專利名稱：抗蝕圖形形成方法、使用該法的微細圖形形成方法
技術領域：
本發(fā)明涉及抗蝕圖形的形成方法、使用該法的微細圖形的形成方法以及液晶顯示元件的制造方法。
背景技術：
在液晶顯示元件的液晶陣列基板的制造中，使用利用了光致抗蝕劑被膜的光刻工序。
圖2～圖15是表示制造圖16所示的結構的α-Si(無定形二氧化硅)形TFT陣列基板的工序的例子的圖。在該例中，首先如圖2所示，在玻璃基板1上形成柵電極層2’。
接著，在柵電極層2’上形成光致抗蝕劑被膜，通過光刻法使該光致抗蝕劑被膜形成圖形，該光刻法包括借助掩膜而選擇性進行曝光的工序，如圖3所示，形成抗蝕圖形R1(第1光刻工序)。
然后，將得到的抗蝕圖形R1作為掩膜對柵電極層2’進行蝕刻，然后通過除去抗蝕圖形R1而形成如圖4所示的柵電極2。
接著，如圖5所示，在形成柵電極2的玻璃基板1上形成第1絕緣膜3，進而在其上面按順序形成第1α-Si層4’以及蝕刻阻止膜5’。
在蝕刻阻止膜5’上形成光致抗蝕劑被膜，通過光刻法使該光致抗蝕劑被膜形成圖形，該光刻法包括借助掩膜而選擇性進行曝光的工序，如圖6所示，形成抗蝕圖形R2(第2光刻工序)。
然后，將得到的抗蝕圖形R2作為掩膜對第1α-Si層4’以及蝕刻阻止膜5’進行蝕刻，然后通過除去抗蝕圖形R2而形成如圖7所示的第1α-Si層4和蝕刻阻止膜5的層疊體。
如圖8所示，在其上按順序形成第2α-Si層6’以及源漏電極形成用金屬膜7’。
然后，在該金屬膜7’上形成光致抗蝕劑被膜，通過光刻法使該光致抗蝕劑被膜形成圖形，該光刻法包括借助掩膜而選擇性進行曝光的工序，形成如圖9所示的抗蝕圖形R3(第3光刻工序)。
然后，將得到的抗蝕圖形R3作為掩膜對金屬膜7’以及第2α-Si層6’進行蝕刻，然后通過除去抗蝕圖形R3，如圖10所示，在蝕刻阻止膜5上形成已圖形化的第2α-Si層6和源電極以及柵電極7。
接著，如圖11所示，在玻璃基板1上形成第2絕緣膜8’。
然后，在該第2絕緣膜8’上形成光致抗蝕劑被膜，通過光刻法使該光致抗蝕劑被膜形成圖形，該光刻法包括借助掩膜而選擇性進行曝光的工序，形成如圖12所示的抗蝕圖形R4(第4光刻工序)。
然后，將得到的抗蝕圖形R4作為掩膜對第2絕緣膜8’進行蝕刻，然后通過除去抗蝕圖形R4，如圖13所示，形成圖形化為具有接觸孔的形狀的第2絕緣膜8。
接著，如圖14所示，在玻璃基板1上形成透明導電膜9’。
然后，在該透明導電膜9’上形成光致抗蝕劑被膜，通過光刻法使該光致抗蝕劑被膜形成圖形，該光刻法包括借助掩膜而選擇性進行曝光的工序，形成如圖15所示的抗蝕圖形R5(第5光刻工序)。
然后，將得到的抗蝕圖形R5作為掩膜對透明導電膜9’進行蝕刻，然后通過除去抗蝕圖形R5，如圖16所示，形成具有圖形的透明導電膜9，從而得到液晶陣列基板。
經(jīng)過這種工序而制成液晶陣列基板的方法，一共進行5次使用光掩膜進行選擇性曝光的光刻工序(第1～第5光刻工序)。
不過，近年來，強烈要求液晶顯示元件的低價格化，為此也在尋求制造工序的簡略化，并控制抗蝕劑的消耗量等。
因此，為了響應這種需求，根據(jù)領域的不同使用厚度不同的臺階形抗蝕圖形，由此，以前曾提出用1次的光刻工序進行使用了2次的光刻工序的方法。在該方法中，將臺階形抗蝕圖形作為掩膜而進行蝕刻，然后通過利用其厚度差，將沒有進行光刻工序而使該臺階形抗蝕圖形的平面形狀變形的構件再次作為掩膜使用，以進行蝕刻。
根據(jù)上述方法，理論上能夠減少實施光刻工序的次數(shù)，所以由此能夠控制抗蝕劑的消耗量，也可以簡略化工序，所以希望其在廉價的液晶顯示元件的制造中是有效的。
但是，即使使用以往的液晶顯示元件制造中優(yōu)選的抗蝕劑材料形成這種臺階形抗蝕圖形，耐蝕刻性和耐熱性不夠充分，所以實現(xiàn)這種方法比較困難。
具體地說，如上所述，因為臺階形抗蝕圖形在其變形前和變形后都是作為蝕刻的掩膜而使用的，需要其具有高耐蝕刻性，不過形成這種具有高耐蝕刻性的臺階形抗蝕圖形比較困難。
另外，為了使在液晶顯示元件的制造中所使用的抗蝕圖形耐受蝕刻工序和注入工序，有時實施后烘處理以提高耐熱性，不過在以往的液晶顯示元件制造中優(yōu)選的抗蝕劑材料在價廉且具有高靈敏度的反面，出現(xiàn)耐熱性劣化的趨勢，所以通過后烘處理使臺階形的抗蝕圖形出現(xiàn)瑕疵，從而難以維持厚度不同的形狀。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明正是鑒于上述情況而完成的發(fā)明，其目的在于，提供一種耐蝕刻性以及耐熱性優(yōu)良并能夠形成臺階形抗蝕圖形的抗蝕圖形的形成方法。
另外，本發(fā)明的目的還在于，提供使用了本發(fā)明的抗蝕圖形的形成方法的微細圖形的形成方法、以及使用該圖形的液晶顯示元件的制造方法。
為了達到上述目的，本發(fā)明的抗蝕圖形的形成方法具有(A)在基體上形成光致抗蝕劑被膜的工序、(B)經(jīng)過含有選擇性曝光的光刻工序而使上述光致抗蝕劑被膜形成具有厚壁部和薄壁部的圖形形狀的工序、以及(C)在進行上述圖形形成之后進行UV固化處理而形成具有厚壁部和薄壁部的臺階形抗蝕圖形的工序。
本發(fā)明的微細圖形的形成方法優(yōu)選含有(D)在進行了上述UV固化處理之后進一步進行后烘處理的工序。
關于本發(fā)明的微細圖形的形成方法，作為上述基體，優(yōu)選具有從玻璃基板一側(cè)開始按順序?qū)烹姌O、第1絕緣膜、第1無定形二氧化硅膜、蝕刻阻止膜、第2無定形二氧化硅膜、以及源漏電極形成用金屬膜層疊在玻璃基板上而成的多層結構的構件。
