專利名稱：處理低介電常數(shù)介電層的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明系有關(guān)于一種多層半導(dǎo)體元件的集成電路制造方法，特別是有關(guān)于一種處理以氧化硅為主的低介電常數(shù)絕緣層的方法，其系利用超臨界流體處理以處理其介電及機(jī)械性質(zhì)。
背景技術(shù)：
超大型集成電路線路對于相關(guān)的高密度及高效能的需求節(jié)節(jié)上升，因此需要更復(fù)雜的內(nèi)連接技術(shù)。然而隨著元件尺寸縮減，已愈來愈難提供能滿足低電阻及低電容(例如低介電常數(shù))的內(nèi)連線性質(zhì)需求的內(nèi)連接技術(shù)。
尤其在半導(dǎo)體元件中形成多層線路時，形成金屬內(nèi)連線需要多種不同步驟，包括蝕刻、灰化及濕清洗。舉例而言，在形成雙重金屬鑲嵌結(jié)構(gòu)時，需要至少兩個獨立的蝕刻及灰化步驟。又譬如在灰化及干蝕刻步驟中，以氧化硅為主的低介電常數(shù)介電絕緣層傾向與含氧等離子體互相作用，因而污染低介電常數(shù)介電絕緣層且對此有不利影響。
在現(xiàn)有技術(shù)中，需要進(jìn)行數(shù)個后續(xù)制程以改善因等離子體制程而導(dǎo)致介電常數(shù)的降低，此些后續(xù)制程包括數(shù)個獨立的濕清洗步驟及烘烤步驟，其中濕清洗步驟系去除表面的污染物例如氟，而烘烤步驟系去除低介電常數(shù)介電絕緣層吸收的水分。除此之外，其他蝕刻物種會與低介電常數(shù)介電絕緣層反應(yīng)而污染低介電常數(shù)介電絕緣層，同時在后續(xù)制程步驟中，更使得低介電常數(shù)介電絕緣層易受濕氣吸收的影響。
現(xiàn)有技術(shù)針對以氧化硅為主的低介電常數(shù)介電絕緣層的濕氣吸收及污染的解決方式包括在濕清洗制程后，以耗時的烘烤步驟驅(qū)除低介電常數(shù)介電絕緣層吸收的濕氣。然而，烘烤低介電常數(shù)介電絕緣層并不能修復(fù)等離子體制程傷害，例如通過介電絕緣層與等離子體物種互相作用而形成的懸鍵(DanglingBonds)、配位不飽和(Coordinately Unsaturated)硅鍵結(jié)或硅氫氧(Silanol)鍵結(jié)。由于等離子體處理對于介電絕緣層容易形成額外的等離子體傷害，同時任何的修復(fù)都局限于非常表層的區(qū)域，因此用來修復(fù)等離子體傷害的等離子體處理已遇到限制。
因此，在半導(dǎo)體制造技術(shù)中，亟需發(fā)展一種以氧化硅為主的低介電常數(shù)介電絕緣層的處理方法，以修復(fù)等離子體制程傷害。

發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明的目的的一就是提供一種處理低介電常數(shù)介電層的方法，其系處理以氧化硅為主的低介電常數(shù)介電絕緣層，除了克服現(xiàn)有技術(shù)其他短處及缺失的外，還修復(fù)等離子體處理傷害。
為了達(dá)成上述及其他目的，如此處所具體概述，根據(jù)本發(fā)明上述的目的，提出一種處理低介電常數(shù)介電層的方法，藉以改善機(jī)械力及/或修復(fù)等離子體蝕刻傷害。
在第一實施例中，此處理低介電常數(shù)介電層的方法包括提供含低介電常數(shù)氧化硅介電絕緣層；以及對此含低介電常數(shù)氧化硅介電絕緣層進(jìn)行超臨界流體處理，此超臨界流體包括超臨界二氧化碳以及共溶劑，其中此共溶劑包括硅鍵形成取代基，以通過此硅鍵形成取代基取代至少一部分的多個硅氫(Si-H)鍵結(jié)、硅氟(Si-F)鍵結(jié)或懸鍵。
由本發(fā)明的數(shù)個較佳實施例的詳細(xì)描述，并配合相關(guān)圖式，可更加明了本發(fā)明的實施例、觀點及特征。

圖1A至圖1E系繪示根據(jù)本發(fā)明一實施例方法的雙重金屬鑲嵌結(jié)構(gòu)于各制程階段的例示剖面圖。
