專利名稱：由化學(xué)氣相沉積法沉積的有機(jī)聚合物抗反射涂層的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明大致涉及在硅和介電材料上形成抗反射涂層(ARC)的方法和所產(chǎn)生的集成電路前體結(jié)構(gòu)。更具體地說(shuō)，本發(fā)明方法包括提供大量高應(yīng)變的抗反射化合物并使該化合物蒸發(fā)。然后使所產(chǎn)生的蒸氣熱解成穩(wěn)定的雙自由基，后者隨后聚合到基片表面上。涂布光致抗蝕層，形成ARC層，進(jìn)行其余的微光刻法步驟。
背景技術(shù)：
集成電路制造廠為了提高產(chǎn)量、降低單位機(jī)殼和增加芯片內(nèi)計(jì)算能力，不斷尋求擴(kuò)大硅片大小和減小組合元件細(xì)部尺寸(feature dimension)的方法。隨著先進(jìn)的深紫外線(DUV)微光刻法的發(fā)展，現(xiàn)在硅片上的器部件尺寸已經(jīng)是亞微米級(jí)別了。但是，為了保持這些亞微米細(xì)部尺寸控制，在光致抗蝕劑曝光時(shí)將基片的反射率降低到1％以下仍是關(guān)鍵性的。因此，為了在光致抗蝕劑DUV曝光時(shí)降低通常由半導(dǎo)體基片所產(chǎn)生的反射，由吸光的有機(jī)聚合物形成抗反射涂層(ARC)組合物，它涂布在光致抗蝕層下。一般用所謂的旋涂法將這些有機(jī)ARC涂布到半導(dǎo)體基片上。雖然旋涂的ARC層提供了對(duì)反射的優(yōu)良控制，但它們的性能受其不均勻性、缺陷性和保形收縮性所限，并且旋涂法中還有其它固有無(wú)效性。由于工業(yè)上采用八英寸或甚至是十二英寸的半導(dǎo)體基片，因此旋涂法固有的無(wú)效性會(huì)變得愈加明顯。
目前的ARC涂布法的另一問(wèn)題是對(duì)硅片的涂布均勻性不足。形成的層一般均勻性不足，這時(shí)因?yàn)閷釉诨吘壍暮穸缺然行牡暮穸却蟆?br> 旋涂的ARC層還會(huì)使表面構(gòu)形平面化或使其產(chǎn)生不均勻的涂層，而不是形成高度保形層(即在基片的各個(gè)面和細(xì)部處都均勻涂布的層)。例如，如果在細(xì)部高度為0.25微米的隆起細(xì)部(feature)處旋涂標(biāo)稱層厚為1000埃的ARC，經(jīng)證明層在細(xì)部的頂部厚度只有350埃，而位于隆起細(xì)部之間的谷處厚度卻有1800埃。
當(dāng)這些超微細(xì)部的大小發(fā)生表面化時(shí)，ARC層會(huì)在細(xì)部頂部變得太薄，以致于不能在細(xì)部處提供所需的反射控制。同時(shí)，ARC層在谷處太厚，以致于在隨后的等離子蝕刻時(shí)不能使層有效去除。也就是說(shuō)，在由等離子蝕刻清潔谷中沉積的ARC的過(guò)程中，光致抗蝕細(xì)部的側(cè)壁會(huì)被腐蝕，細(xì)部的形狀和/或尺寸會(huì)產(chǎn)生雖為顯微鏡尺寸但明顯的變化。此外，抗蝕厚度和邊緣銳度會(huì)損失，這會(huì)導(dǎo)致隨后的蝕刻過(guò)程中將抗蝕圖案轉(zhuǎn)印到基片上時(shí)形成不一致的圖象或細(xì)部圖案。
由于這些超薄的ARC層是在動(dòng)態(tài)環(huán)境下以極高速度旋涂這一事實(shí)，還有其它的問(wèn)題。因此，由于伴隨的溶劑迅速或不均勻蒸發(fā)、動(dòng)態(tài)表面張力和液體-波前和表面構(gòu)形之間相互作用，產(chǎn)生了針孔、空穴、條紋、氣泡、局部附著性差、中心到邊緣的厚度變化和其它缺陷。由此產(chǎn)生的缺陷隨著硅片尺寸的增大(如8”-12”)和在超亞微米(不大于0.25微米)的細(xì)部上蝕刻圖案時(shí)變得不合格。
所以需要能克服旋涂法中固有缺陷而使ARC沉積在各種基片上的改進(jìn)方法。
發(fā)明概述本發(fā)明大致通過(guò)提供在用于電路制造過(guò)程的硅和介電材料或其它基片(如Al、W、WSi、GaAs、SiGe、Ta、TaN和其它反射表面)上涂布抗反射涂層的改進(jìn)方法，克服了這些問(wèn)題。
更詳細(xì)地說(shuō)，本發(fā)明方法包括用化學(xué)氣相沉積法(CVD)使抗反射化合物在基片表面沉積為層。然后優(yōu)選在抗反射層上涂布光致抗蝕層，形成前體結(jié)構(gòu)，后者隨后進(jìn)行電路制造過(guò)程的其余步驟(即，在光致抗蝕層上涂布掩蔽層、以所需波長(zhǎng)照射光致抗蝕層、顯影和蝕刻光致抗蝕層)。
在一個(gè)實(shí)施方式中，抗反射化合物包含各自的消光化合物(light attenuatingcompounds)，它包含兩個(gè)經(jīng)連接基團(tuán)相連的環(huán)狀部分，所述的連接基團(tuán)連到一個(gè)環(huán)狀部分的一位(直接連到環(huán)上的原子或連到與環(huán)上相連的官能團(tuán))和另一環(huán)狀部分的一位上。優(yōu)選地，兩個(gè)環(huán)狀部分經(jīng)一個(gè)以上的這種連接基團(tuán)而相連，甚至更優(yōu)選是兩個(gè)所選部分經(jīng)兩個(gè)這種連接基團(tuán)而相連，其中各個(gè)另外的連接基團(tuán)連到各環(huán)狀部分的二位、三位等位置上。
消光化合物應(yīng)高度應(yīng)變，以使它們?cè)谄毓庥谀芰?如熱、紫外線)時(shí)能裂解成穩(wěn)定的雙自由基。因此，消光化合物的應(yīng)變能應(yīng)至少約為10千卡/摩爾，優(yōu)選至少約為20千卡/摩爾，更優(yōu)選約為30-50千卡/摩爾。
優(yōu)選至少有一個(gè)環(huán)狀部分是芳環(huán)或雜環(huán)，其中芳環(huán)部分優(yōu)選選自苯、萘、蒽、菲和芘。雜環(huán)部分優(yōu)選選自吡啶、噠嗪、嘧啶、吡嗪、噻唑、異噻唑、噁唑、異噁唑、噻吩、呋喃和吡咯。
式I示意性地描繪了消光化合物的優(yōu)選結(jié)構(gòu)。
式I 其中R表示連接基團(tuán)，各R優(yōu)選單獨(dú)選自烷基(優(yōu)選至少是C2，更優(yōu)選為C2-C4)；和各X單獨(dú)選自氫、鹵素、取代和未取代的苯基、取代和未取代的烷基(優(yōu)選C1-C8)、硝基、取代和未取代的氨基、乙酰胺基、取代和未取代的環(huán)基和雜環(huán)基、和COR1，其中R1選自氫、取代和未取代的苯基、取代和未取代的烷基(優(yōu)選C1-C8)、肉桂?；⑤刘；⒈；?、甲基丙烯酰基、糠?；袜绶贼驶?。