關于本發(fā)明的微細圖形的形成方法，在形成上述的臺階形抗蝕圖形之后，優(yōu)選進一步具有的工序為(E)將該臺階形抗蝕圖形作為掩膜而對上述基體進行蝕刻處理，然后，(F)對該臺階形抗蝕圖形進行灰化(ashing)處理，除去上述薄壁部，(G)在除去上述薄壁部之后，將厚壁部作為掩膜而對上述基體實施蝕刻處理，隨后(H)除去上述臺階形抗蝕圖形的厚壁部的工序。
或者，關于本發(fā)明的微細圖形的形成方法，在通過使用具有上述多層結構體的基體的本發(fā)明的抗蝕圖形的形成方法而形成上述臺階形抗蝕圖形之后，優(yōu)選進一步具有(E’)將該臺階形抗蝕圖形作為掩膜而對上述源漏電極形成用金屬膜、上述第2無定形二氧化硅膜、上述蝕刻阻止膜、以及上述第1無定形二氧化硅膜進行蝕刻處理，然后，(F)對該臺階形抗蝕圖形進行灰化(ashing)處理，除去上述薄壁部，(G’)在除去上述薄壁部之后，將厚壁部作為掩膜而對上述源漏電極形成用金屬膜以及上述第2無定形二氧化硅膜實施蝕刻處理，以露出上述蝕刻阻止膜層，隨后(H)除去上述臺階形抗蝕圖形的厚壁部的工序。
關于本發(fā)明的微細圖形的形成方法，對上述源漏電極形成用金屬膜的蝕刻處理優(yōu)選濕式蝕刻處理或干式蝕刻處理，對上數(shù)第1無定形二氧化硅膜的蝕刻處理優(yōu)選干式蝕刻處理。
本發(fā)明的液晶顯示元件的制造方法，是具有在玻璃基板上形成像素圖形而制作液晶陣列基板的工序的液晶顯示元件的制造方法，通過本發(fā)明的微細圖形的形成方法形成上述像素圖形的一部分。
另外，本發(fā)明的液晶顯示元件的制造方法，是在通過使用具有上述多層結構體的基體的本發(fā)明的抗蝕圖形的形成方法而形成微細圖形之后，優(yōu)選進一步具有(I)在該微細圖形上設置第2絕緣膜的工序、(J)通過光刻使第2絕緣膜形成圖形的工序、(K)在形成圖形的第2絕緣膜上形成透明導電膜的工序、(L)通過光刻使透明導電膜形成圖形的工序。
根據(jù)本發(fā)明的抗蝕圖形的形成方法，通過在光致抗蝕劑被膜形成圖形之后實施UV固化，能夠形成耐蝕刻性、耐熱性良好且具有優(yōu)良的形狀穩(wěn)定性的臺階形抗蝕圖形。
另外，在液晶顯示元件的制造中，與半導體制造工序相比，抗蝕劑消耗量顯著大量化，另外，為了高生產(chǎn)率地使大型基板產(chǎn)品化，提高生產(chǎn)量是必不可少的。以前，例如雖將隨意地使用了低分子量樹脂的抗蝕劑材料等價廉且高靈敏度的抗蝕劑材料用于這種用途，但出現(xiàn)耐熱性劣化的趨勢，所以經(jīng)過后烘處理的臺階形抗蝕圖形出現(xiàn)瑕疵，從而難以維持厚度不同的形狀。根據(jù)本發(fā)明，即使使用這種價廉且高靈敏度的抗蝕劑材料，也能夠形成耐蝕刻性、耐熱性良好的臺階形抗蝕圖形。
根據(jù)本發(fā)明的微細圖形的形成方法，臺階形抗蝕圖形的耐蝕刻性優(yōu)良，所以在將該臺階形抗蝕圖形作為掩膜而對基體進行蝕刻之后，能夠?qū)⑼ㄟ^灰化(ashing)處理除去該臺階形抗蝕圖形的薄壁部而成的構件再次作為掩膜，從而對基體進行蝕刻，所以能夠減少使用光掩膜對光致抗蝕劑被膜進行圖形形成的光刻工序的次數(shù)。
因此，能夠控制光致抗蝕劑的消耗量，也能夠削減相對價高的光掩模的費用，進而也能夠使工序簡略化。
根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示元件的制造方法，能夠在玻璃基板上形成像素圖形并減少制成液晶陣列基板工序中的光刻工序的次數(shù)，所以由此，能夠?qū)崿F(xiàn)光致抗蝕劑消耗量的抑制、光掩膜使用的削減。另外，制造工序也能夠簡略化，所以對制造價廉的液晶顯示元件是有效的。


圖1A～圖1G是按工序順序表示本發(fā)明的抗蝕圖形的形成方法以及微細圖形的形成方法的實施方式的截面圖。
圖2是表示以往的液晶陣列基板的制造工序的一部分的截面圖。
圖3是表示繼續(xù)前圖的以往的液晶陣列基板的制造工序的一部分的截面圖。
圖4是表示繼續(xù)前圖的以往的液晶陣列基板的制造工序的一部分的截面圖。
圖5是表示繼續(xù)前圖的以往的液晶陣列基板的制造工序的一部分的截面圖。
圖6是表示繼續(xù)前圖的以往的液晶陣列基板的制造工序的一部分的截面圖。
圖7是表示繼續(xù)前圖的以往的液晶陣列基板的制造工序的一部分的截面圖。
圖8是表示繼續(xù)前圖的以往的液晶陣列基板的制造工序的一部分的截面圖。
圖9是表示繼續(xù)前圖的以往的液晶陣列基板的制造工序的一部分的截面圖。
圖10是表示繼續(xù)前圖的以往的液晶陣列基板的制造工序的一部分的截面圖。
圖11是表示繼續(xù)前圖的以往的液晶陣列基板的制造工序的一部分的截面圖。
圖12是表示繼續(xù)前圖的以往的液晶陣列基板的制造工序的一部分的截面圖。
圖13是表示繼續(xù)前圖的以往的液晶陣列基板的制造工序的一部分的截面圖。
圖14是表示繼續(xù)前圖的以往的液晶陣列基板的制造工序的一部分的截面圖。
圖15是表示繼續(xù)前圖的以往的液晶陣列基板的制造工序的一部分的截面圖。
圖16是表示液晶陣列基板的例子的截面圖。
具體實施例方式
<光致抗蝕劑組合物>
對用于形成光致抗蝕劑被膜的光致抗蝕劑組合物沒有特別限制，能夠使用至今為止用于液晶顯示元件制造的抗蝕劑材料。
例如，能夠優(yōu)選使用的正型光致抗蝕劑組合物為相對于(A)堿性可溶性樹脂100質(zhì)量份，含有(B)下述通式(I)所表示的酚化合物5～25質(zhì)量份，相對于(A)成分和(B)成分的總質(zhì)量100質(zhì)量份，含有從(C)下述通式(III)所表示的醌二疊氮酯化物(感光成分1)以及下述通式(V)所表示的醌二疊氮酯化物(感光成分2)中選出的至少一種，且其含量范圍為15～40質(zhì)量份，進而含有(D)有機溶劑。
