一種安全保護(hù)電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電學(xué)領(lǐng)域，具體涉及一種安全保護(hù)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]對于存儲(chǔ)內(nèi)容涉及到國防、商業(yè)等敏感度較高的信息的非易失性存儲(chǔ)器載體，有必要進(jìn)行特別的保護(hù)，一旦其存儲(chǔ)內(nèi)容發(fā)生泄漏，將會(huì)對人民和企業(yè)的利益造成巨大傷害，必要時(shí)，需要在特定的情況下對存儲(chǔ)器內(nèi)部數(shù)據(jù)進(jìn)行破壞，以防止其上面存儲(chǔ)的信息泄露造成重大損失，而破壞數(shù)據(jù)的方案是多種多樣的。
[0003]目前，公知的非易失性存儲(chǔ)器信息安全保護(hù)方案有片上擦除或者格式化數(shù)據(jù)、在PCB板上引入大電壓大電流燒毀存儲(chǔ)芯片等方法。對于片上擦?xí)蛘吒袷交桨?，一般來說只適用于FLASH類型存儲(chǔ)芯片，且存在存儲(chǔ)芯片容量大時(shí)，擦除時(shí)間長，數(shù)據(jù)可能被恢復(fù)的缺點(diǎn)。對于在PCB板上引入大電壓大電流燒毀存儲(chǔ)芯片方法，銷毀時(shí)消耗功率大，且對于SSD盤等帶有多片存儲(chǔ)芯片的裝置而言，將上面的芯片逐片銷毀需要較長的時(shí)間，且印制電路板上走線復(fù)雜。顯然，銷毀時(shí)間較長的方案，都不適用于緊急情況下的信息安全保護(hù)應(yīng)用。
[0004]因此，有必要研究一種針對非易失性存儲(chǔ)器上保存的數(shù)據(jù)進(jìn)行信息安全保護(hù)的電路，能夠適用于緊急情況下的對非易失性存儲(chǔ)器上保存的數(shù)據(jù)進(jìn)行徹底破壞，從而達(dá)到有效地對信息的安全保護(hù)的目的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了在緊急情況下進(jìn)行有效的信息安全保護(hù)，本發(fā)明提供了一種安全保護(hù)電路，通過物理性破壞非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)、地址和讀寫使能等控制信號(hào)的輸入電路結(jié)構(gòu)，達(dá)到外部交互的數(shù)據(jù)、尋址和控制信號(hào)不能進(jìn)出存儲(chǔ)矩陣的目的，從而實(shí)現(xiàn)信息安全保護(hù)。
[0006]本發(fā)明是以如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的，一種安全保護(hù)電路，包括信號(hào)輸入端對應(yīng)的PAD、ESD保護(hù)二極管、二選一模擬開關(guān)1、二選一模擬開關(guān)II和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊，
[0007]所述二選一模擬開關(guān)I的一個(gè)輸入端口與所述信號(hào)輸入端對應(yīng)的PAD相連，另一個(gè)輸入端口接二極管銷毀電壓VDDH輸出端，輸出端口與數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊相連，
[0008]所述二選一模擬開關(guān)II的一個(gè)輸入端口接正常工作電壓VDD輸出端，另一個(gè)輸入端口接二極管銷毀電壓VDDH輸出端，輸出端口與所述ESD保護(hù)二極管的一端相連，所述ESD保護(hù)二極管的另一端與所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊相連，
[0009]所述二極管銷毀電壓VDDH能夠阻止來自信號(hào)輸入端對應(yīng)的PAD的信號(hào)到達(dá)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)豐吳塊。
[0010]優(yōu)選的，所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊包括通向存儲(chǔ)陣列的緩沖門、存儲(chǔ)陣列信號(hào)輸入模塊和存儲(chǔ)陣列，其中所述通向存儲(chǔ)陣列的緩沖門與二選一模擬開關(guān)I的輸出端口、ESD保護(hù)二極管相連，所述通向存儲(chǔ)陣列的緩沖門和存儲(chǔ)陣列通過存儲(chǔ)陣列信號(hào)輸入模塊相連。
