專利名稱：電容器及使用該電容器的發(fā)光顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電容器和使用該電容器的發(fā)光顯示面板，特別地，本發(fā)明涉及一種形成在襯底上的電容器和包含該電容器的發(fā)光顯示面板。
背景技術(shù)：
通常，平板顯示器(FPD)利用在密閉容器中排列的材料來(lái)顯示圖像，其中所述密閉容器是通過(guò)在兩個(gè)襯底的側(cè)壁之間提供阻擋條(barrier)形成的。各種類型的FPD包括使用液晶單元的液晶顯示器(LCD)，所述液晶單元在施加的電場(chǎng)中改變反射率；利用由電子流激勵(lì)的磷光體的場(chǎng)致發(fā)射顯示器(FED)；和使用有機(jī)材料的場(chǎng)致發(fā)光的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光顯示器。
FPD可以由無(wú)源矩陣和有源矩陣驅(qū)動(dòng)方法來(lái)驅(qū)動(dòng)。有源矩陣方法使用薄膜晶體管(TFT)。在無(wú)源矩陣方法中，陽(yáng)極和陰極互相交叉，并選擇一條線以驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光單元。然而，在使用薄膜晶體管的有源矩陣方法中，每個(gè)像素電極與TFT相連，且根據(jù)與TFT的柵電極相連的電容器所保持的電壓來(lái)驅(qū)動(dòng)發(fā)光單元。
圖1是示出采用傳統(tǒng)有源矩陣方法的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光顯示器件的等效電路圖。
參考圖1，有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光顯示器件的像素電路可以包括有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光器件(OLED)、開(kāi)關(guān)晶體管SM、驅(qū)動(dòng)晶體管DM和電容器C。驅(qū)動(dòng)晶體管DM的源極被連接至電源電壓VDD，而電容器C被連接在驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和源極之間。電容器C保持驅(qū)動(dòng)晶體管DM的柵源電壓VGS預(yù)定的時(shí)間段。開(kāi)關(guān)晶體管SM響應(yīng)于從電流掃描線Sn發(fā)送的選擇信號(hào)來(lái)將數(shù)據(jù)線Dm數(shù)據(jù)電壓發(fā)送到驅(qū)動(dòng)晶體管DM。OLED的陰極被連接至參考電壓VSS，且OLED發(fā)射相應(yīng)于通過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管DM施加到其的電流的光。
在有源矩陣方法中，每個(gè)像素電路可以包括TFT和電容器，且TFT由電容器所保持的電壓來(lái)驅(qū)動(dòng)預(yù)定時(shí)間段。因此，每個(gè)像素電路可以連續(xù)地顯示相應(yīng)于一幀的數(shù)據(jù)信號(hào)的圖像。這樣，通常使用有源矩陣方法，這是因?yàn)樗鼉?yōu)于無(wú)源矩陣方法。
圖2是示出形成在傳統(tǒng)顯示面板上的電容器的結(jié)構(gòu)的截面圖。
參考圖2，緩沖層BL形成在襯底ST之上，而形成電容器的第一電極的第一導(dǎo)電層CL1形成在緩沖層BL之上。介電層DL形成在導(dǎo)電層CL1之上，而形成電容器的第二電極的第二導(dǎo)電層CL2形成在介電層DL之上。這樣，電容器包括第一和第二導(dǎo)電層CL1和CL2。這樣的電容器一般形成在其中形成像素電路的區(qū)域內(nèi)，且電容器的電容根據(jù)顯示面板的特性而變化。
然而，如果使用有源矩陣方法，顯示面板的像素區(qū)域還包括TFT。因而，其中形成顯示元件的區(qū)域可能會(huì)減少。換句話說(shuō)，顯示面板的孔徑比(apertureratio)會(huì)減小，從而降低顯示質(zhì)量。
尤其是，有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光顯示器可能使用具有超過(guò)兩個(gè)電容器和多個(gè)TFT的像素電路來(lái)補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)晶體管的門(mén)限電壓，這可能會(huì)導(dǎo)致低的孔徑比。因此，希望電容器能夠占用像素區(qū)域中較少的空間并同時(shí)提供所需的電容。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種多層電容器，它可以被用在像素電路中以提高像素的孔徑比。
本發(fā)明的附加特征將在隨后的描述中被闡明，并且部分地從所述描述是很清楚的，或者可以通過(guò)實(shí)踐本發(fā)明來(lái)了解。
本發(fā)明公開(kāi)了一種電容器，包括半導(dǎo)體層、第一介電層、第一導(dǎo)電層、第二介電層和第二導(dǎo)電層。所述第一介電層被形成在所述第一半導(dǎo)體層上。所述第一導(dǎo)電層被形成在所述第一介電層上。所述第二介電層被形成在所述第一導(dǎo)電層上。所述第二導(dǎo)電層被形成在所述第二介電層上，并且它被連接至所述第一半導(dǎo)體層。
本發(fā)明還公開(kāi)了一種電容器器件，包括多晶硅層、第一介電層和第一導(dǎo)電層。所述多晶硅層具有分開(kāi)形成的第一區(qū)和第二區(qū)，并且所述多晶硅層被摻入雜質(zhì)以用于傳導(dǎo)。所述第一介電層被形成所述多晶硅層上，而所述第一導(dǎo)電層被形成在所述第一介電層上。所述第一區(qū)和所述第一導(dǎo)電層形成所述第一電容器，而所述第二區(qū)和所述第一導(dǎo)電層形成所述第二電容器。
本發(fā)明還公開(kāi)了一種顯示器件，包括掃描線、數(shù)據(jù)線和被連接至所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線的像素電路。所述掃描線在第一方向上延伸，且用于傳輸選擇信號(hào)。所述數(shù)據(jù)線在與所述掃描線介電性地交叉的第二方向上延伸，并且它傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)。所述像素電路被連接至所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線。所述像素電路包括第一晶體管、電容器、第二晶體管和發(fā)光元件。所述第一晶體管被連接至所述數(shù)據(jù)線。所述電容器充相應(yīng)于通過(guò)所述第一晶體管、自所述數(shù)據(jù)線傳輸?shù)臄?shù)據(jù)信號(hào)的電壓。所述第二晶體管具有被連接至所述電容器的第一電極的控制電極。所述發(fā)光元件被連接至所述第二晶體管。所述電容器包括第一導(dǎo)電層、第一介電層、第二導(dǎo)電層、第二介電層和第三導(dǎo)電層。所述第一導(dǎo)電層是摻入雜質(zhì)的多晶硅層，且所述第一介電層被形成在所述第一導(dǎo)電層上。所述第二導(dǎo)電層被形成在所述第一介電層上，所述第二介電層被形成在所述第二導(dǎo)電層上。所述第三導(dǎo)電層被形成在所述第二介電層上，且被連接至所述第一導(dǎo)電層。
