專利名稱：發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，特別涉及一種改良的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
近年來，發(fā)光二極管組件在照明領(lǐng)域上的使用呈現(xiàn)級數(shù)成長。例如，發(fā)光二極管廣泛地應(yīng)用在手機、PDA及其它電子產(chǎn)品內(nèi)。
請參照圖1A和1B所示公知的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的上視圖和側(cè)視圖。發(fā)光二極管芯片18，固定于基座11的凹陷部內(nèi)?；?1固定兩片導(dǎo)電層16/17，用來與發(fā)光二極管芯片18作電性連接。因為工藝的需求(使導(dǎo)電層16/17容易彎折)，導(dǎo)電層16/17的彎折部份16a/17a的寬度，均設(shè)計為較導(dǎo)電層16/17的其它部分小。
未來手機和PDA等電子產(chǎn)品的趨勢是發(fā)光二極管所需的發(fā)光功率勢必越來越高。伴隨發(fā)光二極管高功率而來的是導(dǎo)線的高熱問題。上述所提及的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，導(dǎo)電層16/17為發(fā)光二極管芯片18傳導(dǎo)電源的途徑。然而，導(dǎo)電層16/17的彎折部份16a/17a的寬度設(shè)計顯然無法應(yīng)付高熱的需求。
因此，如何設(shè)計出散熱良好的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，成為制造商需面對的挑戰(zhàn)。
發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明的目的就是在提供一種改良的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，用以增加封裝結(jié)構(gòu)的使用壽命。
根據(jù)本發(fā)明的上述目的，提出一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。此封裝結(jié)構(gòu)包含一基座，且此基座上具有一凹陷部。此基座還包含一導(dǎo)電層，部份固定于基座中且暴露于凹陷部內(nèi)。導(dǎo)電層其余部份由內(nèi)而外延伸，并通過一彎折將導(dǎo)電層延伸至基座底面，其中彎折部份的寬度與導(dǎo)電層其它部份相同或更大。發(fā)光二極管芯片固定于凹陷部內(nèi)，并與導(dǎo)電層電性連接。填入模塑構(gòu)件于凹陷部內(nèi)，用以封裝發(fā)光二極管芯片。
具體地說，本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，至少包含一基座，具有一凹陷部；一導(dǎo)電層，固定于該基座中且部份暴露于該凹陷部內(nèi)，其余部份由內(nèi)而外延伸，并通過一彎折將該導(dǎo)電層延伸至基座底面，其中該彎折部份的寬度與該導(dǎo)電層其它部份相同；一發(fā)光二極管芯片，固定于該凹陷部內(nèi)，并與該導(dǎo)電層連接；以及一模塑構(gòu)件，填入該凹陷部內(nèi)，用以封裝該發(fā)光二極管芯片。
根據(jù)上述構(gòu)想的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中該基座材質(zhì)為環(huán)氧樹脂、玻璃纖維、氧化鈦、氧化鈣、液晶高分子、陶瓷或上述材料的組合。
根據(jù)上述構(gòu)想的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中該模塑構(gòu)件材質(zhì)為環(huán)氧樹脂、壓克力、硅膠或上述材料的組合。
根據(jù)上述構(gòu)想的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中該模塑構(gòu)件以壓模、灌膠或粘著的方式覆蓋填入該凹陷部內(nèi)。
根據(jù)上述構(gòu)想的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中該導(dǎo)電層包含金、銀、銅、鉑、鋁、鎳、錫或鎂。
本發(fā)明還提供一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，至少包含一基座，具有一凹陷部；一導(dǎo)電層，固定于該基座中且部份暴露于該凹陷部內(nèi)，其余部份由內(nèi)而外延伸，并通過一彎折將該導(dǎo)電層延伸至基座底面，其中該彎折部份的寬度較該導(dǎo)電層其它部份寬度大；一發(fā)光二極管芯片，固定于該凹陷部內(nèi)，并與該導(dǎo)電層連接；以及一模塑構(gòu)件，填入該凹陷部內(nèi)，用以封裝該發(fā)光二極管芯片。
根據(jù)上述構(gòu)想的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中該基座材質(zhì)為環(huán)氧樹脂、玻璃纖維、氧化鈦、氧化鈣、液晶高分子、陶瓷或上述材料的組合。
根據(jù)上述構(gòu)想的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中該模塑構(gòu)件材質(zhì)為環(huán)氧樹脂、壓克力、硅膠或上述材料的組合。
根據(jù)上述構(gòu)想的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中該模塑構(gòu)件以壓模、灌膠或粘著的方式覆蓋填入該凹陷部內(nèi)。
根據(jù)上述構(gòu)想的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中該導(dǎo)電層系含金、銀、銅、鉑、鋁、鎳、錫或鎂。
