專利名稱：薄膜晶體管及其制造方法，平板顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)施方式涉及一種具有薄膜晶體管(TFT)的襯底的制造方法，一種根據(jù)該方法制造的TFT，一種平板顯示器的制造方法，和一種根據(jù)該方法制造的平板顯示器，尤其是，一種能應(yīng)用到具有塑料襯底的柔性裝置上具有TFT的襯底的制造方法，一種根據(jù)該方法制造的含有TFT的襯底，一種平板顯示器的制造方法，和一種根據(jù)該方法制造的平板顯示器。
現(xiàn)有技術(shù)描述可用于平板顯示器，例如液晶顯示器(LCD)、有機(jī)發(fā)光顯示器(OLED)，或無(wú)機(jī)發(fā)光顯示器中的薄膜晶體管(TFT)被用作控制每一個(gè)像素動(dòng)作的開(kāi)關(guān)裝置，以及驅(qū)動(dòng)每一個(gè)像素的驅(qū)動(dòng)裝置。
TFT包括半導(dǎo)體層、柵極、源極、漏極。半導(dǎo)體層包括高濃度摻雜的源區(qū)和漏區(qū)，以及形成于源極區(qū)和漏極區(qū)之間的溝道區(qū)。柵極與半導(dǎo)體層絕緣并位于與溝道區(qū)相應(yīng)的區(qū)域中。源極和漏極分別與源區(qū)和漏區(qū)相連接。
最近，需要平板顯示器具有纖細(xì)和柔性的特點(diǎn)。
為了獲得平板顯示器的柔性，已經(jīng)試圖用塑料襯底代替常規(guī)玻璃襯底。
然而，就塑料襯底而言，必須形成額外的阻擋層，因?yàn)樗芰弦r底與玻璃襯底相比，具有更差的防水能力和抗氧氣滲透的能力。阻擋層覆于塑料襯底的表面之上，以阻擋氧氣和濕氣透過(guò)襯底。阻擋層成本高且要求附加的工藝。
為了獲得柔性的平板顯示器，使用有機(jī)半導(dǎo)體薄膜晶體管來(lái)代替常規(guī)的硅薄膜晶體管。當(dāng)使用有機(jī)半導(dǎo)體時(shí)，能夠制造低成本的薄膜晶體管，這是因?yàn)橛袡C(jī)半導(dǎo)體能夠在低溫下形成，且能夠容易地應(yīng)用于不能在高溫下使用的塑料襯底。
然而，當(dāng)用有機(jī)半導(dǎo)體制造TFT，隨后用常規(guī)工藝形成發(fā)光器時(shí)，有機(jī)半導(dǎo)體容易變形。尤其是有在OLED器件的情況下，形成與TFT相連的像素電極并在像素限定膜上形成發(fā)光器的孔，都會(huì)引起問(wèn)題。
因此，制造柔性平板顯示器，需要一種新的方法。

發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)施方式可應(yīng)用到一種柔性器件并且提供了一種具有包含在塑料襯底之上的薄膜晶體管(TFT)的襯底的制造方法，一種用該方法制造的襯底，一種平板顯示器的制造方法和一種用該方法制造的平板顯示器。
根據(jù)本實(shí)施方式的一個(gè)方面，提供一種具有薄膜晶體管(TFT)的襯底的制造方法，該方法包括在基材(base)上制備包括多個(gè)導(dǎo)電圖案的薄膜；粘結(jié)該薄膜到襯底上；以使之電連接到薄膜上導(dǎo)電圖案的方式來(lái)形成TFT；在薄膜上形成覆蓋TFT的絕緣層。
根據(jù)本實(shí)施方式的另一個(gè)方面，提供一種具有根據(jù)上述方法制造的TFT的襯底。