[0011]優(yōu)選的，所述二極管銷毀電壓VDDH高于所述通向存儲(chǔ)陣列的緩沖門的擊穿電壓。
[0012]優(yōu)選的，還包括信息安全保護(hù)使能輸入信號(hào)，所述信息安全保護(hù)使能輸入信號(hào)為無效時(shí)，所述二選一模擬開關(guān)I與所述信號(hào)輸入端對應(yīng)的PAD導(dǎo)通，二選一模擬開關(guān)II與正常工作電壓VDD輸出端導(dǎo)通;所述信息安全保護(hù)使能輸入信號(hào)為有效時(shí)，所述二選一模擬開關(guān)I和二選一模擬開關(guān)II均與所述二極管銷毀電壓VDDH輸出端導(dǎo)通。
[0013]優(yōu)選的，所述信號(hào)輸入端對應(yīng)的PAD為非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)信號(hào)，讀寫使能或者地址信號(hào)的輸入端對應(yīng)的PAD。
[0014]優(yōu)選的，所述二極管銷毀電壓VDDH由所述安全保護(hù)電路的外部產(chǎn)生。
[0015]優(yōu)選的，所述二極管銷毀電壓VDDH由所述安全保護(hù)電路的中的升壓電路產(chǎn)生。
[0016]優(yōu)選的，述安全保護(hù)電路設(shè)置于非易失性存儲(chǔ)器。
[0017]本發(fā)明的有益效果是:
[0018]本發(fā)明不僅能夠阻斷外部對非易失存儲(chǔ)器存儲(chǔ)陣列的訪問，而且能夠使得對存儲(chǔ)器中數(shù)據(jù)的破壞不可恢復(fù)，并且破壞所需時(shí)間短，功耗低。即當(dāng)啟動(dòng)信息安全保護(hù)功能時(shí)，通過使高電壓進(jìn)入到緩沖門的MOS晶體管的柵極，擊穿柵極的柵氧化層，破壞芯片的整體功能，從而達(dá)到較好的信息保護(hù)效果；
[0019]此外，本發(fā)明還能夠克服現(xiàn)有非易失性存儲(chǔ)器信息安全保護(hù)方案數(shù)據(jù)破壞不徹底，印制電路板走線復(fù)雜的缺點(diǎn)，具有不增加額外的印制電路板走線，且數(shù)據(jù)銷毀的時(shí)間開銷和存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量無關(guān)的優(yōu)點(diǎn)。
【附圖說明】
[0020]圖1是本發(fā)明電路結(jié)構(gòu)圖；
[0021 ]其中:1-信號(hào)輸入端對應(yīng)的PAD，21-二選一模擬開關(guān)I，22-二選一模擬開關(guān)II，3-二極管銷毀電壓VDDH輸出端，4-信息安全保護(hù)使能輸入信號(hào)端，5-正常工作電壓VDD輸出端，6-ESD保護(hù)二極管，7-輸入使能控制，8-通向存儲(chǔ)陣列的緩沖門，9-存儲(chǔ)陣列信號(hào)輸入模塊。
【具體實(shí)施方式】
[0022]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0023]在一個(gè)實(shí)施例中，如圖1所示，一種安全保護(hù)電路，所述安全保護(hù)電路設(shè)置于非易失性存儲(chǔ)器，包括信號(hào)輸入端對應(yīng)的PADl、ESD保護(hù)二極管6、二選一模擬開關(guān)121、二選一模擬開關(guān)1122、通向存儲(chǔ)陣列的緩沖門8、存儲(chǔ)陣列信號(hào)輸入模塊9和存儲(chǔ)陣列，所述通向存儲(chǔ)陣列的緩沖門8、存儲(chǔ)陣列信號(hào)輸入模塊9和存儲(chǔ)陣列構(gòu)成數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊，
[0024]所述二選一模擬開關(guān)121的一個(gè)輸入端口與所述信號(hào)輸入端對應(yīng)的PADI相連，另一個(gè)輸入端口接二極管銷毀電壓VDDH輸出端3，輸出端口與通向存儲(chǔ)陣列的緩沖門8相連，
[0025]所述二選一模擬開關(guān)1122的一個(gè)輸入端口接正常工作電壓VDD輸出端5，另一個(gè)輸入端口接二極管銷毀電壓VDDH輸出端3，輸出端口與所述ESD保護(hù)二極管6的一端相連，所述ESD保護(hù)二極管6的另一端與所述通向存儲(chǔ)陣列的緩沖門8相連，
[0026]所述通向存儲(chǔ)陣列的緩沖門8和存儲(chǔ)陣列通過存儲(chǔ)陣列信號(hào)輸入模塊9相連，所述存儲(chǔ)陣列信號(hào)輸入模塊9用于傳輸輸入到存儲(chǔ)陣列的信號(hào)，所述二極管銷毀電壓VDDH高于所述通向存儲(chǔ)陣列的緩沖門的擊穿電壓。
