專利名稱：半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法，特別是涉及把在封裝的背面上具有外部連接端子的樹脂密封型半導(dǎo)體器件高精度地裝配到布線基板上的技術(shù)。
背景技術(shù)：
作為用由模塑樹脂構(gòu)成的密封體把已裝載到引線框架上的半導(dǎo)體芯片密封起來的樹脂封裝的一種，有QFN(四方扁平無引線封裝)。
QFN的構(gòu)造為使通過鍵合絲與半導(dǎo)體芯片電連接的多條引線的各自的一端部分從密封體的外周部分的背面(下面)露出來構(gòu)成外部端子，在與上述端子的露出面相反一側(cè)的面，就是說在密封體的內(nèi)部的端子面上，把鍵合絲連接起來以把上述端子和半導(dǎo)體芯片電連接起來。能夠借助于釬焊把這些端子裝配到布線基板的電極(覆蓋區(qū)，footprint)上。該構(gòu)造，與引線從封裝(密封體)的側(cè)面向橫向方向延伸構(gòu)成端子的QFP(四方扁平封裝)比較，具有裝配面積小的優(yōu)點(diǎn)。
關(guān)于上述QFN，例如，已記載在日本專利申請公開特開2001-189419號公報(bào)或日本專利特許第3072291號等中。
引線從密封體的側(cè)面向橫向方向延伸而構(gòu)成外部連接端子的QFP，由于可以在向布線基板上裝配時(shí)從上方用光學(xué)方法檢測外部連接端子的位置，故得以容易地進(jìn)行布線基板和外部連接端子的位置對準(zhǔn)。
相對于此，把外部端子配置在密封體的背面(下面)上的QFN，則不能從上方用光學(xué)方法檢測外部端子的位置。為此，在進(jìn)行布線基板與外部連接端子的位置對準(zhǔn)時(shí)，就需要具備從斜下方用光學(xué)方法檢測外部連接端子的位置的復(fù)雜的光學(xué)系統(tǒng)的昂貴的定位裝置，從而招致QFN的裝配成本的上升。
本發(fā)明的目的在于提供無須使用具備復(fù)雜的光學(xué)系統(tǒng)的昂貴的定位裝置而可以提高QFN的裝配精度的技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
在本申請中所公開的發(fā)明之內(nèi)，簡單地說來代表性的發(fā)明如下。
本發(fā)明的半導(dǎo)體器件，具有半導(dǎo)體芯片；裝載了上述半導(dǎo)體芯片的管芯焊盤部分；支持上述管芯焊盤部分的懸空引線；配置在上述管芯焊盤部分的周圍的多條引線；電連接上述半導(dǎo)體芯片和上述引線的多條金屬絲；以及密封上述半導(dǎo)體芯片、上述管芯焊盤部分、上述懸空引線、上述多條引線和上述多條金屬絲的密封體；在上述多條引線的各條引線上，有選擇地設(shè)置從上述密封體的背面向外部突出來的外部連接端子；上述懸空引線，其一部分從上述密封體的上面露出到外部；在從上述密封體的上面露出到外部的區(qū)域的上述懸空引線上，形成了用于使上述外部連接端子位置對準(zhǔn)到布線基板上的識(shí)別標(biāo)記。
借助于此，在把上述半導(dǎo)體器件裝配到布線基板上時(shí)，從上方用光學(xué)方法檢測識(shí)別標(biāo)記的位置法，就可以精度良好地把配置在密封體的背面一側(cè)的外部連接端子定位到布線基板上。
本發(fā)明的上述以及其它的目的和新的特征，將會(huì)從本說明書的講述和附圖中弄明白。


圖1是表示作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施形式的半導(dǎo)體器件的外觀(表面一側(cè))的平面圖。
圖2是表示作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施形式的半導(dǎo)體器件的外觀(背面一側(cè))的平面圖。
圖3是表示作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施形式的半導(dǎo)體器件的內(nèi)部構(gòu)造(表面一側(cè))的平面圖。
圖4是表示作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施形式的半導(dǎo)體器件的內(nèi)部構(gòu)造(背面一側(cè))的平面圖。
圖5是作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施形式的半導(dǎo)體器件的剖面圖。
圖6是作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施形式的半導(dǎo)體器件的剖面圖。
圖7是在作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施形式的半導(dǎo)體器件的制造中使用的引線框架的整體平面圖。
圖8是表示圖7所示的引線框架的一部分的放大平面圖。
圖9是表示圖7所示的引線框架的制造方法的剖面圖。
圖10是表示在懸空引線的一部分上形成的識(shí)別標(biāo)記的形狀的一個(gè)例子的引線框架的主要部分平面圖。
圖11是表示在懸空引線的一部分上形成的識(shí)別標(biāo)記的形狀的一個(gè)例子的引線框架的主要部分平面圖。
圖12是表示在懸空引線的一部分上形成的識(shí)別標(biāo)記的形狀的一個(gè)例子的引線框架的主要部分平面圖。
圖13是表示作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施形式的半導(dǎo)體器件的制造方法的半導(dǎo)體芯片粘接后的引線框架的主要部分平面圖。
圖14是表示作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施形式的半導(dǎo)體器件的制造方法的金屬絲鍵合后的引線框架的主要部分平面圖。
圖15是表示作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施形式的半導(dǎo)體器件的制造方法的概略剖面圖。
圖16是表示作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施形式的半導(dǎo)體器件的制造方法的模塑模具和引線框架的主要部分剖面圖。