根據(jù)本實(shí)施方式的另一個(gè)方面，提供一種平板顯示器的制造方法，該方法包括在基材上制備包括多個(gè)導(dǎo)電圖案的薄膜；粘結(jié)該薄膜到襯底上；以使之電連接到薄膜上導(dǎo)電圖案的方式來(lái)形成TFT；在薄膜上形成覆蓋TFT的絕緣層；為暴露導(dǎo)電圖案的一個(gè)區(qū)域在絕緣膜上形成開(kāi)口；通過(guò)該開(kāi)口在暴露的導(dǎo)電圖案上形成顯示器。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，提供了一種平板顯示器，包括粘結(jié)到在基材上包括多個(gè)導(dǎo)電圖案的襯底的薄膜；電連接到薄膜上的導(dǎo)電圖案的TFT；在薄膜上覆蓋TFT的絕緣層；使導(dǎo)電圖案的一個(gè)區(qū)域暴露的絕緣膜上的開(kāi)口。
一方面，TFT包括連接到導(dǎo)電圖案上的源極和漏極中的至少一個(gè)，其中源極和漏極形成于薄膜上，連接每一個(gè)源極和漏極的半導(dǎo)體層，半導(dǎo)體層上的柵極絕緣膜和柵極絕緣膜上的柵極。
另一方面，至少相應(yīng)于半導(dǎo)體的區(qū)域圖案化柵極絕緣膜。另一方面，該半導(dǎo)體層由有機(jī)材料形成。
另一方面，有機(jī)材料包括由并五苯、并四苯、萘、α-4-噻吩、α-6-噻吩、苝及其衍生物、紅熒稀及其衍生物、六苯并苯及其衍生物、苝四羧酸二酰亞胺及其衍生物、苝四羧酸二酐及其衍生物、低聚萘及其衍生物、α-5-噻吩低聚噻吩及其衍生物、含金屬和不含金屬的酞菁及其衍生物、均苯四酸二酐(pyromeliticdianhydride)及其衍生物以及均苯四酰二亞胺(pyromelitic diimide)及其衍生物構(gòu)成的一組材料中的至少一種。
另一方面，TFT包括連接到導(dǎo)電圖案上的至少一個(gè)源極和至少一個(gè)漏極，其中源極和漏極形成于半導(dǎo)體層上，柵極絕緣膜在半導(dǎo)體層和源極上以及漏極和柵極在柵極絕緣膜上。
另一方面，至少相應(yīng)于半導(dǎo)體區(qū)域圖案化柵極絕緣膜。
另一方面，半導(dǎo)體層由有機(jī)材料形成。
另一方面，有機(jī)材料包括由并五苯、并四苯、萘、α-4-噻吩、α-6-噻吩、苝及其衍生物、紅熒稀及其衍生物、六苯并苯及其衍生物、苝四羧酸二酰亞胺及其衍生物、苝四羧酸二酐及其衍生物、低聚萘及其衍生物、α-5-噻吩低聚噻吩及其衍生物、含金屬和不含金屬的酞菁及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物以及均苯四酰二亞胺及其衍生物構(gòu)成的一組材料中至少的一種。
另一方面，至少薄膜表面中的一面沒(méi)有暴露出不使導(dǎo)電圖案，其中，薄膜上導(dǎo)電圖案未被暴露的薄膜的表面朝外。
另一方面，襯底包含塑料。


通過(guò)詳細(xì)地描述示范性實(shí)施方式，本實(shí)施方式的上述和其他特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)將變得更加明顯，參照的附圖包括圖1至7是截面圖，表示根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式在塑料襯底上制造薄膜晶體管的一種方法；圖8是截面圖，表示用根據(jù)圖1至7所描述的方法制造的襯底來(lái)制造有機(jī)發(fā)光顯示器的一種方法；和圖9是截面圖，表示根據(jù)另一個(gè)實(shí)施方式制造的有機(jī)發(fā)光顯示器。
具體實(shí)施例方式
通過(guò)參照表示示范性實(shí)施方式的附圖，能夠更全面地描述本實(shí)施方式。
圖1至7是截面圖，表示根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式制造具有薄膜晶體管的一種方法的工序，圖8是截面圖，表示用根據(jù)圖1至7所描述的方法制造的襯底來(lái)制造有機(jī)發(fā)光顯示器的一種方法。
