專(zhuān)利名稱(chēng)：激光誘導(dǎo)熱成像的方法和制造有機(jī)發(fā)光顯示器的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種激光誘導(dǎo)熱成像方法，并尤其涉及一種包括控制裝置中氣體環(huán)境并退火轉(zhuǎn)移層的激光誘導(dǎo)熱成像方法。本發(fā)明涉及一種用于制造有機(jī)發(fā)光(EL)顯示裝置的激光誘導(dǎo)熱成像。
背景技術(shù)：
在平板顯示裝置中，有機(jī)發(fā)光顯示器(“OLED”)具有低于1ms的高響應(yīng)速度，功率消耗低，并且因自發(fā)射特性沒(méi)有視角問(wèn)題，所以無(wú)論裝置尺寸，作為移動(dòng)圖像介質(zhì)具有優(yōu)勢(shì)。而且，基于現(xiàn)有的半導(dǎo)體工藝技術(shù)，有機(jī)發(fā)光顯示器能夠以一種簡(jiǎn)化的制造工藝被制造，因此它吸引著公眾的注意。
根據(jù)OLED顯示裝置的材料和工藝，它分為采用濕法-干法刻蝕技術(shù)的聚合物型裝置和采用沉積技術(shù)的單體型裝置。
在聚合物或單體發(fā)光層的構(gòu)圖方法中，噴墨印刷方法存在如下缺點(diǎn)除發(fā)光層外的其它有機(jī)層的材料受到限制，并需要在基板上形成噴墨印刷的結(jié)構(gòu)。而且，如果發(fā)光層的構(gòu)圖采用沉積工藝，由于使用金屬罩，制造大尺寸的裝置有困難。
作為此種構(gòu)圖方法的替代技術(shù)，激光誘導(dǎo)熱成像(laser induced thermalimaging，，“LITI”)最近得到了發(fā)展。
LITI是這樣的技術(shù)從激光源產(chǎn)生的激光被轉(zhuǎn)化成熱能，并且利用該熱能將圖案形成材料轉(zhuǎn)移到目標(biāo)基板，從而形成圖案。為了LITI，需要其上形成有轉(zhuǎn)移層的施主元件和作為接受對(duì)象(subject)的基板。在LITI中，施主膜覆蓋受主基板，并且施主膜和基板被固定到臺(tái)(stage)。
轉(zhuǎn)移層由有機(jī)層形成，并具有對(duì)氧氣和水蒸氣敏感的特性。也就是說(shuō)，如果有機(jī)層暴露于氧氣和水蒸氣中，則有機(jī)層的壽命降低，或者如果有機(jī)層包括發(fā)光層，其發(fā)光效率和壽命降低，從而導(dǎo)致OLED的壽命和發(fā)光效率降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種激光誘導(dǎo)熱成像(“LITI“)方法，其通過(guò)在LITI工藝期間控制裝置內(nèi)的氣體可以改善OLED的壽命和發(fā)光效率。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種LITI的方法，其通過(guò)對(duì)轉(zhuǎn)移的有機(jī)層退火改善OLED的壽命和發(fā)光效率。
本發(fā)明的第一個(gè)方面提供一種激光誘導(dǎo)熱成像方法，包括制備施主元件和基板；將所述施主元件的轉(zhuǎn)移層朝向所述基板，然后將所述轉(zhuǎn)移層構(gòu)圖到所述基板上；及退火所述被構(gòu)圖的基板。
本發(fā)明的第二個(gè)方面提供一種激光誘導(dǎo)熱成像的方法，包括制備施主元件和基板；將所述施主元件的轉(zhuǎn)移層朝向所述基板，然后將所述轉(zhuǎn)移層構(gòu)圖到所述基板上；及在惰性氣體環(huán)境退火所述被構(gòu)圖的基板。
本發(fā)明的第三個(gè)方面提供一種激光誘導(dǎo)熱成像的方法，包括制備施主元件和基板；將所述施主元件的轉(zhuǎn)移層朝向所述基板，然后在惰性氣體環(huán)境下將所述轉(zhuǎn)移層構(gòu)圖到所述基板上；及對(duì)所述被構(gòu)圖的基板在惰性氣體環(huán)境下進(jìn)行退火。
本發(fā)明的第四個(gè)方面提供一種制造有機(jī)發(fā)光顯示器的方法，包括在施主元件上形成轉(zhuǎn)移層；在基板上形成具有薄膜晶體管、電容器和線路的層；形成與每個(gè)薄膜晶體管接觸的像素電極；將所述施主元件和所述基板層疊后將所述轉(zhuǎn)移層構(gòu)圖在所述基板上；退火所述被構(gòu)圖的轉(zhuǎn)移層；及在所述已退火的轉(zhuǎn)移層上形成對(duì)電極。


