形成MgO阻擋層的方法
【專利摘要】一種用于TMR傳感器的MgO阻擋層的制造方法，所述方法包括在第一室中沉積第一Mg層；在所述第一室中或在不同于第一室的第二室中，在氧存在下，在所述第一Mg層上使用活性氧化物沉積方法沉積第二Mg層；在所述第一室、所述第二室或第三室中，在所述第二MgO層上沉積第三Mg層；和將所述第一層、所述第二層和所述第三層退火，形成MgO阻擋層。
【專利說明】
形成MgO阻擋層的方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及形成MgO阻擋層的方法，具體涉及一種用于TMR傳感器的MgO阻擋層制造的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]具有氧化鎂(MgO)阻擋層的隧道磁阻(TMR)傳感器已經(jīng)作為讀取器用于許多商業(yè)磁盤驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品，這是因?yàn)槠浜唵魏徒Y(jié)實(shí)的阻擋層還提供了高TMR值和低面積電阻(RA)。
[0003]隨著驅(qū)動(dòng)器容量增長的需求提高，需要提高讀取器傳感器的TMR，同時(shí)保持其低RA ;但這已經(jīng)成為一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本文具體的實(shí)施方式是一種制造用于TMR傳感器的MgO阻擋層的方法，所述方法包括:從Mg靶沉積第一 MgO源層；在氧存在下，使用活性氧化物沉積方法在所述第一 MgO源層上從Mg靶沉積第二 MgO源層；在所述第二 MgO源層上，從Mg靶沉積第三MgO源層；和將所述第一 MgO源層、所述第二 MgO源層和所述第三MgO源層退火，形成MgO阻擋層。
[0005]另一【具體實(shí)施方式】是一種制造用于TMR傳感器的MgO阻擋層的方法，所述方法包括:在第一室中沉積第一 Mg層；在所述第一室中或在不同于第一室的第二室中，在氧存在下，在所述第一 Mg層上使用活性氧化物沉積方法沉積第二 Mg層；在所述第一室、所述第二室或第三室中，在所述第二 MgO層上沉積第三Mg層；和將所述第一層、所述第二層和所述第三層退火，形成MgO阻擋層。
[0006]本文的概述用于以簡單的方式介紹構(gòu)思的選擇，它們在下文詳述中進(jìn)一步說明。本概述并不是意圖確定本文要求保護(hù)的主題的關(guān)鍵特征或者必要特征，也不是意圖用于限制本文要求保護(hù)的主題的范圍。這些以及各種其它的特征和優(yōu)勢在閱讀下文詳述部分之后是顯而易見的。
【附圖說明】
[0007]結(jié)合附圖，通過下文描述各種【具體實(shí)施方式】的詳述部分可以最佳地理解本文所述的技術(shù)。
[0008]圖1是示例數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)的俯視圖。
[0009]圖2是示例隧道磁阻(TMR)傳感器的示意圖。
[0010]圖3是示例隧道阻擋層的示意側(cè)視圖。
[0011]圖4是形成MgO阻擋層的示例方法的分步流程圖。
[0012]圖5是另一形成MgO阻擋層的示例方法的分步流程圖。
[0013]圖6是另一形成MgO阻擋層的示例方法的分步流程圖。
[0014]圖7是另一形成MgO阻擋層的示例方法的分步流程圖。
[0015]圖8是形成TMR傳感器的示例方法的分步流程圖。
[0016]圖9是TMR傳感器的TMR對RA變化的圖示。
[0017]圖10是TMR傳感器的自由層交換耦合(H_ex)對RA變化的圖示。
[0018]詳述
[0019]如上所述，提高讀取器傳感器的TMR并同時(shí)保持低RA(例如，〈0.7歐姆-微米2)一直是一個(gè)挑戰(zhàn)，尤其是當(dāng)MgO阻擋層存在時(shí)。
[0020]當(dāng)使用射頻(RF)沉積方法來形成MgO阻擋層時(shí)，等離子體會(huì)損傷RF-MgO阻擋層，導(dǎo)致形成差的阻擋層紋理結(jié)構(gòu)和位于阻擋層中的針孔，所有這些會(huì)導(dǎo)致TMR降低，并增大在低RA下與自由層的(不利)交換耦合。一種獲得高面積密度的方式是提高M(jìn)gO阻擋層的質(zhì)量。本文提供了一種解決離子損傷問題的方案，其使用另一種形成MgO阻擋層的方法。