[式中，R1～R8分別獨立地表示氫原子、鹵原子、碳原子數(shù)1～6的烷基、碳原子數(shù)1～6的烷氧基、或者碳原子數(shù)3～6的環(huán)烷基；R10、R11分別獨立地表示氫原子或者碳原子數(shù)1～6的烷基；R9可以是氫原子、碳原子數(shù)1～6的烷基，此時Q具有氫原子、碳原子數(shù)1～6的烷基或用下述化學式(II) (式中，R12以及R13分別獨立地表示氫原子、鹵原子、碳原子數(shù)1～6的烷基、碳原子數(shù)1～6的烷氧基、或者碳原子數(shù)3～6的環(huán)烷基；c表示整數(shù)1～3。)表示的殘基，或者，Q能夠和R9的末端鍵合，此時，Q與R9、以及Q和R9之間的碳原子一起表示碳數(shù)3～6的環(huán)烷基；a、b表示整數(shù)1～3；d表示整數(shù)0～3；當a、b或d是3時，分別作為沒有R3、R6或R8的化合物；n表示整數(shù)0～3。] (式中，D獨立地表示氫原子、或1，2-萘醌二疊氮-5-磺?；?，D中的至少一個表示1，2-萘醌二疊氮-5-磺?；?關于(A)成分(堿性可溶性樹脂)對作為(A)成分的堿性可溶性樹脂沒有特別限制，在正型光致抗蝕劑組合物中，作為被膜形成物質(zhì)，能夠從通?？梢允褂玫奈镔|(zhì)中任意選擇。例如，可以舉例為作為正型光致抗蝕劑組合物的被膜形成用樹脂而眾所周知的酚醛樹脂、丙烯酸樹脂、苯乙烯和丙烯酸的共聚物、羥基苯乙烯的聚合物、聚乙烯基苯酚、聚α-甲基乙烯基苯酚等。其中，特別優(yōu)選使用酚醛樹脂，其中，優(yōu)選無需溶脹而容易地溶解于堿性水溶液且顯影性優(yōu)良的熱塑性酚醛清漆樹脂。
作為酚醛樹脂的例子，可以列舉出酚類和醛類的縮合反應產(chǎn)物、酚類和酮類的縮合反應產(chǎn)物、乙烯基酚類聚合物、異丙烯基酚類聚合物、它們的酚醛樹脂的加氫反應產(chǎn)物等。
作為形成上述酚醛樹脂的酚類，可以列舉出如苯酚；間甲酚、對甲酚、鄰甲酚等甲酚類；2，3-二甲苯酚、2，5-二甲苯酚、3，5-二甲苯酚、3，4-二甲苯酚等二甲苯酚類；間乙基苯酚、對乙基苯酚、鄰乙基苯酚、2，3，5-三甲基苯酚、2，3，5-三乙基苯酚、4-叔丁基苯酚、3-叔丁基苯酚、2-叔丁基苯酚、2-叔丁基-4-甲基苯酚、2-叔丁基-5-甲基苯酚等烷基苯酚類；對甲氧基苯酚、間甲氧基苯酚、對乙氧基苯酚、間乙氧基苯酚、對丙氧基苯酚、間丙氧基苯酚等烷氧基苯酚類；鄰異丙烯基苯酚、對異丙烯基苯酚、2-甲基-4-異丙烯基苯酚、2-乙基-4-異丙烯基苯酚等異丙烯基苯酚類；苯基苯酚等芳基苯酚類；4，4’-二羥基聯(lián)苯、雙酚A、間苯二酚、對苯二酚、鄰苯三酚等聚羥基苯酚類等?？梢詥为毷褂盟鼈儯部梢越M合兩種以上使用。在這些酚類當中，特別優(yōu)選間甲酚、對甲酚、2，5二甲苯酚、3，5-二甲苯酚、2，3，5-三甲基苯酚。
作為上述醛類，可以列舉出如甲醛、多聚甲醛、三噁烷、乙醛、丙醛、丁醛、三甲基乙醛、丙烯醛、丁烯醛、環(huán)己醛、糠醛、呋喃基丙烯醛、苯甲醛、對苯二甲醛、苯乙醛、α-苯丙醛、β-苯丙醛、鄰羥基苯甲醛、間羥基苯甲醛、對羥基苯甲醛、鄰甲基苯甲醛、間甲基苯甲醛、對甲基苯甲醛、鄰氯苯甲醛、間氯苯甲醛、對氯苯甲醛、肉桂醛等?？梢詥为毷褂盟鼈?，也可以組合兩種以上使用。在這些醛類當中，從容易獲得的觀點來看，優(yōu)選甲醛，但為了改善耐熱性，特別優(yōu)選組合使用羥基苯甲醛類和甲醛。
作為上述酮類，可以列舉出如丙酮、甲基乙基甲酮、二乙酮、二苯基甲酮等。可以單獨使用它們，也可以組合兩種以上使用。在酚類和酮類的組合當中，特別優(yōu)選鄰苯三酚和丙酮的組合。
酚類和醛類或酮類的縮合反應產(chǎn)物，能夠通過有酸性催化劑存在的公知方法來制造。作為此時的酸性催化劑，能夠使用鹽酸、硫酸、蟻酸、草酸、對甲苯磺酸等。由此得到的縮合反應產(chǎn)物，通過實施分類等處理分出的低分子區(qū)域的物質(zhì)具有優(yōu)良的耐熱性，所以優(yōu)選。分類等處理是通過將通過縮合反應得到的樹脂溶解于良好溶劑、如甲醇、乙醇等醇，丙酮、甲基乙基酮等酮，或乙二醇單乙醚乙酸酯、四氫呋喃等中，接著注入到水中而使其沉淀等方法而進行的。
在上述的物質(zhì)中，特別優(yōu)選在全酚類重復單元中含有對甲酚類重復單元60摩爾％以上、且含有間甲酚類重復單元30摩爾％以上并且聚苯乙烯換算重均分子量(Mw)為2000～8000的酚醛清漆樹脂。
當對甲酚類重復單元不到60摩爾％時，容易出現(xiàn)針對加熱處理時的溫度不均的靈敏度變化，另外，當間甲酚類重復單元不到30摩爾％時，靈敏度有劣化的趨勢，所以不優(yōu)選。
還有，也可以含有二甲苯酚類重復單元、三甲基苯酚類重復單元等其他的酚類重復單元，不過最優(yōu)選由對甲酚類重復單元60～70摩爾％、間甲酚類重復單元40～30摩爾％構成的2組分類的酚醛清漆樹脂，優(yōu)選如同酚類的2核體(有2個酚核的縮合物分子)含量在GPC(凝膠滲透色譜法)法中為10％以下的酚類的低分子量體含量較少的酚醛清漆樹脂。這是因為上述2核體在高溫(例如130℃)的預烘或后烘中升華而污染爐子的頂板等，進而污染涂敷了抗蝕劑的玻璃基板，成為其有效利用率降低的原因。
關于(B)成分(增感劑)作為(B)成分，優(yōu)選使用由上述通式(I)表示的酚類化合物。