本發(fā)明還公開(kāi)了一種顯示器件，包括掃描線、數(shù)據(jù)線和像素電路。所述掃描線在第一方向上延伸，并且傳輸選擇信號(hào)。所述數(shù)據(jù)線在與所述掃描線交叉的第二方向上延伸，并且它傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)。所述像素電路被連接至所述掃描線和數(shù)據(jù)線。所述像素電路包括第一晶體管、第一電容器、第二晶體管、第二電容器和發(fā)光元件。所述第一晶體管具有第一電極和第二電極。所述第一電極被連接至所述數(shù)據(jù)線，而所述第二電極響應(yīng)于所述選擇信號(hào)而被導(dǎo)通，并輸出數(shù)據(jù)信號(hào)。所述第一電容器具有被連接至所述第一晶體管的第二電極的第一電極，并且它被相應(yīng)于所述數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓充電。所述第二晶體管輸出相應(yīng)于在所述第一電容器中存儲(chǔ)的電壓的電流。所述第二電容器具有與所述第一電容器的第一電極串聯(lián)的第一電極。所述發(fā)光元件被連接至所述第二晶體管。所述像素電路被形成在包括第一導(dǎo)電層、第一介電層和第二導(dǎo)電層的像素區(qū)域中。所述第一導(dǎo)電層具有第一傳導(dǎo)區(qū)和第二傳導(dǎo)區(qū)。所述第一傳導(dǎo)區(qū)形成所述第一電容器的第二電極，而所述第二傳導(dǎo)區(qū)形成所述第二電容器的第二電極。所述第一介電層被形成在所述第一導(dǎo)電層上。所述第二導(dǎo)電層形成所述第一和第二電容器的第一電極。
本發(fā)明還公開(kāi)了一種顯示面板，包括掃描線、數(shù)據(jù)線和像素電路。所述掃描線在第一方向上延伸，用于傳輸選擇信號(hào)。所述數(shù)據(jù)線在與所述掃描線交叉的第二方向上延伸，且它傳輸數(shù)據(jù)電流。所述像素電路被連接至所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線。所述像素電路包括第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第一電容器、第二電容器和發(fā)光元件。所述第一晶體管響應(yīng)于所述選擇信號(hào)而被導(dǎo)通，并且它傳輸數(shù)據(jù)電流。所述第二晶體管輸出相應(yīng)于所述數(shù)據(jù)電流的電流。所述第一電容器被連接在所述第二晶體管的源電極和柵電極之間。所述第二電容器被連接在信號(hào)控制線和所述第二晶體管的柵電極之間，并被連接至所述第一電容器以控制施加于所述第二晶體管的柵電極的電壓。所述第三晶體管由所述選擇信號(hào)導(dǎo)通，并且它向所述第二晶體管的漏電極傳輸數(shù)據(jù)電流。所述發(fā)光元件被連接至所述第二晶體管。所述第一和第二電容器被形成在包括第一多晶硅層、第一介電層和第一導(dǎo)電層的區(qū)域中。所述第一多晶硅層被摻入雜質(zhì)用以傳導(dǎo)，且它具有形成所述第一電容器的第一電極的第一區(qū)，和形成所述第二電容器的第一電極的第二區(qū)。所述第一介電層被形成在所述第一多晶硅層上。所述第一導(dǎo)電層被形成在所述第一介電層上，并且它形成所述第一和第二電容器的第二電極。
可以理解，前面的一般描述和后面的詳細(xì)描述都是示例性的和解釋性的，是想要提供本發(fā)明所要求的進(jìn)一步的解釋。


被包含以提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解的附解了本發(fā)明的實(shí)施例，并且和說(shuō)明書(shū)一起用來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的原理，其中所述附圖被并入說(shuō)明書(shū)并且構(gòu)成說(shuō)明書(shū)的一部分，其中圖1示出了常見(jiàn)有機(jī)EL顯示面板的等效像素電路圖。
圖2示意性示出了在傳統(tǒng)顯示面板上形成的電容器結(jié)構(gòu)。
圖3示出了依據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的多層電容器的結(jié)構(gòu)。
圖4示意性示出了依據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光顯示器件的結(jié)構(gòu)。
圖5是示出圖4的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光顯示器件的像素電路的等效電路圖。
圖6示出依據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的圖5的像素電路的排列。
圖7是沿圖6的線I～I(xiàn)’的截面視圖。
圖8是沿圖6的線II～I(xiàn)I’的截面視圖。
圖9示意性示出依據(jù)本發(fā)明第三示例性實(shí)施例的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光顯示器件的結(jié)構(gòu)。
圖10A是示出圖9的顯示面板的像素電路501的等效電路圖。
圖10B示出了用于驅(qū)動(dòng)圖10A的像素電路501的信號(hào)定時(shí)圖。
圖11是示出圖10A的像素電路的排列的平面視圖。
圖12是沿圖11的線I～I(xiàn)的截面視圖。
圖13示意性示出了圖12的第一和第二電容器的結(jié)構(gòu)。
具體實(shí)施例方式
下面的詳細(xì)描述示出和說(shuō)明了本發(fā)明的示例性實(shí)施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員將會(huì)理解，所描述的實(shí)施例可以以各種不同的方式被修改，而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。因此，附圖和描述被認(rèn)為是描述性的，而不是限制性的。
當(dāng)它們對(duì)于完整理解本發(fā)明不是必須的時(shí)，它們可能被部分地示出在附圖中，或在附圖中部分地不示出，在說(shuō)明書(shū)中將不對(duì)它們進(jìn)行討論。相同的附圖標(biāo)記指代相同的元件。諸如“連接一物件到另一物件”這樣的表述既可能指直接將第一物件連接到第二物件，也可以指第一物件通過(guò)使用提供在它們之間的其它物件連接到第二物件。
圖3是示出依據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的多層電容器的截面視圖。
