專利名稱：內(nèi)部多個晶體管工作特性各不相同的顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示裝置，具體涉及包括場效應晶體管的顯示裝置。
伴隨這些有機EL顯示裝置，施加到驅(qū)動TFT的OLED柵極電極的亮度數(shù)據(jù)驅(qū)動容限隨著各個驅(qū)動TFT的電流驅(qū)動能力而改變，這將在下面討論。
另一方面，最近這些年來，含有半導體器件的設(shè)備變得更小、更輕，這樣要求安裝的TFT更小。而且，希望通過使用更小的TFT使這些晶體管的耗電更少。
根據(jù)本發(fā)明的較佳實施例涉及顯示裝置。該顯示裝置包括驅(qū)動光學元件的驅(qū)動晶體管；在驅(qū)動晶體管中設(shè)置數(shù)據(jù)的開關(guān)晶體管，其中涉及電流驅(qū)動能力的晶體管工作特性各不相同。這里，涉及電流驅(qū)動能力的工作特性可以是例如電流轉(zhuǎn)換因子，接通電阻等等。上述電流轉(zhuǎn)換因子是施加到晶體管柵極的電壓轉(zhuǎn)換到漏極-源極電流的因子。因此，可以這樣設(shè)計開關(guān)晶體管和驅(qū)動晶體管使得他們根據(jù)顯示裝置的特性有關(guān)于驅(qū)動能力的最佳特性。
該驅(qū)動晶體管和開關(guān)晶體管可以是場效應晶體管，而且這些晶體管的制作方法使得柵極長度或柵極寬度互不相同。例如，一個晶體管的柵極長度比另一個更短，和/或一個晶體管的柵極寬度比另一個更窄，這樣該晶體管的尺寸將更小，耗電能夠減少。
驅(qū)動晶體管的電流驅(qū)動能力可制成比開關(guān)晶體管更小。因此，開關(guān)晶體管的開關(guān)功能將提高而驅(qū)動晶體管的驅(qū)動容限將變得更寬。
驅(qū)動晶體管的制作方法使得柵極寬度比開關(guān)晶體管的更窄。而且，該開關(guān)晶體管的制作方法使得其柵極長度比驅(qū)動晶體管更短。
此外，驅(qū)動晶體管的制作方法使得驅(qū)動晶體管的柵極寬度比開關(guān)晶體管的更窄，同時開關(guān)晶體管的制作方法使得開關(guān)晶體管的柵極長度比驅(qū)動晶體管更短。因此，晶體管的尺寸將更小而能耗可減小。
開關(guān)晶體管可以包括多個互相串聯(lián)的晶體管。這個結(jié)構(gòu)能夠提高開關(guān)晶體管的存儲工作特性。
而且，涉及電流驅(qū)動能力的多個晶體管中至少一個的工作特性可以與那些其它晶體管不同。因此，通過至少一個這樣的晶體管可以提高存儲工作特性，而其它晶體管可以用于提高電流驅(qū)動能力并且實現(xiàn)低能耗或更小尺寸。
進而，該顯示裝置可以進一步包括反偏置電路，其與光學元件并聯(lián)，其中在光學元件兩端的電壓通過在預定的時刻控制反偏置電路反轉(zhuǎn)。
而且，該顯示裝置進一步包括關(guān)閉電路，它關(guān)閉將電流供應到光學元件的路徑，其中通過在關(guān)閉該路徑的時刻控制所述反偏置電路使光學元件兩端的電壓反轉(zhuǎn)。
此外，該光學元件可以設(shè)計為使得在光學元件一個電極的電位在預定的時刻切換到比光學元件的另一個電極的電位更高或更低。
而且，該顯示裝置可以進一步包括關(guān)閉電路，它關(guān)閉對光學元件供電的路徑。
請注意，在方法，設(shè)備，系統(tǒng)間的上述結(jié)構(gòu)元件和表示的任意組合被本發(fā)明實施例所包含并且對其有效。
此外，本發(fā)明的概述中不必需描寫所有的必要技術(shù)特征，這樣本發(fā)明也是這些描述特征的分組合。
圖2A和2B是在

圖1示出的顯示裝置中晶體管工作特性的曲線圖。
圖3是根據(jù)本發(fā)明第二個實施例示出一部分顯示裝置的電路圖。
圖4是在顯示裝置中進一步實施反偏壓電路的電路圖。
圖5示出如圖4所示的顯示裝置的修改實例。
圖6示出有機發(fā)光二極管的通用多層結(jié)構(gòu)。
圖7示出另一個多層結(jié)構(gòu)，此處各個元件相對圖6所示的有機發(fā)光二極管的通用多層結(jié)構(gòu)以相反的次序堆疊。
