專利名稱：薄膜晶體管矩陣基板制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種液晶顯示面板的制造方法，且特別是有關(guān)于一種薄膜晶體管矩陣基板的制造方法。
背景技術(shù)：
近年來光電相關(guān)技術(shù)不斷地推陳出新，加上數(shù)字化時(shí)代的到來，進(jìn)而推動(dòng)了液晶顯示器市場的蓬勃發(fā)展。液晶顯示器具有高畫質(zhì)、體積小、重量輕、低驅(qū)動(dòng)電壓、與低功耗等優(yōu)點(diǎn)，因此被廣泛應(yīng)用于個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、移動(dòng)電話、攝錄放影機(jī)、筆記本電腦、桌上型顯示器、車用顯示器、及投影電視等消費(fèi)性通訊或電子產(chǎn)品，并逐漸取代陰極射線管而成為顯示器的主流。
液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)是一種利用液晶特性來達(dá)到顯示效果的顯示裝置，由于其較傳統(tǒng)常用的陰極射線管顯示器在尺寸與重量方面有更佳的彈性，因此，液晶顯示器目前常被使用在各種的個(gè)人系統(tǒng)上，小從移動(dòng)電話、個(gè)人數(shù)字助理及數(shù)字相機(jī)上的顯示屏，大到電視機(jī)及廣告看板，處處都可以見到液晶顯示器的影子。
液晶顯示器之所以能夠較傳統(tǒng)的陰極射線管顯示器在尺寸及重量更有彈性，是因?yàn)橐壕э@示器的大部份組件都是平板狀的，因此可視應(yīng)用需求將這些組件切割成適中的尺寸，在重量上也較有著龐大立體外形的陰極射線管來得輕巧許多。
眾所皆知掩模的價(jià)錢昂貴，掩模數(shù)越多即意味著所需支付的成本越高，另外，制造過程也會越長，所以減少掩模數(shù)，除了可降低成本之外，還可以加速產(chǎn)出速度，增加產(chǎn)品的競爭力。因此，本發(fā)明及針對已知的缺點(diǎn)，減少非晶硅液晶顯示屏幕工藝所使用的掩模數(shù)，即降低制造的成本，而使產(chǎn)品更具有競爭力。
在一般薄膜晶體管矩陣基板的工藝中，若是晶體管組件采用逆交錯(cuò)型(Inverted Staggered)信道蝕刻保護(hù)(Back-Channel-Protected)方式，晶體管信道區(qū)域無蝕刻過程的破壞，使組件保有良好的特性，也因?yàn)椴捎媚娼诲e(cuò)信道蝕刻保護(hù)，在半體層成膜厚度也可降低，不但可減少光電流產(chǎn)生，也可降低成膜時(shí)等離子體的破壞，因此，逆交錯(cuò)型信道蝕刻保護(hù)晶體管矩陣基板，已被業(yè)界所廣泛使用。
在一般薄膜晶體管矩陣基板的工藝中，特別是逆交錯(cuò)型信道蝕刻保護(hù)晶體管矩陣基板，現(xiàn)今已可將所使用的掩模數(shù)目縮減到五道或四道掩模工藝。以一般四道掩模為例，第1圖示出了已知工藝中縮減使用掩模數(shù)目的關(guān)鍵步驟的剖面示意圖。在玻璃基板100上具有柵極102，依序形成介電層104、半導(dǎo)體層106、歐姆接觸層108、電極層110于玻璃基板100之上。在涂布光阻層(未示出于圖上)后，再以半調(diào)式(half-tone)掩模來進(jìn)行曝光以及進(jìn)行后續(xù)的顯影步驟而形成圖案化光阻層112，圖案化光阻層112在柵極102的上方欲形成源極/漏極及信道區(qū)的區(qū)域且成凹字型狀，再利用不同的蝕刻方式形成晶體管。光阻層112在預(yù)定形成信道區(qū)的位置具有一較小的厚度h1，而光阻層112其它部分的厚度為h2。光阻層112的h1厚度在欲形成源極/漏極及信道區(qū)的區(qū)域具有兩種不同的厚度，這是整個(gè)工藝的關(guān)鍵。因?yàn)樵谕粎^(qū)域必須要有兩種不同光阻高度，光阻角度(taper angle)和信道區(qū)上光阻厚度h1都會影響后續(xù)蝕刻的結(jié)果，所以兩者的控制是非常的重要，但是在實(shí)際處理時(shí)非常不易控制。
