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用于移動通信基站的介質諧振器裝置、通信濾波器和通信單元的制作方法

文檔序號:6829855閱讀:105來源:國知局
專利名稱:用于移動通信基站的介質諧振器裝置、通信濾波器和通信單元的制作方法
技術領域
本發(fā)明涉及一種在腔體中形成多個諧振器的介質諧振器裝置,尤其用于使用以上類型的介質諧振器裝置的移動通信基站的通信濾波器和通信單元。
2.背景技術公開號為7-321506的日本未經審查的專利申請中揭示了一種已知的用于濾波器的介質諧振器裝置,該裝置由在腔體中提供多個介質諧振器而形成。
在該公開的專利申請中,在腔體中提供多個介質核心,每一介質核心具有兩個相互交叉的直角平行六面體,由此形成多個TM雙模介質諧振器。該公開的專利申請中還揭示了一種結構,在該結構中,在相鄰的TM雙模介質諧振器之間配置了具有多個沿預定方向的縫隙的分隔板,從而在相鄰介質諧振器之間,雙模中同一類型模發(fā)生磁耦合。通過提供這一分隔板,使得沿縫隙長度方向取向的磁場能通過分隔板,而沿縫隙寬度取向的磁場受到屏蔽,因此能夠耦合相同預定類型的諧振模。
令磁場能夠通過分隔板的方向可以由縫隙的數(shù)量、寬度以及縱橫比等來確定。例如,如果減小縫隙的寬度,則可以增強對沿縫隙寬度方向取向的磁場進行屏蔽的效果。然而,磁場是無法完全屏蔽的,并且跨接在分隔板上的諧振器由于這類磁場而輕微地相互耦合。如果這類耦合不合乎需要,則無法獲得預定的濾波特征。在制造過程方面,也很難將分隔板上形成的縫隙的寬度減小至一個比預定值更小的值。
另外,沿縫隙長度方向的磁場的導磁率和沿縫隙寬度方向的磁場的導磁率可以用寬高比來改變至某一特定程度。然而,由于導磁率比是由分隔板上形成的縫隙的形狀所固定的。因此,對于沿縫隙長度方向的磁場和沿縫隙寬度方向的磁場這兩種模式來說,相鄰諧振器之間的最佳耦合系數(shù)無法單獨予以調整。
發(fā)明概述因此,本發(fā)明的目的是提供一種諧振器裝置,在該諧振器裝置中,可以改變通過提供分隔板而有選擇地決定耦合一種類型的諧振模的耦合量和耦合另一種諧振模的耦合量,并且還提供一種用于采用這種類型諧振器裝置的移動通信基站的通信濾波器和通信單元。
本發(fā)明的另一目的是提供一種諧振器裝置,在該諧振器裝置中,在通過提供分隔板兩種諧振模中進行選擇地耦合,僅允許一種類型諧振模的耦合,而抑制另一種類型諧振模的耦合,并提供了一種使用這種類型的諧振器裝置并用于移動通信基站的通信濾波器和通信單元。
為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供了一種介質諧振器裝置,它包括至少以第一諧振模式和第二諧振模式諧振的至少兩個相鄰的介質諧振器;以及分隔兩個相鄰介質諧振器的分隔板。在兩個相鄰介質諧振器中,通過第一諧振模式和第二諧振模式而由磁回路形成的表面相互正交。分隔板具有縫隙,兩個相鄰介質諧振器的第一諧振模式的磁回路沿縫隙的長度方向通過。分隔板還具有導體回路,包括同兩個相鄰介質諧振器的的中一個的第二諧振模式耦合的第一導體回路部分,,和同另一介質諧振器的第二諧振模式耦合的第二導體回路部分。
上述縫隙使得其中的磁場沿縫隙的長度方向的第一諧振模信號能夠通過此縫隙。由于第一導體回路部分和第二導體回路部分與兩個介質諧振器的第二諧振模相耦合,因而可以確定通過導體回路在兩個介質諧振器之間的第二諧振模的耦合量。因此,第二諧振模的耦合量可由導體回路來改變。