圖8示出了一個結(jié)構(gòu)，此處在圖4的顯示裝置中示出的二極管的陽極和陰極電極由陰極和陽極電極分別置換，并且陽極電極連接到電源電位Vff(這是正電位，也是固定電位)。
圖9示出的結(jié)構(gòu)中，在圖5顯示裝置中示出二極管的陽極和陰極電極分別由陰極和陽極電極替換，而陽極電極連接到為固定電壓的供電電位Vff。
圖10是替換圖1的修改電路，此處有機發(fā)光二極管有如圖7所示的多層結(jié)構(gòu)。
圖11是替換圖3的修改電路，此處有機發(fā)光二極管有如圖7所示的多層結(jié)構(gòu)。
實施例1圖1是根據(jù)本發(fā)明第一個實施例示出一部分顯示裝置的電路圖。在第一個實施例中，顯示裝置10包括開關(guān)晶體管Tr1，驅(qū)動晶體管Tr2，電容器C和二極管12。例如，該二極管12是用作亮度元件的有機EL光學元件。
驅(qū)動晶體管Tr2是TFT，它控制驅(qū)動電流流向二極管12。該開關(guān)晶體管Tr1也是TFT，它用于在驅(qū)動晶體管Tr2中設(shè)置數(shù)據(jù)的開關(guān)。
對于開關(guān)晶體管Tr1，其柵極電極連接到柵極線14，開關(guān)晶體管Tr1的漏極電極(或源電極)連接到數(shù)據(jù)線16，而源電極(或漏極電極)連接到驅(qū)動晶體管Tr2的柵極電極和電容器C的一個電極。電容器C的其它電極設(shè)置為預定電位。連接恒壓源(沒有示出)的數(shù)據(jù)線16傳送確定流向二極管12的電流的亮度數(shù)據(jù)。
至于驅(qū)動晶體管Tr2，漏極連接到供電線18，而驅(qū)動晶體管Tr2的源電極連接到二極管12的陽極。二極管12的陰極接地。供電線18連接到電源(沒有示出)，在那里施加預定的電壓。
圖2A和2B是示出在圖1中示出的顯示裝置中晶體管的工作特性圖。圖2A示出多個驅(qū)動晶體管Tr2的有不同電流驅(qū)動能力的漏-源電壓Vds和流向二極管12的電流Id值之間的關(guān)系。在這里示出驅(qū)動晶體管Tr2的電流驅(qū)動能力越小，晶體管的飽和區(qū)域?qū)⒃綄?，而且飽和電流值將越小?br> 圖2B示出有不同電流驅(qū)動能力的兩個驅(qū)動晶體管Tr2的柵-源電壓Vgs和流向二極管12的電流Id值之間的關(guān)系。這里示出驅(qū)動晶體管Tr2的電流驅(qū)動能力越小，在所需發(fā)送確定電流I1到二極管12的柵極-源極電壓Vgs1和所需發(fā)送另一個電流I2到二極管12的柵極-源極電壓Vgs2之間的容限越寬。
如上所述，驅(qū)動晶體管Tr2的電流驅(qū)動能力越小，提供到驅(qū)動晶體管柵極的亮度數(shù)據(jù)的驅(qū)動容限將越大。
再看圖1，根據(jù)本實施例，驅(qū)動晶體管Tr2設(shè)計為電流驅(qū)動能力小于開關(guān)晶體管Tr1。例如，電流驅(qū)動能力通過電流轉(zhuǎn)換因子β表示，諸如β＝μ(COx/2)×(W/L)。其中，μ是有效載流子遷移率，COx是每單位面積的柵極氧化膜電容量，W是柵極寬度，L是柵極長度。在這個第一實施例中，制作開關(guān)晶體管Tr1和驅(qū)動晶體管Tr2，使得其柵極長度或柵極寬度各自不同。這樣，驅(qū)動晶體管Tr2的電流轉(zhuǎn)換因子能夠比開關(guān)晶體管Tr1的更小。
根據(jù)第一個實施例，為了使驅(qū)動晶體管Tr2的電流轉(zhuǎn)換因子小于開關(guān)晶體管Tr1的因子，在驅(qū)動晶體管Tr2中的W/L值需要比在開關(guān)晶體管Tr1中的更小。為了實現(xiàn)這個條件，例如(1)驅(qū)動晶體管Tr2的柵極寬度比開關(guān)晶體管Tr1的更窄；(2)開關(guān)晶體管Tr1的柵極寬度比驅(qū)動晶體管Tr2的更短，等等。
上述設(shè)計的優(yōu)點討論如下(1)除了驅(qū)動晶體管Tr2尺寸更小、能耗更低的優(yōu)點外，通過使驅(qū)動晶體管Tr2的柵極寬度比開關(guān)晶體管Tr1的更窄，通過降低驅(qū)動晶體管Tr2的電流驅(qū)動能力使驅(qū)動容限更大。