通過(guò)參照附圖對(duì)優(yōu)選實(shí)施例的詳述，本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將變得十分明顯，附圖中圖1為說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的激光誘導(dǎo)熱成像(“LITI”)工藝的流程圖；圖2為說(shuō)明施主元件的橫截面圖；圖3為說(shuō)明基板的單位像素的橫截面圖，該基板具有形成于其上的預(yù)定層；圖4為說(shuō)明通過(guò)LITI形成的單位像素的橫截面圖；及圖5為說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的OLED的特性的曲線圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明將在下文中參照附圖進(jìn)行詳述，附圖示出本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。然而，本發(fā)明可能以其它不同形式實(shí)現(xiàn)，并不僅限于這里提出的實(shí)施例。更確切地，提供這些實(shí)施例的目的是使得本公開(kāi)徹底而完整，并向本領(lǐng)域的技術(shù)人員充分傳達(dá)本發(fā)明的范圍。為清晰起見(jiàn)，圖中層的厚度和區(qū)域(region)被夸大。整個(gè)說(shuō)明書(shū)中相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。
圖1為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的激光誘導(dǎo)熱成像(“LITI”)工藝的流程圖。
參照?qǐng)D1，制備具有轉(zhuǎn)移層的施主元件a和具有預(yù)定層的基板b。施主元件的轉(zhuǎn)移層設(shè)置為朝向基板的預(yù)定層，然后在激光照射裝置中對(duì)轉(zhuǎn)移層進(jìn)行構(gòu)圖，從而進(jìn)行激光誘導(dǎo)熱成像工藝c。構(gòu)圖后，帶有轉(zhuǎn)移層的施主元件被除去，并對(duì)基板退火。在退火工藝之后，有機(jī)層或?qū)﹄姌O被形成在帶有轉(zhuǎn)移層的基板上并密封，從而完成OLED。
圖2至圖4是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的LITI工藝的各步驟的橫截面圖。
圖2為施主元件的橫截面圖，其在圖1中被標(biāo)記為“a”。
參照?qǐng)D2，施主100具有多個(gè)層形成于底部基板(base substrate)110上的結(jié)構(gòu)。也就是說(shuō)，施主元件包括底部基板110和形成于底部基板110上的光-到-熱轉(zhuǎn)換層120和轉(zhuǎn)移層140。
底部基板110可以是加框的(framed)并且可具有柔性(flexible)或硬的(hard)材料。如果底部基板110太薄，它將難以處理，而如果太厚，由于其重量會(huì)具有傳送施主膜的困難。優(yōu)選地，底部基板110的厚度在20到200微米范圍內(nèi)。
光-到-熱轉(zhuǎn)換層120形成在底部基板110上，并且轉(zhuǎn)移層140形成在光-到-熱轉(zhuǎn)換層120上。
光-到-熱轉(zhuǎn)換層120用于將從激光照射裝置照射的激光轉(zhuǎn)換成熱能，并且熱能改變轉(zhuǎn)移層140和光-到-熱轉(zhuǎn)換層120之間的附著力，從而將轉(zhuǎn)移層140轉(zhuǎn)移到下面的基板。
為了防止轉(zhuǎn)移材料的損壞和有效地控制施主膜的附著力，可以在光-到-熱轉(zhuǎn)換層120和轉(zhuǎn)移層140之間設(shè)置緩沖層130。
轉(zhuǎn)移層140可以是OLED的發(fā)光層。轉(zhuǎn)移層140可以是從空穴注入層、空穴傳輸層、空穴阻擋層和電子發(fā)射層構(gòu)成的組中選擇的一種。
轉(zhuǎn)移層140可以是單體有機(jī)層。
