專利名稱：制備有機發(fā)光顯示器的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種平板顯示器，尤其涉及一種制備有機發(fā)光顯示器的方法，該方法能夠通過用熱轉(zhuǎn)印方法構(gòu)圖多個有機層以優(yōu)化與R、G和B像素相應(yīng)的有機層的厚度來改進裝置的特性。
背景技術(shù)：
通常，有機發(fā)光顯示器(OLED)包括在絕緣基板上形成的下和上電極以及在下和上電極之間形成的多個有機層。根據(jù)各層的功能該有機層選自于空穴注入層、空穴輸運層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子輸運層、和電子注入層。顯示器具有由透明電極或不透明電極形成的上和下電極，從而使顯示器具有這種結(jié)構(gòu)，即光從有機層朝著絕緣基板發(fā)射或沿著與絕緣基板相反的方向發(fā)射，或者既朝著絕緣基板還沿著與絕緣基板相反的方向發(fā)射。
當用現(xiàn)有技術(shù)生產(chǎn)全色OLED時，R、G和B像素的光學厚度不同，導致色坐標和效率特性惡化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明通過提供一種制備頂端發(fā)射OLED的生產(chǎn)方法解決了前面提及的問題，該方法能夠通過用熱轉(zhuǎn)印方法形成多個有機層來改進色坐標和效率特性。
在本發(fā)明的代表性實施例中，制備OLED的方法包括在基板上形成R、G和B像素的下電極；在該基板上形成有機層；以及在該有機層上形成上電極。有機層的形成包括在基板整個表面上形成R、G和B像素的空穴注入層和空穴輸運層厚度之和的一部分、構(gòu)圖空穴注入層和空穴輸運層厚度之和的其余部分以及構(gòu)圖R、G和B像素的發(fā)光層。使用具有R、G和B像素的空穴注入層和空穴輸運層的其余部分以及發(fā)光層作為轉(zhuǎn)印層的熱轉(zhuǎn)印裝置通過熱轉(zhuǎn)印方法同時形成R、G和B像素的空穴注入層和空穴輸運層的其余部分以及發(fā)光層。
有機層可以是有機薄層。作為電荷輸運層的R、G和B像素的空穴注入層和空穴輸運層的厚度之和大約為350。R、G和B像素的發(fā)光層的厚度分別大約為300～400、250～350和100～200。R、G和B像素的空穴阻擋層和電子輸運層的厚度之和大約為300。最后，每一個厚度具有大約50～200的公差。
有機層可以是有機層。作為電荷輸運層的R、G和B像素的空穴注入層和空穴輸運層的厚度之和分別大約為2350、1700和1350。R、G和B像素的發(fā)光層的厚度分別大約為300～400、250～350和100～200。R、G和B像素的空穴阻擋層和電子輸運層的厚度之和大約為350。最后，每一個厚度具有大約50～200的公差。
在根據(jù)本發(fā)明的另一代表性實施例中，制備OLED的方法包括在基板上形成R、G和B像素的下電極；在該基板上形成有機層；以及在該有機層上形成上電極。有機層的形成包括在基板整個表面的上方形成R、G和B像素的空穴注入層、在基板整個表面的上方形成具有R、G和B像素空穴輸運層的最小厚度的空穴輸運層作為公共層、構(gòu)圖其余像素的空穴輸運層以及構(gòu)圖R、G和B像素的發(fā)光層。具有最小厚度的R、G和B像素空穴輸運層的像素只允許發(fā)光層用具有發(fā)光層作為轉(zhuǎn)印層的熱轉(zhuǎn)印裝置通過熱轉(zhuǎn)印方法構(gòu)圖，同時其余像素允許空穴輸運層和發(fā)光層分別用具有空穴輸運層和發(fā)光層作為轉(zhuǎn)印層的熱轉(zhuǎn)印裝置通過熱轉(zhuǎn)印方法同時形成。
R、G和B像素中包括具有最小厚度的空穴輸運層的像素是B像素；作為電荷輸運層的R、G和B像素的空穴注入層和空穴輸運層的厚度之和分別大約為2350、1700和1350。R、G和B像素的發(fā)光層的厚度分別大約為300～400、250～350和100～200。R、G和B像素的空穴阻擋層和電子輸運層的厚度之和大約為350。最后，每一個厚度具有大約50～200的公差。