作為(B)成分的例子，可以列舉出三(4-羥苯基)甲烷、雙(4-羥基-3-甲基苯基)-2-羥苯基甲烷、雙(4-羥基-2，3，5-三甲基苯基)-2-羥苯基甲烷、雙(4-羥基-3，5-二甲基苯基)-4-羥苯基甲烷、雙(4-羥基-3，5-二甲基苯基)-3-羥苯基甲烷、雙(4-羥基-3，5-二甲基苯基)-2-羥苯基甲烷、雙(4-羥基-2，5-二甲基苯基)-4-羥苯基甲烷、雙(4-羥基-2，5-二甲基苯基)-3-羥苯基甲烷、雙(4-羥基-2，5-二甲基苯基)-2-羥苯基甲烷、雙(4-羥基-3，5-二甲基苯基)-3，4-二羥苯基甲烷、雙(4-羥基-2，5-二甲基苯基)-3，4-二羥苯基甲烷、雙(4-羥基-2，5-二甲基苯基)-2，4-二羥苯基甲烷、雙(4-羥苯基)-3-甲氧基-4-羥苯基甲烷、雙(5-環(huán)己基-4-羥基-2-甲基苯基)-4-羥苯基甲烷、雙(5-環(huán)己基-4-羥基-2-甲基苯基)-3-羥苯基甲烷、雙(5-環(huán)己基-4-羥基-2-甲基苯基)-2-羥苯基甲烷、雙(5-環(huán)己基-4-羥基-2-甲基苯基)-3，4-二羥苯基甲烷、1-[1-(4-羥苯基)異丙基]-4-[1，1-雙(4-羥苯基)乙基]苯、1-[1-(3-甲基-4-羥苯基)異丙基]-4-[1，1-雙(3-甲基-4-羥苯基)乙基]苯、2-(2，3，4-三羥苯基)-2-(2’，3’，4’-三羥苯基)丙烷、2-(2，4-二羥苯基)-2-(2’，4’-二羥苯基)丙烷、2-(4-羥苯基)-2-(4’-羥苯基)丙烷、2-(3-氟-4-羥苯基)-2-(3’-氟-4’-羥苯基)丙烷、2-(2，4-二羥苯基)-2-(4’-羥苯基)丙烷、2-(2，3，4-三羥苯基)-2-(4’-羥苯基)丙烷、2-(2，3，4-三羥苯基)-2-(4’-羥基-3’，5’-二甲基苯基)丙烷、雙(2，3，4-三羥苯基)甲烷、雙(2，4-二羥苯基)甲烷、2，3，4-三羥苯基-4’-羥苯基甲烷、1，1-二(4-羥苯基)環(huán)己烷、2，4-雙[1-(4-羥苯基)異丙基]-5-羥基苯酚等。
其中，因為增感效果尤其優(yōu)良，所以優(yōu)選雙(4-羥基-3-甲基苯基)-2-羥苯基甲烷、雙(4-羥基-2，3，5-三甲基苯基)-2-羥苯基甲烷、2，4-雙[1-(4-羥苯基)異丙基]-5-羥基苯酚、1，1-二(4-羥苯基)環(huán)己烷、1-[1-(4-羥苯基)異丙基]-4-[1，1-雙(4-羥苯基)乙基]苯等。
在液晶顯示元件的制造領域中，生產(chǎn)量的提高是非常大的問題，不過通過配合該酚類化合物，達到高靈敏度化而有助于提高生產(chǎn)量，所以優(yōu)選。
另外，通過配合該酚類化合物，在抗蝕膜上形成結實的表面難溶層，所以未曝光部分的抗蝕膜在顯影時的膜磨損量較少，控制因顯影時間的差產(chǎn)生的顯影不均的出現(xiàn)，所以優(yōu)選。
在該酚化合物中，用下式(VI)表示的化合物(1-[1-(4-羥苯基)異丙基]-4-[1，1-雙(4-羥苯基)乙基]苯)和用下式(VII)表示的(雙(2，3，5-三甲基-4-羥苯基)-2-羥苯基甲烷)在高靈敏度化、高殘膜率化以及線性的改善效果優(yōu)良這一點上，特別優(yōu)選。
當配合(B)成分時，相對于作為(A)成分的堿性可溶性樹脂100質(zhì)量份，其含量為在5～25質(zhì)量份、優(yōu)選10～20質(zhì)量份的范圍內(nèi)選擇。當不夠該范圍時，無法得到足夠的高靈敏度化、高殘膜率化的改善效果，當超過這一范圍時，容易在顯影后的基板表面上出現(xiàn)殘渣物，另外，原料成本也升高，所以不優(yōu)選。
關于(C)成分(感光成分)優(yōu)選使用從上述通式(III)所表示的醌二疊氮酯化物(感光成分1)以及上述通式(V)所表示的醌二疊氮酯化物(感光成分2)中選出的至少一種，特別是通過混合使用該感光成分1和感光成分2，即使在使用了500×600mm2的大型玻璃基板的工藝中，也能夠提供宏觀特性(涂敷性、加熱不均特性、顯影不均特性)優(yōu)良的抗蝕劑材料。
還有，感光成分1的平均酯化率優(yōu)選40～60％，更優(yōu)選45～55％。當不到40％時，容易出現(xiàn)顯影后的膜磨損，容易降低成膜率。當超過60％時，有靈敏度明顯劣化的趨勢。
作為該感光成分1，根據(jù)用下式(VIII)表示的化合物(雙(2-甲基-4-羥基-5-環(huán)己基苯)-3，4-二羥苯基甲烷)的1，2-萘醌二疊氮-5-磺酰化合物而成的醌二疊氮酯化物，在能夠調(diào)節(jié)相對廉價且靈敏度、清晰度、線性優(yōu)良的抗蝕劑組合物這一點上是優(yōu)選的。其中，最優(yōu)選酯化率50％。
另一方面，作為感光成分2，優(yōu)選根據(jù)用下式(IX)表示的2，3，4，4’-羥基二苯甲酮的1，2-萘醌二疊氮-5-磺酰化合物而成的醌二疊氮酯化物。其中，優(yōu)選平均酯化率50～70％的物質(zhì)，更優(yōu)選55～65％。當不到50％時，容易出現(xiàn)顯影后的膜磨損，容易降低殘膜率。另一方面，當超過70％時，有貯存穩(wěn)定性降低的趨勢。該感光成分2在能夠調(diào)節(jié)價格非常低廉且靈敏度優(yōu)良的抗蝕劑組合物這一點上是優(yōu)選的。其中，最優(yōu)選酯化率59％的物質(zhì)。
(C)感光成分除了能夠使用上述感光成分1、2之外，還能夠使用其他醌二疊氮酯化物。
上述其他醌二疊氮酯化物的使用量在(C)感光成分中優(yōu)選為30質(zhì)量％以下，特別優(yōu)選在25質(zhì)量％以下。
關于感光成分1和2的混合比例，相對于感光成分1的50質(zhì)量份，優(yōu)選感光成分2為40～60質(zhì)量份，特別優(yōu)選在45～55質(zhì)量份的范圍內(nèi)。
當感光成分2的配合量少于該范圍時，靈敏度有劣化的趨勢，當多于該范圍時，抗蝕劑組合物的清晰度、線性有劣化的趨勢。