因此，如何繼續(xù)減少掩模使用的數(shù)目以及維持工藝的良率成為一個(gè)兩難的問題。

發(fā)明內(nèi)容
綜上，本發(fā)明的目的在于提供一種薄膜晶體管矩陣基板的制造方法，適用于制造逆交錯(cuò)型信道蝕刻保護(hù)晶體管矩陣基板，僅需要三道掩模即可完成像素電極及驅(qū)動(dòng)晶體管的工藝。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種薄膜晶體管矩陣基板的制造方法，適用于制造逆交錯(cuò)型信道蝕刻保護(hù)晶體管矩陣基板，可以大幅降低制造的成本，使產(chǎn)品更具有競爭力。
本發(fā)明的又一目的在于提供一種薄膜晶體管矩陣基板的制造方法，適用于制造逆交錯(cuò)型信道蝕刻保護(hù)晶體管矩陣基板，定義出源/漏極區(qū)，以縮減使用掩模的數(shù)目。
本發(fā)明的再一目的在于提供一種薄膜晶體管矩陣基板的制造方法，適用于制造逆交錯(cuò)型信道蝕刻保護(hù)晶體管矩陣基板，可以運(yùn)用半調(diào)式掩模以縮減所使用的掩模數(shù)，且避免已知光阻層厚度及角度上控制的困難。
根據(jù)本發(fā)明的上述目的，提出一種薄膜晶體管矩陣基板的制造方法，適用于制造逆交錯(cuò)型信道蝕刻保護(hù)晶體管矩陣基板，僅需要三道掩模工藝，即可完成像素電極及驅(qū)動(dòng)晶體管的制造。三道掩模工藝分別包括在第一道掩模工藝定義柵極與信號電極，接著，依序沉積介電層、半導(dǎo)體層及保護(hù)層；接著，第二道掩模工藝?yán)冒胝{(diào)式掩模來進(jìn)行，通過一半色調(diào)灰階(HalftoneGray Level)曝光劑量分布對一光阻層進(jìn)行曝光顯影而分別在信道區(qū)域、柵極電極孔、信號電極孔區(qū)域及導(dǎo)線接墊區(qū)域定義出不同的光阻層厚度，其中，柵極電極孔、信號電極孔及導(dǎo)線(例如數(shù)據(jù)線)接墊區(qū)域?yàn)楣庾枞_區(qū)域，信道區(qū)域的光阻層厚度最厚，其余區(qū)域光阻厚度次之。在利用不同的蝕刻(干法蝕刻或濕法蝕刻工藝)完成信道區(qū)、接觸孔及定義出形成像素電極的位置后，移除光阻層。其中，介電層和保護(hù)層的材料可以為氮化硅或氮氧化硅，半導(dǎo)體層的材料可以為多晶硅或非晶硅。介電層作為柵極介電層之用且由于位于柵電極上方高起，因此和位于其上的信道區(qū)及位于信道區(qū)上的保護(hù)層形成一信道區(qū)島結(jié)構(gòu)。
接著，再沉積一導(dǎo)體層于所有組件結(jié)構(gòu)之上，利用非等向性蝕刻機(jī)臺(RIE)進(jìn)行一自動(dòng)對準(zhǔn)蝕刻工藝而將導(dǎo)體層留存于信道區(qū)島結(jié)構(gòu)的側(cè)壁之上。導(dǎo)體層作為歐姆接觸層之用。接著沉積透明導(dǎo)體層，并以第三道掩模工藝定義出源/漏極、透明導(dǎo)體信號電極、像素電極、柵極線接觸墊及數(shù)據(jù)線接觸墊。透明導(dǎo)體信號電極利用通孔(through hole)與第一道掩模工藝所定義的信號電極并聯(lián)以降低阻值。