參考圖3，緩沖層1100可形成在襯底1000之上，摻入雜質(zhì)的多晶硅(多晶硅)層1200可形成在緩沖層1100之上作為電容器的第一導(dǎo)電層。介電層1300可被形成在多晶硅層1200之上。金屬電極層1400可被形成在介電層1300之上作為電容器的第二導(dǎo)電層。因而，電容器包括多晶硅層1200作為第一電極層和金屬電極層1400作為第二電極層。另外，介電層1500可被形成在金屬電極1400之上，金屬電極層1600可被形成在介電層1500之上。金屬電極層1600可通過(guò)空腔1510連接到多晶硅層1200。因此，金屬電極層1600和多晶硅層1200可具有相同的電勢(shì)，且金屬電極層1600成為電容器的第一電極層的一部分。
換句話說(shuō)，多晶硅層1200和金屬電極層1600形成電容器的第一電極層，金屬電極層1400形成電容器的第二電極層。第一電極層包括下層和與第二電極層重疊的上層，從而加寬電容器的導(dǎo)電層。因此，電容器的電容可以增加。
三層電容器的尺寸可以減小，但是它的電容仍然可以與圖2中的傳統(tǒng)雙層電容器相同。因此，三層電容器可以在顯示面板的像素區(qū)域中占用更少的空間，從而提高了面板的孔徑比。
下文中，將參考圖4、圖5、圖6、圖7和圖8描述依據(jù)第二示例性實(shí)施例的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光顯示器件。在這里，“當(dāng)前掃描線”指的是傳送當(dāng)前選擇信號(hào)的掃描線，“前一掃描線”指的是傳送當(dāng)前選擇信號(hào)之前的一個(gè)選擇信號(hào)的掃描線，“下一掃描線”指的是傳送當(dāng)前選擇信號(hào)之后的一個(gè)選擇信號(hào)的掃描線。進(jìn)一步，附圖中的附圖標(biāo)記指的是當(dāng)前像素Pn的元件，前一像素的元件使用被分配給當(dāng)前像素Pn的同樣的附圖標(biāo)記，并且對(duì)其添加撇號(hào)(‘)。
圖4示意性地圖解依據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光顯示器件的結(jié)構(gòu)。
參考圖4，有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光顯示器件包括顯示面板100、掃描驅(qū)動(dòng)器200和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器300。
顯示面板100包括多條縱向排列的數(shù)據(jù)線D1到Dm、多條橫向排列的掃描線S1到Sn和多個(gè)像素電路110。數(shù)據(jù)線D1到Dm向像素電路110傳送作為圖像信號(hào)的數(shù)據(jù)信號(hào)，掃描線S1到Sn向像素電路傳送選擇信號(hào)。像素電流被形成在由兩個(gè)相鄰數(shù)據(jù)線和兩個(gè)相鄰掃描線所確定的像素區(qū)域內(nèi)。
掃描驅(qū)動(dòng)器200可以順序地將選擇信號(hào)施加于掃描線S1到Sn上，而數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器300將相應(yīng)于圖像信號(hào)的數(shù)據(jù)電壓施加到數(shù)據(jù)線D1到Dm上。
圖5是根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例的像素電路110的等效電路圖。圖5的像素電路連接至第m數(shù)據(jù)線Dm、當(dāng)前掃描線Sn和前一掃描線Sn-1。
如圖5所示，像素電流110可以包括晶體管M1、M2、M3、M4、M5，電容器Cst和Cvth以及OLED。
晶體管M1驅(qū)動(dòng)OLED，并且它可以被連接在電源VDD和OLED之間。晶體管M1根據(jù)施加于其柵極的電壓來(lái)控制通過(guò)晶體管M2流向OLED的電流。晶體管M1的柵極可以被連接至電容器Cvth的節(jié)點(diǎn)A，電容器Cst和晶體管M4可以被彼此并聯(lián)在電容器Cvth的節(jié)點(diǎn)B和電源VDD之間。
晶體管M5響應(yīng)于來(lái)自當(dāng)前掃描線Sn的選擇信號(hào)，從數(shù)據(jù)線Dm向電容器Cvth的節(jié)點(diǎn)B發(fā)送數(shù)據(jù)電壓。響應(yīng)于從前一掃描線Sn-1發(fā)送的選擇信號(hào)，晶體管M4將電容器Cvth的節(jié)點(diǎn)B連接至電源VDD，晶體管M3二極管連接(diode-connect)晶體管M1。晶體管M2可以被連接在晶體管M1的漏極和OLED的陽(yáng)極之間，它響應(yīng)于自發(fā)射控制線En發(fā)送的選擇信號(hào)，將晶體管M1的漏極和OLED相隔開(kāi)。OLED發(fā)射相應(yīng)于通過(guò)晶體管M2輸入的電流的光。
在下文中，將詳細(xì)描述像素電路操作。
首先，施加于前一掃描線Sn-1的低電平(low-level)掃描電壓導(dǎo)通晶體管M3，從而二極管連接晶體管M1。晶體管M1的柵極和源極之間的電壓發(fā)生改變直到等于晶體管的門(mén)限電壓Vth為止。在這里，晶體管M1的源極被連接至電源VDD。因此，施加于晶體管M1的柵極的電壓(即施加于電容器Cvth的節(jié)點(diǎn)A的電壓)變成電壓VDD和門(mén)限電壓Vth之和。進(jìn)一步，施加于前一掃描線Sn-1的低電平掃描電壓還導(dǎo)通了晶體管M4，從而將電源VDD施加于電容器Cvth的節(jié)點(diǎn)B。方程1給出了被充到電容器Cvth的電壓VCvth。
方程1VCvth＝VCvthA-VCvthB＝(VDD+Vth)-VDD＝Vth這里VCvth是被充到電容器Cvth的電壓，VCvthA是施加于電容器Cvth的節(jié)點(diǎn)A的電壓，VCvthB是施加于電容器Cvth的節(jié)點(diǎn)B的電壓。
進(jìn)一步，發(fā)射控制線En的低電平信號(hào)截止晶體管M2，該晶體管具有N型溝道，從而防止電流流向OLED。在這里，由于高電平(high-level)信號(hào)被施加于當(dāng)前掃描線Sn，所以晶體管M5被截止。
將低電平掃描電壓施加于當(dāng)前掃描線Sn上，就導(dǎo)通了晶體管M5，從而將數(shù)據(jù)電壓Vdata施加到節(jié)點(diǎn)B上。在這里，由于晶體管M1被利用門(mén)限電壓Vth充電，所以數(shù)據(jù)電壓Vdata和門(mén)限電壓Vth之和被施加到晶體管M1的柵極。方程2給出了晶體管M1的柵源電壓VGS。在這里，低電平信號(hào)被施加到發(fā)射控制線En，并且晶體管M2被截止。
方程2VGS＝(Vdata+Vth)-VDD發(fā)射控制線En的高電平信號(hào)導(dǎo)通晶體管M2，從而將對(duì)應(yīng)于晶體管M1的柵源電壓VGS的電流IOLED施加于用于發(fā)光的OLED。方程3給出了電流IOLED。
方程3IOLED=β2(VGS-Vth)2=β2((Vdata+Vth-VDD)-Vth)2=β2(VDD-Vdata)2]]>這里，IOLED是流向OLED的電流，VGS是晶體管M1的柵源電壓，Vth是晶體管M1的門(mén)限電壓，Vdata是數(shù)據(jù)電壓，β是常數(shù)。