相對于作為(A)成分的堿性可溶性樹脂和(B)成分的合計量100質(zhì)量份，(C)成分的配合量在15～40質(zhì)量份、優(yōu)選20～30質(zhì)量份的范圍內(nèi)進行選擇為好。當(C)成分的配合量不夠上述范圍時，無法得到忠實于圖形的圖像，且復制性也降低。另一方面，當(C)成分的配合量超過上述范圍時，靈敏度和清晰度劣化，另外，在顯影處理之后有出現(xiàn)殘渣物的趨勢。
這種光致抗蝕劑組合物優(yōu)選將(A)～(C)成分以及各種添加成分溶解于作為有機溶劑的下述(D)成分而以溶液的形式使用。
關于(D)成分(有機溶劑)作為優(yōu)選的有機溶劑的例子，能夠列舉出丙酮、甲基乙基甲酮、環(huán)己酮、甲基異戊基甲酮、2-庚酮等酮類；乙二醇、丙二醇、二甘醇、乙二醇單乙酸酯、丙二醇單乙酸酯、二甘醇單乙酸酯、或它們的單甲醚、單乙基醚、單丙基醚、單丁基醚或單苯基醚等多元醇類及其衍生物；類似二噁烷的環(huán)醚類；以及乳酸乙酯、醋酸甲酯、醋酸乙酯、醋酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯等酯類。可以單獨使用它們，也可以混合2種以上使用。
其中，丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA)賦予光致抗蝕劑組合物優(yōu)良的涂敷性，并賦予大型玻璃基板上的抗蝕劑被膜優(yōu)良的膜厚均勻性，所以優(yōu)選。
最優(yōu)選將PGMEA作為純?nèi)軇┦褂?，不過除PGMEA之外的溶劑也能夠和它混合使用。作為這種溶劑，可以舉例為乳酸乙酯、γ-丁內(nèi)酯、丙二醇單丁基醚等。
當使用乳酸乙酯時，優(yōu)選在相對于PGMEA的質(zhì)量比為0.1～10倍量、優(yōu)選1～5倍量的范圍內(nèi)進行配合。
另外，當使用γ-丁內(nèi)酯時，優(yōu)選在相對于PGMEA的質(zhì)量比為0.01～1倍量、優(yōu)選0.05～0.5倍量的范圍內(nèi)進行配合。
在液晶顯示元件的制造領域中，通常需要抗蝕劑被膜以0.5～2.5μm、特別是1.0～2.0μm的膜厚形成在玻璃基板上，為此優(yōu)選使用這些有機溶劑，將組合物中的上述(A)～(C)成分的總量相對于組合物的總質(zhì)量調(diào)整成30質(zhì)量％以下、優(yōu)選20～28質(zhì)量％，以作為涂敷性優(yōu)良的液晶顯示元件制造用抗蝕劑材料。
此時也考慮任意使用的下述(E)成分的量，相對于組合物的總質(zhì)量，溶劑(D)的使用量為65～85質(zhì)量％，優(yōu)選70～75質(zhì)量％。
關于(E)成分(其他添加劑)作為其他成分，能夠在不影響本發(fā)明的目的的范圍內(nèi)添加下述添加劑，即用于消暈的紫外線吸收劑，如2，2’，4，4’-四羥基二苯甲酮、4-二甲胺基-2’，4’-二羥基二苯甲酮、5-氨基-3-甲基-1-苯基-4-(羥基苯偶氮基)吡唑、4-二甲胺基-4’-羥基偶氮苯、4-二乙胺基-4’-乙氧基偶氮苯、4’-二乙胺基偶氮苯、姜黃色素等；或用于防止條痕的表面活性劑，如Florade FC-430、FC-431(商品名，住友3M(株)制)、Efftop EF122A、EF122B、EF122C、EF126(商品名，TokemProduct(株)制)等氟類表面活性劑，苯醌、萘醌、對甲苯磺酸等貯存穩(wěn)定劑、進而必要時還可以添加加成樹脂、增塑劑、穩(wěn)定劑、對比度改善劑等慣用的添加劑。
下面，舉出應用于液晶顯示元件制造的例子，參照圖1A～圖1G，對本發(fā)明的抗蝕圖形的形成方法和使用了該方法的微細圖形的形成方法的實施方式進行說明。
首先。準備基體。對本發(fā)明的基體沒有特別限制，但當使用基板上層疊有2層以上的用于蝕刻的層的基體時，可以有效獲得本發(fā)明的效果，所以優(yōu)選。
當制造液晶顯示元件時，作為基體10，例如，如圖1A所示，使用具有在玻璃基板1上從玻璃基板1一側(cè)開始依次層疊柵電極2、第1絕緣膜3、第1無定形二氧化硅膜4’、蝕刻阻止膜5’、第2無定形二氧化硅膜6’、以及源漏電極形成用金屬膜7’而成的多層結構的構件。柵電極2的圖形形成能夠按照上述圖2～圖4的步驟(包括第1光刻工序)進行。
對玻璃基板的大小沒有特別限制，也能夠形成500×600mm2以上、特別是550～650mm2以上的大型基板。
柵電極2是使用如鋁(Al)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、或鉬(Mo)等金屬等導電性材料而形成的。
第1絕緣膜3例如是由SiNx形成的。
蝕刻阻止膜5’例如是由SiNx形成的。
源漏電極形成用金屬膜7’例如是由按順序?qū)盈B鈦(Ti)和鋁(Al)和鈦(Ti)而成的層疊膜構成的。
(A)首先，在基體10上形成光致抗蝕劑被膜R’。具體地說，在基體10上涂敷上述光致抗蝕劑組合物，通過在約100～140℃下進行加熱干燥(預烘)而形成光致抗蝕劑被膜R’。
光致抗蝕劑被膜R’的厚度優(yōu)選1.0～3.0μm左右。從在適度的曝光量、曝光時間的范圍內(nèi)能夠形成該高低不平且能夠?qū)υ摳叩筒黄竭M行形狀良好的析像的觀點來看，優(yōu)選將光致抗蝕劑被膜R’的厚度設在該范圍內(nèi)。
(B)接著，經(jīng)過光刻工序，如圖1B所示，光致抗蝕劑被膜R’形成具有厚壁部r1和薄壁部r2的圖形形狀。具體地說，例如借助網(wǎng)紋掩膜等設置了透過率的掩膜(標線片)對光致抗蝕劑被膜R’進行選擇性曝光，接著進行顯影、水洗，由此能夠形成因區(qū)域不同而厚度不同的形狀的抗蝕圖形。(第2光刻工序)(C)形成圖形之后，進行UV(紫外線)固化處理，得到如圖1B所示的臺階形抗蝕圖形R。