圖17是表示作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施形式的半導(dǎo)體器件的制造方法的模塑模具和引線框架的主要部分剖面圖。
圖18是表示作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施形式的半導(dǎo)體器件的制造方法的模塑模具和引線框架的主要部分剖面圖。
圖19是表示表示作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施形式的半導(dǎo)體器件的制造方法的模塑模具(上模)和引線框架之間的接觸部分的平面圖。
圖20是示意性地表示示出了作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施形式的半導(dǎo)體器件的制造方法的模塑模具的柵極位置和向腔體內(nèi)注入的樹脂的流動(dòng)方向的平面圖。
圖21是表示作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施形式的半導(dǎo)體器件的制造方法的模塑后的引線框架的平面圖。
圖22是沿著圖21的X-X’線的引線框架的剖面圖。
圖23是表示作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施形式的半導(dǎo)體器件的制造方法的模塑后的引線框架的平面圖。
圖24是表示與別的表面裝配型的半導(dǎo)體器件一起把作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施形式的半導(dǎo)體器件裝配到布線基板上的狀態(tài)的平面圖。
圖25是在作為本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施形式的半導(dǎo)體器件的制造中使用的引線框架的主要部分的平面圖。
圖26是在作為本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施形式的半導(dǎo)體器件的制造中使用的引線框架的主要部分的剖面圖。
圖27是表示圖25所示的引線框架的制造方法的剖面圖。
圖28是表示作為本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施形式的半導(dǎo)體器件的制造方法的引線框架的主要部分剖面圖。
圖29是表示作為本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施形式的半導(dǎo)體器件的制造方法的模塑后的引線框架的主要部分平面圖。
圖30是表示作為本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施形式的半導(dǎo)體器件的外觀(表面一側(cè))的平面圖。
圖31是表示作為本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施形式的半導(dǎo)體器件的外觀(背面一側(cè))的平面圖。
圖32是表示作為本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施形式的半導(dǎo)體器件的內(nèi)部構(gòu)造(表面一側(cè))的平面圖。
圖33是表示作為本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施形式的半導(dǎo)體器件的內(nèi)部構(gòu)造(背面一側(cè))的平面圖。
圖34是作為本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施形式的半導(dǎo)體器件的剖面圖。
圖35是作為本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施形式的半導(dǎo)體器件的剖面圖。
圖36是作為本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施形式的半導(dǎo)體器件的剖面圖。
圖37是在作為本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施形式的半導(dǎo)體器件的制造中使用的引線框架的整體平面圖。
圖38是表示圖37所示的引線框架的制造方法的剖面圖。
圖39是表示圖37所示的引線框架的制造方法的剖面圖。
圖40是表示作為本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施形式的半導(dǎo)體器件的制造方法的沖壓模具和引線框架的主要部分剖面圖。
圖41是表示作為本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施形式的半導(dǎo)體器件的制造方法的模塑后的引線框架的主要部分平面圖。
圖42是表示作為本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施形式的半導(dǎo)體器件的制造方法的模塑后的引線框架的主要部分平面圖。
圖43是表示作為本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施形式的半導(dǎo)體器件的制造方法的模塑后的引線框架的主要部分剖面圖。
具體實(shí)施例方式
以下，根據(jù)附圖詳細(xì)地說明本發(fā)明的實(shí)施形式。另外，在用來說明實(shí)施形式的所有的附圖中，對于那些具有相同功能的構(gòu)件賦予相同標(biāo)號而省略其重復(fù)的說明。此外，在以下的實(shí)施形式中，除去特別需要的時(shí)候之外，作為原則不反復(fù)進(jìn)行相同或同樣的部分的說明。
(實(shí)施形式1)圖1是表示本實(shí)施形式的QFN的外觀(表面一側(cè))的平面圖。圖2是表示本QFN的外觀(背面一側(cè))的平面圖。圖3是表示QFN內(nèi)部構(gòu)造(表面一側(cè))的平面圖。圖4是表示QFN的內(nèi)部構(gòu)造(背面一側(cè))的平面圖。圖5和圖6是QFN的剖面圖。
