技術(shù)編號(hào):6893245
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明大致涉及在硅和介電材料上形成抗反射涂層(ARC)的方法和所產(chǎn)生的集成電路前體結(jié)構(gòu)。更具體地說(shuō),本發(fā)明方法包括提供大量高應(yīng)變的抗反射化合物并使該化合物蒸發(fā)。然后使所產(chǎn)生的蒸氣熱解成穩(wěn)定的雙自由基,后者隨后聚合到基片表面上。涂布光致抗蝕層,形成ARC層,進(jìn)行其余的微光刻法步驟。 背景技術(shù) 集成電路制造廠為了提高產(chǎn)量、降低單位機(jī)殼和增加芯片內(nèi)計(jì)算能力,不斷尋求擴(kuò)大硅片大小和減小組合元件細(xì)部尺寸(feature dimension)的方法。隨著先進(jìn)的深紫外線...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。