通過參考下面的詳細描述，同時結(jié)合附圖進行考慮時，對本發(fā)明更加全面的評價和其隨之產(chǎn)生的許多優(yōu)勢變得更好理解和顯而易見，在附圖中相同的附圖標記表示相同或相似的元件，其中圖1是頂端發(fā)射OLED的橫截面圖；圖2是依照本發(fā)明第一實施例的OLED的橫截面圖；圖3A和3B是說明依照本發(fā)明第一實施例用熱轉(zhuǎn)印方法制備OLED的方法的工序的橫截面圖；圖4是依照本發(fā)明第二實施例的OLED的橫截面圖；圖5是依照本發(fā)明第三實施例的OLED的橫截面圖；圖6A到6C是說明依照本發(fā)明第三實施例用熱轉(zhuǎn)印方法制備OLED的方法的工序的橫截面圖；具體實施方式
下文將參考附圖描述本發(fā)明的實施例。
圖1是頂端發(fā)射OLED的橫截面圖。
參考圖1，在絕緣基板100上分離地形成R、G和B像素的陽極電極111、113和115，在該絕緣基板100的上方形成一個有機層或多個有機層，在該一個有機層(或多個有機層)的上方形成陰極電極170。
在具有R、G和B像素的陽極電極111、113和115形成在其上的絕緣基板100整個表面的上方依次形成有機層，例如空穴注入層120和空穴輸運層130。分別對應(yīng)于R、G和B像素的陽極電極111、113和115形成R、G和B像素的發(fā)光層141、143和145，在空穴輸運層130整個表面的上方依次形成空穴阻擋層150和電子輸運層160以覆蓋R、G和B像素的發(fā)光層141、143和145。
R、G和B像素的發(fā)光層(EML)141、143和145具有與每一個R、G和B顏色相稱的厚度，并分別形成在R、G和B像素的陽極電極111、113和115的上方。在基板100整個表面的上方形成例如空穴注入層(HIL)120和空穴輸運層(HTL)130的電荷輸運層，以及例如空穴阻擋層(HBL)150和電子輸運層(ETL)160的公共層。
用淀積法在基板100整個表面的上方形成電荷輸運層，例如空穴注入層120和空穴輸運層130，用使用蔭罩的淀積法形成R、G和B像素的發(fā)光層141、143和145，用淀積法在基板100整個表面的上方形成公共層，例如空穴阻擋層150和電子輸運層160。
圖2是依照本發(fā)明第一實施例的OLED的橫截面圖。該OLED包括有機薄層。
參考圖2，在基板200上分離地形成R、G和B像素的陽極電極211、213和215作為下電極，在該基板200的上方形成有機層(下面描述)，在該有機層上形成陰極電極270作為上電極。陰極電極270由透明電極或半透明電極構(gòu)成，從有機層中發(fā)出的光沿遠離基板200的方向發(fā)射。該有機層包括分別對應(yīng)于R、G和B像素的陽極電極211、213和215構(gòu)圖的R、G和B像素的發(fā)光層241、243和245以及在該發(fā)光層241、243和245的上面和下面形成的電荷輸運層(下面描述)。
電荷輸運層包括在R、G和B像素的陽極電極211、213和215與R、G和B像素的發(fā)光層241、243和245之間形成的空穴注入層220和空穴輸運層230(231，233，235)。此外，電荷輸運層還包括在R、G和B發(fā)光層241、243和245與陰極電極270之間形成的空穴阻擋層250和電子輸運層260。
在R、G和B像素的陽極電極211、213和215與R、G和B像素的發(fā)光層241、243和245之間形成的電荷輸運層的一部分對應(yīng)于R、G和B像素的發(fā)光層241、243和245構(gòu)圖。
依據(jù)本發(fā)明的第一實施例，在空穴輸運層230和空穴注入層220中，只對空穴輸運層230構(gòu)圖。空穴輸運層230分別包括R、G和B空穴輸運層231、233和235，該R、G和B空穴輸運層231、233和235分別包括在基板200整個表面的上方形成的公共層230a以及相應(yīng)于R和G發(fā)光層241和243形成的構(gòu)圖層231b和233b。在基板200整個表面的上方形成公共層230a，R、G和B像素的空穴輸運層231、233和235中的一個具有最小的厚度。例如，用淀積法形成公共層230a，從而使B像素的空穴輸運層235具有分別相對于R和G像素的空穴輸運層231和233最小的厚度。