最優(yōu)選的R是乙基、丙基或丁基。最優(yōu)選的X選自苯基、甲基苯基、甲氧基苯基、硝基(nitroxy)苯基、肉桂?；⑤刘；?、萘?；⒈；?、甲基丙烯?；?、糠?；袜绶贼驶?。
在一個(gè)實(shí)施方式中，消光化合物的形成方法是在催化劑(如過(guò)氧化苯甲?；蜾寤L蠟基三甲基銨)和溶劑(如四氯化碳)的存在下使至少兩個(gè)環(huán)狀化合物與鹵化劑(如溴化劑或氯化劑)反應(yīng)，使環(huán)狀化合物鹵化。然后將鹵化的環(huán)狀化合物與“橋接”化合物(如碘化鈉)反應(yīng)，產(chǎn)生包含兩個(gè)經(jīng)連接基團(tuán)相連的環(huán)狀部分的抗反射化合物，所述的連接基團(tuán)連到一個(gè)環(huán)狀部分的一位和另一個(gè)環(huán)狀部分的一位上。在另一實(shí)施方式中，反應(yīng)時(shí)還存在供烷基化合物(如多聚甲醛)，它能與環(huán)狀化合物反應(yīng)而為各個(gè)所述環(huán)狀化合物提供C1或更高級(jí)烷基。
在另一實(shí)施方式中，消光化合物是1，4-二亞二甲苯(dixylylene)。在還有一個(gè)實(shí)施方式中，抗反射化合物包括連有2-4個(gè)鹵原子(如氯)的1，4-二亞二甲苯或連有至少一個(gè)官能團(tuán)的二甲苯，其中官能團(tuán)易于在CVD過(guò)程中裂解。式II示意性地描繪了此實(shí)施方式的單體。
式II 其中各X單獨(dú)選自(1)鹵素 其中各R2單獨(dú)選自鹵素和烷基(優(yōu)選C1-C4)，并且“*”表示連到CH2基團(tuán)上的原子，CH2基團(tuán)再連到式II所示的苯環(huán)上。
對(duì)抗反射化合物所進(jìn)行的化學(xué)氣相沉積法包括對(duì)化合物施加足夠的溫度和壓力，使固體化合物升華成蒸氣。優(yōu)選的進(jìn)行方式是在整個(gè)過(guò)程處于約2-50毫乇，更優(yōu)選約5-25毫乇的基礎(chǔ)壓力下，將化合物加熱到約35-250℃、更優(yōu)選約60-150℃的溫度。更加優(yōu)選的加熱方式是將升溫時(shí)的溫度梯度控制在約10℃/5分鐘、然后在特定的溫度下再停留約5分鐘。當(dāng)溫度接近環(huán)狀部分熔點(diǎn)時(shí)(如在約2℃范圍內(nèi))，在約5分鐘過(guò)程內(nèi)升溫約5℃后，保溫4-6分鐘。
然后，處理所得的蒸氣，使蒸氣形式的消光化合物裂解。優(yōu)選的裂解方式是將消光化合物加熱到約580-1000℃、更優(yōu)選約900-960℃的溫度，使其熱解。消光化合物應(yīng)該由各連接基團(tuán)上的兩個(gè)碳原子之間的鍵裂解，以產(chǎn)生穩(wěn)定的雙自由基。
最后，使裂解的化合物或雙自由基聚合到基片表面。其優(yōu)選的進(jìn)行方式是使裂解的化合物進(jìn)入存在所需基片的室溫的沉積室中，在該室中裂解的化合物同時(shí)被吸收和聚合到基片表面上。此步驟優(yōu)選在約20-25℃的溫度下完成，并且放置基片的旋轉(zhuǎn)架轉(zhuǎn)速優(yōu)選以約2-10轉(zhuǎn)/分、更優(yōu)選約2-5轉(zhuǎn)/分旋轉(zhuǎn)。
用于進(jìn)行前述CVD法的裝置可以是任何常規(guī)的CVD裝置，只要能由此裝置達(dá)到上述溫度即可。常規(guī)CVD裝置所需的主要調(diào)整是必須調(diào)整沉積室，使其適合基片(如8英寸硅片)的具體尺寸，并且它必須裝有使基片(如旋轉(zhuǎn)架)以約2轉(zhuǎn)/分的速度旋轉(zhuǎn)的機(jī)械裝置。
所得的前體結(jié)構(gòu)有驚人地?zé)o缺陷的抗反射涂層。因此，當(dāng)在光學(xué)顯微鏡下觀察時(shí)會(huì)看到抗反射層有0.1以下個(gè)缺陷/厘米2(即每8-英寸硅片小于約30個(gè)缺陷)，優(yōu)選有小于0.05以下個(gè)缺陷/厘米2(即每8-英寸硅片小于約15個(gè)缺陷)。此外，這些基本無(wú)缺陷的膜可形成在具有超亞微米細(xì)部(高度約小于0.25微米)的6-12英寸基片上。本文所用的術(shù)語(yǔ)“缺陷”包括針孔、膜不覆蓋表面時(shí)的反濕潤(rùn)問(wèn)題、和外來(lái)顆粒接觸基片表面引起涂層在顆粒周圍流動(dòng)的所謂“慧形物(comets)”。
根據(jù)本發(fā)明制造的抗反射層可制成約300-5000埃的厚度，也可經(jīng)調(diào)節(jié)，使之吸收所需波長(zhǎng)的光，包括波長(zhǎng)約為150-500納米的光(如365納米或i-線波長(zhǎng)、435納米或g-線波長(zhǎng)、248納米深紫外線波長(zhǎng)、和193納米波長(zhǎng))，優(yōu)選波長(zhǎng)約190-300納米。因此，抗反射層會(huì)至少吸收約90％、優(yōu)選約95％的波長(zhǎng)為150-500納米的光。此外，抗反射層在所需波長(zhǎng)的k值(折射的復(fù)合指數(shù)的虛部)至少約為0.1，優(yōu)選至少約為0.35，更優(yōu)選至少約為0.4。