(2)除了開關(guān)晶體管Tr1尺寸更小，能耗更低的優(yōu)點外，通過使開關(guān)晶體管Tr1的柵極長度比驅(qū)動晶體管Tr2的更短，能夠提高開關(guān)晶體管Tr1的開關(guān)功能。
此外，(1)和(2)的設(shè)計可以互相結(jié)合。這樣的結(jié)合實現(xiàn)兩種晶體管的尺寸小型化并且由于柵極電容的減小而降低能耗。
在上述實施例中的設(shè)計使得晶體管更小，但也可以由其它的設(shè)計進行改進。例如，飽和區(qū)域，也就是驅(qū)動晶體管Tr2的工作區(qū)域，它可以通過使驅(qū)動晶體管Tr2比開關(guān)晶體管Tr1的電流驅(qū)動能力更小而加寬。而且，通過使驅(qū)動容限更寬而使工作范圍更寬，以加寬驅(qū)動晶體管的工作范圍，在顯示裝置中光學元件間的亮度變化將被減小。此外，通過亮度控制可以進行更精確地灰度控制。通過這些有益效果的設(shè)計，可以改進晶體管的可靠性。第二個實施例圖3是根據(jù)本發(fā)明第二個實施例的示出一部分顯示裝置的電路圖。
在第二個實施例中，顯示裝置20與第一個實施例不同，其中顯示裝置20有兩個開關(guān)晶體管的，并且第一個開關(guān)晶體管Tr1a和第二個開關(guān)晶體管Tr1b串連。在圖3中，和第一個實施例相同的元件用相同的標號指示，關(guān)于其描述將適當?shù)厥÷?。需要注意，在第二個實施例中，第一開關(guān)晶體管Tr1a和第二個開關(guān)晶體管Tr1b基本相同。
至于第一個開關(guān)晶體管Tr1a，柵極連接到柵極線14，漏極(或源極)連接到數(shù)據(jù)線16，源極(或漏極)連接到第二開關(guān)晶體管Tr1b的漏極(或源極)。對于第二開關(guān)晶體管Tr1b，柵極連接到柵極線14，源極(或漏極)連接到驅(qū)動晶體管Tr2的柵極和電容器C電極中的一個。
在第二個實施例中，驅(qū)動晶體管Tr2設(shè)計為使其電流驅(qū)動能力比第一開關(guān)晶體管Tr1a和第二開關(guān)晶體管Tr1b要小。例如，可以設(shè)計成(1/β1a+1/β1b)＜1/β2，其中β1a是第一開關(guān)晶體管Tr1a的電流轉(zhuǎn)換因子，β1b是第二開關(guān)晶體管Tr1b的的電流轉(zhuǎn)換因子，而β2是驅(qū)動晶體管Tr2的電流轉(zhuǎn)換因子。
例如，可以有兩種設(shè)計使得驅(qū)動晶體管Tr2的電流置換因子比兩個開關(guān)晶體管Tr1a和Tr1b更小(1)驅(qū)動晶體管Tr2的柵極寬度比開關(guān)晶體管Tr1a或Tr1b的柵極寬度的一半更窄(不過，這三個晶體管Tr2，Tr1a和Tr1b的柵極長度基本相同)；(2)開關(guān)晶體管Tr1a或Tr1b的柵極長度比驅(qū)動晶體管Tr2的柵極長度更短(不過，這三個晶體管Tr2，Tr1a和Tr1b的柵極寬度基本相同)；等等。在另一個實例中，如果滿足(1/β1a+1/β1b)＜1/β2，可以進行任意的設(shè)計。
根據(jù)第二個實施例，開關(guān)晶體管由兩個串聯(lián)的晶體管Tr1a和Tr1b組成，這樣改進了開關(guān)晶體管的存儲工作特性。在這個實施例中涉及驅(qū)動晶體管Tr2驅(qū)動能力的工作特性和第一個實施例中的相同。第三個實施例根據(jù)本發(fā)明的第三個實施例與第二個實施例不同，其中第一個開關(guān)晶體管Tr1a和第二個開關(guān)晶體管Tr1b設(shè)計成有涉及驅(qū)動能力的不同的工作特性，諸如電流轉(zhuǎn)換因子。
在第三個實施例中，舉例說，下面的設(shè)計將使得驅(qū)動晶體管Tr2的電流轉(zhuǎn)換因子小于兩個開關(guān)晶體管Tr1a和Tr1b，并結(jié)合(1)驅(qū)動晶體管Tr2的柵極寬度窄于(W1a×W1b)/(W1a+W1b)，其中W1a是第一開關(guān)晶體管的柵極寬度，W1b是第二個開關(guān)晶體管Tr1b的的柵極寬度(不過，這三個晶體管Tr1a，Tr1b和Tr2的柵極長度基本相同)；(2)兩個晶體管Tr1a和Tr1b的柵極長度之和小于驅(qū)動晶體管Tr2的柵極長度(不過，這三個晶體管Tr1a，Tr1b和Tr2的柵極寬度基本相同)，等等。