另外，亦可在透明導(dǎo)體層上再形成一層導(dǎo)體層，例如金屬層。以第三道掩模工藝定義出源/漏極、信號電極、像素電極、柵極線接觸墊及數(shù)據(jù)線接觸墊時(shí)，仍采用一半調(diào)式掩模來進(jìn)行，通過一半色調(diào)灰階(Halftone Gray Level)曝光劑量分布對一光阻層進(jìn)行曝光顯影而分別在欲形成信號電極的區(qū)域、像素電極區(qū)域及其它區(qū)域分別形成不同高度的光阻層，其中在信號電極區(qū)域上方光阻層高度最大，在像素電極區(qū)域上方之光阻層高度次之，而在其它區(qū)域則無光阻層的存在。利用第一道蝕刻可移除未為光阻層所覆蓋的導(dǎo)體層與透明導(dǎo)體層，接著移除像素電極區(qū)域上方的光阻層后以一蝕刻工藝移除露出來的導(dǎo)體層。由于信號電極區(qū)域上方光阻層高度最大，因此剩余的光阻層仍足以覆蓋信號電極區(qū)域而使此區(qū)域的導(dǎo)體層留存。最后，移除所有光阻層而形成由導(dǎo)體層和透明導(dǎo)體層所組成的信號電極，進(jìn)而降低信號電極的阻抗。
因此，運(yùn)用本發(fā)明所公開的薄膜晶體管矩陣基板的制造方法具有下列優(yōu)點(diǎn)(1)可減少工藝的掩模數(shù)；(2)適用于制造逆交錯(cuò)型信道蝕刻保護(hù)晶體管矩陣基板，由于采用逆交錯(cuò)型信道蝕刻保護(hù)方式，組件信道區(qū)域無蝕刻過程的破壞，使組件保有良好的特性，也因?yàn)闉槟娼诲e(cuò)型信道蝕刻保護(hù)，在半體層成膜厚度也可降低，不但可減少光電流產(chǎn)生，也可降低成膜時(shí)等離子體的破壞，提升器件特性；(3)可降低制造成本。


為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、優(yōu)點(diǎn)與實(shí)施例能更明顯易懂，附圖的詳細(xì)說明如下第1圖示出了已知工藝中縮減使用掩模數(shù)目的關(guān)鍵步驟的剖面示意圖；第2A圖至第2F圖示出了依照本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的一種逆交錯(cuò)型信道蝕刻保護(hù)晶體管矩陣基板制造流程的剖面示意圖；第2G圖至第2H圖示出了第2E圖的一變化實(shí)施方式的剖面示意圖；第2I圖至第2J圖示處了依照本發(fā)明另一優(yōu)選實(shí)施例的一種逆交錯(cuò)型信道蝕刻保護(hù)晶體管矩陣基板制造流程的剖面示意圖；第3A圖示出了第2F圖及第2H圖的俯視圖；以及第3B圖示出了第2J圖俯視圖。
具體實(shí)施例方式
請參照第2A圖至第2F圖，第2A圖至第2F圖示出了依照本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的一種逆交錯(cuò)型信道蝕刻保護(hù)晶體管矩陣基板制造流程的剖面示意圖。請參照第2A圖，在透明基板200上，以一道掩模工藝定義一導(dǎo)體層而分別形成柵極電極202、儲存電容下電極204、信號電極206以與柵極電極接墊208及信號電極接墊209。透明基板200可以為玻璃基板；導(dǎo)體層的材質(zhì)可以為鋁、鉬、銅、其任意組合所形成的合金及氮化金屬所構(gòu)成的組。導(dǎo)體層可以為前述材質(zhì)所形成的單層或多層結(jié)構(gòu)。
請參見第2B圖，在透明基板200及圖案化導(dǎo)體層上方依序沉積柵極介電層2lO、半導(dǎo)體層212和保護(hù)層214，其中柵極介電層210和保護(hù)層214的材質(zhì)可以為氮化硅、氮氧化硅或是氧化硅；半導(dǎo)體層212的材質(zhì)可以為非晶硅或是多晶硅。另外，在保護(hù)層214上方還可形成以半調(diào)式掩模曝光顯影的光阻層216。光阻層在柵極電極接墊208及信號電極接墊209的上方具有開口218而在柵極電極202的上方具有較厚的光阻結(jié)構(gòu)220。
請接著參照第2C圖，運(yùn)用干法蝕刻或濕法蝕刻步驟完成信道區(qū)、柵極電極孔、信號電極孔及導(dǎo)線(例如為數(shù)據(jù)線，未于第2C圖中示出)通孔及像素區(qū)(pixel area)的定義。整個(gè)蝕刻工藝可根據(jù)所需蝕刻材質(zhì)的變化而改變蝕刻劑的組成，例如，在本實(shí)施例中可先以SF6/O2為蝕刻劑來移除第2B圖中開口218所暴露出來的保護(hù)層214及半導(dǎo)體層212，而形成如第2C圖所示的開口218a。開口218a即為后續(xù)形成柵極電極接墊208及信號電極接墊209通孔的位置。在此蝕刻步驟中，亦可以控制蝕刻條件，例如蝕刻至柵極電極接墊208及信號電極接墊209暴露出來為止。
