專利名稱：功率型封裝件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種功率型封裝件結(jié)構(gòu)及其制造方法，特別是關(guān)于一種具有發(fā)光芯片的功率型封裝件及其制造方法。
背景技術(shù)：
LED產(chǎn)業(yè)超過30年，LED操作功率不斷提升，傳統(tǒng)燈泡型LED、SMD LED等封裝形式已無法滿足散熱要求，各式各樣高功率LED封裝結(jié)構(gòu)紛紛出現(xiàn)，以Lumileds公司的Luxeon、Nichia公司的Jupiter、Osram公司的Golden Dragon最為經(jīng)典，其它如Cree、Toyota及各大小LED封裝廠也紛紛提出高功率LED封裝結(jié)構(gòu)，用以封裝與生產(chǎn)LED相關(guān)產(chǎn)品。綜觀這些高功率LED封裝結(jié)構(gòu)，為實現(xiàn)高散熱的目的，一類是采用塑料包覆薄料導(dǎo)電結(jié)構(gòu)再加散熱座設(shè)計方式，如Lumileds公司的Luxeon，另一類則采用塑料包覆厚薄料支架方式，如Nichia公司的Jupiter。采用塑料包覆薄料導(dǎo)電結(jié)構(gòu)再加散熱座方式封裝LED組件，其加工程序較傳統(tǒng)燈泡型LED復(fù)雜，生產(chǎn)成本高，且其多重材料組合也易產(chǎn)生可靠性的問題。上述采用塑料包覆厚薄料支架方式，具有散熱上的優(yōu)勢，但是厚薄料通常是將一片厚金屬材的部份區(qū)域先加工成薄金屬材形成所謂厚薄料，因?qū)儆谕粔K金屬材料，在后續(xù)圖案與外延腳加工時，設(shè)計自由度與尺寸比例都受到限制。
采用厚薄料金屬材結(jié)合封裝體的LED封裝專利有中國臺灣光鼎公司的中國臺灣專利TW558066和美國Gentex公司的US6828170B2，其實施例如圖1、圖2所示。中國臺灣專利TW558066是將一片厚金屬材2的部分區(qū)域先加工成薄金屬材形成所謂厚薄料，再進行后續(xù)碗杯與外延腳21加工，設(shè)計自由度與尺寸都受到限制無法小型化，也無法在支架局部區(qū)域依功能需求分開鍍膜。美國專利號US6828170B2也是采用厚薄料作為支架，其技術(shù)主要仍是先將導(dǎo)電結(jié)構(gòu)3加工成厚薄料再進行后續(xù)碗杯與外延腳31加工，但說明其厚薄料加工方式不限于將一片厚金屬材的部分區(qū)域先加工成薄金屬材形成所謂厚薄料，也可利用焊接或熔接方式將厚料與薄料接合成一厚薄料再進行后續(xù)碗杯與外延腳31加工。
然而，上述現(xiàn)有采用塑料包覆薄料導(dǎo)電結(jié)構(gòu)再加散熱座方式封裝LED組件，其加工程序較傳統(tǒng)燈泡型LED復(fù)雜，生產(chǎn)成本高，且其多重材料組合也易產(chǎn)生可靠性問題，且采用塑料包覆厚薄料支架方式，具有散熱上的優(yōu)勢，但是厚薄料通常是將一片厚金屬材的部份區(qū)域先加工成薄金屬材形成所謂厚薄料，因?qū)儆谕粔K金屬材料，在后續(xù)圖案與外延腳加工時，設(shè)計自由度與尺寸比例都受到限制。
因此，如何解決現(xiàn)有厚薄料在后續(xù)圖案與外延腳加工時，設(shè)計自由度與尺寸比例的限制以及加工程序過于復(fù)雜與造成生產(chǎn)成本過高，確為相關(guān)領(lǐng)域需要迫切面對的問題。

發(fā)明內(nèi)容
為克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本發(fā)明的主要目的在于提供一種功率型封裝件及其制造方法，其導(dǎo)電結(jié)構(gòu)是采用分別加工再組合的方式，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)圖案設(shè)計、外型設(shè)計與表面鍍膜處理皆可獨立進行，因此可提高設(shè)計自由度、增加功能，如增加散熱突出物設(shè)計、將厚料與薄料重迭組合以縮小結(jié)構(gòu)尺寸、分開鍍膜處理以符合不同功能要求等。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種功率型封裝件及其制造方法，具有結(jié)構(gòu)簡單且易于制造生產(chǎn)，它只包括LED芯片、導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及封裝體，材料組合類似于傳統(tǒng)燈泡型LED，沒有多重材料接合衍生的可靠性問題。