第三個實施例可以設(shè)計成能夠極大地減小泄漏電流，例如通過設(shè)置第二個開關(guān)晶體管Tr1b的(它更靠近驅(qū)動晶體管Tr2)電流轉(zhuǎn)換因子低于第一個開關(guān)晶體管Tr1a的。此外，通過使關(guān)于多個開關(guān)晶體管的驅(qū)動能力的工作特性不同，可以提高至少一個晶體管的存儲特性并提高其余1個或2個晶體管的電流驅(qū)動能力，從而能夠降低能耗或減小尺寸。而且在這個實施例中，關(guān)于驅(qū)動晶體管Tr2驅(qū)動能力的工作特性與第一個實施例中的相同。
本發(fā)明通過只起示范作用的實施例描述。普通技術(shù)人員可以理解各個元件的組合和上述處理可以進行其它各種修改，而這些修改包含在本發(fā)明的范圍中。這些修改的實施例將在下面進一步描述。
在上述實施例中，在所描述的設(shè)計中，驅(qū)動晶體管Tr2的電流驅(qū)動能力小于開關(guān)晶體管Tr1的驅(qū)動能力。不過相反，也可以把電流驅(qū)動能力設(shè)計為使驅(qū)動晶體管Tr2的大于開關(guān)晶體管Tr1的。例如，在該顯示裝置用于PDA或便攜電話的例子中(其特點是相對低速的工作環(huán)境)，開關(guān)晶體管Tr1的開關(guān)功能就不特別重要，這樣就可以通過采用降低開關(guān)晶體管Tr1的電流驅(qū)動能力減小泄漏電流。
在上述實施例中，通過改變晶體管的柵極長度或柵極寬度使開關(guān)和驅(qū)動晶體管驅(qū)動能力的工作特性不同。不過，通過改變柵極隔離器的厚度或改變進入柵極電極的離子數(shù)量也可以使這些晶體管驅(qū)動能力的工作特性不同。
在上述實施例中，開關(guān)晶體管Tr1，Tr1a和Tr1b以及驅(qū)動晶體管Tr2表示了n-溝道晶體管，不過他們可以是p-溝道晶體管或p-溝道和n-溝道晶體管的組合。
在第二和第三個實施例中，開關(guān)晶體管包括串聯(lián)的兩個晶體管Tr1a和Tr1b，但也可以包括三個或更多的晶體管。
此外，在圖1中示出的顯示裝置10可以進一步包括用于關(guān)閉電路的關(guān)閉晶體管Tr20和用作反偏置電路的反偏置晶體管Tr30(如圖4所示)。在這個例子中，在顯示裝置10中提供了控制信號線15。該控制信號線15發(fā)送一個控制信號，通過它在從供電線18處于關(guān)閉二極管12的同時啟動關(guān)閉晶體管Tr20。該關(guān)閉晶體管Tr20用作關(guān)閉供電線18和二極管12間路徑的開關(guān)。
這里，驅(qū)動晶體管Tr2的漏極連接到關(guān)閉晶體管Tr20的源極，并且驅(qū)動晶體管Tr2的源極連接到二極管12的陽極。關(guān)閉晶體管Tr20的柵極連接到控制信號線15，而關(guān)閉晶體管Tr20的漏極連接到供電線18。
上述結(jié)構(gòu)電路的工作過程將在下面討論。當柵極線14的掃描信號變高時，開關(guān)晶體管Tr1開啟。當控制信號線15的控制信號變高時，關(guān)閉晶體管Tr20開啟。因此，驅(qū)動晶體管Tr2的源極與供電線18通電。在數(shù)據(jù)線16的電位變得和驅(qū)動晶體管Tr2的柵極電位相同。這樣，驅(qū)動晶體管Tr2柵極-源極電壓的相應電流流過供電線18和二極管12的陽極之間，這樣二極管12以符合電流量的光強度發(fā)光。當控制信號線15的控制信號變低時，關(guān)閉晶體管Tr20關(guān)閉并且在二極管12和供電線18間的路徑關(guān)閉。這樣，不論驅(qū)動晶體管Tr2的柵極電極中設(shè)置的亮度數(shù)據(jù)是怎樣都關(guān)閉二極管12。
這里，反偏置晶體管Tr30的源極可以連接到負電位Vee，它比連接著二極管12的陰極電極的地電位更低。在這樣的結(jié)構(gòu)中，當控制信號線15變低時，關(guān)閉晶體管Tr20變低而反偏置晶體管Tr30開啟。接著，在二極管12陽極的電位變得和負電位Vee相同。當二極管12的陰極接地電位時，陰極電位變得比陽極電位高，二極管12處于反偏狀態(tài)。