請繼續(xù)參見第2C圖，可以O(shè)2為蝕刻劑來移除第2B圖中的光阻層216。由于柵極電極202的上方具有較厚的光阻結(jié)構(gòu)220，因此，在其它區(qū)域的光阻均在此蝕刻步驟中被移除時(shí)，柵極電極202的上方仍會具有光阻結(jié)構(gòu)220a覆蓋在保護(hù)層214之上。接著，以光阻結(jié)構(gòu)220a為罩幕，以SF6/O2和SF6/Cl2為蝕刻劑來移除第2C圖中的保護(hù)層214、半導(dǎo)體層212及位于柵極電極接墊208及信號電極接墊209上方的柵極介電層210，最后移除光阻結(jié)構(gòu)220a以形成如第2D圖所示的結(jié)構(gòu)。
如第2D圖所示，在透明基板200上具有柵極介電層210a，柵極介電層210a在柵極電極接墊208及信號電極接墊209的上方具有開口218b，開口218b暴露出柵極電極接墊208及信號電極接墊209的上表面，開口218b為一通孔(此應(yīng)可視為通孔的剖面圖)。在柵極電極202上方的柵極介電層210a為共形結(jié)構(gòu)(Conformal Structure)。信道區(qū)222及保護(hù)層214a位于柵極電極202的上方。高起的柵極介電層210a、位于其上的信道區(qū)222及位于信道區(qū)222上的保護(hù)層214a形成一信道區(qū)島結(jié)構(gòu)240。接著，形成共形的導(dǎo)體層223于透明基板200上方的結(jié)構(gòu)之上。導(dǎo)體層223的材質(zhì)可以為非晶硅、多晶硅、金屬硅化物或是金屬。
如第2E圖所示，運(yùn)用一等向蝕刻工藝移除導(dǎo)體層223而在信道區(qū)島結(jié)構(gòu)240的側(cè)壁上形成間隙壁224，間隙壁224作為后續(xù)形成于其上的源/漏極電極的歐姆接觸層。最后，形成共形的透明導(dǎo)體層250于透明基板200上方的結(jié)構(gòu)之上。透明導(dǎo)體層250的材料可以為銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物、氧化銦或是氧化錫。形成一光阻層(未示出于圖上)于透明導(dǎo)體層250，以一掩模工藝對第2E圖之透明導(dǎo)體層250進(jìn)行微影及蝕刻處理而形成如第2F圖所示的結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中間隙壁224作為歐姆接觸層之用，但是在其它實(shí)施例中，形成歐姆接觸層的方法也可以通過對信道區(qū)的側(cè)壁進(jìn)行一等離子體摻雜工藝而實(shí)現(xiàn)。不論以何種方式來形成歐姆接觸層，都無須使用一道掩模工藝。
請參見第2F圖，在利用第三道掩模及微影蝕刻工藝來定義透明導(dǎo)體層250后，分別在間隙壁224上形成源/漏極電極230、232，另外，也定義出像素電極228及上層信號電極234。其中，像素電極228與儲存電容下電極204重疊的部分可作為儲存電容上電極而形成一儲存電容；上層信號電極234透過在信號電極接墊209上的開口218b內(nèi)形成的接觸226而與信號電極接墊209電連接(未繪出)，透過這樣的設(shè)計(jì)可降低信號電極上信號傳輸?shù)淖杩埂?br> 另外，請參考第2G圖，可在如第2E圖所示的結(jié)構(gòu)之上，再形成一層導(dǎo)體層260，導(dǎo)體層260的材質(zhì)可以為鋁、鉬、銅、其任意組合所形成的合金及氮化金屬所構(gòu)成的組。