沉積的抗反射層也可基本不溶于隨后對(duì)抗反射層進(jìn)行涂布的光致抗蝕劑所用的溶劑。也就是說(shuō)，與光致抗蝕劑溶劑接觸后，層的厚度的變化小于約10％，優(yōu)選小于約5％。本文所用的變化百分?jǐn)?shù)定義如下 根據(jù)本發(fā)明，即使在有構(gòu)形的表面(這里所用的“有構(gòu)形的表面”是指帶有高1000埃或更大的隆起細(xì)部的表面和/或形成有接點(diǎn)(contact)或通孔并且孔深為1000-15,000埃的表面)上，沉積在基片表面上的抗反射層是高度保形的。因此沉積的層的保形性百分?jǐn)?shù)至少約為85％，優(yōu)選至少約為95％，更優(yōu)選約為100％，其中保形性百分?jǐn)?shù)定義如下 其中，“A”在目標(biāo)細(xì)部為隆起細(xì)部時(shí)是目標(biāo)細(xì)部的頂表面中點(diǎn)，或者在目標(biāo)細(xì)部是接點(diǎn)或通孔時(shí)是目標(biāo)細(xì)部的底表面中點(diǎn)；“B”是目標(biāo)細(xì)部和離目標(biāo)細(xì)部最近的細(xì)部邊緣之間的中點(diǎn)。當(dāng)使用保形性百分?jǐn)?shù)的定義時(shí)，“細(xì)部”和“目標(biāo)細(xì)部”是指隆起細(xì)部和接點(diǎn)或通孔。定義中還使用的目標(biāo)細(xì)部的“邊緣”在目標(biāo)細(xì)部為隆起細(xì)部時(shí)是指形成目標(biāo)細(xì)部的側(cè)壁底邊，在目標(biāo)細(xì)部是凹狀細(xì)部時(shí)是指接點(diǎn)或通孔的頂邊。
最后，除了上述抗反射層的性質(zhì)外，本發(fā)明還有優(yōu)于使用大量溶劑的先有技術(shù)旋涂法的明顯優(yōu)點(diǎn)。即本方法避免了經(jīng)常需要特殊處理的旋涂溶劑。因此，使溶劑的廢料減到最小，并降低了溶劑的廢料會(huì)對(duì)環(huán)境產(chǎn)生的負(fù)面影響。而且，由于本發(fā)明方法基本上所有反應(yīng)物都在過(guò)程中耗盡，所以總廢料量被減到最小。
附圖簡(jiǎn)述

圖1所示的是沉積在石英片上的[2.2](1，4)-萘并烷(naphthalenophane)膜的紫外線-可見光(UV-Vis)光譜；圖2所示的是[2.2](1，4)-萘并烷在各種基片上的反射率曲線；圖3是顯示膜厚為850埃的[2.2](1，4)-萘并烷在高2000埃的構(gòu)形上的膜保形性的掃描電子顯微(SEM)照片；圖4是顯示使用市售光致抗蝕劑獲得的膜厚為930埃的基于[2.2](1，4)-萘并烷的有機(jī)抗反射涂層的抗蝕外形橫截面的SEM照片；圖5所示的是沉積在石英片上的[2.2](9，10)-蒽并烷(anthracenophane)膜UV-Vis光譜；圖6所示的是[2.2](9，10)-蒽并烷在各種基片上的反射率曲線；圖7是顯示膜厚為360埃的[2.2](9，10)-蒽并烷在高2000埃的構(gòu)形上的膜保形性的掃描電子顯微(SEM)照片；圖8是顯示使用市售光致抗蝕劑獲得的膜厚為900埃的基于[2.2](9，10)-蒽并烷的有機(jī)抗反射涂層的抗蝕外形橫截面圖的SEM照片；最佳實(shí)施方式詳述實(shí)施例以下實(shí)施例闡述了本發(fā)明的優(yōu)選方法。但應(yīng)了解這些實(shí)施例只是為了說(shuō)明，而不是作為對(duì)本發(fā)明整個(gè)范圍的限制。
實(shí)施例1[2.2](1，4)-萘并烷的合成對(duì)四氯化碳(70毫升)中的1，4-二甲基萘(12.5克，0.08摩爾)、N-溴琥珀酰亞胺(30.6克，0.17摩爾-溴化劑)和過(guò)氧化苯甲酰(0.4克-催化劑)的混合物攪拌和回流1小時(shí)。將反應(yīng)混合物冷卻到室溫，過(guò)濾掉沉淀物，并用四氯化碳洗滌。將該固體與水(500毫升)一起攪拌45分鐘，然后經(jīng)過(guò)濾、水洗和干燥，制成懸浮液。從加入的乙酸乙酯中再結(jié)晶，獲得產(chǎn)率為86％和熔點(diǎn)為188℃的純1，4-二(溴甲基)萘。
接著，將1，4-二(溴甲基)萘萃取(索氏萃取器)入碘化鈉(15克)的丙酮(250毫升)回流溶液中，萃取時(shí)間為24小時(shí)。在旋轉(zhuǎn)式蒸發(fā)器上蒸發(fā)掉溶劑，直到反應(yīng)混合物的總體積為50毫升左右，然后將混合物傾倒入150毫升水中。加入硫代硫酸鈉，直到顏色變白，接著進(jìn)行過(guò)濾和干燥。從加入的二氯甲烷中再結(jié)晶，獲得產(chǎn)率為61％和熔點(diǎn)為296-300℃的純[2.2](1，4)-萘并烷(naphthalenophane)(見結(jié)構(gòu)A)。1H-NMR(CDCl3)；δ2.99-3.02(m，4H，CH2)，3.72-3.74(m，4H，CH2)，7.39-7.42(m，6H，芳族)，7.71-7.74(m，6H，芳族)ppm。對(duì)C24H20的元素分析計(jì)算值C-93.50和H-6.49；實(shí)測(cè)值C-93.24和H-6.48。
結(jié)構(gòu)A
實(shí)施例24-取代-[2.2](1，4)-萘并烷的合成對(duì)二氯甲烷(100毫升)中的無(wú)水細(xì)粉狀氯化鋁(0.004摩爾)的混合物進(jìn)行攪拌，然后在30分鐘內(nèi)緩慢加入相應(yīng)的芳基或雜芳基酰基氯(0.0037摩爾)。接著，緩慢加入[2.2](1，4)-萘并烷(0.003摩爾)。將反應(yīng)混合物攪拌和回流5-9小時(shí)。將反應(yīng)混合物冷卻到室溫，傾倒到冰水和20毫升濃鹽酸的混合物上。再將混合物倒入分液漏斗中。用氫氧化鈉烯溶液洗滌有機(jī)層，然后用水洗滌，最后在無(wú)水硫酸鎂上干燥。最終，在旋轉(zhuǎn)式蒸發(fā)器上蒸發(fā)掉有機(jī)層，析出產(chǎn)率為63-89％的純4-取代-[2.2](1，4)-萘并烷(見結(jié)構(gòu)B)。各化合物的結(jié)構(gòu)由IR、NMR和元素分析法確定。
結(jié)構(gòu)B 其中，R是C6H5，4-Me-C6H4，4-MeO-C6H4，4-NO2-C6H4、肉桂酰基、1-萘?；?-萘?；?、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、2-糠?；?-噻吩羰基(Me甲基)。
實(shí)施例3[2.2](1，4)-萘并烷的合成對(duì)四氯化碳(70毫升)中的2，6-二甲基萘(12.5克，0.08摩爾)、N-溴琥珀酰亞胺(30.6克，0.17摩爾)和過(guò)氧化苯甲酰(0.4克)的混合物攪拌和回流1小時(shí)。將反應(yīng)混合物冷卻到室溫，過(guò)濾掉沉淀物，并用四氯化碳洗滌。將該固體與水(500毫升)一起攪拌45分鐘，然后經(jīng)過(guò)濾、水洗和干燥，制成懸浮液。從加入的乙酸乙酯中再結(jié)晶，獲得純2，6-二(溴甲基)萘。