通過使二極管12處于反偏狀態(tài)，在二極管12中保留的電荷將離開而且能夠抑制殘留圖像現(xiàn)象。在相同時間，能夠恢復構(gòu)成二極管12的有機薄膜的工作特性。作為一般問題，諸如OLED的二極管會遇到有機薄膜的惡化，也就是，如果使用較長的時間亮度會下降，而該下降相對使用液晶的其它光學元件是顯著的。這樣，通過在亮度數(shù)據(jù)的更新周期中設(shè)置OLED為反偏狀態(tài)，可以防止顯示質(zhì)量變差，同時將保留有機薄膜的適當工作特性。
而且參考圖5，可以設(shè)計顯示裝置把關(guān)閉晶體管Tr20設(shè)置在驅(qū)動晶體管Tr2和二極管12之間。即，開關(guān)晶體管Tr20的源極連接到二極管12的陽極，而關(guān)閉晶體管Tr20的漏極連接到驅(qū)動晶體管Tr2的源極。類似于圖4示出的例子，當控制信號線15的控制信號變高時開啟關(guān)閉晶體管Tr20，而當控制信號線15的控制信號變低時關(guān)閉開關(guān)晶體管Tr20。在圖5中設(shè)計的電路工作和定時類似于圖4所示的電路。
在圖4和圖5示出的顯示裝置中，關(guān)閉晶體管Tr20和反偏置晶體管Tr30由控制信號線15，而不是由柵極線14控制開關(guān)。不過，該設(shè)計不限于此，開關(guān)晶體管Tr20和反偏置晶體管Tr30可以由柵極線14替換地控制開關(guān)。
通常，諸如OLED的二極管12的多層結(jié)構(gòu)為如圖6所示的在諸如玻璃襯底的隔離襯底上從底部到頂部依次堆疊的陽極層310，空穴傳輸層320，有機EL層330和陰極層340。OLED的多層結(jié)構(gòu)不僅限于圖6中所示，還可以是如圖7所示的在諸如玻璃襯底的隔離襯底上從底部到頂部依次堆疊的諸如陰極層340，有機EL層330，空孔傳輸層320和陽極層310。如果OLED多層結(jié)構(gòu)如圖6所示，OLED的陰極接地電位(為固定電位)。
不過，如果OLED的多層結(jié)構(gòu)如圖7所示，OLED的陽極連接到固定電位。
圖8到11是適于有這類多層結(jié)構(gòu)的OLED的顯示裝置的例子。圖7示出了這樣OLED多層結(jié)構(gòu)的例子，其中圖1示出的顯示裝置10和圖10示出的結(jié)構(gòu)類同。這里，與圖1相比，二極管12的陽極由陰極替換，由二極管12的陽極現(xiàn)在連接到供電電位Vff(它是正電位和固定電位)。在類似的情況中，如果OLED的多層結(jié)構(gòu)如圖3所示，在圖3中示出的顯示裝置20的結(jié)構(gòu)類同于圖11中的結(jié)構(gòu)。
在二極管12的發(fā)射時間中，電流從供電電位Vff通過二極管12和驅(qū)動晶體管Tr2流向供電線18(它是地電位)。
圖8示出的結(jié)構(gòu)中，在如圖4的顯示裝置10中示出的二極管12的陽極和陰極由陰極和陽極分別替換，這樣陽極連接到供電電位Vff(它是正電位和供電電位)。不過，連接到負電位Vee的反偏置晶體管Tr30的電極現(xiàn)在連接到比供電電位Vff更高的正電位Vgg。而且，連接到供電線18的關(guān)閉晶體管Tr20的電極現(xiàn)在連接到為地位的低電位線Vhh。
在二極管12的發(fā)射時間中，電流從供電電位Vff通過驅(qū)動晶體管Tr2和關(guān)閉晶體管Tr20流向地電位的低電位線Vhh。接著，通過將控制信號線15調(diào)低，使關(guān)閉晶體管Tr20開啟而反偏置晶體管Tr30關(guān)閉。當在二極管12的亮度數(shù)據(jù)更新周期中，控制信號線15調(diào)低時，關(guān)閉晶體管Tr20關(guān)閉而反偏置晶體管Tr30開啟。結(jié)果是，二極管12的陰極電位成為正電位Vgg，該電位比供電電位Vff高，從而二極管12成為反偏置。