在依據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的像素電路中，電容器Cvth補(bǔ)償像素電路中提供的晶體管M1的不同門(mén)限電壓。因此，更均勻的電流可流向OLED。
圖6是示出依據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例的圖5的像素電路的排列的平面視圖，圖7是沿圖6的線I～I(xiàn)’的截面視圖，圖8是沿圖6的線II～I(xiàn)I’的截面視圖。
參考圖6和圖7，可包含二氧化硅(oxide-silicon)的緩沖層10，可被形成在介電襯底1之上，而多晶硅層21、22、23、24、25、26和27可以被形成在緩沖層10之上。
作為半導(dǎo)體層的多晶硅層21可以具有‘U’形，它可以被形成在圖6的右下邊部分，且它可以包括晶體管M5的源極、漏極和溝道區(qū)域。多晶硅層22可以在OLED的右邊縱向排列，它形成當(dāng)前像素電路中電容器Cst的第一電極。多晶硅層23鄰接于多晶硅層22的一端，并且它可以形成電容器Cvth的第二電極(節(jié)點(diǎn)A)。多晶硅層24可以縱向排列，并且它包括晶體管M2的源極、漏極和溝道區(qū)域。多晶硅層25可以被連接至多晶硅層24，并且它形成晶體管M3的源極、漏極和溝道區(qū)域。多晶硅層26可以橫向排列，它鄰接于多晶硅層25，并且它形成晶體管M1的漏極、源極和溝道區(qū)域。多晶硅層21’，其可以具有‘U’形，可以被形成在與多晶硅層27相鄰的區(qū)域中，并且它形成前一像素電路的開(kāi)關(guān)晶體管M5’的源極、漏極和溝道區(qū)域。在這里，分別形成電容器Cst和Cvth的第一電極和第二電極的多晶硅層22和23可以具有與多晶硅層21、24、25和26之一相同的摻雜密度。
柵極介電質(zhì)層(gate dielectric layer)30可以被形成在多晶硅層21、22、23、24、25、26和27之上。
柵電極線可以形成在柵極介電質(zhì)層30之上。具體地，相應(yīng)于當(dāng)前掃描線Sn的柵電極41、分別形成電容器Cst和Cvth的第二和第一電極的電極42、相應(yīng)于發(fā)射控制線En的柵電極43、以及驅(qū)動(dòng)晶體管M1的柵電極44可以被形成在柵極介電質(zhì)層上。
柵電極41可以橫向排列以與多晶硅層21相交叉，且它成為晶體管M5的柵電極。進(jìn)一步，柵電極41與多晶硅層25’和27’相交叉，并且它形成下一像素電路的晶體管M3’和M4’的柵電極。以縱向排列的電極42可以與多晶硅層22和23重疊，并且它形成當(dāng)前像素Pn中的電容器Cst和Cvth的耦合電極(節(jié)點(diǎn)B)。柵電極43可以以橫向排列以與柵電極41平行，并且它形成晶體管M2的柵電極。柵電極44是多邊形的，并且它可以形成在多晶硅層26的中間區(qū)域中以形成當(dāng)前像素電路Pn中的晶體管M1的柵電極。柵電極41’相應(yīng)于前一掃描線Sn-1，并且它以橫向排列以便與柵電極41平行。進(jìn)一步，柵電極41’可以與多晶硅層25和27交叉，并且它形成當(dāng)前像素電路Pn的晶體管M3和M4的柵電極。
夾層介電質(zhì)(interlayer dielectric)50可以形成在柵電極41、43和44之上，以及在電極42上。數(shù)據(jù)線61、電源電極線62、以及電極63、64、65、66和67可以形成在夾層介電質(zhì)50之上。
數(shù)據(jù)線61縱向延伸，且它可以通過(guò)穿透夾層介電質(zhì)50和柵極介電質(zhì)30的空腔51a被連接至多晶硅層21以形成晶體管M5的源電極。電極63鄰接數(shù)據(jù)線61，并且它通過(guò)空腔51b和空腔52a連接多晶硅層21和電極42來(lái)將晶體管M5的漏極與電容器Cvth的節(jié)點(diǎn)B相連，其中所述空腔51b穿透夾層介電質(zhì)50和柵極介電質(zhì)30，而所述空腔52a穿透夾層介電質(zhì)50。電源電極線62可以通過(guò)穿透夾層介電質(zhì)50和柵極介電質(zhì)30的空腔52b連接至多晶硅層22，并且它向電容器Cst的第一電極提供電源。
電極64可以通過(guò)穿透夾層介電質(zhì)50的空腔53a連接至電極42，并且它可以通過(guò)穿透夾層介電質(zhì)50和柵極介電質(zhì)30的空腔53b連接至多晶硅層27，從而將電容器Cvth的第一電極(節(jié)點(diǎn)B)和晶體管M4的漏極相連。電極65可以通過(guò)空腔54a和54b以及空腔54c被連接至多晶硅層23和25以及柵電極44，其中所述空腔54a和54b穿透夾層介電質(zhì)50和柵極介電質(zhì)30，所述空腔54c穿透夾層介電質(zhì)50，從而將電容器Cvth的第二電極(節(jié)點(diǎn)A)、晶體管M3的漏極、和晶體管M1的柵電極連接起來(lái)。電極66可以通過(guò)空腔55a和55b連接至多晶硅層24、25和26，從而將晶體管M3的源極、晶體管M1的漏極和晶體管M2的源極連接起來(lái)，其中所述空腔55a和55b穿透夾層介電質(zhì)50和柵極介電質(zhì)30。電極67通過(guò)空腔56被連接至多晶硅層24以形成晶體管M2的漏極，其中所述空腔56穿透夾層介電質(zhì)50和柵極介電質(zhì)30。
可形成覆蓋數(shù)據(jù)線61、電源電極線62以及電極63、64、65、66和67的平坦化膜(planarization film)70。像素電極75可以通過(guò)空腔71被連接至電極67，從而將像素電極與晶體管M2的漏極相連，其中所述空腔71穿透平坦化膜70。像素限定層(pixel defining layer)80可以在像素電極75形成之后形成，以及可包括發(fā)射層(EML)、電子傳輸層(ETL)和空穴傳輸層(HTL)的有機(jī)層(organic layer)85可形成在像素電極75上。
如上所述，電容器Cst和Cvth被串聯(lián)，且在鄰接OLED的區(qū)域中具有作為公共電極的電極。
圖8示出電容器Cst和Cvth的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。
參考圖8，由于多晶硅層22和電源線62可以通過(guò)空腔52b連接在一起，所以它們具有相同的電勢(shì)。因此，多晶硅層22和電源線62是電容器Cst的第一電極。電極42是電容器Cst的第二電極(節(jié)點(diǎn)B)。電容器Cvth與電容器Cst串聯(lián)，并且它具有作為其第一電極的電極42，多晶硅層23是它的第二電極。因此，電極42是電容器Cst的第二電極和電容器Cvth的第一電極。
依據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的多層電容器Cst，兩個(gè)耦合的電極作為電容器的一個(gè)電極，從而占用更少的空間，同時(shí)提供足夠的電容。進(jìn)一步，電容器Cst和Cvth通過(guò)公共電極42串聯(lián)。這樣就不需要額外的電極來(lái)將它們串聯(lián)。因此，電容器Cst和Cvth在像素區(qū)域中可以占用更少的空間，從而提高像素的孔徑比。