本發(fā)明的再一目的在于提供一種功率型封裝件及其制造方法，具有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)保持厚薄料導(dǎo)熱的優(yōu)點。
本發(fā)明的次一目的在于提供一種功率型封裝件及其制造方法，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)是由厚金屬件與薄金屬件分別加工再予以組合而成，加工、組裝容易，可降低生產(chǎn)成本。
因此，為達上述及其它目的，本發(fā)明提出的功率型封裝件的制造方法包括下列步驟將預(yù)先形成有至少一光反射部的至少一厚金屬件與供功率型封裝件與外部電性連接的至少一具多條管腳的薄金屬件進行組接，形成一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；將至少一發(fā)光芯片設(shè)置在該厚金屬件上的至少一光反射部內(nèi)，且電性連接于該薄金屬件；以及形成一封裝體，借以封裝該發(fā)光芯片，并且包覆部分的該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中該厚金屬件及該薄金屬件在組接前是先以加工方式一次成形至少一光反射部以及多條管腳，可提升該厚金屬件及該薄金屬件在組接前的設(shè)計自由度。
如上述提供一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的步驟中，該厚金屬件及該薄金屬件是各別以加工方式成型再組合而成，加工方式可以是沖壓或蝕刻，其加工容易、易于制造生產(chǎn)且無多重材料接合衍生的可靠性問題。
如上述提供一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的步驟中，形成至少一光反射部及承載體于該厚金屬件，其中，該光反射部可以是平面、凹面或凸面所形成的，且形成至少二個導(dǎo)電管腳于該薄金屬件，其中，該厚金屬件表面采亮銀處理，增加LED出光反射率，亮銀處理可采電鍍或表面涂層方法，且保持厚薄料導(dǎo)熱的優(yōu)點。該薄金屬件表面采霧銀處理，增加LED電性接線的良率，霧銀處理可采電鍍或表面噴涂方法。
如上述提供一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的步驟中，將該厚金屬件與該薄金屬件以貼合方式予以接合，貼合方式可用膠合方式粘著、模具沖壓卯合、卯釘卯合或交直流點焊接合，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)是采分別加工再組合，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)圖案設(shè)計、外型設(shè)計與表面鍍膜處理皆可獨立進行，因此可獲得許多設(shè)計自由度與功能上的好處。
如上述提供至少一發(fā)光芯片的步驟中，將至少一發(fā)光芯片設(shè)置在該厚金屬件上至少一光反射部內(nèi)，且電性連接于該薄金屬件的導(dǎo)電管腳。
如上述提供至少一封裝體的步驟中，使用封裝技術(shù)將發(fā)光芯片、金屬導(dǎo)電引線與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包覆起來，且使部分導(dǎo)電結(jié)構(gòu)裸露于封裝體外部，成品即完成封裝，制作過程相當(dāng)簡單，可降低生產(chǎn)成本。
借由上述制造方法制得的功率型封裝件包括一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，由預(yù)先形成有至少一光反射部的至少一厚金屬件與供功率型封裝件與外部電性連接的至少一具有多條管腳的薄金屬件組接而成；至少一發(fā)光芯片，設(shè)置在該厚金屬件上的至少一光反射部內(nèi)，且電性連接于該薄金屬件；以及至少一封裝體，用以封裝該發(fā)光芯片，且包覆部分該至少一厚金屬件及該至少一薄金屬件，其中該厚金屬件及該薄金屬件在組接前是先以加工方式一次成形至少一光反射部以及多條管腳，可提升該厚金屬件及該薄金屬件在組接前的設(shè)計自由度。該封裝體可以是樹脂、玻璃或透明塑料。