參照?qǐng)D1，在襯底10上，使用分層壓輥機(jī)(lamination roller)R來(lái)層壓粘結(jié)薄膜30。制作膜30從而使得導(dǎo)電圖案32包括在由樹(shù)脂形成的基材31中部。參照?qǐng)D2，導(dǎo)電圖案32形成于規(guī)則圖案中。
導(dǎo)電圖案32將變?yōu)橄袼仉姌O，且能以單層或多層的導(dǎo)電材料形成，這將在后面描述。
當(dāng)像素電極用作透明電極時(shí)，導(dǎo)電圖案32可以由，例如，ITO、IZO或者ZnO形成；當(dāng)像素電極用作反射電極時(shí)，導(dǎo)電圖案32可以由，例如，Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或者這些金屬的混合物(compound)形成。當(dāng)像素電極用作透明電極時(shí)，像素電極是陽(yáng)極，當(dāng)像素電極用作反射電極時(shí)，像素電極是陰極。然而，本實(shí)施方式并不限制于此，即使像素電極用作反射電極時(shí)，在形成由，例如，Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或者這些金屬的合金形成的反射薄膜之后，能在反射膜上形成ITO膜、IZO膜、ZnO膜或者In2O3膜等，且像素電極能是陽(yáng)極。
在薄膜30的至少一個(gè)表面上，導(dǎo)電圖案32沒(méi)有暴露到外面。如圖1所示，當(dāng)在襯底10上層壓薄膜30時(shí)，進(jìn)行層壓以使未被暴露的導(dǎo)電圖案32的表面朝外。在圖1至8中，薄膜30的導(dǎo)電圖案32朝向暴露的襯底10的一面，但本實(shí)施方式并不限制于此，在薄膜30的每一面上，導(dǎo)電圖案32可能都不被暴露出。
薄膜30可以用不同的方式粘結(jié)。如圖1所示，薄膜30可以被層壓，或者可以用粘合劑粘到襯底10上。
在一個(gè)實(shí)施方式中，襯底10可以是塑料襯底。該實(shí)施方式中，阻擋層20可以覆在粘結(jié)薄膜30的相反面上。阻擋層20阻擋濕氣和/或氧氣透過(guò)襯底10。阻擋層可以覆在薄膜30所粘結(jié)的表面上。
阻擋層20可以是，例如，無(wú)機(jī)材料層和聚合物層的復(fù)合層。
無(wú)機(jī)材料層可以由例如金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物、金屬氧氮化物或者這些金屬的混合物形成。金屬氧化物可以是例如氧化硅、氧化鋁、氧化鈦、氧化銦、氧化錫、氧化錫銦或者這些氧化物的混合物。金屬氮化物可以是例如氮化鋁、氮化硅、或者這些氮化物的混合物。金屬碳化物可以是例如碳化硅，金屬氧氮化物可以是例如氧氮化硅。無(wú)機(jī)材料層可以由能阻擋濕氣或氧氣透過(guò)的任何無(wú)機(jī)材料如硅形成。
無(wú)機(jī)材料層可以通過(guò)沉積或者其他方法形成。當(dāng)無(wú)機(jī)材料層通過(guò)蒸發(fā)形成時(shí)，在無(wú)機(jī)材料層上會(huì)產(chǎn)生孔隙。在一些實(shí)施方式中，為了阻止孔隙在同一點(diǎn)處連續(xù)生長(zhǎng)，除了無(wú)機(jī)材料層以外，還可以包括聚合物層。聚合物層可以由，例如，有機(jī)高分子、無(wú)機(jī)高分子、有機(jī)金屬高分子或者雜化有機(jī)/無(wú)機(jī)高分子形成。
阻擋層20不是必須要包含的，也可以省略。
襯底10不限于塑料，也可以由玻璃或金屬形成。
參照?qǐng)D3，在薄膜30粘結(jié)于襯底10之后，通過(guò)圖案化薄膜30，形成第一開(kāi)口31a和第二開(kāi)口31b。
第一開(kāi)口31a，隨后將被描述，允許漏極與導(dǎo)電圖案32接觸，第二開(kāi)口31b，隨后也將被描述，將形成發(fā)光器。