在圖9示出的結(jié)構(gòu)中，在圖5所示的顯示裝置中的二極管12的陽極和陰極分別被陰極和陽極替換，這樣陽極連接到供電電位Vff(其為固定電位)。在圖5中示出的被驅(qū)動晶體管Tr2連接的該供電線18(正電位)現(xiàn)在改變?yōu)樨撾娢痪€Vii(它是負電位)。而且，連接到負電位Vee的反偏置晶體管Tr30的電極現(xiàn)在連接到比地電位更高的正電位Vgg。當控制信號線15在二極管12的亮度數(shù)據(jù)更新周期中變高時，反偏置晶體管Tr30導通而關(guān)閉晶體管Tr12關(guān)閉。這時，在二極管12陰極的電位成為正電位Vgg，它比代表陽極電位的供電電位Vff高，這樣二極管12處于反偏狀態(tài)。
在圖8和9示出的顯示裝置中，該關(guān)閉晶體管Tr20和反偏置晶體管Tr30不由柵極線14控制開關(guān)，而是由控制信號線15控制開關(guān)。不過，該設(shè)計不限于此，該開關(guān)晶體管Tr20和反偏置晶體管Tr30可以用柵極線14替代地控制開關(guān)。在這樣的情況中，晶體管結(jié)構(gòu)最好是這樣的類型，即當在驅(qū)動晶體管Tr2中設(shè)置亮度數(shù)據(jù)時，關(guān)閉晶體管Tr20關(guān)閉而反偏置晶體管Tr30開啟。
需要注意在圖3中示出的顯示裝置20可以設(shè)計為使得在使用關(guān)閉電路和反偏置電路的圖1顯示裝置中進一步使用關(guān)閉電路Tr20和反偏置電路Tr30。而且，在圖8和圖9中示出的電路結(jié)構(gòu)可以用于圖3中示出的顯示裝置20。
雖然本發(fā)明通過示范實施例進行了描述，可以理解普通技術(shù)人員在不背離本發(fā)明范圍的情況下可以進一步進行各種改變和替換，而本發(fā)明的范圍由附加權(quán)利要求限定。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，其特征在于，包括驅(qū)動光學元件的驅(qū)動晶體管；和在所述驅(qū)動晶體管中設(shè)置數(shù)據(jù)的開關(guān)晶體管，其中，有關(guān)電流驅(qū)動能力的所述晶體管的工作特性制作得各不相同。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，其中關(guān)于電流驅(qū)動能力的所述晶體管特性是電流轉(zhuǎn)換因子。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，其中所述驅(qū)動晶體管和所述開關(guān)晶體管是場效應晶體管，而所述晶體管的制作方法使所述晶體管的柵極寬度各不相同。
4.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，其中所述驅(qū)動晶體管和所述開關(guān)晶體管是場效應晶體管，并且所述晶體管的制作方法使所述晶體管的柵極長度各不相同。
5.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，其中關(guān)于電流驅(qū)動能力的所述驅(qū)動晶體管的工作特性小于所述開關(guān)晶體管的工作特性。
6.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，其中所述驅(qū)動晶體管的制作方法使得其柵極寬度比所述開關(guān)晶體管的柵極寬度窄。
7.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，其中所述開關(guān)晶體管的制作方法使得其柵極長度比所述驅(qū)動晶體管柵極長度短。
8.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，其中所述驅(qū)動晶體管的制作方法使得所述驅(qū)動晶體管柵極寬度比所述開關(guān)晶體管柵極寬度窄，其中所述開關(guān)晶體管的制作方法使得所述開關(guān)晶體管柵極長度比所述驅(qū)動晶體管的柵極長度短。
9.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，其中關(guān)于電流驅(qū)動能力的所述驅(qū)動晶體管的工作特性大于所述開關(guān)晶體管的工作特性。