并在導(dǎo)體層260之上，采用一半調(diào)式掩模來進(jìn)行，通過一半色調(diào)灰階(Halftone Gray Level)曝光劑量分布對一光阻層進(jìn)行曝光顯影而分別在信號電極206之上、欲形成源/漏極電極區(qū)域229之上、欲形成像素電極區(qū)域227之上、信號電極接墊209、柵極電極接墊208之上及其它區(qū)域分別形成不同高度的光阻層270，其中在信號電極206上方及源/漏極電極區(qū)域229上方光阻層270高度最大，在像素電極區(qū)域227上方及信號電極接墊209以與柵極電極接墊208上方的光阻層270高度次之，而在其它區(qū)域則無光阻層的存在。
利用第一道蝕刻可移除未為光阻層270所覆蓋的導(dǎo)體層260與透明導(dǎo)體層250；接著移除像素電極區(qū)域227上方以及信號電極接墊209以與柵極電極接墊208上方的光阻層270后以一蝕刻工藝移除露出來的導(dǎo)體層260。由于信號電極206上方區(qū)域及源/漏極電極232上方光阻層270高度最大，因此剩余的光阻層270仍足以覆蓋信號電極206上方區(qū)域及源/漏極電極232，而使此區(qū)域的導(dǎo)體層260留存。最后，移除所有光阻層而形成如第2H圖所示的結(jié)構(gòu)，包括由導(dǎo)體層260和透明導(dǎo)體層250所組成的上層信號電極234，進(jìn)而降低上層信號電極234的阻抗。
請參照第2I圖至第2J圖，第2I圖至第2J圖示出了依照本發(fā)明另一優(yōu)選實(shí)施例的一種逆交錯(cuò)型信道蝕刻保護(hù)晶體管矩陣基板制造流程的剖面示意圖。第2I圖的結(jié)構(gòu)由第2A圖至第2E圖的說明中所公開的制造方法所形成的。兩實(shí)施例的差異在于以一道掩模工藝定義一導(dǎo)體層而僅分別形成柵極電極202、儲存電容下電極204以與柵極電極接墊208，并未形成信號電極206及信號電極接墊209。由于第一道掩模工藝并未形成信號電極接墊209，因此后續(xù)第二道掩模工藝也僅在柵極電極接墊208上方形成開口。
在如第2D圖至第2E圖形成間隙壁224作為源/漏極的歐姆接觸之后，依序形成共形的透明導(dǎo)體層250與導(dǎo)體層260于透明基板200上方的結(jié)構(gòu)之上。透明導(dǎo)體層250與導(dǎo)體層260的材質(zhì)均如前一實(shí)施例所述。
接著，并在導(dǎo)體層260之上，采用一半調(diào)式掩模來進(jìn)行，通過一半色調(diào)灰階(Halftone Gray Level)曝光劑量分布對一光阻層進(jìn)行曝光顯影而分別在欲形成信號電極234的位置之上、欲形成源/漏極電極區(qū)域229之上、欲形成像素電極區(qū)域227之上、欲形成信號電極接墊209的位置之上、柵極電極接墊208之上及其它區(qū)域分別形成不同高度的光阻層270，其中在欲形成信號電極234的位置上方及源/漏極電極區(qū)域229上方光阻層270高度最大，在像素電極區(qū)域227上方及欲形成信號電極接墊209的位置上方以與柵極電極接墊208上方的光阻層270高度次之，而在其它區(qū)域則無光阻層的存在。
利用第一道蝕刻可移除未為光阻層270所覆蓋的導(dǎo)體層260與透明導(dǎo)體層250并定義出信號電極234、信號電極接墊209及像素電極區(qū)域227；在移除像素電極區(qū)域227上方以及信號電極接墊209上方以與柵極電極接墊208上方的光阻層270后，以一蝕刻工藝移除露出來的導(dǎo)體層260。由于信號電極234上方區(qū)域及源/漏極電極232上方光阻層270高度最大，因此剩余的光阻層270仍足以覆蓋信號電極234上方區(qū)域及源/漏極電極232，而使此區(qū)域的導(dǎo)體層260留存。最后，移除所有光阻層而形成如第2J圖所示的結(jié)構(gòu)，包括由導(dǎo)體層260和透明導(dǎo)體層250所組成的上層信號電極234，進(jìn)而降低上層信號電極234的阻抗。