本發(fā)明還提供一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，至少包含一基座，具有一凹陷部；一導(dǎo)電層，固定于該基座中且部份暴露于該凹陷部內(nèi)，其余部份由內(nèi)而外延伸，并通過一彎折將該導(dǎo)電層延伸至基座底面，其中該彎折部份的寬度較該導(dǎo)電層其它部份寬度大，且具有至少一V型切口，以利于彎折加工；一發(fā)光二極管芯片，固定于該凹陷部內(nèi)，并與該導(dǎo)電層連接；以及一模塑構(gòu)件，填入該凹陷部內(nèi)，用以封裝該發(fā)光二極管芯片。
根據(jù)上述構(gòu)想的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中該基座材質(zhì)為環(huán)氧樹脂、玻璃纖維、氧化鈦、氧化鈣、液晶高分子、陶瓷或上述材料的組合。
根據(jù)上述構(gòu)想的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中該模塑構(gòu)件材質(zhì)為環(huán)氧樹脂、壓克力、硅膠或上述材料的組合。
根據(jù)上述構(gòu)想的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中該模塑構(gòu)件以壓模、灌膠或粘著的方式覆蓋填入該凹陷部內(nèi)。
根據(jù)上述構(gòu)想的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中該導(dǎo)電層包含金、銀、銅、鉑、鋁、鎳、錫或鎂。
由上述可知，應(yīng)用本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)可以減少因溫度提升因而對光電組件造成損害，進而增加封裝結(jié)構(gòu)的使用壽命。此外，因為封裝結(jié)構(gòu)在彎折部份較寬，使得封裝結(jié)構(gòu)可以用側(cè)面與載板固定。
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，并配合附圖作詳細(xì)說明如下圖1A和1B說明公知的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的上視圖和側(cè)視圖；圖2A和2B說明依照本發(fā)明一較佳實施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的上視圖和側(cè)視圖；圖3說明依照本發(fā)明一較佳實施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)固定的示意圖；以及圖4說明依照本發(fā)明一較佳實施例另一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)固定的示意圖。
11基座15模塑構(gòu)件
16導(dǎo)電層16a導(dǎo)電層彎折部17導(dǎo)電層17a導(dǎo)電層彎折部18發(fā)光二極管芯片21基座23焊接劑25模塑構(gòu)件26導(dǎo)電層26aV型切口27導(dǎo)電層27aV型切口28發(fā)光二極管芯片29導(dǎo)電端子31a/31b導(dǎo)線具體實施方式
為了改善公知發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)散熱效率不佳的情形，本發(fā)明的較佳實施例提出一種新型封裝結(jié)構(gòu)。此新型封裝結(jié)構(gòu)，其導(dǎo)電層在彎折的部份不減小其寬度。此外，為了使彎折加工更容易，本較佳實施例在彎折設(shè)計一V型切口。
請參照圖2A和2B，其繪示依照本發(fā)明一較佳實施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的上視圖和側(cè)視圖?；?1具有一凹陷部，作為固定光電組件之用?；?1的材質(zhì)可以是環(huán)氧樹脂、玻璃纖維、氧化鈦、氧化鈣、液晶高分子、陶瓷等材料。發(fā)光二極管芯片28通過導(dǎo)線31a/31b分別與導(dǎo)電層26/27電性連接。導(dǎo)電層26/27在彎折的部份還包含V型切口26a/27a，使彎折加工更容易。此外，導(dǎo)電層26/27在彎折部份的寬度與導(dǎo)電層26/27其它同寬或更大。通過壓模、灌膠或粘著的方式填入環(huán)氧樹脂、壓克力、硅膠等材料，形成模塑構(gòu)件25，將發(fā)光二極管芯片28封裝于該凹陷部內(nèi)。
在此領(lǐng)域的技術(shù)人員都知道半導(dǎo)體光電組件在導(dǎo)電動作時，其一部份能量會產(chǎn)生熱能，其熱能若持續(xù)累積在光電組件上，會發(fā)生溫度提升，因而對光電組件造成損害，進而降低其使用上的壽命。所以如何將其熱能有效的導(dǎo)引出為一重要課題。一般而言，散熱效果與其傳導(dǎo)物的截面積成正比，因此本發(fā)明在導(dǎo)電層26/27延伸于基座外的區(qū)域設(shè)計成均一或更大的寬度，可提升其散熱上的效果。
請參照圖3，其說明依照本發(fā)明一較佳實施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)固定后的示意圖。圖2A中完成封裝的結(jié)構(gòu)20通過焊接劑23(比如錫膏)與載板22上的導(dǎo)電端子29固定。
請參照圖4，其說明依照本發(fā)明一較佳實施例另一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)固定后的示意圖。在此圖中，圖2A中完成封裝的結(jié)構(gòu)通過焊接劑23(比如錫膏)以側(cè)面與載板22上的導(dǎo)電端子29固定。本發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，因?qū)щ妼拥膹澱鄄?6/27并未縮小寬度，所以可以用側(cè)面與載板22上的導(dǎo)電端子29固定。
