專利名稱：全懸浮晶閘管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及晶閘管，具體為一種全懸浮晶閘管。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的晶閘管包含管殼體、管殼蓋、位于殼體內(nèi)的由PNPN四層半導體構(gòu)成的硅片(也稱晶閘管管芯)，在硅片的上、下設(shè)有鉬片。現(xiàn)有的晶閘管將半導體硅片和鉬片(特別是陽極側(cè)的鉬片)在高溫下利用焊料焊接在一起，使鉬片和硅片(管芯)成為一體。由于硅片和鉬片的膨脹系數(shù)不同，容易產(chǎn)生熱應(yīng)力，特別是大直徑晶閘管的熱應(yīng)力表現(xiàn)的更為明顯，嚴重影響晶閘管的性能。所以目前晶閘管大都限制在3英寸以下，使生產(chǎn)特大功率晶閘管受到限制。

發(fā)明內(nèi)容
本實用新型針對現(xiàn)有晶閘管局部結(jié)構(gòu)存在的問題，提供一種相應(yīng)局部結(jié)構(gòu)改進的晶閘管——全懸浮晶閘管。
本實用新型是采用如下技術(shù)方案實現(xiàn)的全懸浮晶閘管，包含管殼體、管殼蓋、位于殼體內(nèi)的由PNPN四層半導體構(gòu)成的硅片，在硅片的上、下設(shè)有鉬片，鉬片與硅片之間為分體結(jié)構(gòu)，鉬片和硅片壓接在管殼蓋與管殼體之間。該全懸浮晶閘管改變了現(xiàn)有晶閘管鉬片與硅片之間的焊接連接結(jié)構(gòu)，依靠管殼蓋和管殼體之間的裝配壓力實現(xiàn)鉬片與硅片之間的壓接，克服了現(xiàn)有晶閘管鉬片與硅片之間焊接聯(lián)接所帶來的缺陷和不足。
本實用新型所述的全懸浮晶閘管在現(xiàn)有晶閘管的基礎(chǔ)上，通過改變晶閘管中的鉬片和硅片之間的聯(lián)接結(jié)構(gòu)，解決了現(xiàn)有晶閘管一直無法解決的提高電壓等級和熱應(yīng)力的問題；該全懸浮晶閘管的直徑可作的更大、電壓等級更高。由于市場需求晶閘管的電壓越來越高、直徑越來越大，因而全懸浮晶閘管的應(yīng)用會成為主流。全懸浮晶閘管將會在機車牽引、城市軌道交通、高壓直流輸電工程等領(lǐng)域有廣闊的市場前景。


圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)圖；其中1-管殼蓋，2-截錐螺旋壓縮彈簧，3-門極(控制極)定位塊，4-門極絕緣管，5-門極銀絲，6-門極墊圈，7-管芯定位環(huán)，8-鉬片，9-陰極銀片，10-定位圈，11-硅片(管芯)，12-鉬片，13-管殼體。
具體實施方式
全懸浮晶閘管，包含管殼體13、管殼蓋1、位于殼體內(nèi)的由PNPN四層半導體構(gòu)成的硅片11，在硅片的上、下設(shè)有鉬片8、12，鉬片與硅片之間為分體結(jié)構(gòu)，鉬片和硅片壓接在管殼蓋1與管殼體13之間。
該全懸浮晶閘管除鉬片和硅片之間的聯(lián)接結(jié)構(gòu)，其它結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有晶閘管相同。
權(quán)利要求1.一種全懸浮晶閘管，包含管殼體(13)、管殼蓋(1)、位于殼體內(nèi)的由PNPN四層半導體構(gòu)成的硅片(11)，在硅片的上、下設(shè)有鉬片(8)、(12)，其特征為鉬片與硅片之間為分體結(jié)構(gòu)，鉬片和硅片壓接在管殼蓋(1)與管殼體(13)之間。
專利摘要本實用新型為一種全懸浮晶閘管，包含管殼體、管殼蓋、位于殼體內(nèi)的由PNPN四層半導體構(gòu)成的硅片，在硅片的上、下設(shè)有鉬片，鉬片與硅片之間為分體結(jié)構(gòu)，鉬片和硅片壓接在管殼蓋與管殼體之間。該全懸浮晶閘管改變了現(xiàn)有晶閘管鉬片與硅片之間的焊接連接結(jié)構(gòu)，依靠管殼蓋和管殼體之間的裝配壓力實現(xiàn)鉬片與硅片之間的壓接。通過改變晶閘管中的鉬片和硅片之間的聯(lián)接結(jié)構(gòu)，解決了現(xiàn)有晶閘管一直無法解決的提高電壓等級和熱應(yīng)力的問題；該全懸浮晶閘管的直徑可作的更大、電壓等級更高，將會成為未來市場的主流，在機車牽引、城市軌道交通、高壓直流輸電工程等領(lǐng)域?qū)袕V闊的市場前景。
文檔編號H01L29/74GK2722436SQ200420016738
公開日2005年8月31日 申請日期2004年9月3日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月3日
發(fā)明者王富珍, 王麗蓮, 張紅衛(wèi), 王永生 申請人:中國北車集團永濟電機廠