接著，將2，6-二(溴甲基)萘萃取(索氏萃取器)入碘化鈉(15克)的丙酮(250毫升)回流溶液中，萃取時(shí)間為24小時(shí)。在旋轉(zhuǎn)式蒸發(fā)器上蒸發(fā)掉溶劑，直到反應(yīng)混合物的總體積為50毫升左右，然后將混合物傾倒入150毫升水中。加入硫代硫酸鈉，直到顏色變白，接著進(jìn)行過(guò)濾和干燥。從加入的二氯甲烷中再結(jié)晶，獲得產(chǎn)率為78％和熔點(diǎn)為150-152℃的純[2.2](2，6)-萘并烷(見結(jié)構(gòu)C)。1H-NMR(CDCl3)；δ4.61-4.65(m，8H，CH2)，7.46-7.49(m，6H，芳族)，7.72-7.78(m，6H，芳族)ppm。C24H20的元素分析計(jì)算值C-93.50和H-6.49；實(shí)測(cè)值C-93.11和H-6.41。
結(jié)構(gòu)C 實(shí)施例4[2.2](9，10)-蒽并烷的合成在室溫下對(duì)蒽(0.1摩爾)、多聚甲醛(0.1摩爾)、溴化鯨蠟基三甲基銨(0.4克)和冰醋酸(25毫升)的混合物進(jìn)行攪拌。然后在1小時(shí)內(nèi)向反應(yīng)混合物緩慢滴加60毫升HBr水溶液(含有47％溴化氫氣)。對(duì)反應(yīng)混合物攪拌和加熱至80℃5小時(shí)，經(jīng)冷卻、過(guò)濾和水洗，然后干燥。從加入的甲苯中再結(jié)晶，獲得產(chǎn)率為93％和熔點(diǎn)為201℃的純9，10-二(溴甲基)蒽。
接著，將9，10-二(溴甲基)萘萃取(索氏萃取器)入碘化鈉(15克)的丙酮(250毫升)回流溶液中，萃取時(shí)間為24小時(shí)。在旋轉(zhuǎn)式蒸發(fā)器上蒸發(fā)掉溶劑，析出粗產(chǎn)品。從加入的氯仿中再結(jié)晶，獲得產(chǎn)率為97％和熔點(diǎn)為275℃的純[2.2](9，10)-蒽并烷(見結(jié)構(gòu)D)。1H-NMR(CDCl3)；δ2.94(s，8H，CH2)，6.90-6.92(q，8H，芳族)，7.12-7.26(q，8H，芳族)ppm。C32H24的元素分析計(jì)算值C，94.11；H，5.88；實(shí)測(cè)值C，94.79；H，5.43。
結(jié)構(gòu)D
實(shí)施例54-取代-[2.2](9，10)-蒽并烷的合成對(duì)二氯甲烷(100毫升)中的無(wú)水細(xì)粉狀氯化鋁(0.004摩爾)的混合物進(jìn)行攪拌，然后在30分鐘內(nèi)緩慢加入相應(yīng)的芳基或雜芳基?；?0.0037摩爾)。接著，緩慢加入[2.2](9，10)-蒽并烷(0.003摩爾)。將反應(yīng)混合物攪拌和回流5-9小時(shí)。將反應(yīng)混合物冷卻到室溫，傾倒到冰水和濃鹽酸(20毫升)的混合物上。再將混合物倒入分液漏斗中。用氫氧化鈉烯溶液洗滌有機(jī)層，然后用水洗滌，最后在無(wú)水硫酸鎂上干燥。在旋轉(zhuǎn)式蒸發(fā)器上蒸發(fā)掉有機(jī)層，析出產(chǎn)率為59-84％的純4-取代-[2.2](9，10)-蒽并烷(見結(jié)構(gòu)E)。各化合物的結(jié)構(gòu)由IR、NMR和元素分析法確定。
結(jié)構(gòu)E 其中，R是C6H5，4-Me-C6H4，4-MeO-C6H4，4-NO2-C6H4、肉桂?；?、1-萘?；?-萘?；⒈；⒓谆；?-糠?；?-噻吩羰基。
實(shí)施例6第1部分將兩個(gè)主要種類的化合物視為抗反射涂層的潛在發(fā)色團(tuán)。這些種類是[2.2](1，4)-萘并烷和[2.2](9，10)-蒽并烷。根據(jù)實(shí)施例1，用[2.2](1，4)-萘并烷用CVD法聚合到六英寸或八英寸平硅片、帶構(gòu)形的硅片、石英片、鋁基片、鉭(Ta)基片和氮化鉭(TaN)基片上，制成抗反射涂層。
通過(guò)在平坦硅片上25個(gè)點(diǎn)處的橢圓偏振光法光學(xué)測(cè)量各試樣的膜厚，計(jì)算平均膜厚。膜產(chǎn)生了沒有針孔、空穴或顆粒并且較佳厚度為1000埃的均勻涂層。該膜在各種基片上表現(xiàn)出98％以上的厚度均勻性。膜厚均勻性數(shù)據(jù)示于表1。
下面是本發(fā)明的最佳實(shí)施例每立方米的成品中各成分的含量為高鋁水泥500kg、泡沫劑12kg，其中引泡劑與穩(wěn)泡劑的比例為12∶1，添加劑中蛭石5kg、膨脹珍珠巖100kg。
將高鋁水泥以500kg/m3、添加劑中以蛭石5kg/m3、膨脹珍珠巖100kg/m3混合，泡沫劑的含量為12kg/m3，其中引泡劑與穩(wěn)泡劑的比例為12∶1。接著將泡沫劑加適量的水稀釋，在空氣中攪拌泡沫劑的稀釋液，并向液體內(nèi)吹如空氣，使其發(fā)泡，形成帶有細(xì)小氣泡的泡沫液，然后在用水?dāng)嚢韪咪X水泥和添加劑的混合物的同時(shí)或是攪拌后，將泡沫液加入其中混合均勻，在常溫下待高鋁水泥的混合物發(fā)生硬化反應(yīng)后，即制成本材料下面是本實(shí)施例的主要性能數(shù)值

下面是本發(fā)明的另外兩個(gè)實(shí)施例每立方米的成品中各成分的含量為高鋁水泥500kg、泡沫劑14kg，其中引泡劑與穩(wěn)泡劑的比例為11∶1，添加劑中蛭石5kg、膨脹珍珠巖100kg。
將高鋁水泥以500kg/m3、泡沫劑以14kg/m3投入攪拌機(jī)中加水?dāng)嚢杈鶆?，然后加入蛭?kg/m3、膨脹珍珠巖kg/m3，在常溫下待高鋁水泥的混合物發(fā)生硬化反應(yīng)后，即制成本材料。
本實(shí)施例中提高了泡沫劑的含量，所采用的方法是利用泡沫片，用SEM檢查其光致抗蝕細(xì)部。圖4是顯示使用UV-6光致抗蝕劑的膜厚為930埃的基于[2.2](1，4)-萘并烷的有機(jī)抗反射層橫截面的優(yōu)良抗蝕外形的SEM照片。由此獲得了小到密線(dense line)為100納米和孤線(isolated line)為90納米的光致抗蝕外形。
第2部分根據(jù)實(shí)施例4中所述的步驟，使用[2.2](9，10)-蒽并烷制成抗反射涂層。將這些層用CVD法聚合到六英寸或八英寸平硅片、帶構(gòu)形的硅片、石英片、鋁基片、鉭(Ta)基片和氮化鉭(TaN)基片上。
通過(guò)在平硅片上的25個(gè)點(diǎn)處的橢圓偏振光法光學(xué)測(cè)量膜厚，計(jì)算平均膜厚。該膜產(chǎn)生了沒有針孔、空穴或顆粒并且較佳厚度為1000埃的均勻涂層。該膜在各種基片上表現(xiàn)出94％以上的厚度均勻性。膜厚均勻性數(shù)據(jù)示于表3。