[0021]不同于使用RF-沉積方法和用于阻擋層沉積的MgO氧化物靶，本文描述了使用活性氧化(R-ox)MgO沉積方法來形成至少一部分的MgO阻擋層；這通過在氧(例如，氧氣)存在下沉積Mg金屬膜來完成。這種R-ox MgO方法在低能沉積(例如，小于600W，或小于200ff)Mg金屬膜下操作，對沉積的膜產(chǎn)生很少的離子損傷或不產(chǎn)生離子損傷，并潛在地降低MgO阻擋層的自由層交換耦合，尤其是在低RA下，并且提高傳感器的TMR。此外，相比RF-MgO阻擋層，由R-ox沉積方法形成的MgO阻擋層更加均勻和光滑，針孔更少。
[0022]在下文中，參考附圖，其形成了本文的一部分，并示例顯示了至少一個(gè)【具體實(shí)施方式】。下文提供了其它的【具體實(shí)施方式】。應(yīng)理解，可以預(yù)期其它實(shí)施方式，并在不背離本文精神和范圍下做出。因此，下文詳細(xì)說明并不用于進(jìn)行限定。雖然本文并未如此進(jìn)行限定，但通過下文提供的實(shí)施例討論可以理解本文的各個(gè)方面。
[0023]圖1描述了示例數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)100、尤其是磁盤驅(qū)動(dòng)器100的透視圖。磁盤驅(qū)動(dòng)器100包括底座和頂蓋，它們組合形成外殼101，其中具有一個(gè)或多個(gè)可旋轉(zhuǎn)的磁性數(shù)據(jù)儲(chǔ)存介質(zhì)或磁盤102。在操作過程中，磁盤102繞樞軸中心或磁盤旋轉(zhuǎn)軸104旋轉(zhuǎn)。磁盤102包括內(nèi)徑106和外徑108，其間具有許多同心數(shù)據(jù)軌道110，由圓形虛線表示。數(shù)據(jù)軌道110基本是圓形的，由規(guī)則相間的比特(bit) 112構(gòu)成，表示為磁盤102上的點(diǎn)或橢圓形。但應(yīng)理解，所述技術(shù)可以用于其它類型的存儲(chǔ)介質(zhì)，包括連續(xù)磁性介質(zhì)、離散軌道(DT)介質(zhì)等。
[0024]信息可以從磁盤102上不同數(shù)據(jù)軌道110中的比特112上寫入和讀取。在磁盤操作過程中，磁頭萬向節(jié)組件(HGA) 120具有旋轉(zhuǎn)致動(dòng)軸122，其支持臂126上的滑片124，靠近磁盤102表面的上方。當(dāng)使用一疊多個(gè)磁盤102時(shí)，各磁盤102或介質(zhì)表面具有關(guān)聯(lián)的滑片124，其安裝靠近相應(yīng)的磁盤102，并與之連通。
[0025]最靠近并對著磁盤102的滑片124的表面稱為空氣軸承表面(ABS)。在使用中，磁頭萬向節(jié)組件120在尋址操作過程中繞著旋轉(zhuǎn)致動(dòng)軸122旋轉(zhuǎn)，將滑片124和磁頭萬向節(jié)組件120定位到數(shù)據(jù)軌道110的目標(biāo)數(shù)據(jù)軌道上方。當(dāng)磁盤102旋轉(zhuǎn)時(shí)，在滑片124和磁盤102的表面之間形成一層空氣，使滑片124 “飛行”在磁盤102的上方。然后，滑片124上的轉(zhuǎn)換器將數(shù)據(jù)讀取或?qū)懭氲侥繕?biāo)數(shù)據(jù)軌道110中的比特112中。
[0026]圖1中的內(nèi)插圖描述了轉(zhuǎn)換器130(尤其是隧道磁阻(TMR)傳感器)示例實(shí)施方式的部分，從ABS觀察。轉(zhuǎn)換器130或傳感器130由多個(gè)鐵磁體層形成，所述鐵磁體層包括釘扎的參比層132和自由層134以及它們之間的非磁性介質(zhì)MgO (氧化鎂)阻擋層136。所述MgO阻擋層136部分使用活性氧化沉積方法形成。
[0027]轉(zhuǎn)到圖2，TMR傳感器200顯示為多層堆疊結(jié)構(gòu)，具有由薄的非磁性介質(zhì)層分隔的鐵磁體層。