在該介質諧振裝置中,通過將兩相鄰介質諧振器的第二諧振模的磁場耦合至第一導體回路段和第二導體回路段,可以取消由第二諧振模通過縫隙時的磁場泄漏所引起的兩相鄰介質諧振器之間的第二諧振模的耦合。
采用這一結構,耦合能夠在兩介質諧振器之間的第一諧振模中起到效果,并且可以抑制不需要的第二諧振模的耦合,因而能獲得預定的濾波器特征。
本發(fā)明也提供了一種介質諧振器裝置包括至少兩個相鄰介質諧振器,能夠至少在第一和第二諧振模中諧振;以及一個分隔板,用來分隔兩相鄰介質諧振器。在兩相鄰介質諧振器中,由第一和第二諧振模的磁回路形成的表面相互正交。該分隔板具有縫隙,兩相鄰介質諧振器的第一諧振模的磁循環(huán)沿縫隙的長度通過。分隔板也具有導體回路,包括耦合至兩相鄰介質諧振器的其中一個的第一諧振模的第一導體回路段,以及耦合至另一介質諧振器的第二諧振模的第二導體回路段。
上述縫隙使得磁場方向沿縫隙的長度中的第一諧振模信號能夠通過該縫隙。第一導體回路段耦合至兩介質諧振器的其中一個的第一諧振模,第二導體回路段耦合至另一介質諧振器的第二諧振模。相應地,當由兩個介質諧振器組成四個階段諧振段時,第一階段和第三階段諧振段可以通過導體回路跳躍耦合,或者第二階段和第四階段諧振段可以通過導體回路跳躍耦合。因此,通過跳過一個諧振器的跳躍耦合量可以由該導體回路來改變。
在本發(fā)明的介質諧振器裝置中,可以為分隔板提供導體回路,使其能通過其中一個縫隙。
采用這一結構,易于排列導體回路,只需將具有導體回路的分隔板置于空腔中的預定位置,就可以耦合兩介質諧振器。
在本發(fā)明的介質諧振器裝置中,縫隙間隔可以平行于環(huán)繞兩相鄰介質諧振器的空腔內部和分隔板側面之間的縫隙。
采用這一排列,由于縫隙間隔作為縫隙來使用,則不需要分隔板側面和空腔內部之間的電連接。
本發(fā)明更進一步提供了一種通信濾波器包括上述介質諧振裝置;以及外置耦合單元,外置地耦合至介質諧振器裝置。在該通信濾波器中,可以獲得具有很大阻帶衰減的帶通特征。
本發(fā)明還提供了一種用于移動通信基站的通信單元,包括上述的高頻電路中通信濾波器,使得通信信號的預定頻帶能夠通過。相應地,也可以提供一種小型且廉價的通信單元。
附圖簡要描述

圖1A至1D根據本發(fā)明的第一實施例描述了在介質諧振器裝置中使用的介質核心的結構;圖2A和2B描述了采用圖1A至1D所示的介質諧振器裝置的通信濾波器的構造;圖3A和3B分別為圖2A沿線A-A和線B-B的剖視圖;圖4A和4B描述了圖2A和2B所示的分隔板的結構;圖5A和5B描述了跨越分隔板放置的兩個介質諧振器的耦合狀態(tài);圖6描述了圖2A和2B所示的通信濾波器中使用的介質諧振器的耦合關系;圖7是出現(xiàn)不需要的跳躍耦合時的特征圖;圖8是消除不需要的跳躍耦合后的特征圖9是出現(xiàn)跳躍耦合具有同另一耦合相反極性時的特征圖;圖10A、10B和10C根據本發(fā)明的第二實施例描述了分隔板的結構以及介質諧振器裝置的相鄰部分;圖11A和11B根據本發(fā)明的第三實施例描述了分隔板的結構以及介質諧振器裝置的相鄰部分;圖12A和12B根據本發(fā)明的第四實施例描述了分隔板的結構以及介質諧振器裝置的相鄰部分;圖13根據本發(fā)明的第五實施例描述了分隔板的結構以及介質諧振器裝置的相鄰部分;圖14A和14B根據本發(fā)明的第六實施例描述了通信濾波器的結構圖;圖15A和15B描述了分隔板以及圖14A和14B所示的通信濾波器的相鄰部分;圖16根據本發(fā)明的第七實施例描述了分隔板的結構以及介質諧振器裝置的相鄰部分;圖17根據本發(fā)明的第八實施例描述了分隔板的結構以及介質諧振器裝置的相鄰部分;以及圖18根據本發(fā)明的第九實施例描述了用于移動通信基站的通信單元的構造。