圖2為包括本發(fā)明方法的數(shù)個實施例的制程流程圖。
具體實施方式盡管本發(fā)明系舉金屬鑲嵌結(jié)構(gòu)為例以解釋本發(fā)明的方法，然而可以意會的是本發(fā)明的方法通?？蓱?yīng)用于處理含氧化硅介電絕緣層，以修復(fù)因等離子體輔助制程及濕式清洗制程的處理步驟引起的傷害，同時可處理介電絕緣層以增加機(jī)械力。
舉例而言，在一例示實施例中，如圖1A所示，其系繪示多層半導(dǎo)體元件于金屬鑲嵌結(jié)構(gòu)制程的各階段的部分剖面圖。在圖1A中，例如銅的導(dǎo)體區(qū)10系形成于介電絕緣層11內(nèi)，而介電絕緣層11的上方具有第一蝕刻終止層12，其中第一蝕刻終止層12例如氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)、碳化硅(SiC)、摻雜氧的碳化硅(SiOC)、或摻雜氮的碳化硅(SiCN)。舉例而言，可利用現(xiàn)有化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition；CVD)制程，包括低壓化學(xué)氣相沉積(Low Pressure CVD；LPCVD)或等離子體加強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(Plasma EnhancedCVD；PECVD)制程，形成厚度約300埃至約700埃的第一蝕刻終止層12。
請仍參閱圖1A，在第一蝕刻終止層12上形成介電絕緣層14，此介電絕緣層14亦指內(nèi)金屬介電(Inter-Metal Dielectric；IMD)層，而以低介電常數(shù)(Low-k)氧化硅為主的材料為較佳。舉例而言，內(nèi)金屬介電層以由多孔氧化硅材料形成為較佳，其中此多孔氧化硅材料包括利用例如等離子體加強(qiáng)化學(xué)氣相沉積制程沉積的摻雜碳的氧化硅或有機(jī)硅酸鹽玻璃(Organo-Silicate Glass；OSG)形成的互相連接的多孔結(jié)構(gòu)。此外，介電絕緣層14可由例如倍半氧硅烷(Silsesquioxanes)的無機(jī)或有機(jī)旋涂介電質(zhì)(Spin-On Dielectrics；SOD)所形成，其中包括利用現(xiàn)有旋涂制程形成的甲基倍半氧硅烷(MethylSilsesquioxanes)。低介電常數(shù)的介電絕緣層14以由介電常數(shù)低于約3.0的介電質(zhì)為較佳，而以由介電常數(shù)低于約2.8的介電質(zhì)為更加。一般而言，介電絕緣層14形成的厚度為約3000埃至約7000埃。
請仍參閱圖1A，沉積介電絕緣層14后，于現(xiàn)有超臨界流體溫度及壓力下，可選擇性進(jìn)行第一超臨界流體處理，其中此超臨界流體包括含有二氧化碳(CO2)的介質(zhì)(Medium)以及含有甲氧基的共溶劑(例如R-OCH3)。舉例而言，前述R為有機(jī)取代基，其系包括例如烷基(Alkyl)、羥烷基(Hydroxyalkyl)、苯基(Phenyl)、烷苯基(Alkylphenyl)、羥烷苯基(Hydroxyalkylphenyl)、烷醇基(Alkanol)及胺基(Amine)。相對于超臨界流體的總量，在超臨界流體中出現(xiàn)含有甲氧基的共溶劑的量系介于約5重量百分比至約50重量百分比?？梢岳斫獾氖浅R界流體可包括額外的共溶劑及例如介面活性劑的其他添加物。