10.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，其中所述開關(guān)晶體管包括多個串聯(lián)的晶體管。
11.如權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其特征在于，其中在所述多個晶體管中至少一個晶體管的關(guān)于電流驅(qū)動能力的工作特性與其它晶體管的工作特性不同。
12.如權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其特征在于，其中關(guān)于電流驅(qū)動能力的工作特性是電流轉(zhuǎn)換因子。
13.如權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其特征在于，其中構(gòu)成所述開關(guān)晶體管的多個晶體管設(shè)置在數(shù)據(jù)供給源和所述開關(guān)晶體管之間，并且關(guān)于在數(shù)據(jù)供給源一側(cè)設(shè)置的晶體管電流驅(qū)動能力的工作特性大于在所述開關(guān)晶體管側(cè)設(shè)置的晶體管的工作特性。
14.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，其中所述開關(guān)晶體管包括串聯(lián)的n個晶體管(n為大于或等于2的整數(shù))，它們關(guān)于驅(qū)動能力的特性基本相同，其中所述開關(guān)晶體管的柵極長度基本上等于所述驅(qū)動晶體管的柵極長度，并且其中所述驅(qū)動晶體管的制作方法使得其柵極寬度比構(gòu)成所述開關(guān)晶體管的晶體管柵極寬度的1/n更窄。
15.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，其中所述開關(guān)晶體管包括串聯(lián)的n個晶體管(n是大于或等于2的整數(shù))，其關(guān)于驅(qū)動能力的工作特性基本相同，其中所述開關(guān)晶體管的柵極寬度基本等于所述驅(qū)動晶體管的柵極寬度，并且其中構(gòu)成所述開關(guān)晶體管的晶體管制作方法使得其柵極長度比所述驅(qū)動晶體管柵極長度的1/n更短。
16.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，其中光學元件是有機發(fā)光二極管。
17.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，進一步包括并聯(lián)到光學元件的反偏置電路，其中通過在預定時刻控制所述反偏置電路使光學元件兩端的電壓反轉(zhuǎn)。
18.如權(quán)利要求17所述的顯示裝置，其特征在于，進一步包括關(guān)閉電路，它關(guān)閉將電流供應到光學元件的路徑，其中通過在關(guān)閉該路徑的時刻控制所述反偏置電路使光學元件兩端的電壓反轉(zhuǎn)。
19.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，其中設(shè)計光學元件使得在預定的時刻，在光學元件一個電極的電位切換到比光學元件另一個電極的電位更高或更低。
20.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，進一步包括關(guān)閉電路，它關(guān)閉將電流供應到光學元件的路徑。
全文摘要
制作驅(qū)動二極管的驅(qū)動晶體管的工作特性，使其根據(jù)電流驅(qū)動能力與開關(guān)晶體管的電流驅(qū)動能力不同。該驅(qū)動晶體管的電流驅(qū)動能力比開關(guān)晶體管的電流驅(qū)動能力更低。
文檔編號H01L29/786GK1440010SQ03104120
公開日2003年9月3日 申請日期2003年2月11日 優(yōu)先權(quán)日2002年2月18日
發(fā)明者土屋博, 野口幸宏, 松本昭一郎 申請人:三洋電機株式會社