該厚金屬件包括至少一光反射部及承載體，該厚金屬件的底部與部分側(cè)邊裸露于該封裝體的外部以增加散熱途徑，其中，該光反射部是用以反射該發(fā)光芯片所產(chǎn)生的光源，其中，該承載體是用以承載固定該封裝體。該薄金屬件包括至少二個導(dǎo)電引腳。
該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)是由一厚金屬件與至少一薄金屬件組成，該厚金屬件與該至少一薄金屬件可由相同或不同材料組成，且可在表面鍍上相同或不相同反光或?qū)щ姴牧稀?br> 由于現(xiàn)有技術(shù)是將一厚金屬材加工成一薄金屬材形成所謂的厚薄料，在后續(xù)圖案與外延腳加工時，設(shè)計自由度與尺寸比例皆受到限制以及加工程序過于復(fù)雜與造成生產(chǎn)成本過高，且采用塑料包覆薄料導(dǎo)電結(jié)構(gòu)再加散熱座方式封裝LED組件，其加工程序較傳統(tǒng)燈泡型LED復(fù)雜，生產(chǎn)成本高，且多重材料組合也易產(chǎn)生可靠性的問題。
因此，本發(fā)明的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，它是采分別加工再組合而成，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)圖案設(shè)計、外型設(shè)計與表面鍍膜處理皆可獨立進行，因此解決了現(xiàn)有厚薄料，在后續(xù)圖案與外延腳加工時，設(shè)計自由度與尺寸比例皆受到限制以及加工程序過于復(fù)雜與造成生產(chǎn)成本過高等問題，且由于組成簡單僅由一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)組成，故可解決多重材料組合產(chǎn)生可靠性的問題。
本發(fā)明的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)采用分別加工再組合的方式，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)圖案設(shè)計、外型設(shè)計與表面鍍膜處理皆可獨立進行，因此可提高設(shè)計自由度、增加功能，如增加散熱突出物設(shè)計、將厚料與薄料重迭組合以縮小結(jié)構(gòu)尺寸、分開鍍膜處理以符合不同功能要求等；本發(fā)明具有結(jié)構(gòu)簡單且易于制造生產(chǎn)，該結(jié)構(gòu)只包括LED芯片、導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及封裝體，材料組合類似于傳統(tǒng)燈泡型LED，沒有多重材料接合衍生的可靠性問題；本發(fā)明的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)保持厚薄料導(dǎo)熱的優(yōu)點，加工、組裝容易，可降低生產(chǎn)成本。


圖1是現(xiàn)有LED厚料加工成薄料，形成所謂厚薄材的立體封裝圖；
圖2是現(xiàn)有LED導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的立體圖；圖3是本發(fā)明導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的厚金屬件與薄金屬件分離示意圖；圖4是本發(fā)明薄金屬件與厚金屬件接合的實施例1立體圖；圖5是本發(fā)明發(fā)光芯片借焊線電性連接到導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的立體圖；圖6是本發(fā)明使用封裝技術(shù)將封裝體封裝在部分該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的立體示意圖；圖7是本發(fā)明成品完成封裝的立體圖；圖8是本發(fā)明實施例2的制造方法在原有薄金屬件上迭加另一層薄金屬件的示意圖；以及圖9是本發(fā)明實施例3的制造方法在該封裝體內(nèi)設(shè)置一光反射部示意圖。
具體實施例方式
實施例1以下實施例進一步詳細說明本發(fā)明的觀點，但并非以任何觀點限制本發(fā)明的范疇。
