專利名稱：半導(dǎo)體裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體及其制造方法，特別是一種包含硅化物構(gòu)造的擴散層電阻單元的構(gòu)造及其制造方法。
背景技術(shù)：
至今，以半導(dǎo)體裝置的微型化、高速化為目的，為了實現(xiàn)降低金屬布線層和擴散層的接觸電阻，使用了硅化物構(gòu)造。
圖7為表示此種擴散層電阻元件的剖面構(gòu)造的圖。在N型硅基板21上，通過LOCOS法或STI法形成單元分離區(qū)域22a、22b，并包圍活性區(qū)域。在活性區(qū)域中形成P+型擴散層24，并只在硅化物阻止層25的開口部中，形成鈦硅化物層(TiSix層)27a、27b。然后，在鈦硅化物層27a、27b上設(shè)置開口部并形成金屬布線層29a、29b。這樣，在金屬布線層29a和金屬布線層29b之間通過P+型擴散層24的擴散層電阻元件被連接。
圖8為表示具有硅化物的構(gòu)造的另一種擴散層電阻元件的剖面構(gòu)造的圖。這種擴散層電阻元件，被稱為中耐壓擴散層電阻單元，為具有耐10V程度的高壓的性能的擴散電阻單元。在N型硅基板31上，將活性區(qū)域包圍著通過LOCOS法或STI法形成單元分離區(qū)域32a、32b。在活性區(qū)域中形成P-型擴散層33，離開單元分離區(qū)域32a、32b一定距離在P-型擴散層33的內(nèi)側(cè)形成比其較淺的P+型擴散層34。然后，只在如圖7所示相同的硅化物阻止層35的開口部中，形成鈦硅化物層(TiSix層)37a、37b。然后，在鈦硅化物層37a、37b上設(shè)置開口部并形成金屬布線層39a、39b。這樣，金屬布線層39a和金屬布線層39b之間通過P+型擴散層34擴散層電阻元件被連接。中耐壓擴散層電阻元件中，由于在P+型擴散層34和N型硅基板31之間形成有P-型擴散層33，所以在P+型擴散層上施加的10V左右的電壓通過P-型擴散層33使電場集中被緩和，因而能夠獲得與圖7的擴散層電阻元件的構(gòu)造相比更高耐壓的性能。
此外，離開單元分離區(qū)域32a、32b一定距離在P-型擴散層33的內(nèi)側(cè)形成P+型擴散層34的原因是，由于單元分離區(qū)域32a、32b和P-型擴散層33的邊界面的形狀，使邊界面附近的P-型擴散層33中不能被適當?shù)刈⑷隤型雜質(zhì)。因此，由于此單元分離區(qū)域32a、32b和P-型擴散層33的邊界面附近的耐壓不足，因此不能獲得高耐壓的性能。
在圖8的擴散層電阻元件的構(gòu)造中，由于使P+型擴散層34從單元分離區(qū)域32a、32b偏離(offset)，所以P-型擴散層33從N型硅基板31的表面上露出。如果在此狀態(tài)下，僅利用活性區(qū)域的表面中作為P+型擴散層34的電阻單元的部分，通過硅化物阻止層35阻止鈦硅化物化，來進行鈦硅化物化的形成，便會在P-型擴散層33上也分別形成鈦硅化物層37a、37b。這樣，由于在硅化物反應(yīng)時鈦將P-型擴散層33的P型雜質(zhì)(例如，硼)吸收，擴散層的結(jié)點變淺，會發(fā)生所謂的結(jié)漏的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于防止具有硅化物構(gòu)造的中耐壓擴散層電阻單元的結(jié)漏。
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置及其制造方法僅在高濃度擴散層上，形成金屬硅化物層，而在低濃度擴散層上不形成硅化物層。
通過本發(fā)明，能夠防止具有硅化物構(gòu)造的擴散層電阻單元的結(jié)漏。這樣，能夠?qū)⒅心蛪簲U散層電阻元件，和具有硅化物構(gòu)造的微型MOS晶體管在同一芯片上集成化。