第3A圖繪示第2F圖或第2H圖的俯視圖。虛線的部分為在柵極介電層(未標(biāo)示)下方的信號電極206與柵極電極202，上層信號電極234透過接觸226與信號電極206的信號電極接墊(未繪示)電連接。
第3B圖則繪示第2J圖的俯視圖。在第3B圖中，第2F圖或第2H圖中柵極介電層下方的信號電極206可以省略，而完全使用上層信號電極234。請參見第3B圖，在上層信號電極234的下方，于柵極介電層下方并無信號電極的設(shè)置，上層信號電極234為透明導(dǎo)電層250與導(dǎo)體層260連續(xù)沉積后，移除信號電極接墊區(qū)域上方導(dǎo)體層，使信號電極接墊區(qū)域只有透明導(dǎo)電層。因此，無須在圖案化第一層導(dǎo)體層時(shí)預(yù)先形成信號電極接墊。
由上述本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例可知，應(yīng)用本發(fā)明僅需要三道掩模即可完成像素電極及驅(qū)動(dòng)晶體管的制備。與已知工藝相比較而言，至少減少了一道掩模的使用。另外，半調(diào)式掩模的運(yùn)用上，可以避免已知光阻層厚度及角度上控制的困難。因此，運(yùn)用本發(fā)明所公開的薄膜晶體管矩陣基板的制造方法，確實(shí)可以達(dá)成減少工藝的掩模數(shù)、提升器件特性以及降低制造成本的目的。
雖然本發(fā)明已以一優(yōu)選實(shí)施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種更動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
主要組件符號說明100玻璃基板102柵極104、210介電層 106、212半導(dǎo)體層108歐姆接觸層 110電極層112、216、270光阻層200透明基板202柵極電極204儲存電容下電極206信號電極208柵極電極接墊209信號電極接墊210a柵極介電層214保護(hù)層 218、218a、218b開口220、220a光阻結(jié)構(gòu) 222信道區(qū)223半導(dǎo)體層260導(dǎo)體層224間隙壁 226接觸227像素電極區(qū)域228像素電極229源/漏極電極區(qū)域 230、232源/漏極電極234上層信號電極240信道區(qū)島結(jié)構(gòu)250透明導(dǎo)體層
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管制造方法，適用于液晶顯示面板工藝，所述方法至少包含提供透一明基材；形成第一導(dǎo)體層于透明基材之上；圖案化所述第一導(dǎo)體層以形成至少一第一導(dǎo)線層及至少一柵極結(jié)構(gòu)，其中所述柵極結(jié)構(gòu)與所述第一導(dǎo)線層電連接；依序沉積一第一介電層、一半導(dǎo)體層及一第二介電層覆蓋所述透明基材及所述第一導(dǎo)線層；一蝕刻工藝移除位于所述柵極結(jié)構(gòu)上方之外的所述第二介電層與所述半導(dǎo)體層以形成信道區(qū)，并移除位于所述第一導(dǎo)線層至少一末端上方的所述第一介電層以形成至少一開口；形成歐姆接觸層于所述信道區(qū)的側(cè)壁上；依序形成一透明導(dǎo)電層及一第二導(dǎo)體層覆蓋所述第一導(dǎo)線層、所述歐姆接觸層及所述第一介電層并填滿所述開口；以及圖案化所述透明導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)體層以定義出源/漏極于所述信道區(qū)的兩側(cè)、像素電極及第二導(dǎo)線層，其中所述源/漏極之一與所述像素電極電連接。