請參閱圖4，本發(fā)明的功率型封裝件包括一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)1，是由預(yù)先形成有至少一光反射部的至少一厚金屬件11與供功率型封裝件與外部電性連接的至少一具有多條管腳的薄金屬件12組接而成；至少一發(fā)光芯片13，設(shè)置在該厚金屬件11上的至少一光反射部112內(nèi)，且電性連接于該薄金屬件12；以及至少一封裝體15(未標(biāo)出)，用以封裝該發(fā)光芯片13，且包覆部分該至少一厚金屬件11及該至少一薄金屬件12，其中該厚金屬件11及該薄金屬件12在組接之前是先以加工方式一次成形至少一光反射部112以及多條管腳，可提升該厚金屬件11及該薄金屬件12在組接前的設(shè)計自由度，其中，該封裝體15可以是樹脂、玻璃或透明塑料。
圖3是本發(fā)明的功率型封裝件的厚金屬件11與薄金屬件12分離示意圖，該厚金屬件11包括至少一光反射部112及承載體111，其中，該光反射部112可以是平面、凹面或凸面所形成的，且該薄金屬件12包括至少二個導(dǎo)電管腳121，請參閱圖6，該厚金屬件11的底部與部分側(cè)邊裸露于該封裝體15的外部以增加散熱途徑，請參閱圖5，其中，該光反射部112是用以反射該發(fā)光芯片13產(chǎn)生的光源，其中，該承載體111是用以承載固定該封裝體15(如圖6所示)。
圖4是本發(fā)明功率型封裝件導(dǎo)電結(jié)構(gòu)1的立體示意圖，其中，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)1是由一厚金屬件11與至少一薄金屬件12所組成，該厚金屬件11與該至少一薄金屬件12可由相同或不同材料組成，且可在表面鍍上相同或不相同反光或?qū)щ姴牧稀?br> 圖5是本發(fā)明功率型封裝件制造方法實施例1的示意圖。本發(fā)明的功率型封裝件的制造方法包括下列步驟將預(yù)先形成有至少一光反射部112的厚金屬件11與供功率型封裝件與外部電性連接的至少一具有多條管腳的薄金屬件12進行組接，形成一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)1；將至少一發(fā)光芯片13設(shè)置在該厚金屬件11上的至少一光反射部112內(nèi)，且電性連接于該薄金屬件12；以及形成一封裝體15(未標(biāo)出)，借以封裝該發(fā)光芯片13，并且包覆部分的該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)1，其中該厚金屬件11及該薄金屬件12在組接前是先以加工方式一次成形至少一光反射部112以及多條管腳，可提升該厚金屬件11及該薄金屬件12在組接前的設(shè)計自由度。
請參閱圖4，它是本發(fā)明的功率型封裝件的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)1制造方法立體示意圖。其中，該厚金屬件11及該薄金屬件12是以加工方式成型，其加工方式可以是沖壓或蝕刻，該加工方式容易、易于制造生產(chǎn)且無多重材料接合衍生的可靠性問題。
請參閱圖3，它是本發(fā)明的功率型封裝件的厚金屬件11與薄金屬件12制造方法，它在該厚金屬件11上形成至少一光反射部112及承載體111，該厚金屬件11表面采取亮銀處理，增加LED出光反射率，亮銀處理可采電鍍或表面涂層方法，且可保持厚薄料導(dǎo)熱的優(yōu)點。
請參閱圖3，形成至少二個導(dǎo)電引腳121在該薄金屬件12，該薄金屬件12表面采霧銀處理，增加LED電性接線的良率，霧銀處理可采電鍍或表面噴涂方法。
請參閱圖4，它是本發(fā)明的功率型封裝件的薄金屬件12與厚金屬件11組合立體圖，將該薄金屬件12的至少一貼合部122與開孔123(如圖3所示)，對準該厚金屬件11的至少一連接部113與固定孔114之后以貼合方式予以接合，其貼合方式可用膠合方式粘著、用模具沖壓卯合、用卯釘卯合或用交直流點焊接合，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)1是采用分別加工再組合，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)1圖案設(shè)計、外型設(shè)計與表面鍍膜處理皆可獨立進行，因此可獲得許多設(shè)計自由度與功能上的好處。