超臨界流體處理系于現(xiàn)有溫度及壓力下超過一臨界點進(jìn)行，以形成超臨界流體(介質(zhì))。舉例而言，包括二氧化碳及含甲氧基的共溶劑的超臨界流體系于壓力約1000磅/平方英時讀表值(Pound Per Square Inch Gauge；psig)至約8000psig加熱至約25℃至約85℃，以形成超臨界流體(介質(zhì))。較佳者，于壓力約2500psig至約4000psig加熱至約30℃至約70℃，以形成含有超臨界二氧化碳的介質(zhì)。舉例而言，所形成的含有超臨界二氧化碳的介質(zhì)，其黏度介于10-2至10-4泊(Poise)的間，且其密度介于約600公斤/立方公尺(kg/m3)至約800kg/m3的間。形成超臨界流體的方法為此技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者所熟知，其系包括具有控制壓力及溫度裝置的超臨界反應(yīng)器。舉例而言，二氧化碳可以流體形式加入反應(yīng)器的腔室內(nèi)，而在二氧化碳導(dǎo)入反應(yīng)器的前后，可添加預(yù)定的添加物及溶劑或共溶劑于二氧化碳中。超臨界流體處理的進(jìn)行期間可改變，例如從約2分鐘至約45分鐘，端視介電絕緣層14的組成以及已進(jìn)行的現(xiàn)有制程而定。
出乎意料的是，根據(jù)上述較佳實施例的超臨界流體處理可增加內(nèi)金屬介電層中所形成的硅-甲氧(Si-O-CH3)鍵結(jié)的密度，從而增加內(nèi)金屬介電層的機(jī)械力并修復(fù)懸鍵而形成硅-甲氧鍵結(jié)。此外，在超臨界流體處理時，亦已發(fā)現(xiàn)形成鍵結(jié)能較強(qiáng)的硅-甲氧(Si-O-CH3)鍵結(jié)以取代鍵結(jié)較弱的硅氫(Si-H)鍵結(jié)，其中硅-甲氧的鍵結(jié)能系約95.51千卡/莫耳(kcal/mol)，而硅-甲氧的鍵結(jié)能系約15.58千卡/莫耳。因此，增加內(nèi)金屬介電層的機(jī)械力。另外，超臨界流體處理更滲入內(nèi)金屬介電層，使內(nèi)金屬介電層具有互相連接的多孔結(jié)構(gòu)，因而在內(nèi)金屬介電層的內(nèi)部發(fā)生硅-甲氧鍵結(jié)取代/形成反應(yīng)，至于滲入的程度則視處理的溫度、時間、多孔結(jié)構(gòu)及超臨界流體介質(zhì)而定。再者，根據(jù)超臨界流體處理，通過增加內(nèi)金屬介電層至少一表面部分的機(jī)械力(例如非多孔的內(nèi)金屬介電層)，可增加上方覆蓋的沉積各層例如蝕刻終止層及阻障層的附著力。
請參閱圖1B，在選擇性第一超臨界流體處理的后，接著形成第二蝕刻終止/底部抗反射涂布層16于介電絕緣層14上。舉例而言，第二蝕刻終止/底部抗反射涂布層16可由例如氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、摻雜氧的碳化硅或上述的組合。
請參閱圖1C，然后形成例如介層窗開口的金屬鑲嵌開口，其系利用現(xiàn)有微影圖案化及等離子體輔助蝕刻制程，包括氟碳化合物蝕刻反應(yīng)，形成例如介層窗開口18。在等離子體蝕刻制程的后，介電絕緣層14的暴露部分，例如介層窗開口18，遂進(jìn)行第二超臨界流體處理至一第二時間，其系根據(jù)第一超臨界流體處理所概述的相同較佳實施例?？蛇x擇性地形成介層窗開口18以暴露出下方覆蓋的導(dǎo)體區(qū)10，例如銅區(qū)。在這個例子中，可于超臨界流體介質(zhì)中添加銅腐蝕抑制劑，例如苯并三氮唑(Benzotriazole；BTA)及硫醇苯并噻唑(Mercaptobenzothiazole；MBT)，其中銅腐蝕抑制劑的添加量相對于超臨界流體的總重為少于約1重量百分比，以于后續(xù)制程中保護(hù)暴露出的銅免于氧化及腐蝕。