圖3為說(shuō)明基板的單位像素(unit pixel)的橫截面圖，該基板具有形成于其上的預(yù)定層，該基板在圖1中標(biāo)記為“b”。
參照?qǐng)D3，在基板210上形成預(yù)定層的工藝可包括形成薄膜晶體管(“TFT“)，該TFT具有柵電極250、源電極270a和漏電極270b；形成連接到TFT的像素電極層290；及形成像素限定層295。
更詳細(xì)地，半導(dǎo)體層230形成在基板210上。為防止基板210上存在的雜質(zhì)進(jìn)入半導(dǎo)體層230中，可以在半導(dǎo)體層230和基板210之間形成緩沖層220。柵絕緣層240形成在半導(dǎo)體層230上，柵電極250形成在柵絕緣層240上。在柵電極250上使用常規(guī)材料形成層間絕緣層260，形成接觸孔從而暴露半導(dǎo)體層230的源區(qū)和漏區(qū)。導(dǎo)電材料層形成在層間絕緣層260上并被構(gòu)圖從而形成源電極270a和漏電極270b，源電極和漏電極分別與源區(qū)和漏區(qū)相連。
平坦化層280形成在具有源電極270a和漏電極270b的基板210上，并且通孔形成于平坦化層280中從而露出部分漏電極270b。在形成平坦化層280之前可以形成無(wú)機(jī)鈍化層從而保護(hù)下面的層不受濕氣、雜質(zhì)和濕法刻蝕工藝影響。導(dǎo)電材料層沉積在具有通孔的平坦化層280上并被構(gòu)圖從而形成像素電極290。形成像素限定層295從而暴露部分像素電極290，從而限定單位像素將形成于其上的有機(jī)層的區(qū)域。
圖4是說(shuō)明通過(guò)LITI形成的單位像素的橫截面圖，其在圖1中標(biāo)記為“c”。
激光600照射在基板200和施主元件100上的將被構(gòu)圖的區(qū)域。
在進(jìn)行LITI工藝之前，施主元件100和基板200可經(jīng)受層壓工藝(lamination process)。由于層壓工藝，施主元件100和基板200被固定，并且施主元件100和基板200之間的氣泡通過(guò)用于層壓工藝的加壓工藝(pressurizing process)除去。因此，優(yōu)選進(jìn)行層壓工藝。
照射激光600后，轉(zhuǎn)移層140a和像素電極290之間的附著力強(qiáng)于轉(zhuǎn)移層140和緩沖層130之間的附著力，激光600照射的區(qū)域的轉(zhuǎn)移層140a脫離緩沖層130并被構(gòu)圖，也就是被構(gòu)圖到像素電極290上。根據(jù)單位像素類(lèi)型，被構(gòu)圖的轉(zhuǎn)移層140a可以被構(gòu)圖為條型(stripe type)或三角型(delta type)。
將轉(zhuǎn)移層構(gòu)圖到基板上可以在小于10-2托(torr)的真空狀態(tài)中進(jìn)行。轉(zhuǎn)移層140a可以是單體有機(jī)層。
由于在真空狀態(tài)中進(jìn)行構(gòu)圖，所以能夠防止構(gòu)圖工藝期間可能出現(xiàn)在像素電極和有機(jī)層上的污染物質(zhì)，從而提高包括發(fā)光層的有機(jī)層的壽命。
在構(gòu)圖工藝之后，基板200從施主膜100除去。
已構(gòu)圖的基板的轉(zhuǎn)移層可以進(jìn)行退火。
退火工藝可以在惰性氣體環(huán)境下進(jìn)行。
優(yōu)選地，在控制水蒸氣的密度到10ppm以下之后進(jìn)行惰性氣體環(huán)境下的退火工藝。另外，優(yōu)選地在控制氧氣密度到50ppm以下之后進(jìn)行惰性氣體環(huán)境下的退火工藝。這是因?yàn)?，即使其中進(jìn)行退火的裝置具有惰性氣體環(huán)境，但由于難以完全阻止外部的氧氣和水蒸氣進(jìn)入，所以如上所述優(yōu)選地控制其中進(jìn)行退火工藝的裝置中的氧氣或水蒸氣的流入量。
作為本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，無(wú)論將轉(zhuǎn)移層構(gòu)圖到基板上的工藝期間的環(huán)境，已構(gòu)圖的基板的轉(zhuǎn)移層可以在惰性氣體環(huán)境下退火。轉(zhuǎn)移層140a可以是單體有機(jī)層。
優(yōu)選地，在控制水蒸氣的密度到10ppm以下之后進(jìn)行惰性氣體環(huán)境下的退火工藝。另外，優(yōu)選地在控制氧氣密度到50ppm以下之后進(jìn)行惰性氣體環(huán)境下的退火工藝。