2.如權(quán)利要求1的薄膜晶體管制造方法，其中圖案化所述第一導(dǎo)體層還包括形成一第三導(dǎo)線層，所述第三導(dǎo)線層與所述第一導(dǎo)線層電絕緣。
3.如權(quán)利要求2的薄膜晶體管制造方法，其中所述第三導(dǎo)線層與所述第二導(dǎo)線層通過蝕刻所述第一介電層所形成的開口電連接。
4.如權(quán)利要求2的薄膜晶體管制造方法，其中所述第三導(dǎo)線層可為位于所述第一導(dǎo)線層兩側(cè)的導(dǎo)線墊。
5.如權(quán)利要求1的薄膜晶體管制造方法，其中所述第一導(dǎo)體層與所述第二導(dǎo)體層的材質(zhì)選自于鋁、鉬、銅、其任意組合所形成的合金及氮化金屬所構(gòu)成的組。
6.如權(quán)利要求1的薄膜晶體管制造方法，其中所述第一導(dǎo)體層與所述第二導(dǎo)體層可以為單層或多層結(jié)構(gòu)。
7.如權(quán)利要求1的薄膜晶體管制造方法，其中所述半導(dǎo)體層的材質(zhì)選自于非晶硅、多晶硅或其任意組合所構(gòu)成的組。
8.如權(quán)利要求1的薄膜晶體管制造方法，其中部分所述像素電極與所述第一導(dǎo)線層重疊以形成一儲存電容。
9.如權(quán)利要求1的薄膜晶體管制造方法，其中所述蝕刻工藝之前還包括形成一光阻層于所述第二介電層之上；以及通過一半色調(diào)灰階曝光劑量分布對所述光阻層進(jìn)行曝光顯影以在預(yù)定形成所述開口處暴露出所述第二介電層。
10.如權(quán)利要求9的薄膜晶體管制造方法，其中位于預(yù)定形成信道區(qū)上方的所述光阻層的厚度較其它區(qū)域上方的光阻層的厚度要厚。
11.如權(quán)利要求9的薄膜晶體管制造方法，其中所述蝕刻工藝包含一第一蝕刻工藝移除所述開口內(nèi)的所述第二介電層與所述半導(dǎo)體層；一第二蝕刻工藝移除所述光阻層至所述第二介電層的表面暴露出來為止；以及一第三蝕刻工藝移除暴露出來的所述第二介電層及位于其下方的所述半導(dǎo)體層及所述開口內(nèi)的所述第一介電層。
12.如權(quán)利要求1的薄膜晶體管制造方法，其中所述歐姆接觸層的材質(zhì)選自于摻雜非晶硅、摻雜多晶硅或其任意組合所構(gòu)成的組。
13.如權(quán)利要求1的薄膜晶體管制造方法，其中形成所述歐姆接觸層的方法包括對所述信道區(qū)的側(cè)壁進(jìn)行一等離子體摻雜工藝。
14.如權(quán)利要求1的薄膜晶體管制造方法，其中形成所述歐姆接觸層的方法包括全面沉積一摻雜半導(dǎo)體層；對所述摻雜半導(dǎo)體層進(jìn)行一等向性蝕刻；以及保留所述信道區(qū)側(cè)壁區(qū)域的所述摻雜半導(dǎo)體層，以形成所述歐姆接觸層。
15.如權(quán)利要求1的薄膜晶體管制造方法，其中圖案化所述透明導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)體層的方法包括形成一光阻層于所述第二導(dǎo)體層之上；以及通過一半色調(diào)灰階曝光劑量分布對所述光阻層進(jìn)行曝光顯影以圖案化所述光阻層，其中在預(yù)定形成所述第二導(dǎo)線層區(qū)域的光阻層的高度大于在其它區(qū)域的光阻層的高度。
16.一種薄膜晶體管制造方法，適用于液晶顯示面板的工藝之上，所述方法至少包含提供一透明基材；形成第一導(dǎo)體層于透明基材之上；圖案化所述第一導(dǎo)體層以形成至少一第一導(dǎo)線層及至少一柵極結(jié)構(gòu)，其中所述柵極結(jié)構(gòu)與所述第一導(dǎo)線層電連接；依序沉積一第一介電層、一半導(dǎo)體層及一第二介電層覆蓋所述透明基材及所述第一導(dǎo)線層；一蝕刻工藝移除位于所述柵極結(jié)構(gòu)上方之外的所述第二介電層與所述半導(dǎo)體層以形成信道區(qū)，并移除位于所述第一導(dǎo)線層至少一末端上方的所述第一介電層以形成至少一開口；形成歐姆接觸層于所述信道區(qū)的側(cè)壁上；依序形成一透明導(dǎo)電層覆蓋所述第一導(dǎo)線層、所述歐姆接觸層及所述第一介電層并填滿所述開口；以及圖案化所述透明導(dǎo)電層以定義出源/漏極于所述信道區(qū)的兩側(cè)、像素電極及第二導(dǎo)線層，其中所述源/漏極之一與所述像素電極電連接。
