專利名稱：形成具有凹陷溝道區(qū)的場效應(yīng)晶體管的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及形成集成電路器件的方法，更具體地，涉及形成場效應(yīng)晶體管的方法。
背景技術(shù)：
隨著高度集成的MOSFET的溝道長度減小，短溝道效應(yīng)和源區(qū)/漏區(qū)穿通現(xiàn)象的不利影響典型地增加。具體地，由于MOSFET的設(shè)計規(guī)則減小，由短溝道效應(yīng)產(chǎn)生的漏電流典型地增加，由此使得某些存儲單元(例如，DRAM存儲單元)的刷新時間減少。為了限制這些短溝道效應(yīng)，研制了具有凹陷溝道的MOSFET。這些MOSFET可以包括在半導(dǎo)體襯底中形成的凹陷溝槽，甚至當半導(dǎo)體襯底內(nèi)的MOSFET的橫向尺寸減小時，凹陷溝槽用于支持形成有效較長的溝道區(qū)。有效較長溝道區(qū)的有效使用也可以減小溝道區(qū)中執(zhí)行相反摻雜的需要，作為一種改變閾值電壓的以補償短溝道效應(yīng)的方法。
圖1-4說明了形成具有凹陷溝道區(qū)的MOSFET的常規(guī)方法。具體地，圖1圖示了氧化物-填充的溝槽隔離區(qū)15的形成，溝槽隔離區(qū)15在半導(dǎo)體襯底10內(nèi)限定半導(dǎo)體有源區(qū)。在半導(dǎo)體襯底10的表面上形成焊盤氧化層20和氮氧化硅層25。焊盤氧化層20和氮氧化硅層25共同地限定掩模層30。在掩模層30上形成光刻膠圖形35，光刻膠圖形35可以使用常規(guī)技術(shù)光刻地定義。光刻膠圖形35的相鄰部分之間的空間“d”限定在后續(xù)工序步驟過程中將在襯底10內(nèi)形成的凹陷溝槽的寬度。如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員所理解，因為為了獲得更高的集成度，當空間“d”減小時，可能發(fā)生光刻膠橋接問題。如圖2所示，然后使用光刻膠圖形35作為刻蝕掩模，刻蝕掩模層30。該刻蝕步驟導(dǎo)致形成共同地限定掩模圖形30a的焊盤氧化層圖形20a和氮氧化硅層圖形25a。在該刻蝕步驟中，可以露出襯底10的表面。而且，因為氮氧化硅層25和焊盤氧化層20相對于溝槽隔離區(qū)15之間刻蝕選擇率減小，所以可能發(fā)生溝槽隔離區(qū)15的過刻蝕。該過刻蝕可能導(dǎo)致在溝槽隔離區(qū)15內(nèi)形成凹陷40。在某些情況下，這些凹陷40可以露出沿溝槽隔離區(qū)15的側(cè)壁延伸的部分襯底10。
如圖3所示，然后除去光刻膠圖形，接著使用掩模圖形30a作為刻蝕掩模，將凹陷溝槽45有選擇地刻蝕到襯底10的步驟。在該刻蝕步驟中，溝槽隔離區(qū)15內(nèi)的凹陷40可能被加深。圖4說明了使用清洗步驟去除掩模圖形30a?？梢园ㄊ挂r底10的表面暴露于化學(xué)蝕刻劑(例如，氧化物和聚合物殘留物蝕刻劑)的該清洗步驟，可能導(dǎo)致溝槽隔離區(qū)15內(nèi)的凹陷40的進一步加深。令人遺憾地，在溝槽隔離區(qū)15內(nèi)形成較深的凹陷40可能導(dǎo)致沿溝槽隔離區(qū)15的側(cè)壁露出襯底10。襯底10的這種露出可以支撐在襯底10的有源區(qū)內(nèi)形成寄生晶體管和過多的結(jié)泄漏，且由此不利地影響在襯底10內(nèi)形成的存儲器件的刷新性能。因此，盡管有形成具有凹陷溝道區(qū)的晶體管的常規(guī)方法，但是繼續(xù)需要較少受在溝槽隔離區(qū)內(nèi)形成凹陷影響的改進方法。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的實施例形成場效應(yīng)晶體管的方法包括在其中具有多個溝槽隔離區(qū)的半導(dǎo)體襯底上形成第一電絕緣層的步驟，該溝槽隔離區(qū)在其間限定有源區(qū)。