[0027]所述信號(hào)輸入端對應(yīng)的PADl為非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)信號(hào)，讀寫使能或者地址信號(hào)的輸入端對應(yīng)的PAD;所述二極管銷毀電壓VDDH由所述安全保護(hù)電路的外部產(chǎn)生。
[0028]信息安全保護(hù)使能輸入信號(hào)端4用于對二選一模擬開關(guān)121和二選一模擬開關(guān)1122中的輸入端進(jìn)行選擇，所述信息安全保護(hù)使能輸入信號(hào)為無效時(shí)，所述二選一模擬開關(guān)121與所述信號(hào)輸入端對應(yīng)的PADl導(dǎo)通，二選一模擬開關(guān)1122與正常工作電壓VDD輸出端5導(dǎo)通，外部控制信號(hào)通過信號(hào)輸入端對應(yīng)的PADl輸入到通向存儲(chǔ)陣列的緩沖門8上，經(jīng)過緩沖，到達(dá)存儲(chǔ)陣列信號(hào)輸入模塊9上，實(shí)現(xiàn)對存儲(chǔ)陣列的控制;所述信息安全保護(hù)使能輸入信號(hào)為有效時(shí)，所述二選一模擬開關(guān)121和二選一模擬開關(guān)1122均與所述二極管銷毀電壓VDDH輸出端3導(dǎo)通，進(jìn)而將ESD 二極管6、存儲(chǔ)陣列信號(hào)輸入模塊9均與二極管銷毀電壓VDDH輸出端3導(dǎo)通，將高電壓加載到通向存儲(chǔ)陣列的緩沖門8上，燒毀通向存儲(chǔ)陣列的緩沖門8，造成外部輸入不能經(jīng)過存儲(chǔ)陣列信號(hào)輸入模塊9對存儲(chǔ)陣列進(jìn)行控制，此時(shí)，由于ESD的正電壓保護(hù)二極管被接到VDDH，所以二極管銷毀電壓VDDH可以繞過ESD保護(hù)電路加載到通向存儲(chǔ)陣列的緩沖門8的MOS晶體管的柵極上，當(dāng)VDDH高于這個(gè)晶體管柵極的擊穿電壓時(shí)就會(huì)破壞這個(gè)門，造成PAD上的信號(hào)不能進(jìn)入存儲(chǔ)陣列，阻止外部對存儲(chǔ)芯片的操作，保證信息安全。
[0029]本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例，與第一個(gè)實(shí)施例的區(qū)別在于，所述二極管銷毀電壓VDDH由所述安全保護(hù)電路的中的升壓電路產(chǎn)生。
[0030]以上所揭露的僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例而已，當(dāng)然不能以此來限定本發(fā)明之權(quán)利范圍，因此依本發(fā)明權(quán)利要求所作的等同變化，仍屬本發(fā)明所涵蓋的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種安全保護(hù)電路，其特征在于，包括信號(hào)輸入端對應(yīng)的PAD(I)、ESD保護(hù)二極管(6)、二選一模擬開關(guān)I(21)、二選一模擬開關(guān)II(22)和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊， 所述二選一模擬開關(guān)I (21)的一個(gè)輸入端口與所述信號(hào)輸入端對應(yīng)的PAD( I)相連，另一個(gè)輸入端口接二極管銷毀電壓VDDH輸出端(3)，輸出端口與數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊相連， 所述二選一模擬開關(guān)11(22)的一個(gè)輸入端口接正常工作電壓VDD輸出端(5)，另一個(gè)輸入端口接二極管銷毀電壓VDDH輸出端(3)，輸出端口與所述ESD保護(hù)二極管(6)的一端相連，所述ESD保護(hù)二極管(6)的另一端與所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊相連， 所述二極管銷毀電壓VDDH能夠阻止來自信號(hào)輸入端對應(yīng)的PAD(1)的信號(hào)到達(dá)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)豐吳塊。