因為通過后來的灰化(ashing)處理僅除去薄壁部r2而以需要的厚度殘留厚壁部r1，所以臺階形抗蝕圖形R的厚壁部r1和薄壁部r2的厚度差優(yōu)選0.5～1.5μm左右，更優(yōu)選的范圍是0.7～1.3μm左右。
能夠使用公知的方法進行UV固化。例如，使用公知的紫外線照射裝置，對形成圖形的抗蝕圖形進行全面的紫外線照射。
關于紫外線的照射條件，為了UV固化不使抗蝕圖形的形狀發(fā)生變形，得到耐蝕刻性優(yōu)良且耐熱性良好的臺階形抗蝕圖形R，優(yōu)選使用主要輸出特別是從Deep UV區(qū)域至可見光區(qū)域的波長(波長100～700nm左右)的紫外線、特別是200～500nm左右的波長的紫外線的光源，以約1000～50000mJ/cm2的照射量進行照射。更優(yōu)選的照射量為2000～15000mJ/cm2左右。能夠通過照射的紫外線的強度和照射時間來控制照射量。
還有，當進行UV固化(照射)時，為了不在照射部出現(xiàn)皺褶，優(yōu)選對急劇照射或照射造成的溫度上升進行控制。
(D)在UV固化之后，能夠進行后烘。具體地說，該后烘處理是在100～170℃的溫度下實施加熱處理3～10分鐘左右。更優(yōu)選的加熱條件是120～130℃、4～6分鐘左右。
該后烘處理并不是必須的，不過通過進行后烘可以進一步改善臺階形抗蝕圖形R的耐熱性。另外，通過后烘處理，可以改善臺階形抗蝕圖形R和基體10的密接性，所以對濕式蝕刻處理得到高耐受性尤其有效。其中，通過UV固化處理改善臺階形抗蝕圖形R的耐熱性，所以在后烘工序中不必擔心出現(xiàn)圖形的變形。
其中，根據(jù)需要，該UV固化處理和后烘處理也能夠在后述的(F)工序中的臺階形抗蝕圖形R的灰化(ashing)處理之后再次進行。
(E)如圖1C所示，將如此形成的臺階形抗蝕圖形R作為掩膜，對基體10的金屬膜7’進行蝕刻。能夠使用眾所周知的手法進行金屬膜7’的蝕刻。一般使用濕式蝕刻法，不過也可以是干式蝕刻法。
接著，如圖1D所示，將同一臺階形抗蝕圖形R作為掩膜，對因上述金屬膜7’的蝕刻而露出來的第2無定形二氧化硅膜6’和其下面的蝕刻阻止膜5’、以及第1無定形二氧化硅膜4’進行蝕刻。能夠使用眾所周知的手法進行這些層的蝕刻。一般可以使用干式蝕刻法。通過將這里的臺階形抗蝕圖形R用作掩膜的蝕刻，形成蝕刻阻止膜5和第1無定形二氧化硅層4。
(F)隨后，對臺階形抗蝕圖形R實施灰化(ashing)處理，如圖1E所示，除去薄壁部r2。能夠使用眾所周知的手法進行灰化(ashing)處理。
當對臺階形抗蝕圖形R進行灰化(ashing)處理時，厚壁部r1和薄壁部r2同時出現(xiàn)膜磨損，幾乎完全除去薄壁部r2，成為露出其下面的金屬膜7’而殘留有厚壁部r1的狀態(tài)。在此狀態(tài)下，通過停止灰化(ashing)處理而能夠只除去薄壁部r2。當剩下的厚壁部r1過薄時，作為蝕刻掩膜的功能不夠充分，所以殘留的厚壁部r1的厚度優(yōu)選在0.7μm以上。
(G)接著，如圖1F所示，將殘留的厚壁部r1作為掩膜，對通過除去上述薄壁部r2而露出的金屬膜7’進行蝕刻處理，由此形成源電極以及漏電極7。
接著，如圖1G所示，將殘留的厚壁部r1作為掩膜，對通過上次的金屬膜7’的蝕刻處理而露出的第2無定形二氧化硅膜6’進行蝕刻處理，由此形成圖形化后的第2無定形二氧化硅膜6。
(H)然后，除去厚壁部r1。厚壁部r1的除去方法能夠采用灰化(ashing)處理等眾所周知的手法進行。
在迄今為止的工序中，可以得到如前述的圖10所示的結構和相同結構的微細圖形。
然后，能夠通過前述的圖11～圖15所示的工序和同樣的工序制造液晶陣列基板。即，(I)如圖11所示，在上次的工序中得到的微細圖形上形成第2絕緣膜8’。第2絕緣膜8’例如是由SiNx形成的。
(J)在第2絕緣膜8’上形成光致抗蝕劑被膜，通過光刻法使該光致抗蝕劑被膜形成圖形，該光刻法包括借助掩膜而選擇性進行曝光的工序，形成如圖12所示的抗蝕圖形R4(第3光刻工序)。將得到的抗蝕圖形R4作為掩膜對第2絕緣膜8’進行蝕刻，然后通過除去抗蝕圖形R4，如圖13所示，得到圖形化為形成有接觸孔的形狀的第2絕緣膜8。
(K)如圖14所示，在形成圖形的第2絕緣膜8上形成透明導電膜9’。透明導電膜9’例如是由ITO(氧化銦錫)形成的。
(L)在透明導電膜9’上形成光致抗蝕劑被膜，通過光刻法使該光致抗蝕劑被膜形成圖形，該光刻法包括借助掩膜而選擇性進行曝光的工序，形成如圖15所示的抗蝕圖形R5(第4光刻工序)。
然后，將得到的抗蝕圖形R5作為掩膜對透明導電膜9’進行蝕刻，然后通過除去抗蝕圖形R5，如圖16所示，形成具有圖形的透明導電膜9，從而得到液晶陣列基板。
在如上所述獲得的液晶陣列基板和對向基板之間夾持液晶，并采用眾所周知的方法進行組裝而可以得到液晶顯示元件。
根據(jù)本實施方式，能夠形成高耐蝕刻性的臺階形抗蝕圖形R，所以在將該臺階形抗蝕圖形R作為掩膜對基體10的金屬膜7’、第2無定形二氧化硅膜6’、蝕刻阻止膜5’、以及第1無定形二氧化硅膜4’進行蝕刻之后，能夠?qū)⒃撆_階形抗蝕圖形R的厚壁部r1作為掩膜，對金屬膜7’以及第2無定形二氧化硅膜6’進行蝕刻。
因此，能夠減少在液晶陣列基板的制造工序中進行光刻工序的次數(shù)。例如，在圖2～15所示的方法中，對于制造液晶陣列基板需要進行5次光刻工序(第1～第5光刻工序)，而在本實施方式中，能通過進行4次光刻工序(第1～第4光刻工序)制造相同結構的液晶陣列基板。由此，能夠控制光致抗蝕劑的消耗量，也可以簡略化工序，所以能夠削減液晶陣列基板的制造成本。
另外，在本實施方式中形成的臺階形抗蝕圖形R具有良好的耐熱性并可以防止后烘處理時出現(xiàn)的變形。通過實施后烘，能夠進一步改善臺階形抗蝕圖形的耐熱性以及耐蝕刻性。