[0028]TMR傳感器200中的底部(籽)層202通常由一個(gè)或多個(gè)籽層(seed layer)形成，所述籽層促進(jìn)在疊層中形成光滑且致密的晶體。在籽層202上方和任選的鄰近處是反鐵磁體(AFM)針扎層204 ;合成的反鐵磁體(SAF)結(jié)構(gòu)206由鐵磁體針扎層208、非磁性間隔層(例如，Ru間隔層)210以及參比層212組成，在AFM層204上。隧道阻擋層214(尤其是MgO阻擋層)在SAF結(jié)構(gòu)206上方，尤其是參比層212上方。鐵磁體“自由”層216在MgO阻擋層214上形成。在TMR傳感器200的頂部是蓋層218。
[0029]所述SAF結(jié)構(gòu)206通過交換耦合到相鄰的AFM層204上來固定。所述自由層216具有平行或反平行于參比層212中磁性力矩的磁性力矩，且響應(yīng)外部磁場而轉(zhuǎn)變。所述MgO阻擋層214足夠薄，使電流可以通過傳導(dǎo)電子的量子力學(xué)隧道效應(yīng)穿過該層。自由層216和參比層212之間的磁性力矩的相對取向確定了穿過阻擋層214的隧道電流，并由此確定傳感器200的電阻。
[0030]在磁性讀取器頭250中，所述TMR傳感器200在底部屏蔽層252和頂部屏蔽層254之間形成。各種導(dǎo)體和/或電極可以置于讀取器頭250中，連接TMR傳感器200。
[0031]當(dāng)電流沿垂直于TMR層平面的方向從頂部屏蔽層254流到底部屏蔽層252 (CPP設(shè)計(jì))時(shí)，自由層216和參比層212的磁化方向平行，則檢測到較低的電阻；當(dāng)它們處于反平行狀態(tài)時(shí)則觀察到較高的電阻。
[0032]TMR傳感器相比巨磁阻(GMR)傳感器的優(yōu)勢包括較高的MR比，且對于高記錄密度的CPP幾何圖形是優(yōu)選的。讀取器中的高性能TMR傳感器應(yīng)具有低RA(面積X電阻)值、高M(jìn)R比、低磁致伸縮的軟自由層、結(jié)實(shí)的SAF結(jié)構(gòu)，以及自由層和參比層之間穿過阻擋層的交換耦合低。所述MR比是dR/R，其中，R是TMR傳感器的最小電阻，dR是改變自由層磁性狀態(tài)時(shí)觀察到的電阻變化。較高的MR比(即，dR/R)提高了 TMR傳感器的讀取速度。對于高記錄密度或高頻應(yīng)用，需要將RA降低到小于0.7歐姆-微米2。由于低RA，MR比顯著降低。為了保持合理的信噪比(SNR)，較高的MR比是有利的。
[0033]在該實(shí)施方式中，所述MgO隧道阻擋層214由3個(gè)MgO源層形成，一個(gè)在另一個(gè)頂部獨(dú)立地形成，并在傳感器200進(jìn)行后處理熱退火之后，它們轉(zhuǎn)變成MgO阻擋層214。圖3描述了退火前MgO隧道阻擋層的前體層300的放大圖。所述前體層300具有第一層302、第二或中間層304以及第三層306 ;其中，第二層304相對于第一層302和第三層306處在內(nèi)部。所述3個(gè)層302、304、306各自的厚度是約0.1_20埃，層302、304、306的厚度可以相同或不同。
[0034]所述第一層302通過從金屬M(fèi)g革E沉積Mg金屬層(例如，通過DC派射沉積方法)來形成。所述第二層304通過在使用少量氧(O2)的情況下從金屬M(fèi)g靶將Mg金屬活性沉積到第一層302上來形成的。由于在R-ox沉積過程中存在氧，所述Mg金屬摻雜了少量的氧。R-ox沉積的沉積功率是例如約1W和600W。所述第三層306通過從金屬M(fèi)g靶沉積Mg金屬層(例如，通過DC濺射沉積方法)來形成。
[0035]任意或所有層302、304、306的沉積溫度小于約400°C。用于R_ox沉積或DC-沉積的沉積速度約為0.01-10埃/秒。
[0036]在形成三個(gè)層302、304、306之后，前體層300進(jìn)行熱退火過程，通常是在形成完整讀取器疊層之后，其將三個(gè)層302、304、306轉(zhuǎn)化成MgO，并將所有層302、304、306熔合在一起，形成在整個(gè)層中具有均相結(jié)晶結(jié)構(gòu)的MgO阻擋層310。在一些實(shí)施方式中，在退火之后，所述層之間沒有發(fā)現(xiàn)界面(例如，層302和層304之間，或者層304和層306之間)。
[0037]此外，在一些實(shí)施方式中，化學(xué)結(jié)構(gòu)在所得整個(gè)MgO層310中是均勻的。