下文中將參考圖9、圖10、圖11、圖12和圖13，詳細(xì)描述依據(jù)本發(fā)明第三示例性實(shí)施例的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光顯示器件。
圖9示意性地示出依據(jù)本發(fā)明第三示例性實(shí)施例的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光顯示器件的結(jié)構(gòu)。與第二示例性實(shí)施例不同，本發(fā)明第三示例性實(shí)施例的器件采用了電流編程方法(current programming method)，在所述電流編程方法中，數(shù)據(jù)電流Idata作為數(shù)據(jù)信號(hào)從數(shù)據(jù)線發(fā)送。
參考圖9，依據(jù)第三示例性實(shí)施例的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光顯示器件可以包括顯示面板500、掃描驅(qū)動(dòng)器400、和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器300。顯示面板500包括橫向延伸的多條掃描線S1到Sn、多條發(fā)射控制線E1到En和多條升壓控制線(boost control line)B1到Bn；縱向延伸的多條數(shù)據(jù)線D1到Dm；多條電源線VDD和多個(gè)像素501。
在這里，像素501被形成在由兩條相鄰掃描線和兩條相鄰數(shù)據(jù)線限定的區(qū)域內(nèi)。每個(gè)像素501由從掃描線S1到Sn、發(fā)射控制線E1到En、升壓控制線B1到Bn和數(shù)據(jù)線D1到Dm發(fā)送的信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)。
掃描驅(qū)動(dòng)器400可以連續(xù)地發(fā)送選擇信號(hào)到掃描線S1到Sn，從而選擇一條線來(lái)施加數(shù)據(jù)信號(hào)，并且它可以連續(xù)地發(fā)送發(fā)射控制信號(hào)到發(fā)射控制線E1到En以控制OLED發(fā)光。
進(jìn)一步，掃描驅(qū)動(dòng)器400通過(guò)升壓控制線B1到Bn將升壓信號(hào)(boost signal)施加于所選擇的線路的像素，這確定了由兩個(gè)相連的電容器C1和C2所導(dǎo)致的在驅(qū)動(dòng)晶體管上的柵極電壓的增加。從而，可將期望的電流提供到OLED。
另外，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器300可以與依據(jù)第一示例性實(shí)施例的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器300相同，且它施加相應(yīng)于所選擇的線路中的像素的數(shù)據(jù)信號(hào)。
掃描驅(qū)動(dòng)器400和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器300可以被連接到其中形成顯示面板500的基板。然而，掃描驅(qū)動(dòng)器400和/或數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器300可以被提供在顯示面板500的玻璃基板上，并且它們可以由形成在顯示面板的玻璃基板上的驅(qū)動(dòng)電路所代替，其中驅(qū)動(dòng)電路分層(layered)為掃描線、數(shù)據(jù)線和TFT。另外，掃描驅(qū)動(dòng)器400和/或數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器300可以附在玻璃基板上作為包括帶載封裝(TCP)、柔性電路板(FPC)或者載帶自動(dòng)焊接(Tape Automatic Bonding，TAB)的芯片。
圖10A是示出圖9的顯示面板500中的像素電路501的等效電路圖，圖10B圖解了用于驅(qū)動(dòng)圖10A的像素電路的信號(hào)定時(shí)圖。
參考圖10A，像素電路501可以包括驅(qū)動(dòng)晶體管T3、發(fā)射控制晶體管T4、開(kāi)關(guān)晶體管T1、二極管連接晶體管T2、OLED和電容器C1和C2。掃描線Sn的選擇信號(hào)的定時(shí)與升壓控制線Bn的升壓信號(hào)的定時(shí)類似，發(fā)射控制線En的發(fā)射控制信號(hào)的定時(shí)是圖10B中所示的選擇信號(hào)的反相定時(shí)。
具體第，開(kāi)關(guān)晶體管T1可以被連接在數(shù)據(jù)線Dm和驅(qū)動(dòng)晶體管T3的柵極之間，并且它響應(yīng)于來(lái)自掃描線Sn的選擇信號(hào)，從數(shù)據(jù)線向驅(qū)動(dòng)晶體管T3發(fā)送數(shù)據(jù)電流IDATA。二極管連接晶體管T2可以被連接在驅(qū)動(dòng)晶體管T3的漏極和數(shù)據(jù)線Dm之間，并且它響應(yīng)于來(lái)自掃描線Sn的選擇信號(hào)，而二極管連接驅(qū)動(dòng)晶體管T3。
進(jìn)一步，驅(qū)動(dòng)晶體管T3的源極可以被連接至電源電壓VDD，驅(qū)動(dòng)晶體管T3的漏極可以連接至二極管連接晶體管T2。驅(qū)動(dòng)晶體管T3的柵源電壓相應(yīng)于數(shù)據(jù)電流IDATA而決定。
電容器C2可被連接在驅(qū)動(dòng)晶體管T3的源極和柵極之間，并且它保持驅(qū)動(dòng)晶體管T3的柵源電壓預(yù)定時(shí)間段。電容器C1可被連接在升壓控制線Bn和驅(qū)動(dòng)晶體管T3的柵極之間，并且它可以控制驅(qū)動(dòng)晶體管T3的柵極電壓。
由于耦合的電容器，電容器C2的節(jié)點(diǎn)上的電壓可以增加與來(lái)自升壓控制線Bn的升壓信號(hào)電壓中的增加值ΔVB一樣多。方程4給出了驅(qū)動(dòng)晶體管T3上的柵極電壓的增加值ΔVG。升壓信號(hào)電壓的增加值ΔVB可以根據(jù)晶體管T1、T2和T3的寄生電容來(lái)控制。因此，通過(guò)控制升壓信號(hào)電壓的增加值ΔVB，驅(qū)動(dòng)晶體管T3的柵極電壓的增加值ΔVG就可以按照所需來(lái)設(shè)定，換句話說(shuō)，提供給OLED的電流IOLED可以按照所需來(lái)設(shè)定。
方程4ΔVG=ΔVBC2C1+C2]]>響應(yīng)于來(lái)自發(fā)射控制線En的發(fā)射信號(hào)，發(fā)射控制晶體管T4將來(lái)自驅(qū)動(dòng)晶體管T3的電流施加于OLED。OLED可以被連接在發(fā)射控制晶體管T4和參考電源VSS之間，并且它發(fā)出相應(yīng)于流向驅(qū)動(dòng)晶體管T3的電流量的光。
像素電路可以如下操作。