參照?qǐng)D4，當(dāng)圖案化薄膜30之后，于基材31之上形成源極41和漏極42。
此時(shí)，如上所述，漏極42通過(guò)第一個(gè)開(kāi)口31a與導(dǎo)電圖案32相連。
如圖5所示，在形成源極41和漏極42之后，形成半導(dǎo)體層43，并覆于源極41和漏極42之上。
半導(dǎo)體層43可以是，例如，有機(jī)半導(dǎo)體。
有機(jī)半導(dǎo)體可以由半導(dǎo)有機(jī)材料，如聚合物或者低分子量的有機(jī)化合物形成。半導(dǎo)有機(jī)材料包括由并五苯、并四苯、萘、α-4-噻吩、α-6-噻吩、苝及其衍生物、紅熒稀及其衍生物、六苯并苯及其衍生物、苝四羧酸二酰亞胺及其衍生物、苝四羧酸二酐及其衍生物、低聚萘及其衍生物、α-5-噻吩低聚噻吩及其衍生物、含金屬和不含金屬的酞菁及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物以及均苯四酰二亞胺及其衍生物構(gòu)成的一組材料中的至少一種。
同時(shí)，參照?qǐng)D5，在形成覆蓋源極41和漏極42的有機(jī)半導(dǎo)體層43之后，用激光刻蝕的方法，如激光燒蝕的方法，將半導(dǎo)體層43圖案化為如圖5所示的區(qū)域。除了這個(gè)方法，還可以應(yīng)用有機(jī)半導(dǎo)體圖案化的方法，且圖案化區(qū)域不一定如圖5所示的圖案化。
半導(dǎo)體層43可以由無(wú)機(jī)半導(dǎo)體層，例如CdS、GaS、ZnS、CdSe、CaSe、ZnSe、CdTe、SiC或者Si形成。
參照?qǐng)D6，在形成半導(dǎo)體層43之后，在半導(dǎo)體層43上形成柵極絕緣膜44，在柵極絕緣膜44上形成柵極45。
柵極絕緣膜44可以由有機(jī)或者無(wú)機(jī)材料形成。合適的無(wú)機(jī)材料的例子包括SiO2、SiNx、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZrO2、BST和PZT。合適的有機(jī)材料的例子包括普通聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯(PS)、含酚基的高分子衍生物、丙烯酸聚合物、酰亞胺聚合物、芳基醚聚合物、酰胺聚合物、含氟聚合物、p-亞二甲苯基聚合物、乙烯醇聚合物以及這些材料的摻混物(blend)。而且，也可以用有機(jī)-無(wú)機(jī)的疊層膜。
可以將柵極絕緣膜44圖案化為如圖6所示的島嶼形，這樣當(dāng)襯底10彎曲時(shí)，它受的應(yīng)力較小。可以將柵極絕緣膜44圖案化為至少覆蓋相應(yīng)半導(dǎo)體層43的區(qū)域。
然而，本實(shí)施方式并不限制于此，形成柵極絕緣膜44可以覆蓋整個(gè)區(qū)域中的任何一個(gè)部分，除了其上形成發(fā)光器的區(qū)域。
形成柵極45與半導(dǎo)體層43的溝道相對(duì)應(yīng)。
參照?qǐng)D7，形成柵極45之后，進(jìn)一步形成絕緣膜46以覆蓋TFT。絕緣膜46保護(hù)TFT，如后面所述，具有能使它作為象素限定層的開(kāi)口。
絕緣膜46可以是單層或多層的無(wú)機(jī)材料或有機(jī)材料。合適的無(wú)機(jī)材料的例子包括SiO2、SiNx、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZrO2、BST和PZT。合適的有機(jī)材料的例子包括普通聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯(PS)、具有酚基的高分子衍生物、丙烯酸聚合物、酰亞胺聚合物、芳基醚聚合物、酰胺聚合物、含氟聚合物、p-亞二甲苯基聚合物、乙烯醇聚合物以及這些材料的摻混物。然而，本實(shí)施方式并不限制于此，也可以用不同的絕緣材料。