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種安全保護(hù)電路，其特征在于，所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊包括通向存儲(chǔ)陣列的緩沖門(8)、存儲(chǔ)陣列信號(hào)輸入模塊(9)和存儲(chǔ)陣列，其中所述通向存儲(chǔ)陣列的緩沖門(8)與二選一模擬開關(guān)1(21)的輸出端口、ESD保護(hù)二極管(6)相連，所述通向存儲(chǔ)陣列的緩沖門(8)和存儲(chǔ)陣列通過存儲(chǔ)陣列信號(hào)輸入模塊(9)相連。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述一種安全保護(hù)電路，其特征在于，所述二極管銷毀電壓VDDH高于所述通向存儲(chǔ)陣列的緩沖門的擊穿電壓。4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述一種安全保護(hù)電路，其特征在于，還包括信息安全保護(hù)使能輸入信號(hào)，所述信息安全保護(hù)使能輸入信號(hào)(4)為無效時(shí)，所述二選一模擬開關(guān)1(21)與所述信號(hào)輸入端對應(yīng)的PAD(I)導(dǎo)通，二選一模擬開關(guān)II (22)與正常工作電壓VDD輸出端(5)導(dǎo)通;所述信息安全保護(hù)使能輸入信號(hào)為有效時(shí)，所述二選一模擬開關(guān)I (21)和二選一模擬開關(guān)11(22)均與所述二極管銷毀電壓VDDH輸出端(3)導(dǎo)通。5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述一種安全保護(hù)電路，其特征在于，所述信號(hào)輸入端對應(yīng)的PAD(I)為非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)信號(hào)，讀寫使能或者地址信號(hào)的輸入端對應(yīng)的PAD。6.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述一種安全保護(hù)電路，其特征在于，所述二極管銷毀電壓VDDH由所述安全保護(hù)電路的外部產(chǎn)生。7.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述一種安全保護(hù)電路，其特征在于，所述二極管銷毀電壓VDDH由所述安全保護(hù)電路的中的升壓電路產(chǎn)生。8.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述一種安全保護(hù)電路，其特征在于，所述安全保護(hù)電路設(shè)置于非易失性存儲(chǔ)器。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種安全保護(hù)電路，包括信號(hào)輸入端對應(yīng)的PAD、ESD保護(hù)二極管、二選一模擬開關(guān)I、二選一模擬開關(guān)II和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊，通過物理性破壞非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)、地址和讀寫使能等控制信號(hào)的輸入電路結(jié)構(gòu)，達(dá)到外部交互的數(shù)據(jù)、尋址和控制信號(hào)不能進(jìn)出存儲(chǔ)矩陣的目的，從而實(shí)現(xiàn)信息安全保護(hù)，本發(fā)明不僅能夠阻斷外部對非易失存儲(chǔ)器存儲(chǔ)陣列的訪問，而且能夠使得對存儲(chǔ)器中數(shù)據(jù)的破壞不可恢復(fù)，并且破壞所需時(shí)間短，功耗低，此外，還能夠克服現(xiàn)有非易失性存儲(chǔ)器信息安全保護(hù)方案數(shù)據(jù)破壞不徹底，印制電路板走線復(fù)雜的缺點(diǎn)，具有不增加額外的印制電路板走線，且數(shù)據(jù)銷毀的時(shí)間開銷和存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量無關(guān)的優(yōu)點(diǎn)。
【IPC分類】G11C16/22
【公開號(hào)】CN105513641
【申請?zhí)枴緾N201510941254
【發(fā)明人】張濤, 楊建利, 周洋
【申請人】鴻秦（北京）科技有限公司
【公開日】2016年4月20日
【申請日】2015年12月16日