較佳實施例描述以下參考附圖,通過對較佳實施例的圖解來詳細描述本發(fā)明。
以下參考圖1A-1D、2A-2B、3A-3B、4A-4B、5A-5B以及6-9來描述介質諧振器和具有根據本發(fā)明的第一實施例構造的介質諧振器的通信濾波器。
圖1A-1D描述了第一實施例的介質諧振器的構造。更特別地,圖1A、1B和1C分別為介質核心10的頂視圖、前視圖以及右側視圖,圖1D是整個介質諧振器的透視圖。在圖1D中,通過將兩個直角平行六面體交叉并組合來構成介質核心10,并且該核心側面為十字交叉形。最好在兩直角平行六面體相互交叉部分提供凹槽。介質核心10通過如粘合劑或者玻璃釉來粘合至支撐板3。
如圖1A所示,諧振模為TE01 z諧振模,在該模中,電場在垂直于z軸的平面(x-y平面)上循環(huán),諧振模在介質核心10的10y所示的矩形部分中產生。同樣,如圖1C所示,諧振模為TE01 y模,在該模中,電場在垂直于y軸的平面(x-z平面)上循環(huán),諧振模在核心10的10z所示矩形部分產生。
圖2A-2B描述了具有圖1A至1D所示的介質諧振器的通信濾波器的構造。更特別地,圖2A是通信濾波器移除頂部的空腔蓋片2后的頂視圖,圖2B是通信濾波器圖2A加上空腔蓋片2后沿C-C線的垂直剖面圖。諧振器R1、R23、R45和R6置于由空腔單元1和空腔蓋片2組成的空腔室中。對于R23和R45,使用了圖1D所示的支撐板3??梢允褂萌齻€或更多的介質諧振器。
諧振器R1和R6每一個都能夠形成半同軸諧振器。更特別地,具有預定高度的中央導體置于空腔單元1的空腔室的底部。同軸連接器12固定在空腔單元1的外表面上,并且同軸連接器12的中央導體連接至相應的中央導體11。頻率調節(jié)旋鈕13固定在面向中央導體11頂部的空腔蓋片2的部分上。通過調整頻率調節(jié)旋鈕13和中央導體11的頂部之間所產生的寄生電容,可以調節(jié)半同軸諧振器的諧振頻率。
在諧振器R1和R23之間以及諧振器R6和R45之間裝有窗W。在諧振器R23和R45之間裝有分隔板20。在諧振器R1和R23之間提供了跳躍耦合導體回路22,在諧振器R45和R6之間也提供了跳躍耦合導體回路23。
圖3A是沿圖2A的線A-A的剖視圖,圖3B是沿圖2A的線B-B的剖視圖。
如圖3A所示,在分隔板20上形成了多個縫隙S。對分隔板20提供了導體回路21。在分隔板20的側面和空腔室之間也提供了平行于縫隙S的縫隙間隔S’。
由于分隔板的縫隙S的長度平行于z軸,因此能夠傳導諧振器R23和諧振器R45中產生的TE01 z模的磁耦合。
圖4A和4B分別為分隔板20的透視圖和側視圖。在圖4A的透視圖中,為簡化繪圖,用一條線來表示分隔板20的厚度(同樣應用到之后的透視圖中)。
傳導回路包括第一傳導回路段21a和第二傳導回路段21b。第一和第二傳導回路段21a和21b組成了回路表面,連接至方向同縫隙S的長度正交的磁場(即磁場方向沿縫隙S的寬度)。第一回路段21a顯示在圖4A的近端,即圖4B中諧振器的左側,而第二傳導回路段21b顯示在圖4A的遠端,即圖4B中諧振器的右側。