[0038]用于沉積所述3個(gè)MgO源層的示例工藝設(shè)備組件具有多個(gè)室和靶，可以構(gòu)造成形成TMR傳感器的所有層，并且在一些實(shí)施方式中，形成磁性讀取器頭的所有層。所述沉積組件具有多個(gè)高真空物理蒸汽沉積(PVD)室，各自構(gòu)造成接受其中的晶片。所述室可以構(gòu)造成用于DC濺射、RF濺射或蒸汽沉積。至少一個(gè)靶(待沉積的材料源)可操作地連接到各室。由濺射氣體產(chǎn)生的離子轟擊所述靶，形成離子化材料束，然后沉積到晶片表面上。合適的濺射氣體的例子包括氬(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)、氦(He)和氖(Ne)。在一些實(shí)施方式中，可以使用多個(gè)靶。
[0039]在一個(gè)【具體實(shí)施方式】中，第一 Mg層在第一室中使用DC濺射沉積方法形成，第二MgO層在第二室中使用R-ox沉積方法用氧氣源形成，第三Mg層在第三室中使用DC濺射沉積方法形成。這種方法稱為三倍Mg方法，因?yàn)樾纬闪?3個(gè)Mg層。
[0040]在形成Mg/MgO層之前，在沉積組件中，在任意一個(gè)或多個(gè)室中，在基底上可以形成傳感器疊件的其它層，例如，AFM層和鐵磁體針扎層。此外或任選的，在形成Mg/MgO層之后，可以在Mg/MgO層上隨后形成傳感器疊件的其它層，例如，鐵磁體自由層。
[0041]圖4提供了按照本文所述形成MgO阻擋層的示例方法400。在操作402中，在第一室中使用Mg靶通過DC濺射沉積將第一層沉積到鐵磁性參比層(RL)上。在操作404中，通過活性氧化(R-ox)沉積，在第二室中將第二層沉積到所述第一層上。用于R-ox沉積的靶是Mg金屬靶。在R-ox沉積中，將氧離子提供(例如，注入)到第二室中。所述氧以02提供，例如從壓縮氧氣源或者壓縮空氣源提供，或者可以通過在室中接觸離子化源時(shí)分解形成O 2的源提供。氧離子源的離子包括H2O和H2O2。在操作406中，使用Mg靶，在第三室中通過DC濺射沉積將第三層沉積到第二層上。在操作408中，第一層、第二層和第三層進(jìn)行退火工藝，例如，進(jìn)行30分鐘到8小時(shí)，溫度是約150°C到400°C。
[0042]圖5提供了按照本文所述形成MgO阻擋層的示例方法500。除非另有說明，方法500的具體步驟和/或細(xì)節(jié)與方法400相同或相似。在操作502中，在第一室中使用Mg靶通過DC濺射沉積將第一層沉積到鐵磁性參比層(RL)上。在操作504中，通過活性氧化(R-ox)沉積，在第二室中將第二層沉積到所述第一層上。用于R-ox沉積的靶是Mg金屬靶。在R-ox沉積中，將氧(02或O 2)提供(例如，注入)到第二室中。在操作506中，使用Mg靶，在第二室中通過DC濺射沉積將第三層沉積到第二層上，該Mg靶可以和第二層中使用的靶相同或不同。在操作508中，第一層、第二層和第三層進(jìn)行退火工藝。
[0043]圖6提供了按照本文所述形成MgO阻擋層的示例方法600。除非另有說明，方法600的具體步驟和/或細(xì)節(jié)與方法400和/或500相同或相似。在操作602中，在第一室中使用Mg靶通過RF濺射沉積將第一層沉積到鐵磁性參比層(RL)上。在操作604中，通過活性氧化(R-ox)沉積，在第二室中將第二層沉積到所述第一層上。用于R-ox沉積的靶是Mg金屬靶。在R-ox沉積中，將氧(02或0 2)提供(例如，注入)到第二室中。在操作606中，使用Mg靶，在第一室中通過DC濺射沉積將第三層沉積到第二層上，該Mg靶可以和第一層中使用的靶相同或不同。在操作608中，第一層、第二層和第三層進(jìn)行退火工藝。
[0044]圖7提供了按照本文所述形成MgO阻擋層的示例方法700。除非另有說明，方法700的具體步驟和/或細(xì)節(jié)與方法400、500和/或600相同或相似。在操作702中，在第一室中使用Mg靶通過DC濺射沉積將第一層沉積到鐵磁性參比層(RL)上。在操作704中，通過活性氧化(R-ox)沉積，在第一室中將第二層沉積到所述第一層上。用于R-ox沉積的靶是Mg金屬革El ;該Mg革El可以和第一層中使用的革El相同或不同。在R-ox沉積中，將氧(O2或O2)提供(例如，注入)到室中。在操作706中，使用Mg靶，在第二室中通過DC濺射沉積將第三層沉積到第二層上，該Mg靶可以和第二層中使用的靶相同或不同。在操作708中，第一層、第二層和第三層進(jìn)行退火工藝。