舉例而言，亦已發(fā)現(xiàn)暴露于等離子體蝕刻的內(nèi)金屬介電層表面附近，包括氟及氮的等離子體蝕刻化學(xué)反應(yīng)的污染物會與硅形成鍵結(jié)。例如，在介層窗開口18的表面及表面附近的區(qū)域，會形成碳氟(C-F)鍵結(jié)及硅氟(Si-F)鍵結(jié)。已發(fā)現(xiàn)硅氟(Si-F)鍵結(jié)使內(nèi)金屬介電層表面具有親水性，在后續(xù)濕清洗步驟及電化學(xué)沉積(Electro-Chemical Deposition；ECD)例如電化學(xué)沉積銅時，導(dǎo)致內(nèi)金屬介電層加強(qiáng)吸收濕氣。有利的是，在蝕刻步驟及氧灰化(Ashing)步驟后接著進(jìn)行超臨界流體處理，可具有修復(fù)蝕刻及灰化傷害的作用，這些傷害包括內(nèi)金屬介電層暴露部分的懸鍵，同時又可取代不想要的污染物鍵結(jié)，例如碳氟(C-F)鍵結(jié)及硅氟(Si-F)鍵結(jié)，藉此修復(fù)、機(jī)械性強(qiáng)化、移除污染物且恢復(fù)內(nèi)金屬介電層暴露部分的疏水性。故此，降低介電常數(shù)以達(dá)到等離子體制程前的程度，且降低濕氣吸收。再者，亦可加強(qiáng)后續(xù)沉積的層例如阻障層的附著?？梢岳斫獾氖?，的后進(jìn)行現(xiàn)有制程，以完成金屬結(jié)構(gòu)例如銅單金屬或雙重金屬鑲嵌結(jié)構(gòu)的形成，其中所進(jìn)行的現(xiàn)有制程可例如阻障層沉積、種晶層沉積、以及金屬沉積例如銅電化學(xué)沉積制程，藉以形成下述的單金屬或雙重金屬鑲嵌結(jié)構(gòu)。
請參閱圖1D，其系顯示進(jìn)行本發(fā)明進(jìn)一步實施例的一雙重金屬鑲嵌結(jié)構(gòu)。舉例而言，進(jìn)行現(xiàn)有微影圖案化制程以于介層窗開口18上形成溝渠線蝕刻圖案，接著進(jìn)行蝕刻步驟以形成溝渠開口20?？梢岳斫獾氖?，在形成溝渠開口20的前，可選擇性沉積樹脂材料(圖未繪示)于介層窗開口18內(nèi)達(dá)至少部分填滿的程度。在形成溝渠開口20并利用現(xiàn)有灰化制程去除光阻及樹脂材料后，根據(jù)較佳實施例，在形成阻障層前先進(jìn)行第三超臨界流體處理至一第三時間，以形成甲氧(OCH3)取代硅鍵結(jié)[例如上述闡釋的硅-甲氧(Si-O-CH3)x]。可以理解的是，在形成雙重金屬鑲嵌結(jié)構(gòu)中，第二超臨界流體處理及第三超臨界流體處理可合并于單一制程，例如在形成雙重金屬鑲嵌開口的溝渠部分后，只進(jìn)行第三超臨界流體處理。
請參閱圖1E，隨后進(jìn)行現(xiàn)有制程，以完成金屬鑲嵌結(jié)構(gòu)的形成，其系包括形成對準(zhǔn)于雙重金屬鑲嵌開口的阻障層22，例如氮化鉭(TaN)，接著以電化學(xué)沉積制程利用銅層24回填上述的雙重金屬鑲嵌開口，然后進(jìn)行化學(xué)機(jī)械平坦化制程，以暴露出介電絕緣層14的表面?？梢岳斫獾氖?，根據(jù)較佳實施例，可選擇性進(jìn)行第四超臨界流體處理，以處理暴露的介電絕緣層14后，進(jìn)行后續(xù)沉積蝕刻終止層(圖未繪示)，與形成第一蝕刻終止層12類似，以開始于多層半導(dǎo)體元件中形成下一層線路。在第四超臨界流體處理中，如同上述的第一超臨界流體處理所闡釋，可于超臨界流體前驅(qū)介質(zhì)中添加銅腐蝕抑制劑，以保護(hù)暴露出的銅鑲嵌結(jié)構(gòu)免于氧化及腐蝕。
因此，根據(jù)本發(fā)明，超臨界流體處理系用于處理以氧化硅為主的低介電常數(shù)內(nèi)金屬介電層的暴露部分，且此超臨界流體處理其優(yōu)點的一在于已呈現(xiàn)出具有增加此內(nèi)金屬介電層機(jī)械力，此乃通過超臨界流體處理制程中的共溶劑能形成具有增加力度(鍵結(jié)能)的鍵結(jié)。舉例而言，較佳的溶劑包括烷氧(Alkoxy)取代基，而以甲氧(Methoxy；OCH3)取代基為更佳。超臨界流體處理的另一優(yōu)點在于取代與硅鍵結(jié)物種的污染物，例如氟及氮，以減少內(nèi)金屬介電層的親水性(增加疏水性)，并改善(減少)介電常數(shù)。在沉積上方覆蓋的材料層及/或后續(xù)等離子體蝕刻制程的前，可進(jìn)行內(nèi)金屬介電層的超臨界流體處理，以修復(fù)蝕刻傷害、加強(qiáng)內(nèi)金屬介電層的機(jī)械性質(zhì)，并改善上方沉積的材料層的附著。根據(jù)較佳實施例，在單金屬或雙重金屬鑲嵌結(jié)構(gòu)形成制程中，通過進(jìn)行超臨界流體處理，金屬內(nèi)連線的品質(zhì)，包括完整半導(dǎo)體元件的元件效能及可信度，可獲致改善，其系包括改善材料層的附著并抵抗破裂及剝落。