圖3A和4A所示的在分隔板20和空腔單元1的空腔室之間形成的縫隙間隔S’具有同縫隙S相似的功能。相應地,分隔板20的側面和空腔單元1的空腔室之間的電連接變?yōu)椴恍枰?。根據一種已知的不具備縫隙間隔S’的濾波器的結構,必須根據高頻電流來充分平穩(wěn)地建立上述區(qū)域的電連接。如果電連接不夠充足,則會降低諧振器的Q因數(shù),導致插入損失的增加。然而,在本實施例中,可以通過提供縫隙間距S’來解決這一問題。當通過完整地提供本領域的發(fā)送濾波器和接收濾波器來形成雙工器時,由于存在另一濾波器跨越空腔墻的空間,在結構上很難將分隔板的所有四個側面電連接至一個濾波器的空腔室??梢酝ㄟ^按壓來放置一塊分隔板以替代螺絲,然而,在這一情況下,電連接可能不夠充分。作為選擇,可以使用回流焊接來將分隔板固定在空腔室上,然而,在這一情況下,這一過程變得復雜,且增加了成本??梢酝ㄟ^圖3A和4A所示的縫隙間隔S’提供的結構來解決這類問題。
圖5描述了通過分隔板20在圖2A和2B所示的兩個諧振器R23和R45中產生的第一諧振模的耦合狀態(tài)。圖5B描述了通過分隔板20在兩個諧振器R23和R45中產生的第二諧振模的耦合狀態(tài)。如圖5A所示,由于第一諧振模的磁場縱向通過分隔板20的縫隙S,諧振器R23和R45的第一諧振模(TE01 z模)相互耦合。如圖5B所示,諧振器R23的第二諧振模(TE01 y模)的磁場耦合至第一導體回路段21a,同時諧振器R45的第二諧振模(TE01 y模)的磁場耦合至第二導體回路段21b。相應地,第二諧振模的耦合量可以通過導體回路21來確定。
圖6描述了圖2A和2B所示的通信濾波器的諧振器之間的耦合關系。R2表示諧振器R23的TE01 y模諧振器部分,R3表示諧振器R23的TE01 z模諧振器部分。R4表明諧振器R45的TE01 z模諧振器部分,R5表明諧振器R45的TE01 y模諧振器部分。諧振器R1和R2之間的耦合k12由空間磁耦合引起,諧振器R5和R6之間的耦合k56同樣也由空間磁耦合引起。諧振器R2和R3之間的耦合k23由諧振器R23中形成的凹槽g引起,諧振器R4和R5之間的耦合k45同樣也由諧振器R45中形成的凹槽g引起。
諧振器R3和R4之間的耦合k34由通過在分隔板20中形成的縫隙S的磁場引起。諧振器R1和R3之間的耦合k12由跳耦合導體回路22引起,諧振器R4和R6之間的耦合同樣也由跳耦合導體回路23引起。
諧振器R2和R5之間的耦合k25由從分隔板20中形成的縫隙S中泄漏的磁場的耦合和由導體回路21提供的磁場的耦合的協(xié)同效應引起。更特別地,盡管諧振器R23和R45的TE01 y模的磁場由于沿縫隙S的寬度定向而被屏蔽,但仍有少量的磁場泄漏,因此導致了這類磁場的耦合。在第一個實施例中,導體回路21為S或倒S形,即,第一和第二導體回路段是扭曲的。相應地,在跨越分隔板的兩個空間中連接至導體回路21的磁場的方向是相互反向的。因此,可以消除從縫隙S的磁場泄漏的耦合。
圖2A和2B所示的示例中,由于凹槽g在諧振器R23和R45之間的相同方向上形成,從縫隙S中泄漏的諧振器R2和R5之間的磁場的耦合k25的耦合系數(shù)的極性變?yōu)榕c諧振器R3和R4之間的耦合k34的耦合系數(shù)的極性相同。相應地,當導體回路21的第一和第二導體回路段21a和21b的回路面積增加至某一程度時,可以消除從縫隙S泄漏的磁場的耦合,并且耦合k25的耦合系數(shù)變?yōu)?。當更進一步增加第一和第二導體回路段21a和21b的回路面積時,耦合k25的極性變?yōu)橥詈蟢34的極性相反,并在諧振器R2和R5之間出現(xiàn)跳躍耦合。