本實(shí)施形式的QFN1，具有用由合成樹脂構(gòu)成的密封體3把1個(gè)半導(dǎo)體芯片2密封起來的表面裝配型的封裝構(gòu)造，密封體3的外形尺寸，例如，是縱×橫＝12mm×12mm、高度＝0.9mm。
半導(dǎo)體芯片2，以已裝載到金屬制的管芯焊盤部分4上的狀態(tài)被配置在密封體的中央部分。半導(dǎo)體芯片2的外形尺寸，例如，是縱×橫＝4mm×4mm、厚度＝0.28mm。此外，管芯焊盤部分4，由于要做成可以裝載例如一邊的尺寸處于4mm-7mm的范圍內(nèi)的半導(dǎo)體芯片2，故具有使其直徑比半導(dǎo)體芯片2的直徑更小的所謂的小接頭構(gòu)造，在本實(shí)施形式中，例如具有3mm的直徑。
裝載半導(dǎo)體芯片2的管芯焊盤部分4，被4條懸空引線5b支持著。這些懸空引線5b的一端部一側(cè)(接近半導(dǎo)體芯片2的一側(cè))連接到管芯焊盤部分4上，另一端部一側(cè)，則向密封體2的拐角部分延伸。密封體3的拐角部分的懸空引線5b的寬度，比別的部分的寬度更寬。
在管芯焊盤部分4的周圍，把多條(例如116條)的引線配置得把管芯焊盤部分4圍起來。這些引線5的一端部一側(cè)(接近半導(dǎo)體芯片2的一側(cè))5a，通過金絲6電連接到半導(dǎo)體芯片2的主面的鍵合焊盤7上。此外，這些引線5的一另端部一側(cè)5c在密封體3的側(cè)面上終結(jié)。這些引線5和管芯焊盤部分4和懸空引線5b中的每一者的厚度，都約為75微米左右。
如圖3所示，上述每一條引線5，為了縮短與半導(dǎo)體芯片2之間的距離，一端部一側(cè)5a被一直引繞到半導(dǎo)體芯片2的附近，其頂端的步距(P3)變得比另一端部一側(cè)5c的步距更窄(例如為0.18mm-0.2mm)。如上所述，采用把引線5的一端部一側(cè)5a引繞到半導(dǎo)體芯片2的附近的辦法，就可以把引線5與鍵合焊盤連接起來的金絲6的長度形成得短(例如3mm以下)。借助于此，即便是在使QFN1多引腳化的情況下，此外，即便是在伴隨著QFN1的多引腳化引線5的步距，就是說，金絲6的間隔變窄的情況下，也可以抑制在QFN1的制造工序(例如，金屬絲鍵合工序或樹脂模塑工序)中金絲6彼此間接觸的短路故障的發(fā)生。
如圖2所示，在QFN1的背面(基板裝配面)上，設(shè)置有多個(gè)(例如116個(gè))外部連接端子5d。這些端子5d，沿著密封體3的各邊交錯(cuò)地每邊配置2列，每一個(gè)端子5d的頂端部分，都從密封體3的背面露出來，而且，在外側(cè)突出出來。此外，這些端子5d，為了確保裝配面積，它們的寬度變得比引線5的寬度更寬。端子5d的直徑(d)為0.3mm，與相鄰的端子5d之間的步距是這樣的與同一列的端子5d之間的步距(P1)為0.65mm，與別的列的端子之間的步距(P2)為0.32mm。
上述端子5d，與引線5一體地形成，形成了端子5d的部分的引線5的厚度，約為150微米左右。在向密封體3的外側(cè)突出出來的端子5d的頂端部分上，用電鍍法或印刷法附著上焊料層9，把焊料層9的膜厚規(guī)定為使得包括該焊料層9在內(nèi)的端子5d的高度，就是說，從密封體3的背面向外側(cè)突出出來的量(基準(zhǔn)距量)至少成為50微米以上。本實(shí)施形式的QFN1，可采用把這些端子5d釬焊到布線基板的電極(覆蓋區(qū))上的辦法進(jìn)行裝配。
如圖1和圖6所示，在沿著上述密封體3的表面一側(cè)的對角線方向的2個(gè)拐角部分上，設(shè)置有用來使上述懸空引線5b的另一端部一側(cè)露出來的切口部分8。在從這些切口部分8中露出來的懸空引線5b的一部分上，設(shè)置有例如具有圓形的平面形狀的識(shí)別標(biāo)記15，在把QFN1裝配到布線基板上時(shí)，使得可以用光學(xué)方法從密封體3的表面一側(cè)識(shí)別識(shí)別標(biāo)記15。識(shí)別標(biāo)記15，可以用蝕刻技術(shù)除去構(gòu)成懸空引線5b的金屬板的一部分，或用沖壓機(jī)沖壓的辦法形成。
圖7是在本實(shí)施形式的QFN1的制造中使用的引線框架LF1的整體平面圖，圖8的放大平面圖表示圖7的一部分(約2個(gè)QFN的量的區(qū)域)。
該引線框架LF1的構(gòu)成為由Cu、Cu合金或Fe-Ni合金等的金屬板構(gòu)成，上面所說的管芯焊盤部分4、引線5、懸空引線5b等的圖形，在縱向和橫向方向上反復(fù)重復(fù)地形成。就是說，引線框架LF1，成為要裝載多個(gè)(例如，24個(gè))半導(dǎo)體芯片的多連構(gòu)造。
在制造上述引線框架LF1時(shí)，要先準(zhǔn)備圖9所示那樣的板厚150微米左右的由Cu、Cu合金或Fe-Ni合金等構(gòu)成的金屬板10，并用光敏抗蝕劑膜11把要形成管芯焊盤部分4、引線5和懸空引線5b似的地方的單面覆蓋起來。此外，在要形成外部連接用的端子5d的地方，用光敏抗蝕劑膜11把兩面都覆蓋起來。然后，采用在該狀態(tài)下用藥液蝕刻金屬板10，使單面被光敏抗蝕劑膜11覆蓋起來的區(qū)域的金屬板10的板厚變薄到一半左右(75微米)(半蝕刻)。用這樣的方法進(jìn)行蝕刻，就可以使兩面都未被光敏抗蝕劑膜11覆蓋起來的區(qū)域的金屬板10完全地消失，在單面被光敏抗蝕劑膜11覆蓋起來的區(qū)域上，形成厚度75微米左右的管芯焊盤部分4、引線5和懸空引線5b。此外，兩面被光敏抗蝕劑膜11覆蓋起來的區(qū)域的金屬板10，由于未被藥液蝕刻，故可形成具有與蝕刻前相同厚度(150微米左右)的突起狀的端子5d。其次，除去光敏抗蝕劑膜11，接著，在用沖壓機(jī)沖壓在圖9中未畫出來的懸空引線5b的另一端部一側(cè)形成了上面所說的識(shí)別標(biāo)記15之后，采用對引線5的一端部一側(cè)5a的表面施行鍍Ag的辦法，完成引線框架LF1。另外，識(shí)別標(biāo)記15，也可以在把上述光敏抗蝕劑膜11用做掩模的蝕刻中形成管芯焊盤部分4、引線5和端子5d時(shí)同時(shí)地形成。
識(shí)別標(biāo)記15的形狀，例如圖10所示的四角形、圖11所示的十字形等只要是可以用光學(xué)方法從密封體3的表面一側(cè)識(shí)別的形狀可以是任意的形狀。此外，如圖12所示，也可以構(gòu)成為用使設(shè)置在2個(gè)拐角部分上的識(shí)別標(biāo)記15彼此不同的形狀構(gòu)成。這樣的話，即便是在布線基板的裝配面上在水平面內(nèi)QFN1偏移開180度的情況下，也可以容易地檢測該偏移。