構(gòu)圖第一電絕緣層，以在其中限定相對有源區(qū)延伸的多個第一開口。然后形成在其中具有多個第二開口的溝槽掩模，作為相對于已構(gòu)圖的多個第一開口的反向-圖像掩模。通過用電絕緣栓塞填充多個第一開口形成該溝槽掩模，然后使用電絕緣栓塞作為刻蝕掩模，深刻蝕已構(gòu)圖的第一電絕緣層。然后通過使用溝槽掩模作為刻蝕掩?？涛g半導(dǎo)體襯底，在有源區(qū)形成多個溝槽。然后形成延伸到多個溝槽中的多個絕緣柵電極。然后在襯底上形成源區(qū)/漏區(qū)以及接觸，以完成晶體管結(jié)構(gòu)。
形成絕緣-柵場效應(yīng)晶體管的其他方法包括在半導(dǎo)體有源區(qū)的表面上形成第一電絕緣層。該第一電絕緣層可以是二氧化硅層和氮氧化硅層的復(fù)合。然后構(gòu)圖第一電絕緣層，以在其中限定相對半導(dǎo)體有源區(qū)延伸的多個第一開口。然后在有源區(qū)上形成具有多個第二開口的溝槽掩模。通過用電絕緣栓塞填充多個第一開口形成溝槽掩模，然后使用電絕緣栓塞作為刻蝕掩模，刻蝕已構(gòu)圖的第一電絕緣層。然后通過使用溝槽掩模作為刻蝕掩?？涛g半導(dǎo)體有源區(qū)，以在有源區(qū)內(nèi)形成多個溝槽。然后用絕緣柵電極填充溝槽。也可以在襯底上形成源區(qū)/漏區(qū)和接觸，以完成晶體管。


圖1-4是說明在半導(dǎo)體襯底中形成溝槽的常規(guī)方法的中間結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖5是根據(jù)本發(fā)明的實施例形成的具有凹陷溝道區(qū)的MOSFET陣列的布局圖。
圖6A-11A是說明根據(jù)本發(fā)明的實施例形成MOSFET陣列的方法，沿圖5中的線A-A′的中間結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖6B-11B是說明根據(jù)本發(fā)明的實施例形成MOSFET陣列的方法，沿圖5中的線B-B′的中間結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖12是具有凹陷溝道區(qū)的MOSFET陣列的剖面圖，其可以通過圖6A-11A和6B-11B所示方法形成。
具體實施例方式
現(xiàn)在參考附圖更完全地描述本發(fā)明，附圖中示出了本發(fā)明的優(yōu)選實施例。但是，本發(fā)明可以以多種不同的方式體現(xiàn)，不應(yīng)該認為僅限于在此闡述的實施例；相反，提供這些實施例是為了本公開是徹底的和完整的，且將本發(fā)明的范圍完全地傳遞給所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員。相同的標記始終指向相同的單元。
圖5說明了具有凹陷溝道區(qū)的MOSFET陣列的布局圖。在該布局圖中，有源區(qū)112圖示為被器件隔離區(qū)115(例如，溝槽隔離區(qū))圍繞。用字母“G”標識的區(qū)域表示基于溝槽的柵電極形狀(例如，參見，圖12)。每個有源區(qū)112圖示為被一對柵電極G覆蓋。如現(xiàn)在所述，圖6A-11A表示中間結(jié)構(gòu)的剖面圖，其說明根據(jù)本發(fā)明的實施例形成MOSFET陣列的方法。這些截面圖沿圖5中的線A-A′。此外，圖6B-11B表示沿圖5中的線B-B′的中間結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖6A-6B說明在半導(dǎo)體襯底110內(nèi)形成氧化物-填充的溝槽隔離區(qū)115。這些溝槽隔離區(qū)115限定在相鄰溝槽隔離區(qū)115之間延伸的半導(dǎo)體有源區(qū)。在半導(dǎo)體襯底110的主表面上形成焊盤氧化層120和氮氧化硅層125。焊盤氧化層120和氮氧化硅層125共同地限定掩模層130。形成掩模層130的這些步驟可以在將溝道控制摻雜劑(未示出)和淺源區(qū)/漏區(qū)摻雜劑(未示出)注入襯底110內(nèi)的有源區(qū)中的步驟之后。