由于退火處理，殘留在已轉(zhuǎn)移的有機(jī)層上的惰性氣體如氬和氮被除去。而且，通過(guò)控制退火工藝期間氧氣和水蒸氣的分壓，有機(jī)層的特性進(jìn)一步改善。所以，有機(jī)層的壽命增加，并且OLED的壽命特性得到改善。
作為本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，將轉(zhuǎn)移層構(gòu)圖到基板上的工藝可以在惰性氣體環(huán)境下進(jìn)行。轉(zhuǎn)移層140a可以是單體有機(jī)層。
優(yōu)選地，在控制水蒸氣的密度到10ppm以下之后進(jìn)行惰性氣體環(huán)境下的退火工藝。另外，優(yōu)選地在控制氧氣密度到50ppm以下之后進(jìn)行惰性氣體環(huán)境下的退火工藝。所以，通過(guò)控制構(gòu)圖工藝中氧氣和水蒸氣的分壓，在構(gòu)圖工藝期間基板上的像素電極和有機(jī)層可以得到保護(hù)，所以包括發(fā)光層的有機(jī)層的壽命得到提高。
在構(gòu)圖工藝之后，基板200從施主膜100上除去。
其上形成有轉(zhuǎn)移層140a的基板200可以在惰性氣體環(huán)境下退火。
優(yōu)選地，在控制水蒸氣的密度到10ppm以下之后進(jìn)行惰性氣體環(huán)境下的退火工藝。另外，優(yōu)選地在控制氧氣密度到50ppm以下之后進(jìn)行惰性氣體環(huán)境下的退火工藝。
由于退火處理，殘留在已轉(zhuǎn)移的有機(jī)層上的惰性氣體如氬和氮被除去。而且，通過(guò)控制退火工藝期間氧氣和水蒸氣的分壓，有機(jī)層的特性進(jìn)一步改善。所以，有機(jī)層的壽命增加，并且OLED的壽命特性得到改善。
在上述描述的三個(gè)實(shí)施例中，為了保護(hù)轉(zhuǎn)移層，在惰性氣體環(huán)境下退火已構(gòu)圖基板的轉(zhuǎn)移層優(yōu)選地在低于玻璃轉(zhuǎn)變溫度的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行。
對(duì)電極形成在構(gòu)圖后的有機(jī)層上并且然后密封，從而完成OLED。
圖5是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的OLED的特性的曲線圖。圖5顯示亮度隨時(shí)間的變化。
參照?qǐng)D5，“1”表示進(jìn)行在N2環(huán)境下的發(fā)光層的構(gòu)圖工藝和其后的退火工藝后亮度的變化，“2”表示進(jìn)行在真空狀態(tài)中的發(fā)光層的構(gòu)圖工藝和其后的退火工藝后亮度的變化，以及“3”表示進(jìn)行在常規(guī)氣體環(huán)境中的發(fā)光層的構(gòu)圖工藝和其后的退火工藝后亮度的變化?！?”和“5”表示不進(jìn)行退火工藝的情況，其中“4”表示發(fā)光層在常規(guī)氣體環(huán)境下進(jìn)行構(gòu)圖的情況。
可以看出，在對(duì)發(fā)光層進(jìn)行構(gòu)圖后經(jīng)歷退火工藝的OLED的發(fā)光特性是無(wú)論構(gòu)圖工藝的環(huán)境，1000小時(shí)過(guò)后初始亮度的50％以上依然維持。也就是，經(jīng)歷退火工藝的發(fā)光層的壽命較未經(jīng)退火工藝的發(fā)光層的壽命得到更大改善。
N2環(huán)境下構(gòu)圖工藝后進(jìn)行退火工藝與真空狀態(tài)中進(jìn)行構(gòu)圖工藝在發(fā)光特性上相似。所以，可以看出，本發(fā)明的OLED的壽命與傳統(tǒng)OLED相比具有更長(zhǎng)的壽命。
如上所述，通過(guò)在真空狀態(tài)中進(jìn)行構(gòu)圖工藝，激光誘導(dǎo)熱成像可以保護(hù)像素電極和轉(zhuǎn)移的有機(jī)層免于從外部流入裝置內(nèi)的氣體的影響，并能夠提高依此制造的OLED的包括發(fā)光層的有機(jī)層的壽命。
而且，無(wú)論構(gòu)圖工藝的環(huán)境，通過(guò)對(duì)轉(zhuǎn)移的有機(jī)層進(jìn)行退火，轉(zhuǎn)移的有機(jī)層上殘留的氣體被除去，并通過(guò)控制退火工藝期間氧氣和水蒸氣的分壓，有機(jī)層的特性能夠得到顯著改善。