使用上述引線框架LF1制造QFN1時(shí)，首先，要如圖13所示，使半導(dǎo)體芯片2的元件形成面朝上地裝載到管芯焊盤部分4上，然后用Au膏或環(huán)氧樹脂系粘接劑把兩者粘接起來。
其次，如圖14所示，用眾所周知的球鍵合裝置用金絲6把半導(dǎo)體芯片2的鍵合焊盤7和引線5的一端部一側(cè)5a之間連接起來。如圖15所示，在金絲6的鍵合時(shí)或者在上述半導(dǎo)體芯片2和管芯焊盤部分4的粘接時(shí)，由于采用或者是預(yù)先在與支持引線框架LF1的夾具30B的端子5d對應(yīng)的地方形成溝31，或者是預(yù)先在與管芯焊盤部分4對應(yīng)的地方上形成突起32的辦法，就可以穩(wěn)定地支持引線框架LF1，故可以防止金絲6和引線5的位置偏移，或半導(dǎo)體芯片2與管芯焊盤部分4的位置偏移。
其次，把上述引線框架LF1裝設(shè)到圖16所示的模塑模具40上，樹脂密封半導(dǎo)體芯片2。圖16的剖面圖表示模塑模具40的一部分(約1個(gè)QFN的量的區(qū)域)。
在使用模塑模具40樹脂密封半導(dǎo)體芯片2時(shí)，首先向下模40B的表面上敷設(shè)薄的樹脂薄片41，在該樹脂薄片41上載置引線框架LF1，使端子5d和樹脂薄片41進(jìn)行接觸。然后，在該狀態(tài)下，用上模40A和下模40B把樹脂薄片41和引線框架LF1夾住。這樣一來，如圖所示，位于引線5的下面的端子5d就借助于模具40(上模40A和下模40B)的推壓力推壓樹脂薄片41，所以其頂端部分就將陷入到樹脂薄片41中去。
其結(jié)果是，如圖17所示，如果在向上模40A和下模40B的間隙(腔體)內(nèi)注入熔融樹脂形成了密封體3之后，使上模40A和下模40B分離開來，則已陷入到樹脂薄片41中的端子5d的頂端部分就會(huì)從密封體3的背面向外側(cè)突出出來。這時(shí)，如圖18所示，在密封體3的表面一側(cè)的2個(gè)拐角部分上形成切口8，使已形成了識(shí)別標(biāo)記15的懸空引線5b的端部露出來。
圖19的平面圖用斜線表示上述模具40的上模40A與引線框架LF1進(jìn)行接觸的部分。此外，圖20的平面圖示意性地表示該模具40的澆口位置，和向腔體內(nèi)注入的樹脂的流向。
如圖19所示，上述模具40的構(gòu)造為僅僅引線框架LF1的外部部分和引線5與引線5的連結(jié)部分與上模40A接觸，除此之外的所有區(qū)域，都可有效地作為注入樹脂的腔體加以利用。
此外，如圖20所示，其構(gòu)造為在上述模具40的一邊上，設(shè)置有多個(gè)澆口G1到G16，例如，通過澆口G1、G2，向在圖的左端的縱向方向上排列著的3個(gè)腔體C1到C3內(nèi)注入樹脂，通過澆口G3、G4，向與它們相鄰的3個(gè)腔體C4到C6內(nèi)注入樹脂。另一方面，其構(gòu)造為在與上述澆口G1到G16相對的另外一邊上，設(shè)置有多個(gè)虛設(shè)腔體DC1到DC8和空氣通氣孔42，例如，當(dāng)通過澆口G1、G2，向腔體C1到C3內(nèi)注入樹脂時(shí)，腔體C1到C3內(nèi)的空氣就向虛設(shè)腔體DC1內(nèi)流入，防止在腔體C3內(nèi)的樹脂內(nèi)產(chǎn)生空隙。
圖21是在向上述腔體C1到C18內(nèi)注入樹脂形成了密封體3之后，從模具40中取出的引線框架LF1的平面圖，圖22是沿著圖21的X-X’線的剖面圖，圖23是引線框架LF1的背面一側(cè)的平面圖。
然后，在引線框架LF1的背面上露出來的端子5d的表面上形成焊料層(9)，接著把產(chǎn)品名等的標(biāo)記印刷到密封體3的背面上之后，采用沿著圖23所示的切片線切斷引線框架LF1和模塑樹脂的一部分的辦法，完成在上述圖1到圖6所示的本實(shí)施形式的QFN1。
圖24的平面圖表示與叫做SOP(Small Outline Package，小型面裝配式雙列引腳封裝)、QFP(四方扁平封裝)的別的面裝配型封裝一起把本實(shí)施形式的QFN1裝配到布線基板20上的狀態(tài)。SOP和QFP，由于引線33已從封裝30的側(cè)面露了出來，故采用用光學(xué)方法從布線基板20的上方識(shí)別這些引線33的辦法，就可以正確地進(jìn)行引線33和布線基板20的位置對準(zhǔn)。
另一方面，在QFN1的情況下，采用用光學(xué)方法從布線基板20的上方識(shí)別在密封體的2個(gè)拐角部分處露出來的識(shí)別標(biāo)記15的位置的辦法，進(jìn)行端子5d和布線基板20之間的位置對準(zhǔn)。如上所述，識(shí)別標(biāo)記15由于與管芯焊盤部分4、引線5、懸空引線5b和端子5d同時(shí)形成，故在識(shí)別標(biāo)記15和端子5d之間沒有相對的位置偏移。因此，采用用光學(xué)方法從布線基板20的上方識(shí)別識(shí)別標(biāo)記15的位置的辦法，就可以正確地進(jìn)行從布線基板20的上方不能識(shí)別的端子5d和布線基板20的位置對準(zhǔn)。
本實(shí)施形式的QFN1，由于在形成管芯焊盤部分4、引線5、懸空引線5b和端子5d的工序中同時(shí)形成識(shí)別標(biāo)記15，故不需要用來形成識(shí)別標(biāo)記15的特別的工序。
此外，本實(shí)施形式的QFN1，由于已把引線5的一端部一側(cè)5a引繞到管芯焊盤部分4的附近，故可以縮短一端部一側(cè)5a與半導(dǎo)體芯片2之間的距離，也可以縮短連接它們的金絲6的長度。此外，由于即便是把端子5d配置成交錯(cuò)狀引線5的一端部一側(cè)5a的長度也大體上相等，故一端部一側(cè)5a的頂端對于半導(dǎo)體芯片2的各邊將大體上一列地排列。因此。可以使把引線5的一端部一側(cè)5a和半導(dǎo)體芯片2連接起來的金絲6的長度大體上相等，同時(shí)還可以使金絲6的卷線形狀也大體上等同。
