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晶體管功能測(cè)試裝置制造方法

文檔序號(hào):6194143閱讀:362來源:國知局
晶體管功能測(cè)試裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型揭示一種晶體管功能測(cè)試裝置,包括:基板,其上設(shè)有若干個(gè)的焊點(diǎn)組,各所述焊點(diǎn)組具有兩個(gè)焊點(diǎn),所述兩個(gè)焊點(diǎn)間存在間距;若干電阻,各所所述電阻兩端焊接于所述焊點(diǎn)組的兩個(gè)焊點(diǎn)間;連接導(dǎo)線,其一端焊接于所述焊點(diǎn)上、另一端具有夾持件,所述夾持件對(duì)應(yīng)夾持所述晶體管的引腳;直流電源,具有兩個(gè)電源輸出口組,各所述電源輸出口組具有兩個(gè)電源輸出口,分別輸出正極和負(fù)極。由于是將電阻焊接固定在基板上,而所述晶體管的柵極引腳、源極引腳、漏極引腳與電阻之間的連接是通過夾持件來完成,無須焊接,因此既無須提供適合相應(yīng)晶體管的印刷線路板,又避免高溫焊接后后所述晶體管功能參數(shù)不良、不可再進(jìn)行SMT的問題。
【專利說明】晶體管功能測(cè)試裝置【【技術(shù)領(lǐng)域】】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種測(cè)試裝置,特別是涉及一種晶體管功能測(cè)試裝置。
【【背景技術(shù)】】
[0002]晶體管(例如S0-8、S0T363、S0T23、S0T-113、T092) 一般需要進(jìn)行測(cè)試驗(yàn)證,以驗(yàn)證其功能正常。以S0-8為例,其包括一個(gè)G極(柵極)引腳、三個(gè)S極(源極)引腳、四個(gè)D極(源極)引腳。
[0003]請(qǐng)參閱圖1,圖1為晶體管功能測(cè)試的一電路圖。該功能測(cè)試為測(cè)試源極和漏極之間的電阻Rds,該電路需要在晶體管10的源極和漏極之間串接第一電源11及第一電阻12,在晶體管10的柵極和漏極之間串接第二電源13及第二電阻14。
[0004]請(qǐng)參閱圖2,圖2繪示為圖1晶體管功能測(cè)試電路的實(shí)物連接示意圖。如圖所示,所述晶體管10的一個(gè)四個(gè)漏極引腳、三個(gè)源極引腳、一個(gè)柵極引腳分別通過第一焊點(diǎn)15、第二焊點(diǎn)16、第三焊點(diǎn)17焊接于印刷線路板18 (通常利用報(bào)廢的線路板)上,直流電源19提供上述第一電源11及第二電源13,再通過導(dǎo)線連接以形成圖1中的電路。所述導(dǎo)線的一端焊接在所述第一焊點(diǎn)15、第二焊點(diǎn)16、第三焊點(diǎn)17上,另一端連接所述第一電阻12、第二電阻14或所述直流電源19。
[0005]然而,采用上述方式連接的測(cè)試電路,由于是將所述晶體管10焊接在印刷線路板18上。一方面,需要提供相 應(yīng)的可以焊接所述晶體管10的印刷線路板18 ;另一方面,高溫焊接容易造成晶體管10的功能參數(shù)不良、經(jīng)過高溫焊接后的晶體管10 —般不可再進(jìn)行SMT或者報(bào)廢。
[0006]有鑒于此,實(shí)有必要開發(fā)一種晶體管功能測(cè)試裝置,以解決上述問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]因此,本實(shí)用新型的目的是提供一種晶體管功能測(cè)試裝置,解決晶體管功能測(cè)試時(shí)需要提供適合相應(yīng)晶體管的印刷線路板以及測(cè)試后所述晶體管功能參數(shù)不良、不可再進(jìn)行SMT或報(bào)廢的問題。
[0008]為了達(dá)到上述目的,本實(shí)用新型提供的晶體管功能測(cè)試裝置,包括:
[0009]基板,其上設(shè)有若干個(gè)的焊點(diǎn)組,各所述焊點(diǎn)組具有兩個(gè)焊點(diǎn),所述兩個(gè)焊點(diǎn)間存在間距;
[0010]若干電阻,各所所述電阻兩端焊接于所述焊點(diǎn)組的兩個(gè)焊點(diǎn)間;
[0011]連接導(dǎo)線,其一端焊接于所述焊點(diǎn)上、另一端具有夾持件,所述夾持件對(duì)應(yīng)夾持所述晶體管的引腳;
[0012]直流電源,具有兩個(gè)電源輸出口組,各所述電源輸出口組具有兩個(gè)電源輸出口,分別輸出正極和負(fù)極。
[0013]可選的,所述直流電源具有電源連接導(dǎo)線,所述電源連接導(dǎo)線一端固定連接于所述電源輸出口、另一端具有輸出夾持件。[0014]可選的,所述電阻的阻值對(duì)應(yīng)所述晶體管測(cè)試用電阻的阻值。