首先，開(kāi)關(guān)晶體管T1和二極管連接晶體管T2由通過(guò)掃描線Sn施加的選擇信號(hào)導(dǎo)通。接著，驅(qū)動(dòng)晶體管T3被二極管連接，且來(lái)自數(shù)據(jù)線Dm的數(shù)據(jù)電流IDATA流向驅(qū)動(dòng)晶體管T3。同時(shí)，發(fā)射控制晶體管T4由通過(guò)發(fā)射控制線En所施加的發(fā)射信號(hào)截止，從而將驅(qū)動(dòng)晶體管T3與OLED相隔離。
這里，方程5給出了驅(qū)動(dòng)晶體管T3的柵極和源極之間的電壓(“柵源電壓”)VGS的絕對(duì)值和流向驅(qū)動(dòng)晶體管T3的電流IDATA之間的關(guān)系。因而，方程6給出了驅(qū)動(dòng)晶體管T3的柵源電壓VGS。
方程5IDATA=β2(VGS-VTH)2]]>這里β是常數(shù)，VTH是驅(qū)動(dòng)晶體管T3的門(mén)限電壓的絕對(duì)值。
方程6VGS=VDD-VG=2IDATAβ+VTH]]>這里VG是驅(qū)動(dòng)晶體管T3的柵極電壓，VDD是由電源電壓VDD提供給驅(qū)動(dòng)晶體管T3的電壓。
接下來(lái)，開(kāi)關(guān)晶體管T1和二極管連接晶體管T2被掃描線Sn的選擇信號(hào)截止，發(fā)射控制晶體管T4被發(fā)射控制線En的發(fā)射控制信號(hào)導(dǎo)通。在這里，升壓控制線Bn的升壓信號(hào)從低電平變化至高電平。
然后電容器C1和升壓控制Bn交點(diǎn)處的電壓被增加升壓信號(hào)電平的增加值‘ΔVE’。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管T3的柵極電壓VG也通過(guò)將電容器C1和C2相連而被增加，并且柵極電壓VG的增加量由方程7給出。
方程7ΔVG=ΔVEC2C1+C2]]>這里C1和C2分別是電容器C1和C2的電容。
由于驅(qū)動(dòng)晶體管T3的柵極電壓VG增加ΔVG，所以它的漏極電流IOLED由方程8決定。換句話說(shuō)，驅(qū)動(dòng)晶體管T3的柵源電壓VGS與柵極電壓的增加值ΔVG成比例地減小。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管T3的漏極電流IOLED可以被設(shè)得比數(shù)據(jù)電流IDATA相對(duì)小。進(jìn)一步，發(fā)射控制晶體管T4由發(fā)射控制線En的發(fā)射控制信號(hào)導(dǎo)通，這樣就將驅(qū)動(dòng)晶體管T3的漏極電流IOLED提供給OLED以進(jìn)行光發(fā)射。
方程8IOLED=β2(VGS-ΔVG-VTH)2=β2(2IDATAβ-ΔVG)2]]>如方程9所示，數(shù)據(jù)電流IDATA可以被設(shè)得比流向OLED的電流IOLED大。
方程9IDATA=IOLED+ΔVG2βIOLED+β2(ΔVG)2]]>圖11是示出依據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的圖10A的像素電路的排列的平面圖。
參考圖11，像素電流501可以被形成在由在第一方向(Y軸)延伸的數(shù)據(jù)線510、在與數(shù)據(jù)線510交叉的方向(X軸)上延伸的掃描線520、與數(shù)據(jù)線510相隔預(yù)定間隔且在與掃描線520交叉的第一方向上延伸的電源線530、和與發(fā)射控制線540平行排列的升壓控制線550限定的區(qū)域中，其中所述發(fā)射控制線540與掃描線520平行排列。
在這里，開(kāi)關(guān)晶體管T1、驅(qū)動(dòng)晶體管T3、二極管連接晶體管T2和發(fā)射控制晶體管T4被提供在掃描線520和發(fā)射控制線540之間形成的區(qū)域上。因此，升壓控制線550不與像素電路501的其它元件相重疊，從而防止來(lái)自像素電路元件的升壓信號(hào)中的失真。因而，升壓信號(hào)可以被穩(wěn)定地輸入到電容器C1，從而更加準(zhǔn)確地將電流IOLED編程到OLED。
詳細(xì)地，開(kāi)關(guān)晶體管T1的柵電極可以形成在接近掃描線520和數(shù)據(jù)線510的交叉點(diǎn)提供的溝道上，開(kāi)關(guān)晶體管T1的源電極可以通過(guò)空腔h1被連接至數(shù)據(jù)線。開(kāi)關(guān)晶體管T1的漏電極可以通過(guò)空腔h2和h3被連接至驅(qū)動(dòng)晶體管T3的柵電極。
進(jìn)一步，二極管連接晶體管T2的源電極可以通過(guò)空腔h1被連接至數(shù)據(jù)線510。二極管連接晶體管T2的柵電極和開(kāi)關(guān)晶體管T1的柵電極可以是公共電極。進(jìn)一步，晶體管T2的漏電極可以通過(guò)多晶硅層被連接至驅(qū)動(dòng)晶體管T3的漏電極。
驅(qū)動(dòng)晶體管T3可以被形成在掃描線520和電源線530交叉點(diǎn)附近，驅(qū)動(dòng)晶體管T3的柵電極可以通過(guò)空腔h3被連接至開(kāi)關(guān)晶體管T1的漏電極。進(jìn)一步，驅(qū)動(dòng)晶體管T3的源電極可以通過(guò)空腔h4被連接至電源線530，驅(qū)動(dòng)晶體管T3的漏電極可以通過(guò)多晶硅層被連接至發(fā)射控制晶體管T4的源電極。
發(fā)射控制線540可以作為發(fā)射控制晶體管T4的柵電極，發(fā)射控制晶體管T4的漏電極可以通過(guò)空腔h5被連接至像素電極。像素電極可以通過(guò)空腔h6被連接至OLED。
如圖11所示，OLED可被放置在發(fā)射控制線540、升壓控制線550、數(shù)據(jù)線510和電源線530之間的區(qū)域中。在這里，OLED可以具有矩形形狀，其中對(duì)著電源線530的邊601比對(duì)著發(fā)射控制線540的邊602長(zhǎng)。
進(jìn)一步，電容器C1和C2可以鄰接于OLED的邊601，并且它們可以與電源線530重疊。電容器C1和C2被形成為在電源線530和多晶硅層735之間具有柵電極750的雙結(jié)構(gòu)。間隙737可以被形成在多晶硅層中，從而從多晶硅層形成電容器C1和C2的兩個(gè)第一電極。
圖12是沿圖11的線I～I(xiàn)’的截面視圖，圖13示出圖12的電容器C1和C2的結(jié)構(gòu)。
如圖12所示，包括二氧化硅和氮化硅的緩沖層720可以形成在襯底710上，而多晶硅層735a和735b可以被形成在緩沖層720上。多晶硅層735a形成電容器C1的第一電極，多晶硅層735b形成電容器C2的第一電極。在這里，多晶硅層735a和735b可以被摻入預(yù)定雜質(zhì)，類似于形成像素電路501的晶體管T1、T2、T3和T4的多晶硅層。
柵極介電質(zhì)740可被形成在多晶硅層735上，柵電極750可被形成在柵極介電質(zhì)740上。柵電極750形成電容器C1和C2的第二電極。
夾層介電質(zhì)760可被形成在柵電極750上，電源線530可以形成在夾層介電質(zhì)760上。電源線530可以通過(guò)空腔h8被連接至多晶硅層735b，它可以與作為電容器C2的第一電極的多晶硅層735b等電位。