圖7、8和9描述了當耦合k25的耦合系數(shù)變化時的帶通特征(S21)和反射特征(S11)圖。在圖中,垂直軸代表以分貝表示的衰減,增量為10dB,實線所表示的位置為0dB。水平軸表明線性刻度從1700到2200MHz的頻率。
圖7描述了在沒有提供導體回路21的情況下,當自然從縫隙S中泄漏的磁場的跳躍耦合k25的耦合系數(shù)+0.08%時(極性與耦合k34相同)的特征。該實施例的通信濾波器的特征的要求之一是在由圖7中的三角形表示的記號1和記號2之間實現(xiàn)75dB或更大的衰減。為滿足這一要求,產生由k13和k46表示的具有負耦合系數(shù)的跳躍耦合。然而,由于具有正耦合系數(shù)的跳躍耦合k25的影響,在記號1和記號2之間未產生衰減極點。由此證明了提供具有縫隙的分隔板僅僅未達到75dB或更大的衰減。
圖8描述了通過調整第一和第二導體回路段21a和21b的回路面積,當耦合k25的耦合系數(shù)接近0%時的特征。相應地,在記號1和記號2之間產生了由于跳耦合k13和k46引起的衰減極點,因此實現(xiàn)了75dB或更大的衰減。在圖8中,P13和P46分別表示由跳耦合k13和k46引起的衰減極點的位置。
圖9描述了在不提供跳躍耦合導體回路22和23的情況下,通過增加第一和第二導體回路段21a和21b的回路面積,當耦合k25的耦合系數(shù)為-0.05%時的特征。在這一方式中,當通過跳過偶數(shù)號諧振器來產生具有同耦合k34相反極性的跳躍耦合時,在通頻帶的高頻范圍和低頻范圍同時產生了衰減極點。在圖9中,P25表示由跳躍耦合k25引起的衰減極點。
下文將參考圖10A、10B和10C來描述符合本發(fā)明的第二實施例而構造的介質諧振器裝置的主要部分的結構。
圖10A、10B和10C描述了分隔板20以及與分隔板20相鄰的空腔單元1的結構的示例。在圖10A所示的示例中,提供了向空腔單元1的內部的凸起1w,分隔板放置在突出部分1w之間。在分隔板和突出部分1w之間也提供了縫隙間隔S’。采用這一結構,與其它分隔板的結構相比可以減少所需的縫隙的數(shù)量。
在圖10B所示的示例中,在分隔板20的側面和空腔單元1的空腔室之間也提供了與縫隙S平行的凹進部分1g,使得分隔板20的側面能夠插入凹進部分1g中。采用這一結構,凹進部分1g可以用作縫隙間隔。
在圖10C所示的示例中,在空腔單元1的空腔室中提供了突出部分1w,同時也在突出部分1w中形成了凹進部分1g,使得分隔板20能夠插入凹進部分1g中并留有間隙。采用這一結構,可以提供預定數(shù)量的縫隙,并且凹進部分g也可以用作縫隙間隔。
圖11A和11B描述了符合本發(fā)明的第三實施例而構造的介質諧振器裝置的主要部分的結構。更特別地,圖11A和11B分別為分隔板20的透視圖和側視圖。在該實施例中,第一和第二導體回路段21a和21b同分隔板20是連續(xù)地和整體地形成。第一和第二導體回路段21a和21b的回路面積可以由當從第一和第二回路段21a和21b的側面看去時的面積來表示。
圖12A和12B描述了符合本發(fā)明的第四實施例而構造的介質諧振器裝置的主要部分的結構。更特別地,圖12A和12B分別為分隔板及其周圍部分的透視圖和頂視圖。在該實施例中,形成了第一和第二導體回路段21a和21b,使得當在x軸看分隔板20時,導體回路21為S形或倒S形,并且當在z軸看分隔板20時,導體回路21為N形或倒N形。在沖壓并提升第一和第二導體回路段21a和21b后,在導體回路21的剩余部分中形成了同樣可用作縫隙S的縫隙S″。