焊盤氧化層120可以是通過淀積方法或熱氧化方法形成的二氧化硅(SiO2)層。典型的淀積方法包括化學(xué)氣相淀積(CVD)、亞常壓化學(xué)氣相淀積(SACVD)、低壓化學(xué)氣相淀積(LPCVD)和等離子體-增強的化學(xué)氣相淀積(PECVD)。具體地，焊盤氧化層120可以使用SiH4、Si2H6和N2O氣體作為反應(yīng)氣體形成為中溫氧化物(MTO)層。焊盤氧化層120可以形成至具有約100的厚度。氮氧化硅層125可以形成至具有約800至約850的厚度范圍。但是，也可以形成更薄或更厚的氮氧化硅層。在本發(fā)明的選擇性實施例中，可以在氮氧化硅層125的位置形成氮化硅層。可以在約500℃至約850℃的溫度范圍下通過SiH4與NH3反應(yīng)淀積這種氮化硅層?？梢酝ㄟ^氧源氣體與SiH4和NH3反應(yīng)形成氮氧化硅層125。
然后在掩模層130上形成光刻膠圖形135，該光刻膠圖形135可以是光刻地限定的圖形。光刻膠圖形135的寬度“CD”限定在后續(xù)工序步驟中將在襯底110中形成的凹陷溝槽的寬度。圖6A的光刻膠圖形135的寬度“CD”可以小于圖1的光刻膠圖形35的相鄰部分之間的空間“d”。通過使用具有窄寬度“CD”的條型照相圖形，可以使光刻膠圖形135的寬度“CD”較小。但是，用于形成光刻膠圖形135的選擇性技術(shù)可以包括使用光刻膠微調(diào)技術(shù)，以獲得窄寬度“CD”。這種微調(diào)技術(shù)可以支持在襯底110內(nèi)形成非常窄的溝槽，對光刻膠橋接具有減小的敏感性。
現(xiàn)在參考圖7A-7B，然后使用光刻膠圖形135作為刻蝕掩模，刻蝕掩模層130。該刻蝕步驟導(dǎo)致形成共同地限定掩模圖形130a的焊盤氧化層圖形120a和氮氧化硅層圖形125a。在該刻蝕步驟過程中，可以露出襯底110的表面。氮氧化硅層125的刻蝕可以包括使氮氧化硅層125暴露于氟化物和含碳氣體如CF4、CHF3、C2F6、C4F8、CH2F2、CH3F、CH4、C2H2或C4F6及其混合物，與氬環(huán)境氣體一起。因為氮氧化硅層125和焊盤氧化物層120相對于溝槽隔離區(qū)115之間減小的刻蝕選擇率，所以可能發(fā)生溝槽隔離區(qū)115的過刻蝕。該過刻蝕可能導(dǎo)致在溝槽隔離區(qū)115內(nèi)形成凹陷140。在某些情況下，由于照相的未對準，這些凹陷140可以露出沿溝槽隔離區(qū)115的側(cè)壁延伸的部分襯底110。
如圖8A-8B所示，通過執(zhí)行清洗步驟除去光刻膠圖形135，然后在氮氧化硅層圖形125a上保形性淀積覆蓋電絕緣層(例如，二氧化硅層)。可以通過在氮氧化硅層圖形125a上淀積硼磷硅玻璃(BPSG)層、旋涂玻璃層(SOG)、不摻雜的硅玻璃層(USG)、可流動的氧化物層、 Si-O-H基(FOX)層或二氧化硅層形成該覆蓋電絕緣層?？梢允褂酶呙芏鹊入x子體化學(xué)氣相淀積(HDP-CVD)技術(shù)形成二氧化硅層。也可以使用等離子體形成正硅酸乙酯(TEOS)玻璃層，作為覆蓋電絕緣層。然后使用氮氧化硅層圖形125a平整覆蓋電絕緣層，以探測平整步驟的端點。該平整步驟可以包括化學(xué)機械地拋光(CMP)覆蓋層，導(dǎo)致形成多個電絕緣栓塞142。如所示，這些電絕緣栓塞142有利地填充溝槽隔離區(qū)115內(nèi)的凹陷140和掩模圖形130a中的開口。