因此，如圖13所示，電容器C1的第一電極是多晶硅層735a，電容器C1的第二電極是柵電極750。電容器C2的第一電極是多晶硅層735b和電源線530，電容器C2的第二電極是柵電極750。在這里，電容器C2是多層(三層)電容器。換句話說(shuō)，電容器C2被形成在電源線530和柵電極750之間，以及柵電極750和多晶硅層735b之間。
電容器C2可以是存儲(chǔ)電容(storage capacitor)，用于存儲(chǔ)施加于OLED的用于發(fā)光的驅(qū)動(dòng)電壓，而電容器C1可以是升壓電容(boost capacitor)用于提高存儲(chǔ)在電容器C2中的驅(qū)動(dòng)電壓，當(dāng)它被連接至電容器C2時(shí)。
夾層介電質(zhì)780可被形成在電源線530上，可以省略的緩沖層790可以被形成在夾層介電質(zhì)780上。
依據(jù)本發(fā)明的第三示例性實(shí)施例的有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光顯示器件使用占用更少空間的三層電容器同時(shí)提供所需的電容。因此，OLED可以在像素區(qū)域中占用比電容器多的空間，從而提高孔徑比。
盡管已結(jié)合有機(jī)場(chǎng)致發(fā)光顯示器件來(lái)描述了本發(fā)明，但是它也可以應(yīng)用于具有兩個(gè)耦合的電容器的顯示器件以及半導(dǎo)體中。
因此，本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供了具有第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層和被連接至第一導(dǎo)電層的第三導(dǎo)電層的三層電容器。因此，電容器的第一電極由具有相同電位的第一和第三導(dǎo)電層形成，電容器的第二電極是第二導(dǎo)電層。因而，與雙層電容器相比，第一電極的寬度加倍，從而提供了高電容同時(shí)占用更少的空間。
另外，使用三層電容器的顯示面板的孔徑比可能會(huì)增大，這是因?yàn)殡娙萜髡加酶俚目臻g。
進(jìn)一步，當(dāng)像素電路具有兩個(gè)耦合電容時(shí)，在第一、第二和第三導(dǎo)電層的中間提供的電極可以延伸以形成節(jié)點(diǎn)，其中兩個(gè)電容器被連接到該接點(diǎn)而不需要額外的耦合電極來(lái)將電容器串聯(lián)。因而，兩個(gè)電容器占用更少的空間，從而提高顯示面板的孔徑比。
對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域人員來(lái)說(shuō)，很顯然，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可做各種改進(jìn)和變化。因此，就意味著本發(fā)明涵蓋了在所附權(quán)利要求及其等價(jià)物的范圍之內(nèi)提供的本發(fā)明的改進(jìn)和變化。
權(quán)利要求
1.一種電容器，包括第一半導(dǎo)體層；第一介電層，被形成在所述第一半導(dǎo)電層上；第一導(dǎo)電層，被形成在所述第一介電層上；第二介電層，被形成在所述第一導(dǎo)電層上；第二導(dǎo)電層，被形成在所述第二介電層上；其中，所述第二導(dǎo)電層被連接至所述第一半導(dǎo)體層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器，其中所述第一半導(dǎo)體層是摻入雜質(zhì)的多晶硅層；其中所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層是金屬電極層；以及空腔將所述第二導(dǎo)電層與所述第一半導(dǎo)體層相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器，其中所述電容器被連接至晶體管；以及其中所述第一半導(dǎo)體層具有等于第二半導(dǎo)體層的摻雜密度的摻雜密度，其中所述第二半導(dǎo)體層形成所述晶體管的源極區(qū)和漏極區(qū)。
4.一種電容器器件，包括多晶硅層，具有分開(kāi)形成的第一區(qū)和第二區(qū)，并且被摻入雜質(zhì)以便傳導(dǎo)；第一介電層，被形成在所述多晶硅層上；以及第一導(dǎo)電層，被形成在所述第一介電層上；其中所述第一區(qū)和所述第一導(dǎo)電層形成第一電容器；其中所述第二區(qū)和所述第一導(dǎo)電層形成第二電容器。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電容器器件，其中所述第一導(dǎo)電層是金屬電極層。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電容器器件，還包括第二介電層，被形成在所述第一導(dǎo)電層上；以及第二導(dǎo)電層，被形成在所述第二介電層上，其中，所述第二導(dǎo)電層被連接至所述第一區(qū)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電容器器件，其中所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層是金屬電極層。
8.一種顯示器件，包括掃描線，在第一方向上延伸，并且傳輸選擇信號(hào)；數(shù)據(jù)線，在與所述掃描線交叉的第二方向上延伸，并傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)；以及像素電路，被連接至所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線，其中所述像素電路包括連接至所述數(shù)據(jù)線的第一晶體管；電容器，用于充相應(yīng)于通過(guò)所述第一晶體管傳輸?shù)臄?shù)據(jù)信號(hào)的電壓；第二晶體管，具有連接至所述電容器的第一電極的控制電極；連接至所述第二晶體管的發(fā)光元件，其中，所述電容器包括第一導(dǎo)電層；第一介電層，被形成在所述第一導(dǎo)電層上；第二導(dǎo)電層，被形成在所述第一介電層上；第二介電層，被形成在所述第二導(dǎo)電層之上；以及第三導(dǎo)電層，被形成在所述第二介電層上，其中，所述第一導(dǎo)電層是摻入雜質(zhì)的第一多晶硅層；以及其中，所述第三導(dǎo)電層被連接至所述第一導(dǎo)電層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示器件，還包括第二多晶硅層，形成所述第一晶體管的源極區(qū)和漏極區(qū)以及所述第二晶體管的源極區(qū)和漏極區(qū)；其中所述第一導(dǎo)電層被形成在與所述第二多晶硅層相同的層上；以及其中所述第一導(dǎo)電層和所述第二多晶硅層是同一傳導(dǎo)類型。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示器件，其中所述第二導(dǎo)電層是形成在與所述掃描線相同的層上的金屬電極層；以及其中所述第三導(dǎo)電層是形成在與所述數(shù)據(jù)線相同的層上的金屬電極層。