之后，通過用熱轉(zhuǎn)印方法同時對空穴輸運層230的構(gòu)圖層231b、233b和發(fā)光層241、243、245構(gòu)圖，相應(yīng)于R、G和B像素的陽極電極211、213和215形成空穴輸運層231、233和235的構(gòu)圖層231b、233b以及發(fā)光層241、243、245。下面將參考圖3A和3B以及表1來描述用熱轉(zhuǎn)印法同時對空穴輸運層230和發(fā)光層241、243、245構(gòu)圖的方法。
<表1>

表1代表當陰極電極270采用具有大約125的厚度的銦錫氧化物(ITO)并且用厚層的形式來形成該有機層時，相應(yīng)于R、G和B像素的光學上最佳化的厚度。在這種情況下，每一層的厚度具有大約50～200的公差。
首先，參考圖3A，在基板200整個表面的上方用淀積法形成空穴注入層220，其中該基板220的上面形成R、G和B像素的陽極電極211、213和215，用與形成空穴注入層220所用的淀積法類似的淀積法在空穴注入層220的整個表面上形成空穴輸運層230的一部分(即空穴輸運層230的公共層230a)。根據(jù)具有R、G和B像素空穴輸運層230和空穴注入層220的最小厚度之和的像素確定空穴輸運層230的公共層230a的淀積厚度和空穴注入層220的淀積厚度。因此，將空穴輸運層230的公共層230a和空穴注入層220淀積到大約1350的厚度，該厚度等于B像素的空穴輸運層231與空穴注入層220的厚度之和，如表1中所示。
接下來，準備用來對R空穴輸運層231的構(gòu)圖層231b和R發(fā)光層241構(gòu)圖的熱轉(zhuǎn)印裝置310。該熱轉(zhuǎn)印裝置310包括底部基體311、形成在底部基體311上的光熱轉(zhuǎn)換層321、作為轉(zhuǎn)印層的用于形成R空穴輸運層231的有機層331以及用于形成R發(fā)光層241的有機層341。
參考圖3A，將激光400輻射到熱轉(zhuǎn)印裝置310上，同時對有機層331和341構(gòu)圖以形成構(gòu)圖層231b和發(fā)光層241。結(jié)果，在R陽極電極211上方的R空穴輸運層231的公共層230a上形成了R空穴輸運層231的構(gòu)圖層231b和R發(fā)光層241。
參考圖3B，在本發(fā)明的第一實施例中，空穴輸運層230包括在基板200整個表面的上方形成的公共層230a以及分別相應(yīng)于R和G像素的發(fā)光層241和243形成的構(gòu)圖層231b和233b。R像素包括具有公共層230a和構(gòu)圖層231b的R空穴輸運層231，G像素包括具有公共層230a和構(gòu)圖層233b的G空穴輸運層233，B像素包括只具有公共層230a的B空穴輸運層235。在這一點上，由于對應(yīng)于R、G和B像素的空穴輸運層230和空穴注入層220的厚度之和如表1中所示彼此不同，因此R和G像素各自的空穴輸運層231和233的構(gòu)圖層231b和233b的厚度也彼此不同。
接下來，準備用于對G空穴輸運層233的構(gòu)圖層233b和G發(fā)光層243構(gòu)圖的熱轉(zhuǎn)印裝置330。該熱轉(zhuǎn)印裝置330包括底部基體313、形成在底部基體313上的光熱轉(zhuǎn)換層323、作為轉(zhuǎn)印層的用于形成G空穴輸運層233的有機層333以及用于形成G發(fā)光層243的有機層343。
將激光400輻射到該熱轉(zhuǎn)印裝置330上，同時對有機層333和343構(gòu)圖以形成構(gòu)圖層和發(fā)光層，即以在G陽極電極213上方的空穴輸運層230的公共層230a上形成G空穴輸運層233的構(gòu)圖層233b和G發(fā)光層243。最后，將激光輻射到用于形成B發(fā)光層245(圖2)的熱轉(zhuǎn)印裝置(未示出)上，同時對該熱轉(zhuǎn)印裝置構(gòu)圖。因此，在B像素的陽極電極215上方的公共層230a上形成了該B發(fā)光層245。在這一點上，在B像素的情況下，由于B空穴輸運層235作為公共層230a已經(jīng)形成了，所以除用于B空穴輸運層235的有機層外，用于B像素的熱轉(zhuǎn)印裝置只包括用于B發(fā)光層245的有機層。