表3膜厚均勻性

沉積的抗反射層還基本不溶于常用光致抗蝕劑溶劑中。用于評(píng)價(jià)的溶劑包括乳酸乙酯和丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)。使用乳酸乙酯和PGMEA時(shí)觀察到的厚度損失都在50埃的目標(biāo)范圍內(nèi)(小于20％)。脫膜數(shù)據(jù)示于表4。
表4脫膜試驗(yàn)

還用UV-6光致抗蝕劑測(cè)試該膜保持對(duì)光致抗蝕劑的化學(xué)惰性的能力。將光致抗蝕劑涂布在抗反射涂層上、曝光、并用LDD262W顯影劑使之顯影。光刻過(guò)程中使用UV-6光致抗蝕劑獲得了優(yōu)良的外形。根據(jù)實(shí)施例4中所述的步驟制成的抗反射涂層表現(xiàn)出對(duì)硅、鋁、鉭和氮化鉭基片的優(yōu)良附著性。
圖5所示的是根據(jù)實(shí)施例4使用[2.2](9，10)-蒽并烷沉積在石英片上的膜的UV-Vis光譜。λ最大值在267納米，表明基于[2.2](9，10)-蒽并烷的抗反射膜在深UV(248納米)應(yīng)用中是有效的。248納米處的光密度為5.08/微米。
由VASE分析法測(cè)定光學(xué)常數(shù)。248納米處的實(shí)數(shù)部分和虛部指數(shù)數(shù)值為n＝1.55和k＝0.36。248納米處由光學(xué)常數(shù)算出的光密度為6.46/微米。圖6所示的是該膜的反射率曲線。第一個(gè)最小厚度為570埃，第二個(gè)最小厚度為1300埃。
還通過(guò)將[2.2](9，10)-蒽并烷(根據(jù)實(shí)施例4中所述的步驟制成)沉積在具有高2000埃的構(gòu)形的硅片上，測(cè)試膜保形性。檢查SEM照片，發(fā)現(xiàn)該膜在基片上高2000埃的構(gòu)形上的保形性接近100％。圖7是顯示膜厚為815埃的[2.2](9，10)-蒽并烷在高2000埃的構(gòu)形上的膜保形性。
將[2.2](9，10)-蒽并烷的涂層氣相沉積在硅片上，形成厚度為900埃的膜，然后在BARC上用UV-6光致抗蝕劑蝕刻圖案，并用LDD26W顯影。接著橫切硅片，用SEM檢查其光致抗蝕細(xì)部。圖8是顯示使用UV-6光致抗蝕劑的膜厚為900埃的基于[2.2](9，10)-蒽并烷的有機(jī)抗反射層橫截面的優(yōu)良抗蝕外形的SEM照片。由此獲得了小到密線為170納米的抗蝕外形。
總之，可理解根據(jù)本發(fā)明可制成大量抗反射化合物并可經(jīng)化學(xué)氣相沉積法涂布到基片上。這些化合物包括[2.2](1，4)-萘并烷及其衍生物，如4-溴-[2.2](1，4)-萘并烷、4-氯-[2.2](1，4)-萘并烷、4-氟-[2.2](1，4)-萘并烷、4-硝基-[2.2](1，4)-萘并烷、4-氨基-[2.2](1，4)-萘并烷、4-乙酰胺基-[2.2](1，4)-萘并烷、4-(1-萘基羰基)-[2.2](1，4)-萘并烷、4-(2-萘基羰基)-[2.2](1，4)-萘并烷、4-(苯基羰基)-[2.2](1，4)-萘并烷、4-(4’-甲基苯基羰基)-[2.2](1，4)-萘并烷、4-(4’-甲氧基-苯基羰基)-[2.2](1，4)-萘并烷、4-(4’-硝基苯基羰基)-[2.2](1，4)-萘并烷、4-(肉桂酰基羰基)-[2.2](1，4)-萘并烷、4-(丙烯?；驶?-[2.2](1，4)-萘并烷、4-(甲基丙烯?；驶?-[2.2](1，4)-萘并烷、4-(2’-呋喃基羰基)-[2.2](1，4)-萘并烷和4-(2’-噻吩基羰基)-[2.2](1，4)-萘并烷；[2.2](2，6)-萘并烷及其單取代衍生物；和[2.2](9，10)-蒽并烷及其衍生物，如4-溴-[2.2](9，10)-蒽并烷、4-氯-[2.2](9，10)-蒽并烷、4-氟-[2.2](9，10)-蒽并烷、4-硝基-[2.2](9，10)-蒽并烷、4-氨基-[2.2](9，10)-蒽并烷、4-乙酰胺基-[2.2](9，10)-蒽并烷、4-(1-萘基羰基)-[2.2](9，10)-蒽并烷、4-(2-萘基羰基)-[2.2](9，10)-蒽并烷、4-(苯基羰基)-[2.2](9，10)-蒽并烷、4-(4’-甲基苯基羰基)-[2.2](9，10)-蒽并烷、4-(4’-甲氧基-苯基羰基)-[2.2](9，10)-蒽并烷、4-(4’-硝基苯基羰基)-[2.2](9，10)-蒽并烷、4-(肉桂酰基羰基)-[2.2](9，10)-蒽并烷、4-(丙烯?；驶?-[2.2](9，10)-蒽并烷、4-(甲基丙烯?；驶?-[2.2](9，10)-蒽并烷、4-(2’-呋喃基羰基)-[2.2](9，10)-蒽并烷和4-(2’-噻吩基羰基)-[2.2](9，10)-蒽并烷。
權(quán)利要求
1.用于制造集成電路的前體的形成方法，它包括以下步驟提供大量抗反射化合物和具有要涂布所述抗反射化合物的表面的基片，所述的抗反射化合物具有下式 其中R表示連接基團(tuán)；各X單獨(dú)選自氫、鹵素、硝基、氨基、乙酰胺基、取代和未取代的環(huán)基和雜環(huán)基、和COR1，其中R1選自氫、取代和未取代的苯基、取代和未取代的烷基、肉桂?；?、萘酰基、丙烯?；?、甲基丙烯酰基、糠?；袜绶贼驶?；和對(duì)所述的抗反射化合物進(jìn)行化學(xué)氣相沉積法，使所述的抗反射化合物在所述的基片表面沉積成層。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于它還包括在所述的抗反射化合物層上涂布光致抗蝕層的步驟。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于至少一個(gè)所述的環(huán)狀部分是雜環(huán)或芳環(huán)。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于所述的環(huán)狀部分選自苯、萘、蒽、菲、芘、吡啶、噠嗪、嘧啶、吡嗪、噻唑、異噻唑、噁唑、異噁唑、噻吩、呋喃和吡咯。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述的抗反射化合物的應(yīng)變能至少約為10千卡/摩爾。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述的基片包括硅片。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述的化學(xué)氣相沉積法包括以下步驟(a)對(duì)所述的抗反射化合物施加足夠的溫度和壓力，使所述的抗反射化合物成為蒸氣；(b)使所產(chǎn)生的蒸發(fā)的抗反射化合物裂解；和(c)使所述裂解的抗反射化合物沉積在所述的基片表面上。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于所述的施加步驟(a)在約35-160℃的溫度和約2-50毫乇的壓力下進(jìn)行。