另外，通過(guò)在惰性氣體環(huán)境下進(jìn)行整個(gè)構(gòu)圖和退火工藝并控制氧氣和水蒸氣的分壓，有機(jī)層的壽命特性可以得到顯著改善。
所以，OLED的壽命特性可以得到顯著改善。
盡管已經(jīng)參照本發(fā)明的典型實(shí)施例具體示出和描述了對(duì)本發(fā)明，然而本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員會(huì)理解在不偏離本發(fā)明的權(quán)利要求所限定的精神和范圍的情況下，可以在其中做出各種形式和細(xì)節(jié)上的改變。
本申請(qǐng)要求2004年8月30日提交的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)第2004-68769號(hào)的權(quán)利，本申請(qǐng)引用該申請(qǐng)文件的全文作為參考。
權(quán)利要求
1.一種激光誘導(dǎo)熱成像方法，包括制備施主元件和基板；將所述施主元件的轉(zhuǎn)移層朝向所述基板，然后將所述轉(zhuǎn)移層構(gòu)圖到所述基板上；及退火所述被構(gòu)圖的基板。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述步驟在真空狀態(tài)中進(jìn)行。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述真空狀態(tài)具有10-2托的真空度。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述轉(zhuǎn)移層是單體有機(jī)層。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述施主元件是加框的元件。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括在對(duì)所述轉(zhuǎn)移層構(gòu)圖之前層疊所述施主元件和所述基板。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述轉(zhuǎn)移層是有機(jī)發(fā)光顯示器的發(fā)光層。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述退火工藝在惰性氣體環(huán)境下進(jìn)行。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中在所述惰性氣體環(huán)境下的所述退火工藝在控制所述惰性氣體中的水蒸氣密度到10ppm以下之后進(jìn)行。
10.如權(quán)利要求8所述的方法，其中在所述惰性氣體環(huán)境下的所述退火工藝在控制所述惰性氣體中的氧氣密度到50ppm以下之后進(jìn)行。
11.如權(quán)利要求8所述的方法，其中在所述惰性氣體環(huán)境下的所述退火工藝在低于所述轉(zhuǎn)移層的玻璃轉(zhuǎn)變溫度的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行。
12.一種激光誘導(dǎo)熱成像的方法，包括制備施主元件和基板；將所述施主元件的轉(zhuǎn)移層朝向所述基板，然后將所述轉(zhuǎn)移層構(gòu)圖到所述基板上；及在惰性氣體環(huán)境退火所述被構(gòu)圖的基板。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中在所述惰性氣體環(huán)境下的所述退火處理在控制所述惰性氣體中的水蒸氣密度到10ppm以下之后進(jìn)行。
14.如權(quán)利要求12所述的方法，其中在所述惰性氣體環(huán)境下的所述退火處理在控制所述惰性氣體中的氧氣密度到50ppm以下之后進(jìn)行。
15.如權(quán)利要求12所述的方法，其中在所述惰性氣體環(huán)境下的所述退火工藝在低于所述轉(zhuǎn)移層的玻璃轉(zhuǎn)變溫度的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行。