[0045]在各方法400、600和700中，第三層在不同于加入氧的室(即，用于沉積第二層的室)中進(jìn)行沉積。第三層和第二層使用不同的室可以減少第三層的污染。
[0046]圖8提供了形成TMR傳感器的示例方法800。在操作802中，在底部屏蔽層上形成了籽層。在操作804中，在籽層上形成了反鐵磁體(AFM)層。在操作806中，在AFM層上提供了 SAF結(jié)構(gòu)(包括針扎層(PL)、間隔層(例如，Ru層)和參比層(RD)0在操作808中，在SAF結(jié)構(gòu)的參比層上提供三個(gè)MgO源層，所述三個(gè)MgO源層可以通過例如圖4所示方法400、圖5所示方法500、圖6所示方法600或圖7所示方法700中任意一個(gè)方法形成。在操作810中，在MgO源層上形成自由層。在操作812中，在自由層上提供蓋層。在操作814中，在蓋層上形成頂部屏蔽層。在操作816中，整個(gè)疊層(包括MgO源層)進(jìn)行退火，形成具有MgO阻擋層的TMR傳感器。
[0047]圖9顯示了兩種TMR傳感器的歸一化TMR對歸一化RA的變化圖，一個(gè)TMR傳感器具有使用活性氧化MgO方法(R-ox MgO)形成的MgO阻擋層，另一個(gè)TMR傳感器具有使用傳統(tǒng)RF-MgO方法形成的MgO阻擋層。所述R-ox MgO方法證實(shí)比RF-MgO方法提供更高的TMR0
[0048]圖10顯示了兩種TMR傳感器的歸一化自由層交換耦合(H_ex)對歸一化RA的變化圖，一個(gè)TMR傳感器具有使用活性氧化MgO方法(R-ox MgO)形成的MgO阻擋層，另一個(gè)TMR傳感器具有使用傳統(tǒng)RF-MgO方法形成的MgO阻擋層。從圖中可見，所述R_ox MgO方法可以降低自由層交換耦合(H_ex)。
[0049]圖9和10均顯示了使用R-ox MgO方法可以改善MgO阻擋層的質(zhì)量。與RF-MgO方法形成的MgO阻擋層相比，由R-ox MgO方法制得的MgO阻擋層更加均勻、光滑，具有較少的針孔。此外，與具有由RF-MgO方法形成的MgO阻擋層的TMR傳感器相比，使用由R_ox MgO方法制得的MgO阻擋層，所得的TMR傳感器具有較高的TMR和較低的H_ex。
[0050]因此，已經(jīng)描述了通過活性氧化(R-ox)MgO沉積方法形成的MgO阻擋層的各種特征。上文提供了本發(fā)明所述結(jié)構(gòu)的完整描述和示例實(shí)施方式的應(yīng)用。上文提供了具體的實(shí)施方式。應(yīng)理解，可以預(yù)期其它實(shí)施方式，并在不背離本文精神和范圍下做出。因此，下文詳細(xì)說明并不用于進(jìn)行限定。雖然本文并未如此進(jìn)行限定，但通過下文提供的實(shí)施例討論可以理解本文的各個(gè)方面。
[0051]除非另有說明，所有表示特征尺寸、量和物理性質(zhì)的數(shù)字均應(yīng)理解為使用術(shù)語“約”修飾。因此，除非相反指出，所述任意數(shù)字參數(shù)是近似值，根據(jù)使用本文所述內(nèi)容的本領(lǐng)域技術(shù)人員試圖獲得的所需性質(zhì)進(jìn)行變化。
[0052]本文中，單數(shù)形式的“一”、“一個(gè)”以及“該”包括具有復(fù)數(shù)引用的實(shí)施例，除非該內(nèi)容另外明確地指出。如說明書以及所附權(quán)利要求書中所使用地，術(shù)語“或”一般以包括“和_/或”的意義來使用，除非該內(nèi)容另外明確地指出。
[0053]如果在本文中使用，空間相關(guān)的術(shù)語，包括但不限于，“底部”、“下部”、“頂部”、“上部”、“之下”、“下方”、“上方”、“在頂部”、“其上”等，用于簡單描述元件相對另一個(gè)元件的空間關(guān)系。這種空間相關(guān)的術(shù)語除了包括附圖和本文中提及的具體取向外還包括器件的不同取向。例如，若圖中描述的結(jié)構(gòu)反轉(zhuǎn)或翻轉(zhuǎn)，之前描述為在其它元件下方或之下的部分則將在那些其它元件的上方或之上。