由上述本發(fā)明的較佳實施例可知，應(yīng)用本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)可以減少因溫度上提升因而對光電組件造成損害，進而增加封裝結(jié)構(gòu)的使用壽命。此外，因為封裝結(jié)構(gòu)在彎折部份較寬，使得封裝結(jié)構(gòu)可以用側(cè)面與載板固定。
雖然本發(fā)明已以一較佳實施例揭示如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當(dāng)視所附權(quán)利要求范圍的界定為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中至少包含一基座，具有一凹陷部；一導(dǎo)電層，固定于該基座中且部份暴露于該凹陷部內(nèi)，其余部份由內(nèi)而外延伸，并通過一彎折將該導(dǎo)電層延伸至基座底面，其中該彎折部份的寬度與該導(dǎo)電層其它部份相同；一發(fā)光二極管芯片，固定于該凹陷部內(nèi)，并與該導(dǎo)電層連接；以及一模塑構(gòu)件，填入該凹陷部內(nèi)，用以封裝該發(fā)光二極管芯片。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基座材質(zhì)為環(huán)氧樹脂、玻璃纖維、氧化鈦、氧化鈣、液晶高分子、陶瓷或上述材料的組合。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該模塑構(gòu)件材質(zhì)為環(huán)氧樹脂、壓克力、硅膠或上述材料的組合。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該模塑構(gòu)件以壓模、灌膠或粘著的方式覆蓋填入該凹陷部內(nèi)。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該導(dǎo)電層包含金、銀、銅、鉑、鋁、鎳、錫或鎂。
6.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中至少包含一基座，具有一凹陷部；一導(dǎo)電層，固定于該基座中且部份暴露于該凹陷部內(nèi)，其余部份由內(nèi)而外延伸，并通過一彎折將該導(dǎo)電層延伸至基座底面，其中該彎折部份的寬度較該導(dǎo)電層其它部份寬度大；一發(fā)光二極管芯片，固定于該凹陷部內(nèi)，并與該導(dǎo)電層連接；以及一模塑構(gòu)件，填入該凹陷部內(nèi)，用以封裝該發(fā)光二極管芯片。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基座材質(zhì)為環(huán)氧樹脂、玻璃纖維、氧化鈦、氧化鈣、液晶高分子、陶瓷或上述材料的組合。
8.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該模塑構(gòu)件材質(zhì)為環(huán)氧樹脂、壓克力、硅膠或上述材料的組合。
9.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該模塑構(gòu)件以壓模、灌膠或粘著的方式覆蓋填入該凹陷部內(nèi)。
10.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該導(dǎo)電層包含金、銀、銅、鉑、鋁、鎳、錫或鎂。
11.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中至少包含一基座，具有一凹陷部；一導(dǎo)電層，固定于該基座中且部份暴露于該凹陷部內(nèi)，其余部份由內(nèi)而外延伸，并通過一彎折將該導(dǎo)電層延伸至基座底面，其中該彎折部份的寬度較該導(dǎo)電層其它部份寬度大，且具有至少一V型切口，以利于彎折加工；一發(fā)光二極管芯片，固定于該凹陷部內(nèi)，并與該導(dǎo)電層連接；以及一模塑構(gòu)件，填入該凹陷部內(nèi)，用以封裝該發(fā)光二極管芯片。
12.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基座材質(zhì)為環(huán)氧樹脂、玻璃纖維、氧化鈦、氧化鈣、液晶高分子、陶瓷或上述材料的組合。
13.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該模塑構(gòu)件材質(zhì)為環(huán)氧樹脂、壓克力、硅膠或上述材料的組合。
14.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該模塑構(gòu)件以壓模、灌膠或粘著的方式覆蓋填入該凹陷部內(nèi)。
15.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該導(dǎo)電層包含金、銀、銅、鉑、鋁、鎳、錫或鎂。
全文摘要
一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包含一基座，此基座上具有一凹陷部。此基座包含一導(dǎo)電層，部分固定于基座中且暴露于凹陷部內(nèi)。導(dǎo)電層其余部分由內(nèi)而外延伸，并通過一彎折將導(dǎo)電層延伸至基座底面，其中彎折部分的寬度與導(dǎo)電層其它部分相同或更大。發(fā)光二極管芯片固定于凹陷部內(nèi)，并與導(dǎo)電層電性連接。填入模塑構(gòu)件于凹陷部內(nèi)，用以封裝發(fā)光二極管芯片。該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)可以減少因溫度提升因而對光電組件造成損害，進而增加封裝結(jié)構(gòu)的使用壽命。此外，因為封裝結(jié)構(gòu)在彎折部分較寬，使得封裝結(jié)構(gòu)可以用側(cè)面與載板固定。
文檔編號H01L33/00GK1713404SQ200410059259
公開日2005年12月28日 申請日期2004年6月15日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月15日
發(fā)明者林裕勝, 吳旭隆 申請人:億光電子工業(yè)股份有限公司