圖1為說明基于本發(fā)明的第1實施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖。
圖2為說明基于本發(fā)明的第1實施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖。
圖3為說明基于本發(fā)明的第1實施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖。
圖4為基于本發(fā)明的第1實施例的半導(dǎo)體裝置的俯視圖。
圖5為說明基于本發(fā)明的第2實施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖。
圖6為基于本發(fā)明的第2實施例的半導(dǎo)體裝置的俯視圖。
圖7為現(xiàn)有例的半導(dǎo)體裝置的剖面圖。
圖8為現(xiàn)有例的另一種半導(dǎo)體裝置剖面圖。
圖中1～N型硅基板；2a、2b～單元分離區(qū)域；3～P-型擴散層；4～P+型擴散層；5～硅化物阻止層；5a、5b～開口部；6，10～鈦層；7a、7b、11a、11b～鈦硅化物層；8～絕緣膜；9a、9b～金屬布線層。
具體實施例方式
下面，對本實施例中所涉及的半導(dǎo)體裝置及其制造方法參照附圖進行說明。
(實施例1)就第1實施例參照附圖1至附圖4進行說明。圖1至圖3為表示此半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖，圖4為此半導(dǎo)體裝置的俯視圖。如圖1(a)所示，在N型硅基板1上，包圍活性區(qū)域地通過LOCOS法或STI法形成單元分離區(qū)域2a、2b。在活性區(qū)域中形成P-型擴散層3，并在P-型擴散層3的內(nèi)側(cè)形成比其淺的P+型擴散層4。具體來說，將硼這類的P型雜質(zhì)低濃度地離子注入到N型硅基板1的活性區(qū)域的表面上，之后進行熱擴散。P-型擴散層3的雜質(zhì)濃度為，例如1×1017/cm3左右，但并不限定于此。然后，在離開單元分離區(qū)域2a、2b一定距離的區(qū)域中有選擇地將硼之類的P型雜質(zhì)高濃度地離子注入到N型硅基板1的表面上，形成P+型擴散層4。這樣，在P+型擴散層4和單元分離區(qū)域2a、2b之間，P-型擴散層3在N型硅基板1的表面上露出。
下面，如圖1(b)所示，例如將由硅氧化膜組成的硅化物阻止層5在整個面上堆積，如圖1(c)所示，通過將硅化物阻止層5選擇性地蝕刻，在P+型擴散層4上的硅化物阻止層5上設(shè)置開口部5a、5b。此時，P-型擴散層3上堆積有硅化物阻止層5。
下面，如圖2(a)所示，通過在整個面上濺射鈦(Ti)形成鈦層6。這樣，P+型擴散層4通過開口部5a、5b與鈦層6接觸。之后，通過圖2(b)所示地進行熱處理，與P+型擴散層4接觸的鈦層6被部分地硅化物化，從而在P+型擴散層4的表面上分別形成鈦硅化物層7a、7b。然后，如圖2(c)所示，將沒有硅化物化的鈦層濕法腐蝕并除去。此外，圖2(c)，與沿圖4的俯視圖的X-X線的剖面對應(yīng)。
下面，如圖3所示，在整個面上層疊絕緣膜8后在鈦硅化物層7a、7b上開連接孔，并形成金屬布線層9a、9b。
這樣，金屬布線層9a和金屬布線層9b之間通過P+型擴散層中耐壓擴散層電阻單元被連接。
下面，就本發(fā)明的第2個實施例參照附圖5進行說明。
同圖1至圖4一樣的構(gòu)成部分附同一符號，并省略說明。如圖5(a)所示，經(jīng)過圖1(a)的工序之后，在形成P+型擴散層4的N型硅基板1的整個面上通過濺射鈦形成鈦層10。
下面，如圖5(b)所示，通過將鈦層10有選擇地蝕刻，在P+型擴散層4的表面上分別殘留鈦層10a、10b，將此以外的區(qū)域上的鈦層10除去。之后，如圖5(c)所示，通過進行熱處理，將鈦層10a、10b硅化物化，形成鈦硅化物層11a、11b。