如圖9A-9B所示，在形成電絕緣栓塞142之后，從襯底110除去氮氧化硅層圖形125a。可以通過執(zhí)行刻蝕步驟除去該氮氧化硅層圖形125a。該刻蝕步驟可以是濕法刻蝕步驟(例如，磷剝離(stripping))。氮氧化硅層圖形125a的除去露出焊盤氧化物層圖形120a。然后執(zhí)行一系列的刻蝕步驟，以除去焊盤氧化物層圖形120a和有選擇地刻蝕襯底110，由此形成延伸到襯底110內(nèi)的有源區(qū)中的多個溝槽145。這些溝槽145可以形成至約1000至約1500的深度范圍。可以使用Cl2和SF6的混合氣體執(zhí)行刻蝕襯底110的此步驟，如反應(yīng)離子刻蝕(REI)步驟。在這些刻蝕步驟過程中，電絕緣栓塞142用作刻蝕掩模(used an etchingmask)。這些電絕緣栓塞142表示由氮氧化硅層圖形125a限定的掩模的“反相”。意味著栓塞142之間的“負”開口的寬度表示氮氧化硅層圖形125a中的“正”特征的寬度。一旦形成了溝槽145，可以使用電絕緣栓塞142作為注入掩模執(zhí)行離子注入步驟，以將摻雜劑(未示出)注入溝槽145的底部。
現(xiàn)在參考圖11A-11B，從襯底110內(nèi)的有源區(qū)表面除去電絕緣栓塞142。例如，可以通過使襯底110暴露于稀釋的HF溶液或緩沖氧化物蝕刻劑執(zhí)行該除去步驟。該除去步驟也從溝槽隔離區(qū)115除去電絕緣栓塞142的上部。電絕緣栓塞142的剩余下部表示電絕緣栓塞殘留物142′。為了防止除去步驟在溝槽隔離區(qū)115內(nèi)形成顯著的凹陷，可以減小電絕緣栓塞142的高度(例如參見，圖8A-8B，9A-9B，10A-10B)?？梢愿鶕?jù)在有源區(qū)內(nèi)形成溝槽145的過程中執(zhí)行的刻蝕步驟的選擇率程度，決定電絕緣栓塞142的實際高度。如果氧化物層選擇率大于約10∶1(這是典型的條件)，那么電絕緣栓塞142的高度可以設(shè)為約300A。該希望的高度應(yīng)該通過控制掩模圖形130a的厚度來設(shè)置。
仍參考圖11A-11B，還可以使用化學(xué)干法刻蝕(CDE)技術(shù)刻蝕半導(dǎo)體襯底110，該技術(shù)操作地為從溝槽145的上拐角和溝槽145的圓滑下拐角除去未刻蝕的硅。如圖12所示，可以執(zhí)行附加的工序步驟，以限定具有凹陷溝道區(qū)的多個絕緣柵電極G，這支持在通態(tài)正向?qū)щ娺^程中纏繞溝槽145的底部的反相-層溝道?？梢酝ㄟ^在襯底110上保形地淀積柵絕緣層150，如圖11A-11B所示，然后構(gòu)圖柵絕緣層150，來形成這些柵電極G，以致它延伸到溝槽145的相鄰底部和側(cè)壁。該柵絕緣層150可以是例如二氧化硅膜、氧化鈦層或氧化鉭層。然后用多晶硅柵層155填充溝槽145，該多晶硅柵層155也在襯底110的表面上延伸。可以使用低壓化學(xué)氣相淀積(LPCVD)技術(shù)在約500℃至約700℃的范圍溫度下淀積該柵極層155。當形成柵極層155時可以通過將摻雜劑(例如，n型摻雜劑)注入柵極層155或通過使用就地摻雜技術(shù)增加淀積的柵極層155的導(dǎo)電性。
然后在多晶硅柵層155上形成并構(gòu)圖柵金屬層160(例如，WSi層)和電絕緣柵覆蓋層165，以限定相對有源區(qū)延伸的多個柵電極G和在溝槽隔離區(qū)115上延伸的多個柵極結(jié)構(gòu)。在柵電極G的側(cè)壁和柵極結(jié)構(gòu)上形成側(cè)壁絕緣隔片170。然后在源區(qū)/漏區(qū)175的形成過程中，可以使用柵覆蓋層165和側(cè)壁絕緣隔片170作為離子-注入掩模。可以通過將源區(qū)/漏區(qū)摻雜劑注入有源區(qū)的露出部分形成這些源區(qū)/漏區(qū)175，然后退火襯底110以推進摻雜劑。