在形成具有用上述方法形成的TFT的襯底10之后，參照?qǐng)D8，通過(guò)刻蝕絕緣膜46形成了第三開(kāi)口46a以暴露導(dǎo)電圖案32的一部分。
本實(shí)施方式中，上述的第二開(kāi)口31b可以與第三個(gè)開(kāi)口46a同時(shí)形成。
通過(guò)形成有機(jī)層33形成有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)，有基層33包括發(fā)射層(未示出)，和一覆蓋第三個(gè)開(kāi)口46a內(nèi)的有機(jī)層33的面電極34。
有機(jī)層33可以是，例如，低分子量有機(jī)層或者聚合物有機(jī)層。
如果有機(jī)層33是低分子量有機(jī)層，有機(jī)層33可以通過(guò)在單個(gè)或者復(fù)合結(jié)構(gòu)中疊層空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)射層(EML)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)來(lái)形成。可以用來(lái)形成有機(jī)層33的有機(jī)材料的例子包括銅鈦菁(CuPc)、N，N’-二(萘-1-基)-N、N’-二苯基-聯(lián)苯胺(NPB)、三-8-羥基喹啉合鋁(Alq3)。低分子量有機(jī)層可以通過(guò)蒸發(fā)的方法形成。
如果有機(jī)層33是聚合物有機(jī)層，有機(jī)層33可以具有含HTL和EML的結(jié)構(gòu)。同時(shí)，聚合物HTL由聚2，4-亞乙基二氧噻吩(PEDOT)形成，EML由聚亞苯基亞乙烯基(PPV)或者聚芴基有機(jī)聚合物材料用噴墨印刷或者旋涂的方法形成。
面電極34可以用作透明電極或者反射電極。當(dāng)面電極34用作透明電極時(shí)，面電極34可以由，例如ITO、IZO、ZnO或者In2O3形成，當(dāng)面電極34用作反射電極時(shí)，面電極34可以由例如Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或者這些金屬的混合物形成。用例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或者這些金屬的混合物形成發(fā)射電極之后，在反射膜上形成ITO，IZO，ZnO或者In2O3。然而，本實(shí)施方式并不限制于此，即使面電極34用作透明電極，在沉積由具有低功函數(shù)的金屬，例如Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或者這些金屬的混合物形成的材料層，朝向有機(jī)層33之后，能夠在材料層之上包括，輔助電極層或者由形成透明電極材料，例如ITO、IZO、ZnO或者In2O3形成的電極匯流線。
根據(jù)本實(shí)施方式，通過(guò)粘結(jié)在其上面形成導(dǎo)電圖案32的薄膜30，能夠制造平板顯示器，允許導(dǎo)電圖案32作為像素電極，尤其是當(dāng)襯底由塑料形成的情況。
而且，因?yàn)閷?dǎo)電圖案32用作濕氣和氧氣的阻擋，所以可以進(jìn)一步地提高器件的空氣密封性。
圖9是根據(jù)另外一個(gè)實(shí)施方式表示平板顯示器的截面圖。參照?qǐng)D9，在薄膜30上形成半導(dǎo)體層43之后，形成源極41和漏極42以接觸半導(dǎo)體層43。同時(shí)，在半導(dǎo)體層43外面形成第一個(gè)開(kāi)口31a，以使漏極42與導(dǎo)電圖案32接觸，但本實(shí)施方式并不限制于此。即，在形成通過(guò)基材31和薄膜30形成于其上的半導(dǎo)體層43的第一開(kāi)口之后，能夠形成漏極42。