圖4是依照本發(fā)明第二實施例的OLED的橫截面圖。
參考圖4，在基板400上分離地形成R、G和B像素的陽極電極411、413和415作為下電極，在該基板400的上方形成有機層(下面描述)，在該有機層上形成陰極電極470作為上電極。該陰極電極470由透明電極或半透明電極構(gòu)成，從有機層中發(fā)出的光沿遠離該基板400的方向發(fā)射。該有機層包括對應(yīng)于R、G和B像素的陽極電極411、413和415構(gòu)圖的R、G和B像素的發(fā)光層441、443和445以及在發(fā)光層441、443和445的上面和下面形成的電荷輸運層。
該電荷輸運層包括在R、G和B像素的陽極電極411、413和415與R、G和B像素的發(fā)光層441、443和445之間形成的空穴注入層420和空穴輸運層430。此外，該電荷輸運層還包括在R、G和B發(fā)光層441、443和445與該陰極電極470之間形成的空穴阻擋層450和電子輸運層460。
對應(yīng)于R、G和B像素的發(fā)光層441、443和445對形成在R、G和B像素的陽極電極411、413和415(即R、G和B像素的下電極)與發(fā)光層441、443和445之間的電荷輸運層的一部分構(gòu)圖。
在本發(fā)明的第二實施例中，空穴注入層420和空穴輸運層430之中，只將空穴輸運層430對應(yīng)于R、G和B像素構(gòu)圖到預定厚度?？梢詫?yīng)于R、G和B像素對空穴輸運層430整體構(gòu)圖，或者可以對應(yīng)于R、G和B像素整體構(gòu)圖空穴注入層420和空穴輸運層430，或者可以對應(yīng)于R、G和B像素構(gòu)圖空穴注入層420的一部分并且可以對應(yīng)于R、G和B像素對空穴輸運層430整體構(gòu)圖。圖4說明了對應(yīng)于R、G和B像素只對空穴輸運層430的一部分構(gòu)圖的方法。
空穴輸運層430包括在基板400整個表面的上方形成的公共層430a以及分別對應(yīng)于R、G和B發(fā)光層441、443和445形成的構(gòu)圖層431b、433b和435b。R像素包括具有公共層430a和構(gòu)圖層431b的R空穴輸運層431，G像素包括具有公共層430a和構(gòu)圖層433b的G空穴輸運層433，B像素包括具有公共層430a和構(gòu)圖層435b的B空穴輸運層435。
R、G和B像素的空穴輸運層430和空穴注入層420的厚度之和成為空穴注入層420與空穴輸運層430的公共層430a和R、G和B構(gòu)圖層431b、433b和435b的厚度之和。此外，R、G和B像素構(gòu)圖層431b、433b和435b具有彼此不同的值。在這一點上，當R、G和B像素的空穴注入層420和空穴輸運層430的厚度之和分別為yr、yg和yb以及當空穴輸運層430的公共層430a與空穴注入層420的厚度之和為x時，則R、G和B像素空穴輸運層430的構(gòu)圖層431b、433b和435b的厚度xr、xg和xb分別為yr-x、yg-x和yb-x。例如，當x為1300時，由于表1中yr、yg和yb分別為2350、1700和1350，因此xr、xg和xb分別成為1050、400和50。
因此，在本發(fā)明的第二實施例中，由R、G和B像素中空穴注入層420與空穴輸運層430的最小的厚度之和確定空穴注入層420的構(gòu)圖部分和空穴輸運層430的厚度，并且由B像素的空穴注入層420與空穴輸運層433的厚度之和確定空穴注入層420的構(gòu)圖部分和空穴輸運層430的厚度。也就是說，空穴注入層420的構(gòu)圖部分和空穴輸運層430的厚度大于零，且等于或小于空穴注入層420和空穴輸運層430的厚度。在這一點上，構(gòu)圖部分的厚度大于零意味著至少對空穴輸運層430和空穴注入層420的一部分構(gòu)圖，構(gòu)圖部分的厚度等于空穴注入層420和空穴輸運層430的厚度意味著對空穴注入層420和空穴輸運層430的整體構(gòu)圖。