[0054]由于本發(fā)明許多實(shí)施方式可以在不背離本發(fā)明精神和范圍的條件下進(jìn)行，因此，本發(fā)明落足于隨后附帶的權(quán)利要求書。而且，不同實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)特征可以在不背離附帶權(quán)利要求書的情況下組合到另一實(shí)施方式中。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種制造用于TMR傳感器的MgO阻擋層的方法，所述方法包括: 從Mg勒沉積第一 MgO源層； 在氧存在下，使用活性氧化物沉積方法在所述第一 MgO源層上從Mg靶沉積第二 MgO源層； 在所述第二 MgO源層上，從Mg靶沉積第三MgO源層；和 將所述第一 MgO源層、所述第二 MgO源層和所述第三MgO源層退火，形成MgO阻擋層。2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉積所述第二MgO源層的步驟是使用O2O3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉積所述第二MgO源層的步驟是使用O 2咼子。4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉積所述第一MgO源層的步驟包括沉積第一 Mg層。5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉積所述第三MgO源層的步驟包括沉積第三Mg層。6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉積所述第二MgO源層的步驟包括在氧存在下沉積Mg層。7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述沉積所述第二MgO源層的步驟還包括使用濺射氣體，選自Ar、Kr、Xe、He和Ne。8.一種制造用于TMR傳感器的MgO阻擋層的方法，所述方法包括: 在第一室中沉積第一 Mg層； 在所述第一室中或在不同于第一室的第二室中，在氧存在下，在所述第一 Mg層上使用活性氧化物沉積方法沉積第二 Mg層； 在所述第一室、所述第二室或第三室中，在所述第二 MgO層上沉積第三Mg層；和 將所述第一層、所述第二層和所述第三層退火，形成MgO阻擋層。9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述沉積所述第一Mg層的步驟是使用Mg革巴；所述沉積所述第三Mg層的步驟是使用Mg革巴。10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述沉積所述第三Mg層的步驟是在所述第一室中，用于沉積所述第三Mg層的所述Mg革El與用于沉積所述第一 Mg層的所述Mg革El相同。11.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述沉積所述第二Mg層的步驟是使用Mg靶。12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述沉積所述第三Mg層的步驟是在所述第二室中，用于沉積所述第三Mg層的所述Mg革E與用于沉積所述第二 Mg層的所述Mg革巴相同。13.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述沉積所述第二Mg層的步驟是使用O 2。14.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述沉積所述第二Mg層的步驟是使用O 2離子。15.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述沉積所述第二Mg層的步驟是在所述第一室中，用于沉積所述第二 Mg層的所述Mg革El與用于沉積所述第一 Mg層的所述Mg革El相同。16.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述沉積所述第三Mg層的步驟是在所述 bO I '—I— -- Λ
【文檔編號】G11B5/39GK106098082SQ201510729444
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2015年10月30日
【發(fā)明人】Q·何, J·Y·易, E·W·辛格爾頓
【申請人】希捷科技有限公司