還有，在本實施方式中，臺階形抗蝕圖形的截面呈凹下形狀，臺階形抗蝕圖形因區(qū)域的不同而厚度不同，可以是具有厚壁部和薄壁部的形狀，根據(jù)形狀對由蝕刻形成的微細圖形進行適當設計。例如，可以是在厚壁部的外側(cè)設有薄壁部的截面凸出形狀，也可以是截面山型形狀。
另外，在本實施方式中，將本發(fā)明應用于制造圖16所示的結構的α-Si(無定形二氧化硅)形TFT陣列基板的工序，但并不限于這種結構的液晶陣列基板。本發(fā)明可以用于各種具有像素圖形的液晶陣列基板的制造，使用本發(fā)明的微細圖形的形成方法形成部分像素圖形，由此可以得到與本實施方式相同的效果。
在下述實施例和比較例中，形成臺階形抗蝕圖形，評價耐熱性、耐干式蝕刻性以及耐濕式蝕刻性。特性的評價按如下所述進行。
(1)耐熱性評價對于在實施例和比較例中得到的抗蝕圖形，在130℃下進行加熱處理300秒，將抗蝕圖形的形狀沒有出現(xiàn)變形的記為○，出現(xiàn)變形的記為×。
(2)耐干式蝕刻性評價對于在實施例和比較例中得到的抗蝕圖形，使用干式蝕刻裝置“TCE-7612X”(裝置名；東京應化工業(yè)公司制)，使用CF4、CHF3、He作為蝕刻氣體，分別為40毫升/min、40毫升/min、160毫升/min，在300mTorr(39.9Pa)的減壓氣氛下，在700W-400kHz、場所(stage)溫度為20℃、靶溫度為25℃的處理條件下，進行干式蝕刻處理，將在處理前后抗蝕圖形的形狀沒有出現(xiàn)變形的記為○，出現(xiàn)變形的記為×。
(3)耐濕式蝕刻性評價對于在實施例和比較例中得到的抗蝕圖形，將形成該抗蝕圖形的基板浸漬在溫度設成20℃的濕式蝕刻液[含有氫氟酸(HF)/氟化銨(NH4F)＝1/6(質(zhì)量比)的混合物的水溶液20質(zhì)量％]中10分鐘，由此進行濕式蝕刻處理，將處理后的抗蝕圖形未從基底基板上剝離的情況記為○，剝離的情況記為×。
(實施例1)調(diào)制正型光致抗蝕劑組合物。
準備(A)成分甲酚酚醛清漆樹脂[通過常規(guī)方法使間甲酚/對甲酚＝4/6(摩爾比)的混合酚類和甲醛發(fā)生縮合反應而得到的、重均分子量(Mw)＝5000的樹脂]100質(zhì)量份、(B)成分[雙(2，3，5-三甲基-4-羥苯基)-2-羥苯基甲烷]10質(zhì)量份、(C)成分[2，3，4，4’-四羥基二苯甲酮1摩爾和1，2-萘醌二疊氮-5-磺酰氯2.34摩爾的酯化反應產(chǎn)物]29.7質(zhì)量份、(D)成分[PGMEA]430質(zhì)量份，在均勻溶解上述(A)～(D)成分之后，作為表面活性劑，向其中配合BYK-310(Bikchemi公司制)400ppm，使用孔徑0.2μm的薄膜濾器過濾上述物質(zhì)，調(diào)制成正型光致抗蝕劑組合物。
使用采用中央滴下和旋涂法的抗蝕劑涂敷裝置[TR-36000(東京應化工業(yè)(株)制)]，對得到的正型光致抗蝕劑組合物以1000rpm進行旋轉(zhuǎn)涂敷10秒，由此在形成有Ti膜的玻璃基板(360mm×460mm)上形成抗蝕層。
接著，將加熱板的溫度設為130℃，通過留出了約1mm間隔的鄰近烘焙，進行60秒的第1次干燥，接著，將加熱板的溫度設為120℃，通過留出了約0.5mm間隔的鄰近烘焙，實施60秒的第2次干燥，形成膜厚2.0μm的光致抗蝕劑被膜。
對該光致抗蝕劑被膜進行借助掩膜的選擇性曝光，進行顯影處理、清洗而形成圖形，然后使用高壓水銀燈(輸出波長為200～600nm的光)實施照射量為3000mJ/cm2的UV固化(照射)處理，形成臺階形抗蝕圖形。
得到的臺階形抗蝕圖形是如圖1所示的截面凹下形狀，厚壁部的厚度為2.0μm、薄壁部的厚度為0.8μm，整個寬為13μm，薄壁部的寬為5μm。
關于該臺階形抗蝕圖形，評價其耐熱性、耐干式蝕刻性、以及耐濕式蝕刻性的結果如下表1所示。
(實施例2)使用與實施例1相同的正型光致抗蝕劑組合物，采用與實施例相同的步驟形成臺階形抗蝕圖形。其中，將臺階形抗蝕圖形的形成做成截面凸出形狀，其尺寸為，厚壁部的厚度為2.0μm、薄壁部的厚度為0.8μm，整個寬為13μm，薄壁部的寬為5μm。
關于該臺階形抗蝕圖形，評價其耐熱性、耐干式蝕刻性、以及耐濕式蝕刻性的結果如下表1所示。
(實施例3)在與實施例1相同地形成臺階形抗蝕圖形之后，與此相對，在130℃下進行后烘處理300秒。
關于后烘處理之后的臺階形抗蝕圖形，評價其耐熱性、耐干式蝕刻性、以及耐濕式蝕刻性的結果如下表1所示。
(實施例4)在與實施例2相同地形成臺階形抗蝕圖形之后，與此相對，在130℃下進行后烘處理300秒。
關于后烘處理之后的臺階形抗蝕圖形，評價其耐熱性、耐干式蝕刻性、以及耐濕式蝕刻性的結果如下表1所示。
(比較例1)除了不進行UV固化處理之外，和實施例1同樣地形成臺階形的抗蝕圖形。
關于該臺階形抗蝕圖形，評價其耐熱性、耐干式蝕刻性、以及耐濕式蝕刻性的結果如下表1所示。
(比較例2)除了不進行UV固化處理之外，和實施例2同樣地形成臺階形的抗蝕圖形。
關于該臺階形抗蝕圖形，評價其耐熱性、耐干式蝕刻性、以及耐濕式蝕刻性的結果如下表1所示。
(比較例3)對于在比較例1中得到的臺階形抗蝕圖形(未經(jīng)UV固化)，與上述實施例3相同地進行后烘處理。
關于后烘處理之后的臺階形抗蝕圖形，評價其耐熱性、耐干式蝕刻性、以及耐濕式蝕刻性的結果如下表1所示。
(比較例4)對于在比較例2中得到的臺階形抗蝕圖形(未經(jīng)UV固化)，與上述實施例4相同地進行后烘處理。
關于后烘處理之后的臺階形抗蝕圖形，評價其耐熱性、耐干式蝕刻性、以及耐濕式蝕刻性的結果如下表1所示。
表1

※在后烘處理之后，因抗蝕圖形出現(xiàn)變形，所以沒有評價耐熱性、耐干式蝕刻性、以及耐濕式蝕刻性。