請參閱圖2，其系顯示根據(jù)本發(fā)明數(shù)個實施例的制程流程圖。在步驟201中，提供半導(dǎo)體晶圓，此半導(dǎo)體晶圓至少包含低介電常數(shù)內(nèi)金屬介電層。在步驟203中，根據(jù)較佳實施例，選擇性進(jìn)行超臨界流體處理至一第一時間。在步驟205中，形成蝕刻終止層于前述低介電常數(shù)內(nèi)金屬介電層上。在步驟207中，形成介層窗開口并穿過低介電常數(shù)內(nèi)金屬介電層的厚度。在步驟209中，根據(jù)較佳實施例，進(jìn)行超臨界流體處理至一第二時間。在步驟211中，形成溝渠開口于內(nèi)金屬介電層于介層窗開口上且包圍介層窗開口。在步驟213中，根據(jù)較佳實施例，進(jìn)行超臨界流體處理至一第三時間。在步驟215中，形成阻障層并利用銅回填前述開口，接著進(jìn)行平坦化以暴露出低介電常數(shù)內(nèi)金屬介電層的表面。在步驟217中，選擇性進(jìn)行超臨界流體處理至一第四時間，以處理暴露的低介電常數(shù)內(nèi)金屬介電層的表面。在步驟219中，形成蝕刻終止層于內(nèi)金屬介電層的表面。
本發(fā)明的較佳實施例、觀點及特征雖已如上所述，惟此技術(shù)領(lǐng)域中任何具有通常知識者在不脫離本發(fā)明揭露的精神及后附的申請專利范圍內(nèi)，顯然可作各種的各種變化、潤飾、及替代，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的申請專利范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種處理低介電常數(shù)介電層的方法，至少包含提供一含低介電常數(shù)氧化硅介電絕緣層；以及對該含低介電常數(shù)氧化硅介電絕緣層進(jìn)行一超臨界流體處理，該超臨界流體至少包含超臨界二氧化碳以及一共溶劑，其中該共溶劑至少包含一硅鍵形成取代基，且該硅鍵形成取代基的鍵結(jié)能大于一硅氫(Si-H)鍵結(jié)能，以通過該硅鍵形成取代基取代至少一部分的多個硅氫鍵結(jié)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理低介電常數(shù)介電層的方法，其特征在于，該硅鍵形成取代基至少包含烷氧(Alkoxy；O-R)基、甲氧(Methoxy；O-CH3)基及R-O-CH3，且其中該R系選自于由烷基、羥烷基、苯基、烷苯基、羥烷苯基、烷醇基及胺基所組成的一族群。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理低介電常數(shù)介電層的方法，其特征在于，該含低介電常數(shù)氧化硅介電絕緣層至少包含一互相連接的多孔結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理低介電常數(shù)介電層的方法，其特征在于，該含低介電常數(shù)氧化硅介電絕緣層系選自于由碳摻雜的氧化硅、有機(jī)硅酸鹽玻璃及旋涂介電質(zhì)(Spin-On Dielectrics；SOD)所組成的一族群。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理低介電常數(shù)介電層的方法，其特征在于，該含低介電常數(shù)氧化硅介電絕緣層至少包含一暴露的銅部份。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的處理低介電常數(shù)介電層的方法，其特征在于，該超臨界流體處理更至少包含一銅腐蝕抑制劑。