圖6是本發(fā)明的功率型封裝件完成封裝該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)1的立體示意圖。使用封裝技術(shù)將發(fā)光芯片13、金屬導(dǎo)電引線14與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)1包覆起來，且使部分導(dǎo)電結(jié)構(gòu)1裸露于封裝體15外部，其制作過程相當(dāng)簡單，故可降低生產(chǎn)成本。
請參閱圖7，它是本發(fā)明功率型封裝件的成品完成封裝的立體圖。
實施例2請參閱圖8，它是本發(fā)明的功率型封裝件制造方法實施例2的示意圖，它與圖7的功率型封裝件的制造方法的差異在于，它可在原有一薄金屬件12上迭加一層絕緣層或也可以是一層導(dǎo)電層后，再迭加另一層薄金屬件16，也就是該絕緣層或?qū)щ妼游挥谠摫〗饘偌?2及另一薄金屬件16之間，此層層相迭可增加導(dǎo)電管腳的數(shù)目。
實施例3請參閱圖9，它是本發(fā)明的功率型封裝件制造方法實施例3的示意圖，其與圖7本發(fā)明功率型封裝件的制造方法差異在于它可在原封裝體15內(nèi)裝設(shè)至少一組合式光反射件17，該光反射件的形狀可以是半圓殼狀或橢圓殼狀，類似于汽車的燈罩，可改變光行進的路線，也有聚光且提升光亮度的效果。
綜上所述，本發(fā)明揭示的功率型封裝件及其制造方法，其導(dǎo)電結(jié)構(gòu)1確實具有結(jié)構(gòu)相當(dāng)簡單及易于制造生產(chǎn)，且無多重材料接合衍生的可靠性問題，因而可降低制造過程的成本，同時，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)1圖案設(shè)計、外型設(shè)計與表面鍍膜處理皆可獨立進行，因此可獲得許多設(shè)計自由度與功能上的好處，且還可提升導(dǎo)電結(jié)構(gòu)1的導(dǎo)熱效果。
權(quán)利要求
1.一種功率型封裝件，其特征在于，該功率型封裝件包括一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，由預(yù)先形成有至少一光反射部的至少一厚金屬件與供功率型封裝件與外部電性連接的至少一具有多條管腳的薄金屬件組接而成；至少一發(fā)光芯片，設(shè)置在該厚金屬件上的至少一光反射部內(nèi)，且電性連接于該薄金屬件；以及至少一封裝體，用以封裝該發(fā)光芯片，且包覆部分該至少一厚金屬件及該至少一薄金屬件，其中該厚金屬件及該薄金屬件在組接前是先以加工方式一次成形至少一光反射部以及多條管腳，可提升該厚金屬件及該薄金屬件在組接前的設(shè)計自由度。
2.如權(quán)利要求1所述的功率型封裝件，其特征在于，該厚金屬件是包括至少一光反射部及承載體。
3.如權(quán)利要求2所述的功率型封裝件，其特征在于，該承載體是用以承載固定該封裝體。
4.如權(quán)利要求1所述的功率型封裝件，其特征在于，該厚金屬件表面采亮銀處理，增加發(fā)光芯片出光反射率。
5.如權(quán)利要求4所述的功率型封裝件，該亮銀處理可采電鍍或表面涂層方法。
6.如權(quán)利要求1所述的功率型封裝件，其特征在于，該光反射部是為平面、凹面或凸面組成群組中的一種。
7.如權(quán)利要求1所述的功率型封裝件，其特征在于，該厚金屬件的底部與部分側(cè)邊裸露于該封裝體的外部以增加散熱途徑。
8.如權(quán)利要求1所述的功率型封裝件，其特征在于，該光反射部是用以反射該發(fā)光芯片產(chǎn)生的光源。
9.如權(quán)利要求1所述的功率型封裝件，其特征在于，該薄金屬件包括至少二個導(dǎo)電管腳。
10.如權(quán)利要求1所述的功率型封裝件，其特征在于，該薄金屬件表面采霧銀處理，增加發(fā)光芯片電性接線的良率。
11.如權(quán)利要求10所述的功率型封裝件，其特征在于，該霧銀處理可采電鍍或表面噴涂方法。
12.如權(quán)利要求1所述的功率型封裝件，其特征在于，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的厚金屬件與薄金屬件可選擇由相同及不同材料組成。
13.如權(quán)利要求1所述的功率型封裝件，其特征在于，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的厚金屬件與薄金屬件可在表面選擇鍍上相同及不相同反光及導(dǎo)電材料。