用與圖3A和3B中示出的第一實施例中相同的方法進行形成有機層的工序，只是用于對B像素的空穴輸運層435和發(fā)光層445構(gòu)圖的熱轉(zhuǎn)印裝置還包括用于對空穴輸運層435和發(fā)光層445構(gòu)圖的兩個有機層。
圖5是根據(jù)本發(fā)明第三實施例的OLED的橫截面圖，該OLED包括有機薄層。
參考圖5，在基板500上分離地形成R、G和B像素的陽極電極511、513和515作為下電極，在該基板500的上方形成有機層，在該有機層上形成陰極電極570作為上電極。作為上電極的該陰極電極570由透明電極或半透明電極構(gòu)成，從該有機層中發(fā)出的光沿著遠離該基板500的方向發(fā)射。該有機層包括對應(yīng)于R、G和B像素的陽極電極511、513和515構(gòu)圖的R、G和B像素的發(fā)光層541、543和545以及在該發(fā)光層541、543和545的上面和下面形成的電荷輸運層。
該電荷輸運層包括在R、G和B像素的陽極電極511、513和515與R、G和B像素的發(fā)光層541、543和545之間形成的空穴注入層520和空穴輸運層530。此外，該電荷輸運層還包括在R、G和B發(fā)光層541、543和545與陰極電極570之間形成的空穴阻擋層550和電子輸運層560。
在陽極電極511、513和515(即R、G和B像素的下電極)與R、G和B像素的發(fā)光層541、543和545之間形成的該電荷輸運層的一部分對應(yīng)于R、G和B像素的發(fā)光層541、543和545構(gòu)圖。
在本發(fā)明的第三實施例中，空穴注入層520和空穴輸運層530之中，只將空穴輸運層530對應(yīng)于R、G和B像素構(gòu)圖到均勻的厚度。可以對應(yīng)于R、G和B像素對空穴輸運層530整體構(gòu)圖，或者可以對應(yīng)于R、G和B像素對空穴注入層520和空穴輸運層530整體構(gòu)圖，或者可以對應(yīng)于R、G和B像素對空穴注入層520的一部分構(gòu)圖并且對應(yīng)于R、G和B像素對空穴輸運層530整體構(gòu)圖。圖5說明了對應(yīng)于R、G和B像素只對空穴輸運層530的一部分構(gòu)圖的方法。
空穴輸運層530包括在基板500整個表面的上方形成的公共層530a和分別對應(yīng)于R、G和B發(fā)光層541、543和545形成的構(gòu)圖層531b、533b和535b。R像素包括具有公共層530a和構(gòu)圖層531b的R空穴輸運層531，G像素包括具有公共層530a和構(gòu)圖層533b的G空穴輸運層533，B像素包括具有公共層530a和構(gòu)圖層535b的B空穴輸運層535。
因此，R、G和B像素的空穴輸運層530和空穴注入層520的厚度之和成為空穴注入層520以及空穴輸運層530的公共層530a和R、G和B構(gòu)圖層531b、533b和535b的厚度之和。在使用有機薄層的第三實施例中，與第二實施例相比，由于R、G和B像素的空穴輸運層530和空穴注入層520的厚度如表2中所示是相同的，所以構(gòu)圖層531b、533b和535b的厚度具有相同的值。在這一點上，當R、G和B像素的空穴注入層520和空穴輸運層530的厚度之和為y，并且當空穴輸運層530的公共層530a和空穴注入層520的厚度之和為x時，R、G和B像素的空穴輸運層530的構(gòu)圖層531b、533b和535b的厚度xr、xg和xb均為y-x。例如，當x為100時，由于表2中y為350，所以xr、xg和xb均為250。
因此，在本發(fā)明的第三實施例中，由于由空穴注入層520和空穴輸運層530的厚度之和確定空穴注入層520和空穴輸運層530構(gòu)圖部分的厚度，所以空穴注入層520和空穴輸運層530構(gòu)圖部分的厚度大于零，并等于或小于空穴注入層520和空穴輸運層530的厚度。
在這一點中，構(gòu)圖部分的厚度大于零意味著至少對空穴輸運層530和空穴注入層520的一部分構(gòu)圖，構(gòu)圖部分的厚度等于空穴注入層520和空穴輸運層530的厚度意味著對空穴注入層520和空穴輸運層530整體構(gòu)圖。