借助于此，由于不會(huì)產(chǎn)生相鄰的金絲6彼此間短路，或者特別是在半導(dǎo)體芯片2的4個(gè)拐角附近金絲6彼此間交叉等的麻煩，故將會(huì)提高金屬絲鍵合的工作效率。此外，由于可以把相鄰的金絲6間的步距形成得窄，故可以實(shí)現(xiàn)QFN1的多引腳化。
此外，歸因于把引線5的一端部一側(cè)5a一直引繞到管芯焊盤部分4的附近，從端子5d到引線5的一端部一側(cè)5a的距離變長。借助于此，由于通過在密封體3的外部露出來的端子5d浸入密封體的內(nèi)部的水分難于到達(dá)半導(dǎo)體芯片2，故可以防止由水分引起的鍵合焊盤7的腐蝕，因而將提高QFN1的可靠性。
此外，歸因于把引線5的一端部一側(cè)5a一直引繞到管芯焊盤部分4的附近，即便是使半導(dǎo)體芯片2減小金絲6的長度的增加也是極小(例如，即便是半導(dǎo)體芯片2從4mm見方減小為3mm見方，金絲6的長度的增加，也為平均0.7mm左右)的，故可以防止伴隨著半導(dǎo)體芯片2的減小所引起的金屬絲鍵合的工作效率的降低。
(實(shí)施形式2)在實(shí)施形式1中，對使用小接頭構(gòu)造的引線框架LF1制造的QFN1進(jìn)行了說明，但是，例如圖25和圖26所示，也可以使用把由絕緣基片構(gòu)成的芯片支持體34粘貼到引線5的一端部一側(cè)5a上的引線框架LF2來制造。
此外，上述實(shí)施形式1的引線框架LF1，用4條懸空引線5b支持著管芯焊盤部分4，本實(shí)施形式的引線框架LF2，由于成為用引線5的一端部一側(cè)5a支持芯片支持體34的構(gòu)造，故不存在懸空引線5b。于是，在本實(shí)施形式中，如圖25所示，設(shè)置不電連接到半導(dǎo)體芯片2上的位置對準(zhǔn)用引線5e，在該位置的對準(zhǔn)用引線5e的一部分上形成識(shí)別標(biāo)記15。
在本實(shí)施形式中使用的引線框架LF2，可以用依據(jù)上述實(shí)施形式的引線框架LF1的方法制造。就是說，準(zhǔn)備圖27所示的那樣的板厚150微米左右的金屬板10，并用光敏抗蝕劑膜11把要形成引線5的地方的單面覆蓋起來。此外，在要形成外部連接用的端子5d的地方，在兩面上形成光敏抗蝕劑膜11。雖然未畫出來，但在要形成位置對準(zhǔn)用引線5e的地方，在單面上形成光敏抗蝕劑膜11，僅僅在要形成識(shí)別標(biāo)記15的地方上才兩面都不形成光敏抗蝕劑膜11。
然后，在用在上述實(shí)施形式1中說明的方法對金屬板10進(jìn)行半蝕刻，同時(shí)形成了厚度75微米左右的引線5和位置對準(zhǔn)用引線5e和厚度150微米左右的端子5d之后，對引線5的一端部一側(cè)5a的表面施行鍍Ag，最后，把芯片支持體34粘接到該一端部一側(cè)5a的單面上。另外，芯片支持體34，也可以用薄的金屬板那樣的導(dǎo)電材料構(gòu)成而不使用絕緣薄膜。在該情況下，為了防止引線5彼此間的短路，只要用絕緣性的粘接劑把引線5和芯片支持體34粘接起來即可。此外，還可以用在金屬箔的表面涂敷了絕緣性的樹脂的薄片等構(gòu)成芯片支持體34。
即便是在使用上述那樣的引線框架LF2的情況下，由于也可以采用用光敏抗蝕劑膜11把金屬板10的一部分屏蔽起來施行蝕刻的辦法，使引線5的板厚減薄到金屬板10的一半左右，故可以精度良好地加工引線5的一端部一側(cè)5a的步距極其窄(例如，0.18mm到0.2mm步距)的引線5。此外，也可以把金屬箔10的一部分的兩面用光敏抗蝕劑膜11屏蔽起來的辦法，與引線5同時(shí)地形成突起狀的端子5d。
上述引線框架LF2，由于用引線5支持芯片支持體34，引線5的一端部一側(cè)5a與半導(dǎo)體芯片2的距離變短，故可以進(jìn)一步縮短金絲6的長度。此外，與用4條懸空引線5b支持管芯焊盤部分4的情況比較，由于可以確實(shí)地支持芯片支持體34，故在模塑工序中向模具內(nèi)注入熔融樹脂時(shí)，可以抑制芯片支持體34的變位，可以防止金絲6彼此間的短路不良。
如圖28所示，使用該引線框架LF2的QFN1的制造方法，與在實(shí)施形式1中說明的方法大體上相同。
圖29的平面圖表示樹脂模塑工序結(jié)束后的引線框架LF2的一部分。如該圖所示，在沿著密封體3的表面一側(cè)的對角線方向的2個(gè)拐角部分附近設(shè)置切口部分8，已形成了上述識(shí)別標(biāo)記15的位置對準(zhǔn)用引線5e就露了出來。因此，在本實(shí)施形式的QFN1中，也可以采用從上方用光學(xué)方法識(shí)別該識(shí)別標(biāo)記15的位置的辦法，正確地進(jìn)行從密封體3的表面一側(cè)看不見的端子5d和布線基板的位置對準(zhǔn)。
(實(shí)施形式3)圖30的平面圖表示本實(shí)施形式的QFN的外觀(表面一側(cè))，圖31的平面圖表示QFN的外觀(背面一側(cè))，圖32的平面圖表示QFN的內(nèi)部構(gòu)造(背面一側(cè))，圖33的平面圖表示QFN的內(nèi)部構(gòu)造(背面一側(cè))，圖34到圖36是QFN的剖面圖。
本實(shí)施形式的QFN1，具有用由合成樹脂構(gòu)成的密封體3把1個(gè)半導(dǎo)體芯片2密封起來的構(gòu)造，密封體3的外形尺寸，例如，是縱×橫＝12mm ×12mm、厚度＝0.5mm。以已裝載到管芯焊盤部分4上的狀態(tài)配置在密封體3的中央部分上的半導(dǎo)體芯片2的外形尺寸，例如，是縱×橫＝4mm×4mm、厚度＝0.14mm。此外，管芯焊盤部分4，由于具有小接頭構(gòu)造，故用4條懸空引線5b支持著。配置在管芯焊盤部分4的周圍的引線5的一端部一側(cè)(接近半導(dǎo)體芯片2的一側(cè))5a，通過金絲6電連接到半導(dǎo)體芯片2的主面的鍵合焊盤7上，另一端部一側(cè)5c，則在密封體3的側(cè)面上終結(jié)。每一條引線5，由于與半導(dǎo)體芯片2之間的距離短，故一端部一側(cè)5a都可以一直引繞到管芯焊盤部分4的附近，其頂端的步距，就變得比另一端部一側(cè)5c還窄。