9.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于所述的裂解步驟(b)包括使各個(gè)所述R的兩個(gè)原子間的鍵斷裂。
10.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于所述的裂解步驟(b)包括使所述的抗反射化合物熱解。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于所述的熱解步驟包括將所述的抗反射化合物加熱到約580-700℃的溫度。
12.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于所述的沉積步驟(c)包括對(duì)所述裂解的化合物施加約20-25℃的溫度。
13.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述的抗反射化合物層基本不溶于光致抗蝕層中所用的溶劑。
14.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于它還包括以下步驟曝光至少一部分所述的光致抗蝕層以活化輻射；使所述曝光的光致抗蝕層顯影；和蝕刻所述顯影的光致抗蝕層。
15.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于沉積在所述基片表面上的所述抗反射化合物層吸收至少約90％的波長(zhǎng)約150-500納米的光。
16.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于對(duì)沉積在所述基片表面上的所述抗反射化合物層施加預(yù)定波長(zhǎng)的光，并且該抗反射化合物層在所述預(yù)定波長(zhǎng)的k值至少約為0.1。
17.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于沉積在所述基片表面上的所述抗反射化合物層的保形性百分?jǐn)?shù)至少約為85％。
18.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述的基片包括隆起細(xì)部和構(gòu)成接點(diǎn)或通孔的結(jié)構(gòu)，并且所述的施加步驟包括使大量所述的抗反射化合物在所述的細(xì)部和所述的構(gòu)成孔的結(jié)構(gòu)上沉積成層。
19.制造集成電路時(shí)形成的前體結(jié)構(gòu)，所述的結(jié)構(gòu)包括具有表面的基片；和所述表面上的包含抗反射化合物的層，所述的抗反射化合物層由化學(xué)氣相沉積法形成在所述的表面上，并且所述的抗反射化合物包含由具有下式的單體形成的聚合物 其中R表示連接基團(tuán)；各X單獨(dú)選自氫、鹵素、硝基、氨基、乙酰胺基、取代和未取代的環(huán)基和雜環(huán)基、和COR1，其中R1選自氫、取代和未取代的苯基、取代和未取代的烷基、肉桂?；?、萘?；?、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、糠?；袜绶贼驶?br> 20.如權(quán)利要求19所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的結(jié)構(gòu)還包含在所述抗反射化合物層上的光致抗蝕層。
21.如權(quán)利要求19所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于至少一個(gè)所述的環(huán)狀部分是雜環(huán)或芳環(huán)。
22.如權(quán)利要求21所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的環(huán)狀部分選自苯、萘、蒽、菲、芘、吡啶、噠嗪、嘧啶、吡嗪、噻唑、異噻唑、噁唑、異噁唑、噻吩、呋喃和吡咯。
23.如權(quán)利要求19所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的抗反射化合物的應(yīng)變能至少約為10千卡/摩爾。
24.如權(quán)利要求19所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的基片包括硅片。
25.如權(quán)利要求19所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于在所述基片表面上的所述抗反射化合物層的厚度約為300-5000埃。
26.如權(quán)利要求19所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的抗反射化合物層基本不溶于光致抗蝕層中所用的溶劑。
27.如權(quán)利要求19所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的抗反射化合物層吸收至少約90％的波長(zhǎng)約150-500納米的光。
28.如權(quán)利要求19所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于對(duì)所述的抗反射化合物層施加預(yù)定波長(zhǎng)的光時(shí)，該抗反射化合物層在所述預(yù)定波長(zhǎng)的k值至少約為0.1。