14.如權(quán)利要求1所述的功率型封裝件，其特征在于，該封裝體可以是樹脂、玻璃或透明塑料。
15.一種功率型封裝件的制造方法，其特征在于，功率型封裝件的制造方法包括下列步驟將預(yù)先形成有至少一光反射部的至少一厚金屬件與供功率型封裝件與外部電性連接的至少一具多條管腳的薄金屬件進行組接，形成一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；將至少一發(fā)光芯片設(shè)置在該厚金屬件上的至少一光反射部內(nèi)，且電性連接于該薄金屬件；以及形成一封裝體，借以封裝該發(fā)光芯片，并且包覆部分的該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中該厚金屬件及該薄金屬件在組接前是先以加工方式一次成形至少一光反射部以及多條管腳，可提升該厚金屬件及該薄金屬件在組接前的設(shè)計自由度。
16.如權(quán)利要求15所述的功率型封裝件的制造方法，其特征在于，該厚金屬件及該薄金屬件是以加工方式成型。
17.如權(quán)利要求16所述的功率型封裝件的制造方法，其特征在于，該加工方式可以是沖壓或蝕刻方式。
18.如權(quán)利要求15所述的功率型封裝件的制造方法，其特征在于，該厚金屬件形成有至少一光反射部及承載體。
19.如權(quán)利要求15所述的功率型封裝件的制造方法，其特征在于，該薄金屬件形成有至少二個導(dǎo)電引腳。
20.如權(quán)利要求15所述的功率型封裝件的制造方法，其特征在于，該厚金屬件表面采亮銀處理，增加發(fā)光芯片出光反射率。
21.如權(quán)利要求20所述的功率型封裝件的制造方法，其特征在于，該亮銀處理可采電鍍或表面涂層方法。
22.如權(quán)利要求15所述的功率型封裝件的制造方法，其特征在于，該薄金屬件表面采霧銀處理，增加發(fā)光芯片電性接線的良率。
23.如權(quán)利要求22所述的功率型封裝件的制造方法，其特征在于，該霧銀處理可采電鍍或表面噴涂方法。
24.如權(quán)利要求15所述的功率型封裝件的制造方法，其特征在于，該厚金屬件與該薄金屬件以貼合方式予以接合。
25.如權(quán)利要求24所述的功率型封裝件的制造方法，其特征在于，該貼合方式可用膠合方式粘著、模具沖壓卯合、卯釘卯合或交直流點焊接合。
全文摘要
本發(fā)明的功率型封裝件及其制造方法是由LED芯片、導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及一封裝體構(gòu)成，其中該封裝體包覆LED芯片與部分導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；該功率型封裝件包括一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、至少一發(fā)光芯片以及至少一封裝體；本發(fā)明的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)采用分別加工再組合的方式，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)圖案設(shè)計、外型設(shè)計與表面鍍膜處理皆可獨立進行，可提高設(shè)計自由度、增加功能，如增加散熱突出物設(shè)計、將厚料與薄料重迭組合以縮小結(jié)構(gòu)尺寸、分開鍍膜處理以符合不同功能要求等；本發(fā)明具有結(jié)構(gòu)簡單且易于制造生產(chǎn)，該結(jié)構(gòu)只包括LED芯片、導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及封裝體，材料組合類似于傳統(tǒng)燈泡型LED，沒有多重材料接合衍生的可靠性問題；本發(fā)明的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)保持厚薄料導(dǎo)熱的優(yōu)點，加工、組裝容易，可降低生產(chǎn)成本。
文檔編號H01L51/50GK1949550SQ200510112940
公開日2007年4月18日 申請日期2005年10月14日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月14日
發(fā)明者林明耀, 林明德, 黃勝邦, 郭家彰, 陳秋伶 申請人:財團法人工業(yè)技術(shù)研究院