如圖30所示，在沿著密封體3的表面的對角線方向的2個(gè)拐角部分的附近，2條懸空引線5b的一部分露了出來。懸空引線5b，在密封體30的表面上露了出來的部分與處于密封體3的內(nèi)部的部分比較，寬度變寬。在密封體3的表面上露了出來的懸空引線5b的一部分上，設(shè)置有識(shí)別標(biāo)記15，在把QFN1裝配到布線基板上時(shí)等，就成為可以從密封體3的表面一側(cè)用光學(xué)方法識(shí)別識(shí)別標(biāo)記15。
如圖35所示，上述2條懸空引線5，使已在密封體3的表面上露出來的部分，就是說，使設(shè)置有識(shí)別標(biāo)記15的部分向上方折彎使之與密封體3的表面成為相同高度。另一方面，如圖36所示，未設(shè)置識(shí)別標(biāo)記15的剩下的2條懸空引線5b則不向上方折彎。
如圖31和圖34所示，在密封體3的背面上，沿著密封體3的各邊交錯(cuò)狀地每邊2列地配置有使上述多條引線5中的每一條的一部分向下方折彎地形成的多個(gè)(例如，116個(gè))的外部連接端子5d。這些端子5d，從密封體3的背面向密封體3的外側(cè)突出出來，在其表面上，用電鍍法或印刷法形成焊料層9。把引線5的折彎量和焊料層9的膜厚規(guī)定為使得包括該焊料層9在內(nèi)的端子5d的高度，就是說，從密封體3的背面向外側(cè)突出出來的量(基準(zhǔn)距量)至少成為50微米以上。每一個(gè)端子5b的寬度，為了確保與布線基板之間的面積，成為比引線5的寬度更寬。
圖37是在本實(shí)施形式的QFN1的制造中使用的引線框架LF3的平面圖。該引線框架LF3，由Cu、Cu合金或Fe-Ni合金構(gòu)成的板厚100微米-150微米左右的金屬板構(gòu)成，具有在縱向方向和橫向方向上反復(fù)重復(fù)形成了上面所說的管芯焊盤部分4、引線5、懸空引線5b等的圖形的多連構(gòu)造，成為可以裝載例如24個(gè)半導(dǎo)體芯片2。
要制造上述引線框架LF3，如圖38所示，首先用沖壓機(jī)沖壓金屬板10形成管芯焊盤部分4、引線5和識(shí)別標(biāo)記15等的圖形，接著，采用用沖壓機(jī)在下方使引線5的中途部分折彎的辦法形成端子5d。此外這時(shí)，如圖39所示，用沖壓機(jī)使懸空引線5b的中途部分(已形成了識(shí)別標(biāo)記15的部分)向上方折彎。
為要形成端子5d，要把金屬板10夾到?jīng)_壓模具50的上模50A和下模50B之間。然后，在該狀態(tài)下，在把設(shè)置在上模50A上的沖頭51推入到設(shè)置在下模50B上的沖模52上后，使各個(gè)引線5的中途部分進(jìn)行塑性變形向下方折彎，形成端子5d。雖然省略了圖示，但是為要使懸空引線5b向上方折彎，只要把設(shè)置在下模50B上的沖頭51推入到設(shè)置在上模50A上的沖模52上即可。然后，采用用電解電鍍法在引線5的一端部一側(cè)5a的一面(要鍵合絲6的區(qū)域)上形成鍍Ag層的辦法，完成引線框架LF3。
如上所述，在本實(shí)施形式中，由于采用用沖壓機(jī)對金屬板進(jìn)行剪切加工的辦法形成引線5、懸空引線5b、管芯焊盤部分4、端子5d、識(shí)別標(biāo)記15等的圖形，故與用蝕刻形成這些圖形的情況比較，可以簡化引線框架LF3的制造工序，可以降低其造價(jià)。
在把半導(dǎo)體芯片2裝載到上述引線框架LF3的管芯焊盤部分4上，接著，用金絲6把半導(dǎo)體芯片2的鍵合焊盤7和隱現(xiàn)的一端部一側(cè)5a連接起來之后，把引線框架LF3裝設(shè)到模塑模具上密封半導(dǎo)體芯片2的方法，與上述實(shí)施形式1是相同的。
圖41的主要部分平面圖表示從模塑模具中取出后的引線框架LF3的表面一側(cè)。圖42的主要部分平面圖表示引線框架LF3的背面一側(cè)。如圖所示，當(dāng)從模塑模具取出引線框架LF3后，在密封體3的表面上2條懸空引線5b各一部分(形成了識(shí)別標(biāo)記的部分)就露出來，在密封體3的背面上，多個(gè)端子5b露了出來。
其次，如圖43所示，在從密封體3的背面露出來的端子5b的表面上形成焊料層9。要形成焊料層9，可以使用電解電鍍法或印刷法，但是理想的是可以在短時(shí)間內(nèi)形成厚的焊料層9的焊料印刷法。在使用焊料印刷法的情況下，用使用金屬網(wǎng)罩的絲網(wǎng)漏印法印刷膜厚30微米-100微米左右的焊料，接著在加熱爐內(nèi)加熱引線框架LF3，使焊料軟化。
圖示雖然省略了，但是，采用向密封體3的表面上印刷產(chǎn)品名等的標(biāo)記，接著用切片機(jī)或管芯沖頭切斷在密封體3的外部露出來的引線5的連結(jié)部分使密封體3個(gè)片化的辦法，完成上述圖30-圖36所示的本實(shí)施形式的QFN1。
本實(shí)施形式的QFN1可采用把從密封體3突出出來的上述多個(gè)端子5釬焊到布線基板的電極(覆蓋區(qū))上的辦法裝配。這時(shí)，采用用光學(xué)方法從布線基板的上方識(shí)別在密封體3的2個(gè)拐角部分上露出來的識(shí)別標(biāo)記15的位置的辦法，進(jìn)行端子5d和布線基板之間的位置對準(zhǔn)。識(shí)別標(biāo)記15，由于可以與管芯焊盤部分4、引線5、懸空引線5b以及端子5d同時(shí)形成，故在識(shí)別標(biāo)記15與端子5d之間不存在相對的位置偏移。因此，采用從布線基板的上方用光學(xué)方法識(shí)別識(shí)別標(biāo)記15的位置的辦法，就可以正確地進(jìn)行從布線基板20的上方不能識(shí)別的端子5d與布線基板20的位置對準(zhǔn)。
此外，倘采用本實(shí)施形式，由于用沖壓機(jī)形成引線5、懸空引線5b、管芯焊盤部分4、端子5d、識(shí)別標(biāo)記15等的圖形，故與使用蝕刻形成這些的圖形的情況比較可以簡化引線框架LF3的制造工序。借助于此，由于可以降低引線框架LF3的造價(jià)，故可以降低使用引線框架LF3的QFN1的造價(jià)。
端子5d的形狀，可以采用四角形、橢圓形等種種的形狀。此外，在端子數(shù)比較少的QFN的情況下，與多引腳的QFN比較，由于引線5的寬度寬，故也可以使端子5d的寬度與引線5的寬度相同。
以上，根據(jù)發(fā)明的實(shí)施形式具體地說明了由本發(fā)明人完成的發(fā)明，但是，本發(fā)明并不限定于上述發(fā)明的實(shí)施形式，在不脫離其要旨的范圍內(nèi)，不言而喻可以有種種的變形。