由此，根據(jù)本發(fā)明的實施例形成場效應(yīng)晶體管的方法包括在其中具有多個溝槽隔離區(qū)115的半導(dǎo)體襯底110上形成第一電絕緣層130的步驟，該多個溝槽隔離區(qū)115在其間限定有源區(qū)。然后構(gòu)圖第一電絕緣層130，以在其中限定相對半導(dǎo)體有源區(qū)延伸的多個第一開口。然后通過用電絕緣栓塞142填充該多個第一開口形成在其中具有多個第二開口的溝槽掩模，然后使用電絕緣栓塞142作為刻蝕掩模，深刻蝕已構(gòu)圖的第一電絕緣層130a。然后通過使用溝槽掩模作為刻蝕掩模來刻蝕半導(dǎo)體襯底110，在有源區(qū)形成多個溝槽145。然后形成延伸到多個溝槽145的多個絕緣柵電極G。
在附圖和說明書中，已公開了本發(fā)明的典型的優(yōu)選實施例，以及盡管采用了特定術(shù)語，但是它們僅是用于通用和描述的性質(zhì)，而并非限制目的，在下面的權(quán)利要求中闡述了本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1.一種形成絕緣-柵場效應(yīng)晶體管的方法，包括在其中具有多個溝槽隔離區(qū)的半導(dǎo)體襯底上形成第一電絕緣層，該多個溝槽隔離區(qū)在其間限定有源區(qū)；構(gòu)圖所述第一電絕緣層，以在其中限定相對所述有源區(qū)延伸的多個第一開口；通過用電絕緣栓塞填充所述多個第一開口形成在其中具有多個第二開口的溝槽掩模，然后使用所述電絕緣栓塞作為刻蝕掩模，刻蝕所述已構(gòu)圖的第一電絕緣層；通過使用所述溝槽掩模作為刻蝕掩模刻蝕所述半導(dǎo)體襯底，在所述有源區(qū)形成多個溝槽；以及形成延伸到所述多個溝槽中的多個絕緣柵電極。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成多個絕緣柵電極的所述步驟是在使用所述絕緣柵電極作為注入掩模將源區(qū)/漏區(qū)摻雜劑注入所述有源區(qū)的步驟之后。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述多個第一開口大于所述多個第二開口。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中構(gòu)圖所述第一電絕緣層的所述步驟包括刻蝕所述多個溝槽隔離區(qū)，以在其中限定多個凹陷；以及其中形成溝槽掩模的所述步驟包括用電絕緣栓塞填充在溝槽隔離區(qū)中的所述多個凹陷。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成多個絕緣柵電極的所述步驟包括形成延伸到所述多個溝槽中的多晶硅柵電極和在所述多晶硅柵電極的側(cè)壁上形成電絕緣側(cè)壁隔片。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成第一電絕緣層的所述步驟包括在所述半導(dǎo)體襯底的表面上形成二氧化硅膜，然后在所述二氧化硅膜上形成氮氧化硅層。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中構(gòu)圖所述第一電絕緣層的所述步驟包括依次刻蝕所述氮氧化硅層和所述二氧化硅層，以露出所述半導(dǎo)體襯底的表面。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中形成溝槽掩模的步驟，包括刻蝕所述氮氧化硅層以露出所述二氧化硅層；以及其中形成多個溝槽的所述步驟包括依次刻蝕所述二氧化硅膜和所述半導(dǎo)體襯底。