將參考圖6A到6C和表2描述通過用熱轉(zhuǎn)印方法同時對空穴輸運層530和發(fā)光層541、543、545構(gòu)圖的方法來形成有機層的工藝。
<表2>

表2代表當陰極電極570包括具有大約125的厚度的ITO并且由薄層來形成該有機層時，對應(yīng)于R、G和B像素的光學上最佳化的厚度。在這一點上，每一層的厚度具有大約50～200的公差。
首先，參考圖6A，在基板500的整個表面上用淀積法形成空穴注入層520，其中該基板520上形成了R、G和B像素的陽極電極511、513和515，用與形成空穴注入層520所用的淀積方法類似的淀積方法在空穴注入層520的整個表面上形成空穴輸運層530的一部分(即空穴輸運層530的公共層530a)。
接下來，準備用來對R空穴輸運層531的構(gòu)圖層531b和R發(fā)光層541構(gòu)圖的熱轉(zhuǎn)印裝置610。該熱轉(zhuǎn)印裝置610包括底部基體611、在底部基體611上形成的光熱轉(zhuǎn)換層621、作為轉(zhuǎn)印層的用于形成R空穴輸運層531的有機層631以及用于形成R發(fā)光層的有機層641。
將激光700輻射到該熱轉(zhuǎn)印裝置610上，同時對有機層631和641構(gòu)圖以形成構(gòu)圖層531b和發(fā)光層541。結(jié)果，在R陽極電極511上方的空穴輸運層530的公共層530a上形成了R空穴輸運層531的構(gòu)圖層531b和R發(fā)光層541。
接下來，如圖6B中所示，準備用于對G空穴輸運層533的構(gòu)圖層533b和G發(fā)光層543構(gòu)圖的熱轉(zhuǎn)印裝置630。該熱轉(zhuǎn)印裝置630包括底部基體613、形成在底部基體613上的光熱轉(zhuǎn)換層623、作為轉(zhuǎn)印層的用于形成G空穴輸運層533的有機層633以及用于形成G發(fā)光層543的有機層643。
將激光700輻射到熱轉(zhuǎn)印裝置630上，同時對有機層633和643構(gòu)圖以形成構(gòu)圖層533b和發(fā)光層543。結(jié)果，在G陽極電極513上方的空穴輸運層530的公共層530a上形成了G空穴輸運層533的構(gòu)圖層533b和G發(fā)光層543。
最后，如圖6C中所示，準備用于對B空穴輸運層535的構(gòu)圖層535b和B發(fā)光層545構(gòu)圖的熱轉(zhuǎn)印裝置650。該熱轉(zhuǎn)印裝置650包括底部基體615、形成在底部基體615上的光熱轉(zhuǎn)換層625、作為轉(zhuǎn)印層的用于形成B空穴輸運層535的有機層635以及用于形成B發(fā)光層545的有機層645。
將激光700輻射到熱轉(zhuǎn)印裝置650上，同時對有機層635和645構(gòu)圖以形成構(gòu)圖層535b和發(fā)光層545。因此，在B陽極電極515上方的公共層530a上形成了B空穴輸運層535的構(gòu)圖層535b和發(fā)光層545。
雖然本發(fā)明的實施例將熱轉(zhuǎn)印裝置描述為具有這樣一種結(jié)構(gòu)，即光熱轉(zhuǎn)換層和轉(zhuǎn)印層淀積在底部基體上，但是可以在其間設(shè)置用于改進熱轉(zhuǎn)印特性的層(例如，中間層等)。此外，可以根據(jù)工藝條件和裝置特性的變化改變表1和2中所述的厚度。
正如從前面的描述中可以看出的，由于用熱轉(zhuǎn)印方法同時對電荷輸運層和發(fā)光層構(gòu)圖，因此本發(fā)明的方法能夠通過優(yōu)化依據(jù)R、G和B像素的光學厚度而改進色坐標和效率特性，因此改進了顯示質(zhì)量并適用于高分辨率OLED。
雖然參考其特定的實施例對本發(fā)明進行了描述，但本領(lǐng)域技術(shù)人員將認識到，在不偏離附加的權(quán)利要求和其等效物所限定的本發(fā)明精神和范圍的條件下，可以對本發(fā)明進行各種修改和變化。
權(quán)利要求