在本專利申請中所公開的發(fā)明之內(nèi)，由代表性的發(fā)明得到的效果，簡單地說來如下。
采用使引線的一部分在構(gòu)成QFN的密封體的上表面上露出來，在那里形成識(shí)別標(biāo)記的辦法，在把QFN裝配到布線基板上時(shí)，采用從布線基板的上方用光學(xué)方法識(shí)別識(shí)別標(biāo)記的位置的辦法，就可以高精度地進(jìn)行已配置在密封體的背面上的外部連接端子與布線基板之間的位置對準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，具有半導(dǎo)體芯片；裝載了上述半導(dǎo)體芯片的管芯焊盤部分；支持上述管芯焊盤部分的懸空引線；配置在上述管芯焊盤部分的周圍的多條引線；電連接上述半導(dǎo)體芯片和上述引線的多條金屬絲；以及密封上述半導(dǎo)體芯片、上述管芯焊盤部分、上述懸空引線、上述多條引線和上述多條金屬絲的密封體，其特征在于在上述多條引線的各條引線上，有選擇地設(shè)置從上述密封體的背面向外部突出來的外部連接端子；上述懸空引線，其一部分從上述密封體的上面露出到外部；在從上述密封體的上面露出到外部的區(qū)域的上述懸空引線上，形成了用于使上述外部連接端子位置對準(zhǔn)到布線基板上的識(shí)別標(biāo)記。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于通過在上述密封體的上表面的一部分上設(shè)置切口，使上述懸空引線的一部分在上述密封體的外部露出來。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于通過向上方折彎上述懸空引線的一部分，使其在上述密封體的外部露出來。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于上述外部連接端子，通過向下方折彎上述多條引線中的各自的一部分，使其從上述密封體的背面向外部露出來。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于上述外部連接端子，沿著上述密封體的背面的各邊，交錯(cuò)狀地每邊各排列2列。
6.一種半導(dǎo)體器件，具有半導(dǎo)體芯片；裝載了上述半導(dǎo)體芯片的管芯焊盤部分；配置在上述管芯焊盤部分的周圍的多條引線；電連接上述半導(dǎo)體芯片和上述引線的多條金屬絲；以及密封上述半導(dǎo)體芯片、上述管芯焊盤部分、上述懸空引線、上述多條引線和上述多條金屬絲的密封體，其特征在于在上述多條引線中的各條引線上，有選擇地設(shè)置從上述密封體的背面向外部突出來的外部連接端子；上述多條引線的一部分，從上述密封體的上表面向外部露出來；在從上述密封體的上表面向外部露出來的區(qū)域的上述引線上，形成用于使上述外部連接端子位置對準(zhǔn)到布線基板上的識(shí)別標(biāo)記。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于從上述密封體的上表面向外部露出來的引線，未與上述半導(dǎo)體芯片電連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于通過在上述密封體的上表面的一部分上設(shè)置切口，使上述引線的一部分在上述密封體的外部露出來。
9.一種半導(dǎo)體器件，具有半導(dǎo)體芯片；裝載了上述半導(dǎo)體芯片的薄片狀的管芯支持體；配置在上述半導(dǎo)體芯片的周圍的多條引線；電連接上述半導(dǎo)體芯片和上述引線的多條金屬絲；以及密封上述半導(dǎo)體芯片、上述管芯支持體、上述多條引線和上述多條金屬絲的密封體，其特征在于在上述多條引線中的各條引線上，有選擇地設(shè)置從上述密封體的背面向外部突出來的外部連接端子；上述多條引線的一部分，從上述密封體的上表面向外部露出來；在從上述密封體的上表面向外部露出來的區(qū)域的上述引線上，形成用于使上述外部連接端子位置對準(zhǔn)到布線基板上的識(shí)別標(biāo)記。
10.根據(jù)權(quán)利要9所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于從上述密封體的上表面向外部露出來的引線，未與上述半導(dǎo)體芯片電連接。
11.根據(jù)權(quán)利要9所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于上述芯片支持體，由上述多條引線進(jìn)行支持。
12.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，所述半導(dǎo)體器件具有半導(dǎo)體芯片；裝載了上述半導(dǎo)體芯片的管芯焊盤部分；支持上述管芯焊盤部分的懸空引線；配置在上述半導(dǎo)體芯片的周圍的多條引線；電連接上述半導(dǎo)體芯片和上述引線的多條金屬絲；以及密封上述半導(dǎo)體芯片、上述管芯焊盤部分、上述懸空引線、上述多條引線和上述多條金屬絲的密封體，該半導(dǎo)體器件的制造方法的特征在于，包括以下步驟(a)通過對金屬板沖壓成型，準(zhǔn)備反復(fù)形成了包括上述管芯焊盤部分、上述懸空引線和上述多條引線的圖形的引線框架的步驟；(b)通過使在上述引線框架上所形成的上述多條引線中的各條引線的一部分，向?qū)ι鲜鲆€框架的一面垂直的方向折彎，形成外部連接端子的步驟；(c)使上述懸空引線的一部分，向與上述外部連接端子的突出方向相反的方向折彎的步驟；(d)在上述懸空引線的折彎部分上，形成用于使上述外部連接端子位置對準(zhǔn)到布線基板上的識(shí)別標(biāo)記的步驟；(e)把半導(dǎo)體芯片裝載到在上述引線框架上所形成的上述多個(gè)管芯焊盤部分的各管芯焊盤部分，用金屬絲把上述半導(dǎo)體芯片和上述引線的一部分連接起來的步驟；(f)準(zhǔn)備具有上模和下模的模具，在用樹脂薄片把上述下模的表面覆蓋起來之后，把上述引線框架載置到上述樹脂薄片，使在上述引線的一面上所形成的上述外部連接端子和上述樹脂薄片接觸的步驟；(g)用上述上模和上述下模把上述樹脂薄片和上述引線框架夾住，使上述外部連接端子的頂端部分陷入到上述樹脂薄片內(nèi)的步驟；(h)通過向上述上模和上述下模之間的間隙內(nèi)注入樹脂，密封上述半導(dǎo)體芯片、上述管芯焊盤部分、上述懸空引線、上述引線和上述金屬絲，同時(shí)形成使上述外部連接端子從背面向外部突出來，使上述懸空引線的折彎部分在上表面上露出來的多個(gè)密封體的步驟；以及(i)在從上述模具取出了已形成上述多個(gè)密封體的上述引線框架之后，通過切斷上述引線框架，使上述多個(gè)密封體個(gè)片化的步驟。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于同時(shí)進(jìn)行上述(b)步驟、上述(c)步驟和上述(d)步驟。
