形成的熱隔離結(jié)構(gòu)；其中該熱隔離結(jié)構(gòu)適于將該第一加熱元件和所述第二加熱元件的該第三面、該第四面和該第五面與該主體層熱隔離。
11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第一加熱元件包括電阻器。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該電阻器包括注入的離子。
13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括第一加熱元件接觸結(jié)構(gòu)和第二加熱元件接觸結(jié)構(gòu)，其中所述第一加熱元件接觸結(jié)構(gòu)與該第一加熱元件的第一部分電連接，其中所述第二加熱元件接觸結(jié)構(gòu)與該第一加熱元件的第二部分電連接，其中該第一加熱元件接觸結(jié)構(gòu)和該第二加熱元件接觸結(jié)構(gòu)將該第一加熱元件與電源電連接。
14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第一加熱元件接觸結(jié)構(gòu)和該第二加熱元件接觸結(jié)構(gòu)中的每一個包括摻雜的多晶硅。
15.一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，包括提供襯底；在該襯底中形成主體層、絕緣體層和器件層；以及在該主體層內(nèi)形成第一加熱元件，其中該第一加熱元件的第一面鄰近該絕緣體層的第一部分，且其中該第一加熱元件適于被選擇性啟動以產(chǎn)生熱能，從而加熱該絕緣體層的所述第一部分并將俘獲的電荷從該絕緣體層的所述第一部分退火掉。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，還包括在該主體層內(nèi)并鄰近所述第一加熱元件的第二面形成用于將該第一加熱元件的該第二面與該主體層熱隔離的隔熱層，其中該隔熱層具有比所述半導(dǎo)體襯底的熱導(dǎo)率小的熱導(dǎo)率，且其中該隔熱層將所述第一加熱元件的該第二面與該主體層熱隔離。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中該絕緣體層包括從二氧化硅、絕熱氮化物和有機絕緣材料構(gòu)成的組中選出的材料。
18.如權(quán)利要求16所述的方法，其中該隔熱層包括自二氧化硅、絕熱氮化物和氣隙構(gòu)成的組中選出的材料。
19.如權(quán)利要求16所述的方法，還包括在該襯底內(nèi)形成熱隔離結(jié)構(gòu)，該熱隔離結(jié)構(gòu)圍繞所述第一加熱元件的第三面、第四面、第五面和第六面，以將該第一加熱元件的該第三面、該第四面、該第五面和該第六面與該主體層熱隔離。
20.如權(quán)利要求15所述的方法，還包括在該器件層內(nèi)形成第一電部件和第二電部件；在該主體層內(nèi)形成第二加熱元件，其中該第二加熱元件的第一面鄰近該絕緣體層的該第一部分，其中該第一加熱元件在該第一電部件下面，其中該第二加熱元件在該第二電部件下面，其中該第二加熱元件適于被選擇性啟動以產(chǎn)生熱能，從而加熱該絕緣體層的所述第二部分并將俘獲的電荷從該絕緣體層的所述第二部分退火掉。
21.如權(quán)利要求20所述的方法，還包括在該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)內(nèi)形成控制電路，其用于在不同時間選擇性地啟動該第一加熱元件和該第二加熱元件。
22.如權(quán)利要求20所述的方法，還包括在該主體層內(nèi)且鄰近所述第一加熱元件的第二面和所述第二加熱元件的第二面形成用于熱隔離所述第一加熱元件的該第二面和所述第二加熱元件的該第二面的隔熱層，其中該隔熱層具有比所述半導(dǎo)體襯底的熱導(dǎo)率小的熱導(dǎo)率，且其中該隔熱層將所述第一加熱元件的該第二面和所述第二加熱元件的該第二面與該主體層熱隔離。
23.如權(quán)利要求22所述的方法，還包括在該襯底內(nèi)形成圍繞所述第一加熱元件的第三面、第四面、第五面和第六面的第一熱隔離結(jié)構(gòu)，該第一熱隔離結(jié)構(gòu)用于將該第一加熱元件的該第三面、該第四面、該第五面和該第六面與該主體層熱隔離；以及在該襯底內(nèi)形成圍繞所述第二加熱元件的第三面、第四面、第五面和第六面的第二熱隔離結(jié)構(gòu)，該第二熱隔離結(jié)構(gòu)用于將該第二加熱元件的該第三面、該第四面、該第五面和該第六面與該主體層熱隔離。
24.如權(quán)利要求22所述的方法，還包括形成圍繞所述第一加熱元件和所述第二加熱元件的第三面、第四面和第五面的熱隔離結(jié)構(gòu)，該熱隔離結(jié)構(gòu)用于將該第一加熱元件和所述第二加熱元件的該第三面、該第四面和該第五面與該主體層熱隔離。
25.如權(quán)利要求15所述的方法，其中該第一加熱元件包括電阻器。
26.如權(quán)利要求25所述的方法，還包括通過將離子注入物注入該主體層的一部分來形成該電阻器。
27.如權(quán)利要求26所述的方法，其中所述離子注入物選自N型摻雜劑和P型摻雜劑構(gòu)成的組。
28.如權(quán)利要求15所述的方法，還包括形成第一加熱元件接觸結(jié)構(gòu)，該第一加熱元件接觸結(jié)構(gòu)與該第一加熱元件的第一部分電連接；以及形成第二加熱元件接觸結(jié)構(gòu)，該第二加熱元件接觸結(jié)構(gòu)與該第一加熱元件的第二部分電連接，其中該第一加熱元件接觸結(jié)構(gòu)和該第二加熱元件接觸結(jié)構(gòu)將該第一加熱元件與電源電連接。
29.如權(quán)利要求28所述的方法，其中該第一加熱元件接觸結(jié)構(gòu)和該第二加熱元件接觸結(jié)構(gòu)中的每一個包括摻雜多晶硅。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種結(jié)構(gòu)和相關(guān)方法，其用于將俘獲的電荷從半導(dǎo)體器件退火掉。該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括襯底和第一加熱元件。該襯底包括主體層、絕緣體層和器件層。該第一加熱元件形成在主體層內(nèi)。第一加熱元件的第一面鄰近絕緣體層的第一部分。第一加熱元件適于被選擇性啟動以產(chǎn)生熱能，從而加熱絕緣體層的第一部分并將俘獲的電荷從絕緣體層的第一部分退火掉。
文檔編號H01L21/84GK1790725SQ20051012036
公開日2006年6月21日 申請日期2005年11月11日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月12日
發(fā)明者約翰·M·艾特肯, 伊?！·卡農(nóng), 菲利普·J·奧爾迪格斯, 阿爾文·W·斯特朗 申請人:國際商業(yè)機器公司