29.如權(quán)利要求19所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的抗反射化合物層的保形性百分?jǐn)?shù)至少約為85％。
30.如權(quán)利要求19所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的基片包括隆起細(xì)部和構(gòu)成接點(diǎn)或通孔的結(jié)構(gòu)，并且所述的抗反射層在至少一些所述的細(xì)部和所述的構(gòu)成孔的結(jié)構(gòu)上。
31.具有下式的消光化合物 其中R表示連接基團(tuán)；各X單獨(dú)選自氫、鹵素、硝基、氨基、乙酰胺基、取代和未取代的環(huán)基和雜環(huán)基、和COR1，其中R1選自氫、取代和未取代的苯基、取代和未取代的烷基、肉桂酰基、萘?；?、丙烯?；⒓谆；?、糠酰基和噻吩羰基；和當(dāng)兩個(gè)環(huán)狀部分都為萘?xí)r，各X單獨(dú)選自鹵素、硝基、氨基、乙酰胺基和羰基。
32.如權(quán)利要求31所述的化合物，其特征在于各環(huán)狀部分選自萘、蒽、噻吩和吡啶。
33.如權(quán)利要求30所述的化合物，其特征在于所述的X是COR1，并且R1選自苯基、甲基苯基、甲氧基苯基、硝羰基苯基、肉桂?；⑤刘；?、丙烯?；⒓谆；?、糠?；袜绶贼驶?。
34.如權(quán)利要求33所述的化合物，其特征在于各R包括乙基。
35.如權(quán)利要求32所述的化合物，其特征在于各R包括乙基。
36.消光化合物的形成方法，它包括以下步驟在催化劑和溶劑的存在下使至少兩個(gè)環(huán)狀化合物與鹵化劑反應(yīng)，使環(huán)狀化合物鹵化；和使所述的環(huán)狀化合物反應(yīng)，產(chǎn)生包含兩個(gè)經(jīng)連接基團(tuán)相連的環(huán)狀部分的抗反射化合物，所述的連接基團(tuán)連到一個(gè)環(huán)狀部分的一位和另一個(gè)環(huán)狀部分的一位上。
37.如權(quán)利要求36所述的方法，其特征在于所述的鹵化劑選自溴化劑和氯化劑。
38.如權(quán)利要求37所述的方法，其特征在于所述的鹵化劑是N-溴琥珀酰亞胺。
39.如權(quán)利要求36所述的方法，其特征在于所述的催化劑是過(guò)氧化苯甲酰。
40.如權(quán)利要求36所述的方法，其特征在于所述的溶劑是四氯化碳。
41.如權(quán)利要求36所述的方法，其特征在于所述的催化劑是溴化鯨蠟基三甲基銨，并且所述的第一個(gè)反應(yīng)步驟還在能與環(huán)狀化合物反應(yīng)而為各個(gè)所述環(huán)狀化合物提供C2或更高級(jí)烷基的供烷基化合物的存在下進(jìn)行。
42.如權(quán)利要求41所述的方法，其特征在于所述的供烷基化合物是多聚甲醛。
43.如權(quán)利要求36所述的方法，其特征在于所述的第二個(gè)反應(yīng)步驟中形成的所述抗反射化合物具有下式 其中R表示連接基團(tuán)；各X單獨(dú)選自氫、鹵素、硝基、氨基、乙酰胺基、取代和未取代的環(huán)基和雜環(huán)基、和COR1，其中R1選自氫、取代和未取代的苯基、取代和未取代的烷基、肉桂?；?、萘酰基、丙烯?；?、甲基丙烯?；?、糠酰基和噻吩羰基。
44.用于制造集成電路的前體的形成方法，它包括以下步驟提供大量抗反射化合物和具有要涂布所述抗反射化合物的表面的基片；對(duì)所述的抗反射化合物進(jìn)行化學(xué)氣相沉積法，使所述的抗反射化合物在所述的基片表面沉積成層；對(duì)所述的抗反射化合物層涂布光致抗蝕層，獲得電路前體。
45.如權(quán)利要求44所述的方法，其特征在于所述的抗反射化合物包含兩個(gè)經(jīng)至少一個(gè)烷基相連的環(huán)狀部分，其中所述的烷基包含約2-4個(gè)碳原子。
46.如權(quán)利要求45所述的方法，其特征在于至少一個(gè)所述的環(huán)狀部分是芳環(huán)。
47.如權(quán)利要求46所述的方法，其特征在于所述的芳環(huán)部分單獨(dú)選自苯、萘、蒽、噻吩、呋喃和吡咯部分。
48.如權(quán)利要求47所述的方法，其特征在于至少一個(gè)所述的芳環(huán)部分是苯。
49.如權(quán)利要求48所述的方法，其特征在于所述的化合物是1，4-二亞二甲苯。
50.如權(quán)利要求45所述的方法，其特征在于所述的烷基是乙基。
51.如權(quán)利要求45所述的方法，其特征在于所述的化合物的應(yīng)變能至少約為10千卡/摩爾。
52.如權(quán)利要求44所述的方法，其特征在于所述的基片包括硅片。
53.如權(quán)利要求45所述的方法，其特征在于所述的化學(xué)氣相沉積法包括以下步驟(a)對(duì)所述的抗反射化合物施加足夠的溫度和壓力，使所述的抗反射化合物成為蒸氣；(b)使所產(chǎn)生的蒸發(fā)的抗反射化合物裂解；和(c)使所述裂解的抗反射化合物沉積在所述的基片表面上。
54.如權(quán)利要求53所述的方法，其特征在于所述的施加步驟(a)在約35-160℃的溫度和約2-50毫乇的壓力下進(jìn)行。
55.如權(quán)利要求53所述的方法，其特征在于所述的裂解步驟(b)包括使所述烷基的兩個(gè)碳原子間的鍵斷裂。
56.如權(quán)利要求53所述的方法，其特征在于所述的裂解步驟(b)包括使所述的抗反射化合物熱解。
57.如權(quán)利要求56所述的方法，其特征在于所述的熱解步驟包括將所述的抗反射化合物加熱到約580-700℃的溫度。
58.如權(quán)利要求53所述的方法，其特征在于所述的沉積步驟(c)包括對(duì)所述裂解的化合物施加約20-25℃的溫度。
59.如權(quán)利要求44所述的方法，其特征在于在所述涂布步驟后在所述基片表面上的所述抗反射化合物層的厚度約為300-5000埃。
60.如權(quán)利要求44所述的方法，其特征在于所述的抗反射化合物層基本不溶于光致抗蝕層中所用的溶劑。
61.如權(quán)利要求44所述的方法，其特征在于它還包括以下步驟曝光至少一部分所述的光致抗蝕層以活化輻射；使所述曝光的光致抗蝕層顯影；和蝕刻所述顯影的光致抗蝕層。
62.如權(quán)利要求44所述的方法，其特征在于沉積在所述基片表面上的所述抗反射化合物層吸收至少約90％的波長(zhǎng)約150-500納米的光。