權利要求
1.一種抗蝕圖形的形成方法，其特征在于，具有(A)在基體上形成光致抗蝕劑被膜的工序、(B)經(jīng)過含有選擇性曝光的光刻工序而使上述光致抗蝕劑被膜圖形化為具有厚壁部和薄壁部的圖形形狀的工序、以及(C)在進行上述圖形化之后進行UV固化處理而形成具有厚壁部和薄壁部的臺階形抗蝕圖形的工序。
2.根據(jù)權利要求1所述的抗蝕圖形的形成方法，其特征在于，具有(D)在進行上述UV固化處理之后進行后烘處理的工序。
3.根據(jù)權利要求1所述的抗蝕圖形形成方法，其特征在于，所述基體是在玻璃基板上具有多層結構的基體，所述多層結構是從玻璃基板側(cè)起依次疊層有柵電極、第1絕緣膜、第1無定形二氧化硅膜、蝕刻阻止膜、第2無定形二氧化硅膜、以及源漏電極形成用金屬膜的多層結構。
4.根據(jù)權利要求2所述的抗蝕圖形形成方法，其特征在于，所述基體是在玻璃基板上具有多層結構的基體，所述多層結構是從玻璃基板側(cè)起依次疊層有柵電極、第1絕緣膜、第1無定形二氧化硅膜、蝕刻阻止膜、第2無定形二氧化硅膜、以及源漏電極形成用金屬膜的多層結構。
5.一種微細圖形的形成方法，其特征在于，在使用權利要求1所述的方法形成所述臺階形抗蝕圖形之后，具有如下工序(E)將該臺階形抗蝕圖形作為掩膜而對上述基體實施蝕刻處理；然后(F)對該臺階形抗蝕圖形進行灰化處理，除去上述薄壁部；(G)在除去上述薄壁部之后，將厚壁部作為掩膜而對上述基體實施蝕刻處理；然后(H)除去上述臺階形抗蝕圖形的厚壁部。
6.一種微細圖形的形成方法，其特征在于，在使用權利要求2所述的方法形成所述臺階形抗蝕圖形之后，具有如下工序(E)將該臺階形抗蝕圖形作為掩膜而對上述基體實施蝕刻處理；然后(F)對該臺階形抗蝕圖形進行灰化處理，除去上述薄壁部；(G)在除去上述薄壁部之后，將厚壁部作為掩膜而對上述基體實施蝕刻處理；然后(H)除去上述臺階形抗蝕圖形的厚壁部。
7.一種微細圖形的形成方法，其特征在于，在使用權利要求3所述的方法形成所述臺階形抗蝕圖形之后，具有如下工序(E)將該臺階形抗蝕圖形作為掩膜而對上述基體實施蝕刻處理；然后(F)對該臺階形抗蝕圖形進行灰化處理，除去上述薄壁部；(G)在除去上述薄壁部之后，將厚壁部作為掩膜而對上述基體實施蝕刻處理；然后(H)除去上述臺階形抗蝕圖形的厚壁部。
8.一種微細圖形的形成方法，其特征在于，在使用權利要求4所述的方法形成所述臺階形抗蝕圖形之后，具有如下工序(E)將該臺階形抗蝕圖形作為掩膜而對上述基體實施蝕刻處理；然后(F)對該臺階形抗蝕圖形進行灰化處理，除去上述薄壁部；(G)在除去上述薄壁部之后，將厚壁部作為掩膜而對上述基體實施蝕刻處理；然后(H)除去上述臺階形抗蝕圖形的厚壁部。
9.一種微細圖形的形成方法，其特征在于，在使用權利要求3所述的方法形成所述臺階形抗蝕圖形之后，具有如下工序(E’)將所述臺階形抗蝕圖形作為掩膜而對上述源漏電極形成用金屬膜、上述第2無定形二氧化硅膜、上述蝕刻阻止膜、以及上述第1無定形二氧化硅膜進行蝕刻處理；然后(F)對該臺階形抗蝕圖形進行灰化處理，除去上述薄壁部；(G’)在除去上述薄壁部之后，將厚壁部作為掩膜而對上述源漏電極形成用金屬膜以及上述第2無定形二氧化硅膜實施蝕刻處理，以露出上述蝕刻阻止膜層；然后(H)除去上述臺階形抗蝕圖形的厚壁部。
10.一種微細圖形的形成方法，其特征在于，在使用權利要求4所述的方法形成所述臺階形抗蝕圖形之后，具有如下工序(E’)將所述臺階形抗蝕圖形作為掩膜而對上述源漏電極形成用金屬膜、上述第2無定形二氧化硅膜、上述蝕刻阻止膜、以及上述第1無定形二氧化硅膜進行蝕刻處理；然后(F)對該臺階形抗蝕圖形進行灰化處理，除去上述薄壁部；(G’)在除去上述薄壁部之后，將厚壁部作為掩膜而對上述源漏電極形成用金屬膜以及上述第2無定形二氧化硅膜實施蝕刻處理，以露出上述蝕刻阻止膜層；然后(H)除去上述臺階形抗蝕圖形的厚壁部。
11.根據(jù)權利要求9所述的微細圖形的形成方法，其特征在于，上述源漏電極形成用金屬膜的蝕刻處理是濕式蝕刻處理或者干式蝕刻處理，上述第2無定形二氧化硅膜的蝕刻處理是干式蝕刻處理。
12.根據(jù)權利要求10所述的微細圖形的形成方法，其特征在于，上述源漏電極形成用金屬膜的蝕刻處理是濕式蝕刻處理或者干式蝕刻處理，上述第2無定形二氧化硅膜的蝕刻處理是干式蝕刻處理。
13.一種液晶顯示元件的制造方法，具有在玻璃基板上形成像素圖形而制作液晶陣列基板的工序，其特征在于，上述像素圖形的一部分是通過權利要求5～8中任意一項所述的微細圖形的形成方法而形成。
14.一種液晶顯示元件的制造方法，其特征在于，在通過權利要求9～12中任意一項所述的方法形成微細圖形之后，具有(I)在該微細圖形上設置第2絕緣膜的工序、(J)通過光刻對第2絕緣膜進行圖形化的工序、(K)在圖形化后的第2絕緣膜上形成透明導電膜的工序、(L)通過光刻對透明導電膜進行圖形化的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種抗蝕圖形的形成方法，其特征在于，具有下述工序(A)在基體(10)上形成光致抗蝕劑被膜的工序、(B)經(jīng)過含有選擇性曝光的光刻工序而使上述光致抗蝕劑被膜圖形化為具有厚壁部(r1)和薄壁部(r2)的圖形形狀的工序、以及(C)在進行上述圖形形成之后進行UV固化處理而形成具有厚壁部(r1)和薄壁部(r2)的臺階形抗蝕圖形(R)的工序。
文檔編號H01L21/336GK1629732SQ20041010031
公開日2005年6月22日 申請日期2004年12月9日 優(yōu)先權日2003年12月12日
發(fā)明者森尾公隆 申請人:東京應化工業(yè)株式會社