圖13是符合本發(fā)明的第五實施例而構造的介質諧振器裝置的分隔板20的結構的側視圖。該分隔板20的結構與圖4A和4B中所示的結構類似,除了導體回路21離開分隔板20分開提供的。在圖13所示的這一實施例中,具有第一和第二導體回路段21a和21b的導體回路21固定在空腔單元1和空腔蓋片2上。導體回路21通過分隔板20提供的中央縫隙或相鄰縫隙而放置,使其不與分隔板20接觸。采用這一結構,回路面積也可以由第一和第二導體回路段21a和21b以及分隔板來確定。
下文結合圖14A至15B描述一種符合本發(fā)明的第六實施例而構造的通信濾波器。
本實施例的通信濾波器圖2A和2B所示的不同之處在于,為分隔板20提供了不扭曲的導體回路21,在諧振器R23中形成的凹槽g的方向與諧振器R45中形成的凹槽g的方向相反,并且未提供跳躍耦合導體回路22和23。結構的其它方面與圖2A和2B所示的類似。
當沿x軸看時,諧振器R23中形成的凹槽g向右上45°傾斜,而在諧振器R45中形成的凹槽g向左上45°傾斜。根據諧振器R23和R45之間的凹槽的關系,從分隔板20的縫隙S泄漏的磁場的耦合k25的耦合系數(shù)的極性與耦合k34的耦合系數(shù)的極性相反。
圖15A和15B描述了圖14A和14B所示的分隔板以及提供給分隔板20的導體回路21的結構。構造導體回路21,使得其兩端都連接至分隔板20,并且使第一和第二導體回路段21a和21b位于分隔板20的前面和背面,以形成一個完整的回路圈。通過提供不扭曲的導體回路21,當跳耦合k25的耦合系數(shù)的極性與耦合k34的耦合系數(shù)的極性相反時,其絕對值將變大。通過調整第一和第二導體回路段21a和21b的回路面積,可以將跳躍耦合k25的耦合系數(shù)設定為預設值,因此能獲得與圖9所示的類似的特征,具有衰減極點P25,衰減極點P25在通頻帶的高頻范圍和低頻范圍中由跳躍耦合k25產生。
圖16描述了符合本發(fā)明的第七實施例的通信濾波器的分隔板的結構。在該實施例中,導體回路21穿過分隔板20的縫隙,使其兩端連接至空腔單元1的底部。采用這一結構,位于分隔板前面和背面的導體回路段作為第一和第二導體回路段21a和21b。在這一方式下,可以從分隔板20上單獨分離出不扭曲的導體回路。
在圖2A和2B以及圖14A和14B分別所示的第一和第六實施例中,將跳躍耦合k25的耦合系數(shù)設為0或預定值,使其極性變?yōu)橥詈蟢34的極性相反。然而,可能在將跳躍耦合k25的耦合系數(shù)設為預定值時其極性仍然保留為同耦合k34的極性相同。例如,在圖2A和2B所示的實施例中,導體回路21可以用不扭曲的導體回路來替代,如圖15A和16所示。作為選擇,圖14A和14B所示的導體回路21可以被扭曲的導體回路所替代,如圖2A和2B所示。通過將跳躍耦合k25的耦合系數(shù)的極性設為與耦合k34的極性相同,盡管通頻帶高頻范圍和低頻范圍的衰減特征惡化,卻可以顯著地提高通頻帶的群延遲特征。
圖17是符合本發(fā)明的第八實施例的介質諧振器裝置的主要部分的透視圖。同樣在該實施例中,為分隔板提供了由第一導體回路段21a和第二導體回路段21b組成的導體回路21。然而,與圖4A和4B所示的導體回路21不同,第一導體回路段21a具有充分水平的回路面,第二導體回路段21b具有充分垂直的回路面。相應地,如果圖2A和2B所示的分隔板由圖17所示的分隔板來替代,則第一導體回路段21與諧振器R23的TE01 z模的磁場相耦合,第二導體回路段21b與諧振器R45的TE01 y模的磁場相耦合。由于TE01 z模諧振器R23符合圖6所示的第三階段諧振器R3,并且TE01 y模諧振器R45符合圖6所示的第五階段諧振器R5,因此導體回路21提供通過跳過一個諧振器,即第四階段諧振器R4,來跳耦合第三階段諧振器R3和第五階段諧振器R5的功能。當諧振器R3和R5之間的跳耦合的極性與耦合k34的極性相同時,通頻帶的高頻范圍產生衰減極點。當該極性與耦合k34的極性不同時,在通頻帶的低頻范圍產生衰減極點。