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的處理低介電常數(shù)介電層的方法，其特征在于，該銅腐蝕抑制劑系選自于由苯并三氮唑(Benzotriazole；BTA)及硫醇苯并噻唑(Mercaptobenzothiazole；MBT)所組成的一族群。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理低介電常數(shù)介電層的方法，其特征在于，更至少包含形成一蝕刻終止層于該含低介電常數(shù)氧化硅介電絕緣層上；形成一等離子體蝕刻開口于該含低介電常數(shù)氧化硅介電絕緣層中；以及進(jìn)行該超臨界流體處理至一第二時間。
9.一種處理內(nèi)金屬介電(Inter-Metal Dielectric；IMD)層的方法，藉以改善機(jī)械力及/或修復(fù)等離子體蝕刻傷害，該處理內(nèi)金屬介電層的方法至少包含提供一含氧化硅低介電常數(shù)內(nèi)金屬介電層；以及進(jìn)行一超臨界流體處理，該超臨界流體至少包含超臨界二氧化碳以及一共溶劑，其中該共溶劑至少包含多個烷氧取代基，以形成多個硅-烷氧(Si-O-R)鍵結(jié)于該內(nèi)金屬介電層中。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的處理內(nèi)金屬介電層的方法，其特征在于，該烷氧取代基為一甲氧取代基，藉以形成多個硅-甲氧(Si-O-CH3)鍵結(jié)。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的處理內(nèi)金屬介電層的方法，其特征在于，該含氧化硅低介電常數(shù)內(nèi)金屬介電層至少包含一互相連接的多孔結(jié)構(gòu)。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的處理內(nèi)金屬介電層的方法，其特征在于，該超臨界流體處理更至少包含一銅腐蝕抑制劑。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的處理內(nèi)金屬介電層的方法，其特征在于，該銅腐蝕抑制劑系選自于由苯并三氮唑及硫醇苯并噻唑所組成的一族群。
14.一種多層半導(dǎo)體元件，至少包含一含氧化硅低介電常數(shù)內(nèi)金屬介電層，該含氧化硅低介電常數(shù)內(nèi)金屬介電層至少包含多個硅-氧-硅(Si-O-Si)鍵結(jié)以及多個硅-甲基(Si-CH3)鍵結(jié)；其中根據(jù)一超臨界流體處理，多個硅-甲氧(Si-O-CH3)鍵結(jié)系取代該些硅-甲基鍵結(jié)的一部份。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的多層半導(dǎo)體元件，其特征在于，該含氧化硅低介電常數(shù)內(nèi)金屬介電層至少包含一互相連接的多孔結(jié)構(gòu)。
全文摘要
一種處理低介電常數(shù)介電層的方法，藉以改善機(jī)械力及/或修復(fù)等離子體蝕刻傷害，此處理低介電常數(shù)介電層的方法包括提供含低介電常數(shù)氧化硅介電絕緣層；以及對此含低介電常數(shù)氧化硅介電絕緣層進(jìn)行一超臨界流體處理，此超臨界流體包括超臨界二氧化碳以及共溶劑，其中此共溶劑包括硅鍵形成取代基，且此硅鍵形成取代基的鍵結(jié)能大于硅氫(Si－H)鍵結(jié)能，以通過此硅鍵形成取代基取代至少一部分的多個硅氫鍵結(jié)。
文檔編號H01L21/768GK1755902SQ200510088590
公開日2006年4月5日 申請日期2005年8月2日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月30日
發(fā)明者王靜亞, 曾偉雄, 羅冠勝 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司