下面，如圖5(d)所示，在整個面上層疊絕緣膜8后在鈦硅化物層11a、11b上開連接孔，形成金屬布線層9a、9b。
這樣，金屬布線層9a和金屬布線層9b之間通過P+型擴散層4中耐壓擴散層電阻單元被連接。
此外，在第1個實施例中，作為硅化物阻止層5，硅氧化膜以外的材料，也可用例如硅氮化膜。另外，在第1及第2實施例中，也可用其他的高熔點金屬代替鈦。另外，在第1及第2實施例中，P-型擴散層3不必與單元分離區(qū)域2a、2b相鄰，也可像圖6的這樣在P-型擴散層4和單元分離區(qū)域2a、2b之間存在N型基板1。還有，第1及第2實施例中，雖然將通過P+型擴散層的擴散層電阻單元作為例子說明，本發(fā)明對N+型擴散層電阻單元也同樣適用。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于具有第1導(dǎo)電型的半導(dǎo)體基板；在所述半導(dǎo)體基板上形成的與所述第1導(dǎo)電型不同的第2導(dǎo)電型的高濃度擴散層；在所述高濃度擴散層與所述半導(dǎo)體基板之間形成的所述第2導(dǎo)電型的低濃度擴散層；在所述低濃度擴散層上形成，并阻止金屬硅化物的形成的金屬硅化物阻止層；以及所述低濃度擴散層上除外，在所述高濃度擴散層上形成的金屬硅化物層。
2.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于具有第1導(dǎo)電型的半導(dǎo)體基板；在所述半導(dǎo)體基板上形成的與所述第1導(dǎo)電型不同的第2導(dǎo)電型的高濃度擴散層；在所述高濃度擴散層與所述半導(dǎo)體基板之間形成的所述第2導(dǎo)電型的低濃度擴散層；以及所述低濃度擴散層上除外，在所述高濃度擴散層上形成的金屬硅化物層。
3.一種半導(dǎo)體制造方法，其特征在于具有在第1導(dǎo)電型的半導(dǎo)體基板上形成與所述第1導(dǎo)電型不同的第2導(dǎo)電型的低濃度擴散層的工序；在所述低濃度擴散層的內(nèi)側(cè)，形成比所述低濃度擴散層淺的所述第2導(dǎo)電型的高濃度擴散層的工序；在整個面上形成硅化物阻止層的工序；將在所述高濃度擴散層上的所述硅化物阻止層有選擇地除去，使所述高濃度擴散層的至少一部分露出的工序；在整個面上將金屬層覆蓋的工序；通過熱處理使與所述高濃度擴散層接觸的所述金屬層反應(yīng)并硅化物化，在所述高濃度擴散層上形成金屬硅化物層的工序；以及將所述硅化物阻止層上的沒有硅化物化的所述金屬層有選擇性地除去的工序。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體的制造方法，其特征在于所述硅化物阻止層，由硅氧化膜組成。
5.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于具有在第1導(dǎo)電體的半導(dǎo)體基板上形成與所述第1導(dǎo)電型不同的第2導(dǎo)電型的低濃度擴散層的工序；在所述低濃度擴散層的內(nèi)側(cè)，形成比所述低濃度擴散層淺的所述第2導(dǎo)電型的高濃度擴散層的工序；在所述低濃度擴散層上有選擇性地形成金屬層的工序；以及通過熱處理使與所述高濃度擴散層接觸的所述金屬層反應(yīng)并硅化物化，在所述高濃度擴散層上形成金屬硅化物層的工序。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法，通過在整個面上濺射鈦形成鈦層(6)。這樣，P
文檔編號H01L21/02GK1638150SQ20041008822
公開日2005年7月13日 申請日期2004年10月21日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月22日
發(fā)明者杉原茂行 申請人:三洋電機株式會社