如上所述,可以通過跳過奇數(shù)個諧振器,如一個諧振器,來產生衰減極點。
在前豎實施例中,第一和第二諧振模都為TE01模。然而,第一和第二諧振模的其中之一可以為TM模。例如,在圖2A和2B所示的實施例中,可以構造一個TM多模介質諧振器裝置,其中,諧振能夠產生具有沿z軸方向的電場的TM110 z模或TM11 z模,以及具有沿y軸方向的電場的TM110 y?;騎M11 y模。
圖18顯示了符合本發(fā)明的第九實施例構造的用于移動通信基站的通信單元的結構。
在該通信單元中,一個發(fā)送濾波器和一個接收濾波器組成一個雙工器,每一濾波器都是上述實施例描述的濾波器之一。相位調節(jié)在發(fā)送濾波器的輸出端口和接收濾波器的輸入端口之間進行,使得發(fā)送信號0會進入接收濾波器,并且接收信號不會進入發(fā)送濾波器。發(fā)送電路連接至發(fā)送濾波器的輸入端口,并且接收電路連接至接收濾波器的輸出端口。天線連接至天線端口。采用這一結構,可以組成具有本發(fā)明的介質諧振器裝置的通信單元。
權利要求
1.一種介質諧振器裝置,它包括至少兩個相鄰的介質諧振器,每一諧振器至少在第一和第二諧振模中諧振,所述的第一諧振模和第二諧振模各自具有的磁回路相互正交;位于所述的至少兩個相鄰介質諧振器之間的分隔板,該分隔板包括縫隙,所述的至少兩個相鄰介質諧振器的第一諧振模的磁場回路沿縫隙長度通過;以及同所述的分隔板一起提供的導體回路,該導體回路包括耦合至所述的至少兩個相鄰介質諧振器的第一介質諧振器的第二諧振模的第一導體回路段,以及耦合至所述的至少兩個相鄰介質諧振器的第二介質諧振器的第二諧振模的第二導體回路段。
2.如權利要求1所述的介質諧振器裝置,其特征在于,對所述的導體回路進行布置,使其穿過所述的縫隙之一。
3.如權利要求1所述的介質諧振器裝置,它更進一步包括包圍所述的至少兩個相鄰介質諧振器并形成空腔的壁;以及與所述的縫隙平行的縫隙間隔,該縫隙間隔位于所述的空腔的壁和所述的分隔板的側面之間。
4.如權利要求1所述的介質諧振器裝置,它更進一步包括包圍所述的至少兩個相鄰介質諧振器裝置并形成空腔的壁;以及一組從所述的壁向所述的空腔內延伸的相對突出部分,所述的分隔板位于所述的相對突出部分之間。
5.如權利要求1所述的介質諧振器裝置,它更進一步包括包圍所述的至少兩個相鄰介質諧振器并形成空腔的壁;以及一組在所述的空腔的壁內的相對凹槽,所述的分隔板位于該組凹槽中。
6.如權利要求1所述的介質諧振器裝置,它更進一步包括包圍所述的至少兩個相鄰介質諧振器裝置并形成空腔的壁;一組從所述的壁向所述的空腔內延伸的相對突出部分;以及分別位于所述的相對突出部分中的凹槽,所述的分隔板位于所述的相應凹槽中。
7.如權利要求1所述的介質諧振器裝置,其特征在于,所述的第一導體回路段和所述的第二導體回路段與分隔板整體形成。
8.一種通信濾波器,它包括如以上權利要求1所述的介質諧振器裝置;以及一個外置地耦合于該介質諧振器裝置的外置耦合單元。
9.一種用于移動通信基站的通信單元,該通信單元包括使得通信信號的預定頻帶能夠通過的高頻電路,該高頻電路包括以上權利要求8所述的通信濾波器。