17.如權(quán)利要求16的薄膜晶體管制造方法，其中圖案化所述第一導(dǎo)體層還包括形成一第三導(dǎo)線層，所述第三導(dǎo)線層與所述第一導(dǎo)線層電絕緣。
18.如權(quán)利要求17的薄膜晶體管制造方法，其中所述第三導(dǎo)線層與所述第二導(dǎo)線層通過蝕刻所述第一介電層所形成的開口電連接。
19.如權(quán)利要求17的薄膜晶體管制造方法，其中所述第三導(dǎo)線層可為位于所述第一導(dǎo)線層兩側(cè)的導(dǎo)線墊。
20.如權(quán)利要求16的薄膜晶體管制造方法，其中所述第一導(dǎo)體層的材質(zhì)選自于鋁、鉬、銅或其任意組合所形成的合金或其氮化金屬所構(gòu)成的組。
21.如權(quán)利要求16的薄膜晶體管制造方法，其中所述第一導(dǎo)體層可以為單層或多層結(jié)構(gòu)。
22.如權(quán)利要求16的薄膜晶體管制造方法，其中所述半導(dǎo)體層的材質(zhì)選自于非晶硅、多晶硅或其任意組合所構(gòu)成的組。
23.如權(quán)利要求16的薄膜晶體管制造方法，其中部分所述像素電極與所述第一導(dǎo)線層重疊以形成一儲存電容。
24.如權(quán)利要求16的薄膜晶體管制造方法，其中所述蝕刻工藝之前還包括形成一光阻層于所述第二介電層之上；以及通過一半色調(diào)灰階曝光劑量分布對所述光阻層進(jìn)行曝光顯影以在預(yù)定形成所述開口處暴露出所述第二介電層。
25.如權(quán)利要求24的薄膜晶體管制造方法，其中位于預(yù)定形成信道區(qū)上方的光阻層的厚度較其它區(qū)域上方的光阻層的厚度要厚。
26.如權(quán)利要求24的薄膜晶體管制造方法，其中所述蝕刻工藝包含一第一蝕刻工藝移除所述開口內(nèi)的所述第二介電層與所述半導(dǎo)體層；一第二蝕刻工藝移除所述光阻層至所述第二介電層的表面暴露出來為止；以及一第三蝕刻工藝移除暴露出來的所述第二介電層及位于其下方的所述半導(dǎo)體層及所述開口內(nèi)的所述第一介電層。
27.如權(quán)利要求16的薄膜晶體管制造方法，其中所述歐姆接觸層的材質(zhì)選自于摻雜非晶硅、摻雜多晶硅或其任意組合所構(gòu)成的組。
28.如權(quán)利要求16的薄膜晶體管制造方法，其中形成所述歐姆接觸層的方法包括對所述信道區(qū)的側(cè)壁進(jìn)行一等離子體摻雜處理。
29.如權(quán)利要求16的薄膜晶體管制造方法，其中形成所述歐姆接觸層的方法包括全面沉積一摻雜半導(dǎo)體層；對所述摻雜半導(dǎo)體層進(jìn)行一等向性蝕刻；以及保留該信道區(qū)側(cè)壁區(qū)域的所述摻雜半導(dǎo)體層，以形成所述歐姆接觸層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管矩陣基板制造方法，利用第一道掩模工藝定義出柵極電極與信號電極，利用第二道掩模工藝在信道區(qū)域、柵極電極孔區(qū)域、信號電極孔區(qū)域及導(dǎo)線接墊區(qū)域定義出不同的光阻層厚度。利用第三道掩模工藝定義出源極、漏極、上層信號電極、像素電極、柵極電極接墊及信號電極接墊。
文檔編號H01L21/027GK1731262SQ20051009802
公開日2006年2月8日 申請日期2005年9月1日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月1日
發(fā)明者李劉中 申請人:友達(dá)光電股份有限公司