9.一種形成具有凹陷溝道區(qū)的絕緣柵-場效應(yīng)晶體管的方法，包括在半導(dǎo)體有源區(qū)的表面上形成第一電絕緣層；構(gòu)圖所述第一電絕緣層，以在其中限定相對半導(dǎo)體有源區(qū)延伸的多個開口；通過用電絕緣栓塞填充所述多個第一開口形成在其中具有多個第二開口的溝槽掩模，然后使用所述電絕緣栓塞作為刻蝕掩模，刻蝕所述已構(gòu)圖的第一電絕緣層；通過使用所述溝槽掩模作為刻蝕掩模刻蝕所述半導(dǎo)體有源區(qū)，在所述有源區(qū)中形成多個溝槽；形成延伸到所述多個溝槽中的多個絕緣柵電極。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中形成多個絕緣柵電極的所述步驟在使用所述絕緣柵電極作為注入掩模將源區(qū)/漏區(qū)摻雜劑注入所述半導(dǎo)體有源區(qū)的步驟之后。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述多個第一開口大于所述多個第二開口。
12.如權(quán)利要求9所述的方法，其中形成多個絕緣柵電極的所述步驟包括形成延伸到所述多個溝槽中的多晶硅柵電極和在所述多晶硅柵電極的側(cè)壁上形成電絕緣側(cè)壁隔片。
13.如權(quán)利要求9所述的方法，其中形成第一電絕緣層的所述步驟包括在半導(dǎo)體襯底的表面上形成二氧化硅膜，然后在二氧化硅膜上形成氮氧化硅層。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中構(gòu)圖第一電絕緣層的所述步驟包括依次刻蝕氮氧化硅層和二氧化硅層，以露出半導(dǎo)體襯底的表面。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中形成溝槽掩模的所述步驟包括刻蝕氮氧化硅層，以露出二氧化硅膜；以及其中形成多個溝槽的所述步驟包括依次刻蝕二氧化硅膜和半導(dǎo)體襯底。
16.一種形成具有基于溝槽的柵電極的絕緣柵-場效應(yīng)晶體管的方法，包括在半導(dǎo)體有源區(qū)的表面上形成第一電絕緣層；構(gòu)圖所述第一電絕緣層，以在其中限定相對所述半導(dǎo)體有源區(qū)延伸的多個第一開口；淀積第二電絕緣層，第二電絕緣層在所述已構(gòu)圖的第一電絕緣層上延伸并進入所述多個開口；平整所述第二電絕緣層，以在所述多個開口中限定多個電絕緣栓塞；通過使用所述多個電絕緣栓塞作為刻蝕掩模依次刻蝕所述已構(gòu)圖的第一電絕緣層和所述半導(dǎo)體有源區(qū)，在所述半導(dǎo)體有源區(qū)中形成多個溝槽；以及然后形成延伸到所述多個溝槽中的多個絕緣柵電極。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中形成多個絕緣柵電極的所述步驟在通過使用所述多個絕緣柵電極作為注入掩模將源區(qū)/漏區(qū)摻雜劑注入所述半導(dǎo)體有源區(qū)中，在所述半導(dǎo)體有源區(qū)中形成源區(qū)和漏區(qū)的步驟之前。
全文摘要
形成場效應(yīng)晶體管的方法包括在其中具有多個溝槽隔離區(qū)的半導(dǎo)體襯底上形成第一電絕緣層的步驟，該多個溝槽隔離區(qū)在其間限定有源區(qū)。然后構(gòu)圖第一電絕緣層，以在其中限定相對有源區(qū)延伸的多個第一開口。然后通過用電絕緣栓塞填充該多個第一開口，形成在其中具有多個第二開口的溝槽掩模，然后使用電絕緣栓塞作為刻蝕掩模，刻蝕已構(gòu)圖的第一電絕緣層。然后通過使用溝槽掩模作為刻蝕掩?？涛g半導(dǎo)體襯底，在有源區(qū)形成多個溝槽。然后形成延伸到多個溝槽中的多個絕緣柵電極。
文檔編號H01L29/78GK1702845SQ200510074070
公開日2005年11月30日 申請日期2005年5月30日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月28日
發(fā)明者鄭圣勛, 南炳允, 池京求 申請人:三星電子株式會社