圖9中，平板顯示器的剩余部分與參照?qǐng)D8所描述的內(nèi)容相同。不再重復(fù)敘述。
根據(jù)本實(shí)施方式的TFT和發(fā)光器的結(jié)構(gòu)并不受限制，能夠根據(jù)需要而變化。
上述實(shí)施方式中，描述了一種有源矩陣型發(fā)光器。然而，如上所述，本實(shí)施方式還可應(yīng)用到具有TFT的任何顯示器上，例如，TFT LCD器件。
而且，根據(jù)本實(shí)施方式，在塑料襯底上形成的TFT能夠被應(yīng)用到，除了上述的顯示器，任何具有柔性TFT的器件上，例如，電子片(electronic sheet)或智能卡。
顯然參照示范性實(shí)施方式，已特別示出和描述了本實(shí)施方式，但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解在不脫離通過(guò)下述要求所確定的本實(shí)施方式的精神和范圍內(nèi)，可以進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。
權(quán)利要求
1.一種具有薄膜晶體管(TFT)的襯底的制造方法，該方法包括在基材上制備包括多個(gè)導(dǎo)電圖案的薄膜；粘結(jié)該薄膜到襯底上；以使之電連接到薄膜上導(dǎo)電圖案的方式來(lái)形成TFT；以及在薄膜上形成覆蓋TFT的絕緣層。
2.按照權(quán)利要求1所述的方法，其中，TFT的形成包括連接源極和漏極中的至少一個(gè)到導(dǎo)電圖案上，其中源極和漏極形成于薄膜上；形成與源極和漏極的每一個(gè)連接的半導(dǎo)體層；在半導(dǎo)體層上形成柵極絕緣膜；和在柵極絕緣膜上形成柵極。
3.按照權(quán)利要求2所述的方法，其中，至少相應(yīng)于半導(dǎo)體層的區(qū)域圖案化柵極絕緣膜。
4.按照權(quán)利要求2所述的方法，半導(dǎo)體層由有機(jī)材料形成。
5.按照權(quán)利要求4所述的方法，其中有機(jī)材料包括由并五苯、并四苯、萘、α-4-噻吩、α-6-噻吩、苝及其衍生物、紅熒稀及其衍生物、六苯并苯及其衍生物、苝四羧酸二酰亞胺及其衍生物、苝四羧酸二酐及其衍生物、低聚萘及其衍生物、α-5-噻吩低聚噻吩及其衍生物、含金屬和不含金屬的酞菁及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物以及均苯四酰二亞胺及其衍生物構(gòu)成的一組材料中的至少一種。
6.按照權(quán)利要求1所述的方法，其中，TFT的形成包括在薄膜上形成半導(dǎo)體層；連接源極和漏極中的至少一個(gè)到導(dǎo)電圖案上，其中源極和漏極形成于薄膜上；在半導(dǎo)體層源極和漏極上形成柵極絕緣膜；在柵極絕緣膜上形成柵極。
7.按照權(quán)利要求6所述的方法，其中，至少對(duì)應(yīng)半導(dǎo)體層的區(qū)域圖案化柵極絕緣膜。
8.按照權(quán)利要求6所述的方法，其中，半導(dǎo)體層由有機(jī)材料形成。
9.按照權(quán)利要求8所述的方法，其中，有機(jī)材料包括由并五苯、并四苯、萘、α-4-噻吩、α-6-噻吩、苝及其衍生物、紅熒稀及其衍生物、六苯并苯及其衍生物、苝四羧酸二酰亞胺及其衍生物、苝四羧酸二酐及其衍生物、低聚萘及其衍生物、α-5-噻吩低聚噻吩及其衍生物、含金屬和不含金屬的酞菁及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物以及均苯四酰二亞胺及其衍生物構(gòu)成的一組材料中的至少一種。