1.一種制備有機電致發(fā)光顯示器(OLED)的方法，包括如下步驟在基板上形成R、G和B像素的下電極；在所述基板的上方形成有機層；以及在所述有機層上形成上電極；其中形成該有機層的步驟包括在所述基板整個表面的上方形成R、G和B像素的空穴注入層和空穴輸運層，所述有機層包括第一部分和第二部分，所述有機層具有與所述空穴注入層和空穴輸運層的厚度之和相等的厚度；所述的形成有機層的步驟還包括構(gòu)圖該有機層的第二部分和構(gòu)圖R、G和B像素的發(fā)光層，其中用具有所述有機層的第二部分和R、G和B像素的發(fā)光層作為轉(zhuǎn)印層的熱轉(zhuǎn)印裝置通過熱轉(zhuǎn)印方法來同時形成有機層的第二部分和R、G和B像素的發(fā)光層。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中作為電荷輸運層的R、G和B像素的空穴注入層和空穴輸運層的厚度之和大約為350，R、G和B發(fā)光層的厚度分別大約為300～400、250～350和100～200；R、G和B像素的空穴阻擋層和電子輸運層的厚度之和大約為300；并且每一個厚度具有大約50～200的公差。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中作為電荷輸運層的R、G和B像素的空穴注入層和空穴輸運層的厚度之和分別大約為2350、1700和1350；R、G和B發(fā)光層的厚度分別大約為300～400、250～350和100～200；R、G和B像素的空穴阻擋層和電子輸運層的厚度之和大約為350；并且每一個厚度具有大約50～200的公差。
4.一種制備有機電致發(fā)光顯示器(OLED)的方法，包括如下步驟在基板上形成R、G和B像素的下電極；在所述基板的上方形成有機層；以及在所述有機層上形成上電極；其中所述形成有機層的步驟包括在所述基板整個表面的上方形成R、G和B像素的空穴注入層，在所述基板整個表面的上方形成R、G和B像素空穴輸運層中具有最小厚度的空穴輸運層作為公共層，構(gòu)圖其余像素的空穴輸運層以及構(gòu)圖R、G和B像素的發(fā)光層；其中具有最小厚度的R、G和B像素的空穴輸運層的像素只允許發(fā)光層用具有發(fā)光層作為轉(zhuǎn)印層的熱轉(zhuǎn)印裝置通過熱轉(zhuǎn)印方法構(gòu)圖，其余像素允許空穴輸運層和發(fā)光層用具有空穴輸運層和發(fā)光層作為轉(zhuǎn)印層的熱轉(zhuǎn)印裝置通過熱轉(zhuǎn)印方法分別同時形成。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中包括具有R、G和B像素空穴輸運層中最小厚度的空穴輸運層的像素是B像素；作為電荷輸運層的R、G和B像素的空穴注入層和空穴輸運層的厚度之和分別大約為2350、1700和1350；R、G和B像素的發(fā)光層的厚度分別大約為300～400、250～350和100～200；R、G和B像素的空穴阻擋層和電子輸運層的厚度之和大約為350；并且每一個厚度具有大約50～200的公差。
全文摘要
本發(fā)明提供一種制備有機發(fā)光顯示器的方法，能夠通過用熱轉(zhuǎn)印方法構(gòu)圖發(fā)光層和電荷輸運層的多個有機層來優(yōu)化相應(yīng)于R、G和B像素的有機層的厚度，從而改進裝置的特性。該方法包括在基板上形成R、G和B像素的下電極；形成有機層；及形成上電極。形成有機層包括在基板整個表面的上方形成R、G和B像素的空穴注入層和輸運層的一部分，有機層包括第一和第二部分，并具有與空穴注入層和輸運層的厚度之和相等的厚度。有機層的形成還包括構(gòu)圖有機層的第二部分和構(gòu)圖R、G和B像素的發(fā)光層。用具有有機層的第二部分和R、G和B像素的發(fā)光層作為轉(zhuǎn)印層的熱轉(zhuǎn)印裝置通過熱轉(zhuǎn)印方法來同時形成該有機層的第二部分和R、G和B像素的發(fā)光層。
文檔編號H05B33/20GK1658718SQ20041009975
公開日2005年8月24日 申請日期2004年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月19日
發(fā)明者金茂顯, 陳炳斗, 李城宅 申請人:三星Sdi株式會社