[0015]相較于現(xiàn)有技術(shù),利用本實(shí)用新型的晶體管功能測(cè)試裝置,于使用時(shí),只需依據(jù)測(cè)試所需求的電阻阻值,在所述基板上選用電阻,將所選用的電阻兩端的連接導(dǎo)線上的夾持件依據(jù)測(cè)試電路圖分別連接至所述晶體管的柵極引腳、源極引腳、漏極引腳或者所述直流電源的電源輸出口上即可。由于是將電阻焊接固定在基板上,而所述晶體管的柵極引腳、源極引腳、漏極引腳與電阻之間的連接是通過夾持件來完成,無須焊接,因此既無須提供適合相應(yīng)晶體管的印刷線路板,又避免高溫焊接后后所述晶體管功能參數(shù)不良、不可再進(jìn)行SMT的問題。
【【專利附圖】

【附圖說明】】
[0016]圖1為晶體管功能測(cè)試的一電路圖。
[0017]圖2繪示為圖1晶體管功能測(cè)試電路的實(shí)物連接示意圖。
[0018]圖3繪示為本實(shí)用新型的晶體管功能測(cè)試裝置一較佳實(shí)施例的局部結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019]圖4繪示為本實(shí)用新型的晶體管功能測(cè)試裝置一較佳實(shí)施例的裝置結(jié)構(gòu)示意圖。
【【具體實(shí)施方式】】
[0020]請(qǐng)共同參閱圖3、圖4,圖3繪示為本實(shí)用新型的晶體管功能測(cè)試裝置一較佳實(shí)施例的局部結(jié)構(gòu)示意圖、圖4繪示為本實(shí)用新型的晶體管功能測(cè)試裝置一較佳實(shí)施例的裝置結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021]為了達(dá)到上述 目的,本實(shí)用新型提供的晶體管功能測(cè)試裝置,于本實(shí)施例,其包括:
[0022]基板20,其上設(shè)有若干個(gè)的焊點(diǎn)組,各所述焊點(diǎn)組具有兩個(gè)焊點(diǎn)21,所述兩個(gè)焊點(diǎn)21間存在間距;
[0023]若干電阻22,各所所述電阻22兩端焊接于所述焊點(diǎn)組的兩個(gè)焊點(diǎn)21間;
[0024]連接導(dǎo)線,其一端焊接于所述焊點(diǎn)21上、另一端具有夾持件23,所述夾持件23對(duì)應(yīng)夾持所述晶體管10的引腳;
[0025]直流電源24,具有兩個(gè)電源輸出口組,各所述電源輸出口組具有兩個(gè)電源輸出口25,分別輸出正極和負(fù)極。
[0026]其中,所述直流電源24具有電源連接導(dǎo)線,所述電源連接導(dǎo)線一端固定連接于所述電源輸出口 25、另一端具有輸出夾持件26。
[0027]其中,所述電阻22的阻值對(duì)應(yīng)所述晶體管10測(cè)試用電阻的阻值。
[0028]請(qǐng)?jiān)俳Y(jié)合參閱圖1,此處以測(cè)試所述晶體管10源極和漏極之間的電阻Rds為例,所述電阻22的阻值取10歐以及I千歐。
[0029]此處,所述晶體管10是以S0-8為例,其它類型的晶體管10 (例如S0T363、S0T23、SOT-113、T092)也可以使用上述測(cè)試裝置。
[0030]相較于現(xiàn)有技術(shù),利用本實(shí)用新型的晶體管功能測(cè)試裝置,于使用時(shí),只需依據(jù)測(cè)試所需求的電阻阻值,在所述基板20上選用電阻22,將所選用的電阻22兩端的連接導(dǎo)線上的夾持件23依據(jù)測(cè)試電路圖分別連接至所述晶體管10的柵極引腳、源極引腳、漏極引腳或者所述直流電源24的電源輸出口 25上即可。由于是將電阻22焊接固定在基板20上,而所述晶體管10的柵極引腳、源極引腳、漏極引腳與電阻22之間的連接是通過夾持件23來完成,無須焊接,因此既無須提供適合相應(yīng)晶體管10的印刷線路板,又避免高溫焊接后后所述晶體管10功能參數(shù)不良、不可再進(jìn)行SMT的問題。
【權(quán)利要求】
1.一種晶體管功能測(cè)試裝置,其特征在于,包括: 基板,其上設(shè)有若干個(gè)的焊點(diǎn)組,各所述焊點(diǎn)組具有兩個(gè)焊點(diǎn),所述兩個(gè)焊點(diǎn)間存在間距; 若干電阻,各所所述電阻兩端焊接于所述焊點(diǎn)組的兩個(gè)焊點(diǎn)間; 連接導(dǎo)線,其一端焊接于所述焊點(diǎn)上、另一端具有夾持件,所述夾持件對(duì)應(yīng)夾持所述晶體管的引腳; 直流電源,具有兩個(gè)電源輸出口組,各所述電源輸出口組具有兩個(gè)電源輸出口,分別輸出正極和負(fù)極。
2.如權(quán)利要求1所述的晶體管功能測(cè)試裝置,其特征在于,所述直流電源具有電源連接導(dǎo)線,所述電源連接導(dǎo)線一端固定連接于所述電源輸出口、另一端具有輸出夾持件。
3.如權(quán)利要求1所述的晶體管功能測(cè)試裝置,其特征在于,所述電阻的阻值對(duì)應(yīng)所述晶體管測(cè)試用電阻的阻值。
【文檔編號(hào)】G01R31/26GK203396904SQ201320443994
【公開日】2014年1月15日 申請(qǐng)日期:2013年7月24日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月24日
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