10.如權利要求1所述的介質諧振器裝置,其特征在于,在所述的至少兩個相鄰介質諧振器裝置之間由所述的第二諧振模通過縫隙時的磁場泄漏所引起的第二諧振模的耦合可以通過耦合通過所述的第一導體回路和第二導體回路的所述的至少兩個相鄰介質諧振器裝置的第二諧振模的磁場來消除。
11.如權利要求10所述的介質諧振器裝置,其特征在于,在所述的至少兩個相鄰介質諧振器之間由通過縫隙的第二諧振模的磁場泄漏引起的第二諧振模的耦合可以通過安排所述的第一導體回路段和第二導體回路段的相對位置以及安排所述的至少兩個相鄰介質諧振器中提供的凹槽的相對位置來消除。
12.一種介質諧振器裝置,包括至少兩個相鄰介質諧振器,每一諧振器至少在第一和第二諧振模中諧振,所述的第一諧振模和第二諧振模各自具有的磁場回路相互正交;位于所述的至少兩個介質諧振器之間的分隔板,該分隔板包括縫隙,所述的至少兩個相鄰介質諧振器的第一諧振模沿縫隙的長度通過;以及同所述的分隔板一起提供的導體回路,該導體回路包括耦合至所述的至少兩個相鄰介質諧振器的第一介質諧振器的第一諧振模的第一導體回路段,以及耦合至所述的至少兩個相鄰介質諧振器的第二介質諧振器的第二諧振模的第二導體回路段。
13.如權利要求12所述的介質諧振器裝置,其特征在于,對所述的導體回路進行布置,使其穿過所述的縫隙。
14.如權利要求12所述的介質諧振器裝置,它更進一步包括包圍所述的至少兩個相鄰介質諧振器并形成空腔的壁;以及平行于所述的縫隙的縫隙間隔,該縫隙間隔位于所述空腔的壁和所述的分隔板的側面之間。
15.如權利要求12所述的介質諧振器裝置,它更進一步包括包圍所述的至少兩個介質諧振器并形成空腔的壁;以及一組從所述的壁向所述的空腔內延伸的相對突出部分,所述的分隔板位于該組相對突出部分之間。
16.如權利要求12所屬的介質諧振器裝置,它更進一步包括包圍所述的至少兩個相鄰介質諧振器并形成空腔的壁;以及在所述的空腔的壁內的相對凹槽,所述的分隔板位于該組相對凹槽內。
17.如權利要求12所述的介質諧振器裝置,它更進一步包括包圍所述的至少兩個相鄰介質諧振器并形成空腔的壁;一組從所述的壁向空腔內延伸的相對突出部分;以及分別位于所述的相對突出部分中的凹槽,所述的分隔板位于所述的相應凹槽中。
18.如權利要求12所屬的介質諧振器裝置,其特征在于,所述的第一導體回路段和第二導體回路段同分隔板整體形成。
19.一種通信濾波器,包括以上權利要求12中所述的介質諧振器裝置;以及外置地耦合至該介質諧振器裝置的外置耦合單元。
20.一種用于移動通信基站的通信單元,該通信單元包括使得通信信號的預定頻帶能夠通過的高頻電路,該高頻電路包括以上權利要求19中所述的通信濾波器。
全文摘要
一種介質諧振器裝置,包括在第一和第二諧振模以及分隔兩個介質諧振器的分隔板中諧振的二個介質諧振器。分隔板中提供縫隙S。第一諧振模(TE01 z模)的磁回路沿縫隙S的長度方向。分隔板也具有導體回路,包括耦合至第二諧振模(TE01 y模)的第一和第二導體回路段。相應地,兩介質諧振器之間的第二諧振模的耦合可以由耦合通過縫隙S的磁場的泄漏以及耦合由提供導體回路形成的磁場來抑制。
文檔編號H01P1/20GK1534827SQ20041003243
公開日2004年10月6日 申請日期2004年4月2日 優(yōu)先權日2003年4月2日
發(fā)明者安藤正道, 駒木邦宏, 堤宗則, 宏 申請人:株式會社村田制作所
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