63.如權(quán)利要求44所述的方法，其特征在于對(duì)沉積在所述基片表面上的所述的抗反射化合物層施加預(yù)定波長(zhǎng)的光，并且該抗反射化合物層在所述預(yù)定波長(zhǎng)的k值至少約為0.1。
64.如權(quán)利要求44所述的方法，其特征在于沉積在所述基片表面上的所述抗反射化合物層的保形性百分?jǐn)?shù)至少約為85％。
65.如權(quán)利要求44所述的方法，其特征在于所述的基片包括隆起細(xì)部和構(gòu)成接點(diǎn)或通孔的結(jié)構(gòu)，并且所述的施加步驟包括使大量所述的抗反射化合物在所述的細(xì)部和所述的構(gòu)成孔的結(jié)構(gòu)上沉積成層。
66.如權(quán)利要求44所述的方法，其特征在于所述的抗反射化合物具有式II的結(jié)構(gòu)。
67.制造集成電路時(shí)形成的前體結(jié)構(gòu)，所述的結(jié)構(gòu)包括具有表面的基片；和所述表面上的包含抗反射化合物的層，所述的抗反射化合物層由化學(xué)氣相沉積法形成在所述的表面上；和所述抗反射化合物層上的光致抗蝕層。
68.如權(quán)利要求67所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的抗反射化合物包含兩個(gè)經(jīng)至少一個(gè)烷基相連的環(huán)狀部分，其中所述的烷基包含約2-4個(gè)碳原子。
69.如權(quán)利要求68所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于至少一個(gè)所述的環(huán)狀部分是芳環(huán)。
70.如權(quán)利要求69所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的芳環(huán)部分單獨(dú)選自苯、萘、蒽、噻吩、呋喃和吡咯部分。
71.如權(quán)利要求70所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于至少一個(gè)所述的芳環(huán)部分是苯。
72.如權(quán)利要求71所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的化合物是1，4-二亞二甲苯。
73.如權(quán)利要求68所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的烷基是乙基。
74.如權(quán)利要求68所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的化合物的應(yīng)變能至少約為10千卡/摩爾。
75.如權(quán)利要求67所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的基片包括硅片。
76.如權(quán)利要求67所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于在所述基片表面上的所述抗反射化合物層的厚度約為300-5000埃。
77.如權(quán)利要求67所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的抗反射化合物層基本不溶于光致抗蝕層中所用的溶劑。
78.如權(quán)利要求67所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于沉積在所述基片表面上的所述抗反射化合物層吸收至少約90％的波長(zhǎng)約150-500納米的光。
79.如權(quán)利要求67所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于對(duì)沉積在所述基片表面上的所述的抗反射化合物層施加預(yù)定波長(zhǎng)的光，并且該抗反射化合物層在所述預(yù)定波長(zhǎng)的k值至少約為0.1。
80.如權(quán)利要求67所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于沉積在所述基片表面上的所述抗反射化合物層的保形性百分?jǐn)?shù)至少約為85％。
81.如權(quán)利要求80所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的基片包括隆起細(xì)部和構(gòu)成接點(diǎn)或通孔的結(jié)構(gòu)，并且所述的抗反射化合物沉積在所述的細(xì)部和所述的構(gòu)成孔的結(jié)構(gòu)上。
82.如權(quán)利要求67所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的抗反射化合物具有式II的結(jié)構(gòu)。
全文摘要
提供在基片表面涂布有機(jī)抗反射涂層的改進(jìn)方法和所產(chǎn)生的前體結(jié)構(gòu)。概括地說(shuō)，該方法包括使抗反射化合物化學(xué)沉積(CVD)到基片表面上。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述的化合物高度應(yīng)變(如應(yīng)變能至少約為10千卡/摩爾)，并包含兩個(gè)經(jīng)連接基團(tuán)相連的環(huán)狀部分。最優(yōu)選的單體是[2.2](1，4)－萘并烷(naphthalenophane)和[2.2](9，10)－蒽并烷(anthracenophane)。CVD法包括對(duì)抗反射化合物加熱使其蒸發(fā)，然后使蒸發(fā)的化合物熱解成穩(wěn)定的雙自由基，后者隨后聚合到沉積室中的基片表面上。本發(fā)明方法用于在具有超亞微米(不大于0.25微米)細(xì)部的大基片表面上提供高度保形的抗反射涂層。
文檔編號(hào)H01L21/027GK1404584SQ01805228
公開日2003年3月19日 申請(qǐng)日期2001年2月2日 優(yōu)先權(quán)日2000年2月22日
發(fā)明者T·部魯爾, D·格雷羅, R·W·薩布尼斯, M·J·斯潘塞 申請(qǐng)人:部魯爾科學(xué)公司