14.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，所述半導(dǎo)體器件具有半導(dǎo)體芯片；裝載了上述半導(dǎo)體芯片的管芯焊盤部分；支持上述管芯焊盤部分的懸空引線；配置在上述半導(dǎo)體芯片的周圍的多條引線；電連接上述半導(dǎo)體芯片和上述引線的多條金屬絲；以及密封上述半導(dǎo)體芯片、上述管芯焊盤部分、上述懸空引線、上述多條引線和上述多條金屬絲的密封體，該半導(dǎo)體器件的制造方法的特征在于，包括以下步驟(a)通過對金屬板沖壓成型，準(zhǔn)備反復(fù)形成了包括上述管芯焊盤部分、上述懸空引線和上述多條引線的圖形的引線框架的步驟；(b)在形成于上述引線框架上的上述多條引線中的各條引線的一部分上，形成外部連接端子的步驟；(c)在上述懸空引線的一部分上，形成用于使上述外部連接端子位置對準(zhǔn)到布線基板上的識(shí)別標(biāo)記的步驟；(d)把半導(dǎo)體芯片裝載到在上述引線框架上所形成的上述多個(gè)管芯焊盤部分的各管芯焊盤部分上，用金屬絲把上述半導(dǎo)體芯片和上述引線的一部分連接起來的步驟；(e)準(zhǔn)備具有上模和下模的模具，用樹脂薄片把上述下模的表面覆蓋起來之后，把上述引線框架載置到上述樹脂薄片上，使在上述引線中的各條引線的一部分上所形成的上述外部連接端子和上述樹脂薄片接觸的步驟；(f)用上述上模和上述下模把上述樹脂薄片和上述引線框架夾住，使上述外部連接端子的頂端部分陷入到上述樹脂薄片內(nèi)的步驟；(g)通過向上述上模和上述下模之間的間隙內(nèi)注入樹脂，密封上述半導(dǎo)體芯片、上述管芯焊盤部分、上述懸空引線、上述多條引線和上述多條金屬絲，同時(shí)形成使上述外部連接端子從背面向外部突出來，使形成了上述識(shí)別標(biāo)記的區(qū)域的上述懸空引線從上表面露出來的多個(gè)密封體的步驟；以及(h)在從上述模具取出了已形成上述多個(gè)密封體的上述引線框架之后，通過切斷上述引線框架，使上述多個(gè)密封體個(gè)片化的步驟。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于同時(shí)進(jìn)行上述(a)步驟、上述(b)步驟和上述(c)步驟。
16.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，所述半導(dǎo)體器件具有半導(dǎo)體芯片；裝載了上述半導(dǎo)體芯片的薄片狀的芯片支持體；配置在上述半導(dǎo)體芯片的周圍的多條引線；電連接上述半導(dǎo)體芯片和上述引線的多條金屬絲；以及密封上述半導(dǎo)體芯片、上述芯片支持體、上述多條引線和上述多條金屬絲的密封體，該半導(dǎo)體器件的制造方法的特征在于，包括以下步驟(a)通過沖壓成型或刻蝕金屬板，準(zhǔn)備反復(fù)形成了包括上述多條引線的圖形，在上述多條引線中的各條引線的一面上，形成在對上述一面垂直的方向上突出來的外部連接端子，同時(shí)在上述多條引線的一部分上，形成了用于使上述外部連接端子位置對準(zhǔn)到布線基板上的識(shí)別標(biāo)記的引線框架的步驟；(b)在上述引線框架的多個(gè)半導(dǎo)體芯片裝載區(qū)域上，安裝由上述多條引線所支持的上述薄片狀的芯片支持體的步驟；(c)把半導(dǎo)體芯片裝載到上述多個(gè)芯片支持體的各芯片支持體上，用金屬絲把半導(dǎo)體芯片和上述多條引線的一部分連接起來的步驟；(d)準(zhǔn)備具有上模和下模的模具，在用樹脂薄片把上述下模的表面覆蓋起來之后，把上述引線框架載置到上述樹脂薄片，使在上述引線中的各條引線的一面上所形成的上述外部連接端子和上述樹脂薄片接觸的步驟；(e)用上述上模和上述下模把上述樹脂薄片和上述引線框架夾住，使上述外部連接端子的頂端部分陷入到上述樹脂薄片內(nèi)的步驟；(f)通過向上述上模和上述下模之間的間隙內(nèi)注入樹脂，密封上述半導(dǎo)體芯片、上述芯片支持體、上述引線和上述金屬絲，同時(shí)形成使上述外部連接端子從背面向外部突出來，使形成了上述識(shí)別標(biāo)記的區(qū)域的上述引線從上表面露出來的多個(gè)密封體的步驟；以及(g)在從上述模具內(nèi)取出了已形成上述多個(gè)密封體的上述引線框架之后，通過切斷上述引線框架，使上述多個(gè)密封體個(gè)片化的步驟。
全文摘要
一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，提高在封裝的背面上具有外部連接端子的QFN(方形扁平無引腳封裝)的裝配精度。QFN1的密封體3在沿著其背面一側(cè)的對角線方向的2個(gè)拐角部分上設(shè)置有切口部分8。在從這些切口部分8露出來的懸空引線5b的一部分上，設(shè)置具有圓形的平面形狀的識(shí)別標(biāo)記15，成為使得在把QFN1裝配到布線基板上時(shí)，可以有光學(xué)方法從密封體3的上方檢測該識(shí)別標(biāo)記15。識(shí)別標(biāo)記15，可采用用蝕刻除去或用沖壓機(jī)沖壓構(gòu)成懸空引線5b的金屬板的一部分的辦法形成。
文檔編號H01L23/495GK1457094SQ0312239
公開日2003年11月19日 申請日期2003年5月9日 優(yōu)先權(quán)日2002年5月10日
發(fā)明者伊藤富士夫, 鈴木博通 申請人:株式會(huì)社日立制作所, 日立超大規(guī)模集成電路系統(tǒng)株式會(huì)社