10.按照權(quán)利要求1所述的方法，其中，至少薄膜表面中的一面沒(méi)有暴露出導(dǎo)電圖案，且按這樣的方式粘合薄膜，以使位于其上面的未被暴露的導(dǎo)電圖案的薄膜表面朝外。
11.按照權(quán)利要求1所述的方法，其中，襯底由塑料形成。
12.一種具有根據(jù)權(quán)利要求1的方法制造的TFT的襯底。
13.一種平板顯示器的制造方法，該方法包括在基材上制備包括多個(gè)導(dǎo)電圖案的薄膜；粘結(jié)該薄膜到襯底上；以使之電連接到薄膜上導(dǎo)電圖案的方式來(lái)形成TFT；在薄膜上形成覆蓋TFT的絕緣層；為暴露導(dǎo)電圖案的一個(gè)區(qū)域在絕緣膜上形成一開(kāi)口；以及在通過(guò)該開(kāi)口暴露的導(dǎo)電圖案區(qū)上形成顯示器。
14.按照權(quán)利要求13所述的方法，其中，TFT的形成包括連接源極和漏極中至少一個(gè)到導(dǎo)電圖案上，其中源極和漏極形成于薄膜上；形成與源極和漏極的每一個(gè)相連接的半導(dǎo)體層；在半導(dǎo)體層上形成柵極絕緣膜；以及在柵極絕緣膜上形成柵極。
15.按照權(quán)利要求14所述的方法，其中，至少相應(yīng)于半導(dǎo)體的區(qū)域圖案化柵極絕緣膜。
16.按照權(quán)利要求14所述的方法，其中，半導(dǎo)體層由有機(jī)材料形成。
17.按照權(quán)利要求16所述的方法，其中，有機(jī)材料包括由并五苯、并四苯、萘、α-4-噻吩、α-6-噻吩、苝及其衍生物、紅熒稀及其衍生物、六苯并苯及其衍生物、苝四羧酸二酰亞胺及其衍生物、苝四羧酸二酐及其衍生物、低聚萘及其衍生物、α-5-噻吩低聚噻吩及其衍生物、含金屬和不含金屬的酞菁及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物以及均苯四酰二亞胺及其衍生物構(gòu)成的一組材料中的至少一種。
18.按照權(quán)利要求13所述的方法，其中，TFT的形成包括連接源極和漏極中的至少一個(gè)到導(dǎo)電圖案上，其中源極和漏極形成于半導(dǎo)體層上；在半導(dǎo)體層、源極和漏極上形成柵極絕緣膜；以及在柵極絕緣膜上形成柵極。
19.按照權(quán)利要求18所述的方法，其中，至少相應(yīng)于半導(dǎo)體的區(qū)域圖案化柵極絕緣膜。
20.按照權(quán)利要求18所述的方法，其中，半導(dǎo)體層由有機(jī)材料形成。
21.按照權(quán)利要求20所述的方法，其中，有機(jī)材料包括由并五苯、并四苯、萘、α-4-噻吩、α-6-噻吩、苝及其衍生物、紅熒稀及其衍生物、六苯并苯及其衍生物、苝四羧酸二酰亞胺及其衍生物、苝四羧酸二酐及其衍生物、低聚萘及其衍生物、α-5-噻吩低聚噻吩及其衍生物、含金屬和不含金屬的酞菁及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物以及均苯四酰二亞胺及其衍生物構(gòu)成的一組材料中至少的一種。
22.按照權(quán)利要求13所述的方法，其中，至少薄膜表面中的一面沒(méi)有暴露出導(dǎo)電圖案，且按這樣的方式粘合薄膜，以使位于其上面的未被暴露的導(dǎo)電圖案的薄膜表面朝外。
23.按照權(quán)利要求22所述的方法，進(jìn)一步包括圖案化薄膜以便在形成TFT之前使導(dǎo)電圖案的一部分暴露。
24.按照權(quán)利要求13所述的方法，其中，襯底由塑料形成。
25.一種根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法制造的平板顯示器。
26.一種包含根據(jù)權(quán)利要求12的襯底的平板顯示器。