11.一種顯示器件，包括在第一方向上延伸的掃描線，用于傳輸選擇信號(hào)；在與掃描線交叉的第二方向上延伸的數(shù)據(jù)線，用于傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)；像素電路，被連接至所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線，其中所述像素電路包括第一晶體管，具有被連接至數(shù)據(jù)線的第一電極以及第二電極，響應(yīng)于所述選擇信號(hào)而被導(dǎo)通，并且輸出所述數(shù)據(jù)信號(hào)；第一電容器，具有被連接至所述第一晶體管的所述第二電極的第一電極，且由相應(yīng)于所述數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓充電；第二晶體管，用于輸出相應(yīng)于在所述第一電容器中存儲(chǔ)的電壓的電流；第二電容器，具有被串聯(lián)連接至所述第一電容器的所述第一電極的第一電極；以及發(fā)光元件，被連接至所述第二晶體管，其中，形成所述像素電路的像素區(qū)域包括第一導(dǎo)電層，具有第一傳導(dǎo)區(qū)和第二傳導(dǎo)區(qū)；第一介電層，被形成在所述第一導(dǎo)電層上；以及第二導(dǎo)電層，被形成在所述第一介電層上，其中，所述第一傳導(dǎo)區(qū)形成所述第一電容器的第二電極，而所述第二傳導(dǎo)區(qū)形成所述第二電容器的第二電極；以及其中，所述第二導(dǎo)電層形成所述第一電容器的第一電極和所述第二電容器的第一電極。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示器件，其中所述第一導(dǎo)電層是摻入雜質(zhì)的多晶硅層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示器件，所述第一導(dǎo)電層的傳導(dǎo)類型與所述第一晶體管和所述第二晶體管中的至少一個(gè)的多晶硅層的傳導(dǎo)類型相同。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示器件，其中所述像素區(qū)域還包括第二介電層，被形成在所述第二導(dǎo)電層上；以及電源線，被形成在所述第二介電層上。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示器件，其中所述第一傳導(dǎo)區(qū)被連接至所述電源線。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的顯示器件，其中所述電源線與所述第一傳導(dǎo)區(qū)重疊，并且具有與所述第一傳導(dǎo)區(qū)相似的形狀。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的顯示器件，其中所述第二導(dǎo)電層通過(guò)空腔被連接至所述第一晶體管的所述第二電極。
18.一種顯示面板，包括在第一方向上延伸的掃描線，用于傳輸選擇信號(hào)；在與所述掃描線交叉的第二方向上延伸的數(shù)據(jù)線，用于傳輸數(shù)據(jù)電流；以及像素電路，被連接至所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線，其中所述像素電路包括第一晶體管，由所述選擇信號(hào)導(dǎo)通，用于傳輸數(shù)據(jù)電流；第二晶體管，輸出相應(yīng)于所述數(shù)據(jù)電流的電流；第一電容器，被連接在所述第二晶體管的源電極和柵電極之間；第二電容器，被連接在信號(hào)控制線和所述第二晶體管的柵電極之間，并且被連接至所述第一電容器以控制施加于所述第二晶體管的柵電極的電壓；第三晶體管，由所述選擇信號(hào)導(dǎo)通，用于傳輸所述數(shù)據(jù)電流到所述第二晶體管的漏電極；以及發(fā)光元件，被連接至所述第二晶體管，其中，所述第一電容器和所述第二電容器所處的區(qū)域包括摻入雜質(zhì)以用于傳導(dǎo)的第一多晶硅層，包含第一區(qū)和第二區(qū)；第一介電層，被形成在所述第一多晶硅層上；以及第一導(dǎo)電層，被形成在所述第一介電層上，其中，所述第一區(qū)形成所述第一電容器的第一電極，所述第二區(qū)形成所述第二電容器的第一電極；以及其中，所述第一導(dǎo)電層形成所述第一電容器的第二電極和所述第二電容器的第二電極。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的顯示面板，其中所述第一電容器和所述第二電容器所處的區(qū)域還包括第二介電層，被形成在所述第一導(dǎo)電層上；以及第二導(dǎo)電層，被形成在所述第二介電層上，其中，所述第二導(dǎo)電層被連接至所述第一多晶硅層的所述第一區(qū)。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示面板，其中所述第二導(dǎo)電層是向所述第一電容器的第一電極和所述第二晶體管的源電極傳輸電源電壓的電源線。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的顯示面板，其中所述第一多晶硅層鄰接于其中提供發(fā)光元件的區(qū)域的一邊排列。
22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的顯示面板，其中所述第一多晶硅層的第一區(qū)比所述第一多晶硅層的第二區(qū)大。
23.根據(jù)權(quán)利要求18所述的顯示面板，其中所述第一、第二和第三晶體管的源極區(qū)和漏極區(qū)分別由摻入雜質(zhì)的第二、第三和第四多晶硅層形成；以及其中，所述第一多晶硅層和所述第二多晶硅層被摻入相同類型的雜質(zhì)。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的顯示面板，其中所述第一多晶硅層的摻雜密度與所述第二、第三和第四多晶硅層中的至少一個(gè)的摻雜密度相同。
25.根據(jù)權(quán)利要求18所述的顯示面板，其中所述像素電路還包括第四晶體管，用于選擇性地傳輸從所述第二晶體管輸出的電流。
全文摘要
一種電容器，包括多晶硅層，被摻入雜質(zhì)用以傳導(dǎo)；第一介電層，被形成在所述多晶硅層上；第一導(dǎo)電層，被形成在所述第一介電層上；第二介電層，被形成在所述第一導(dǎo)電層上；以及第二導(dǎo)電層，被形成在所述第一介電層上。所述第二導(dǎo)電層被連接至所述多晶硅層。
文檔編號(hào)H01L31/12GK1716479SQ20051007381
公開(kāi)日2006年1月4日 申請(qǐng)日期2005年5月24日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月24日
發(fā)明者郭源奎, 金禁男 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社