16.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述施主元件是加框的元件。
17.如權(quán)利要求12所述的方法，還包括在對(duì)所述轉(zhuǎn)移層構(gòu)圖之前層疊所述施主元件和所述基板。
18.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述轉(zhuǎn)移層是有機(jī)發(fā)光顯示器的發(fā)光層。
19.一種激光誘導(dǎo)熱成像的方法，包括制備施主元件和基板；將所述施主元件的轉(zhuǎn)移層朝向所述基板，然后在惰性氣體環(huán)境下將所述轉(zhuǎn)移層構(gòu)圖到所述基板上；及對(duì)所述被構(gòu)圖的基板在惰性氣體環(huán)境下進(jìn)行退火。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其中在所述惰性氣體環(huán)境下的所述退火處理在控制所述惰性氣體中的水蒸氣密度到10ppm以下之后進(jìn)行。
21.如權(quán)利要求19所述的方法，其中在所述惰性氣體環(huán)境下的所述退火處理在控制所述惰性氣體中的氧氣密度到50ppm以下之后進(jìn)行。
22.如權(quán)利要求19所述的方法，其中在所述惰性氣體環(huán)境下的所述退火工藝在低于所述轉(zhuǎn)移層的玻璃轉(zhuǎn)變溫度的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行。
23.如權(quán)利要求19所述的方法，其中所述施主元件是加框的元件。
24.如權(quán)利要求19所述的方法，還包括在對(duì)所述轉(zhuǎn)移層構(gòu)圖之前層疊所述施主元件和所述基板。
25.如權(quán)利要求19所述的方法，其中所述轉(zhuǎn)移層是有機(jī)發(fā)光顯示器的發(fā)光層。
26.如權(quán)利要求25所述的方法，其中所述轉(zhuǎn)移層包括從空穴注入層、空穴傳輸層、空穴阻擋層和電子發(fā)射層構(gòu)成的組中選擇的的一種或多種。
27.一種制造有機(jī)發(fā)光顯示器的方法，包括在施主元件上形成轉(zhuǎn)移層；在基板上形成具有薄膜晶體管、電容器和線路的層；形成與每個(gè)薄膜晶體管接觸的像素電極；將所述施主元件和所述基板層疊后將所述轉(zhuǎn)移層構(gòu)圖在所述基板上；退火所述被構(gòu)圖的轉(zhuǎn)移層；及在所述已退火的轉(zhuǎn)移層上形成對(duì)電極。
28.如權(quán)利要求27所述的方法，其中所述步驟在真空狀態(tài)中進(jìn)行。
29.如權(quán)利要求27所述的方法，其中所述退火工藝在惰性氣體環(huán)境下進(jìn)行。
30.如權(quán)利要求27所述的方法，其中所述構(gòu)圖工藝在惰性氣體環(huán)境下進(jìn)行。
31.如權(quán)利要求27所述的方法，其中在所述惰性氣體環(huán)境下的所述退火處理在控制所述惰性氣體中的水蒸氣密度到10ppm以下之后進(jìn)行。
32.如權(quán)利要求27所述的方法，其中在所述惰性氣體環(huán)境下的所述退火處理在控制所述惰性氣體中的氧氣密度到50ppm以下之后進(jìn)行。
33.如權(quán)利要求27所述的方法，其中在所述惰性氣體環(huán)境下的所述退火工藝在低于所述轉(zhuǎn)移層的玻璃轉(zhuǎn)變溫度的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種激光誘導(dǎo)熱成像方法。該激光誘導(dǎo)熱成像方法包括制備施主元件和基板；將施主元件的轉(zhuǎn)移層朝向基板，然后將轉(zhuǎn)移層構(gòu)圖到基板上；然后退火已構(gòu)圖的基板。
文檔編號(hào)H01L27/32GK1744777SQ200410094219
公開(kāi)日2006年3月8日 申請(qǐng)日期2004年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2004年8月30日
發(fā)明者金茂顯, 陳炳斗, 宋明原, 李城宅 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社