27.一種包含具有一個(gè)或者多個(gè)根據(jù)權(quán)利要求1所述方法制造的TFT的襯底的平板顯示器。
28.一種平板顯示器，包括粘結(jié)到襯底上的薄膜，其中包括在基材上的多個(gè)導(dǎo)電圖案；電連接到薄膜上導(dǎo)電圖案的TFT；薄膜上覆蓋TFT的絕緣膜；和在絕緣膜上暴露導(dǎo)電圖案的一個(gè)區(qū)域的開(kāi)口。
29.按照權(quán)利要求28所述的平板顯示器，其中，TFT包括連接到導(dǎo)電圖案上的源極和漏極的至少一個(gè)，其中源極和漏極形成于薄膜上；與源極和漏極的每一個(gè)相接觸的半導(dǎo)體層；半導(dǎo)體層上的柵極絕緣膜；和柵極絕緣膜上的柵極。
30.按照權(quán)利要求29所述的平板顯示器，其中，至少相應(yīng)于半導(dǎo)體的區(qū)域圖案化柵極絕緣膜。
31.按照權(quán)利要求29所述的平板顯示器，其中，半導(dǎo)體層由有機(jī)材料形成。
32.按照權(quán)利要求31所述的平板顯示器，其中，有機(jī)材料包括由并五苯、并四苯、萘、α-4-噻吩、α-6-噻吩、苝及其衍生物、紅熒稀及其衍生物、六苯并苯及其衍生物、苝四羧酸二酰亞胺及其衍生物、苝四羧酸二酐及其衍生物、低聚萘及其衍生物、α-5-噻吩低聚噻吩及其衍生物、含金屬和不含金屬的酞菁及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物以及均苯四酰二亞胺及其衍生物構(gòu)成的一組材料中至少的一種。
33.按照權(quán)利要求28所述的平板顯示器，其中，TFT包括至少連接到導(dǎo)電圖案上的至少一個(gè)源極和至少一個(gè)漏極，其中源極和漏極形成于薄膜上；在半導(dǎo)體層、源極和漏極上的柵極絕緣膜；柵極絕緣膜上的柵極。
34.按照權(quán)利要求33所述的平板顯示器，其中，至少對(duì)相應(yīng)于半導(dǎo)體的區(qū)域圖案化柵極絕緣膜。
35.按照權(quán)利要求33所述的平板顯示器，其中，半導(dǎo)體層由有機(jī)材料形成。
36.按照權(quán)利要求35所述的平板顯示器，其中，有機(jī)材料包括由并五苯、并四苯、萘、α-4-噻吩、α-6-噻吩、苝及其衍生物、紅熒稀及其衍生物、六苯并苯及其衍生物、苝四羧酸二酰亞胺及其衍生物、苝四羧酸二酐及其衍生物、低聚萘及其衍生物、α-5-噻吩低聚噻吩及其衍生物、含金屬和不含金屬的酞菁及其衍生物、均苯四酸二酐及其衍生物以及均苯四酰二亞胺及其衍生物構(gòu)成的一組材料中的至少一種。
37.按照權(quán)利要求28所述的平板顯示器，其中，至少薄膜表面中的一面沒(méi)有暴露出導(dǎo)電圖案，且其中，位于其上面的導(dǎo)電圖案未被暴露的膜表面朝外。
38.按照權(quán)利要求28所述的平板顯示器，其中，所述襯底包含塑料。
全文摘要
提供了一種具有TFT的塑料襯底的制造方法，一種根據(jù)該方法制造的襯底，一種平板顯示器的制造方法以及一種根據(jù)該方法制造的平板顯示器，可以被用到柔性平板顯示器上。該方法包括制備包括多個(gè)導(dǎo)電圖案的薄膜；粘結(jié)該薄膜到襯底上；將TFT電連接到薄膜上的導(dǎo)電圖案；在薄膜上形成覆蓋TFT的絕緣層。
文檔編號(hào)H01L51/40GK1848391SQ20051011917
公開(kāi)日2006年10月18日 申請(qǐng)日期2005年11月3日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月3日
發(fā)明者金民圭, 具在本, 牟然坤, 申鉉秀 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社