資料存儲型閃存中觸發(fā)操作的方法與裝置的制造方法
【技術(shù)領域】
[0001]本發(fā)明涉及存儲器讀寫操作的技術(shù)領域，特別是涉及一種資料存儲型閃存中觸發(fā)操作的方法與裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子產(chǎn)品的不斷發(fā)展，芯片技術(shù)也在發(fā)生著巨大的變化。資料存儲型閃存作為閃存FLASH的一種，由于其內(nèi)部非線性宏單元模式為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。資料存儲型閃存存儲器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
[0003]但資料存儲型閃存在其應用領域也存在一定的不足。由于不同產(chǎn)品對資料存儲型閃存的控制電路要求不同，進而導致輸出信號在頻率及脈沖寬度上也不盡相同。這種輸出信號的差異會限制資料存儲型閃存的應用范圍。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對以上不足，本發(fā)明提出了一種資料存儲型閃存中觸發(fā)操作的方法與裝置。通過調(diào)節(jié)輸出信號的脈沖寬度，進而使資料存儲型閃存能夠滿足不同領域應用的要求。
[0005]為了實現(xiàn)以上技術(shù)方案，本發(fā)明提供了一種資料存儲型閃存中觸發(fā)操作的方法，包括以下步驟:
[0006]S1、通過閃存內(nèi)部電路，獲得操作使能信號；
[0007]S2、通過延時模塊，獲得所述操作使能信號對應的延時信號；
[0008]S3、通過所述操作使能信號觸發(fā)翻轉(zhuǎn)，觸發(fā)對應控制信號翻轉(zhuǎn)；
[0009]S4、通過所述延時信號觸發(fā)翻轉(zhuǎn)，觸發(fā)所述控制信號翻轉(zhuǎn)并恢復至初始狀態(tài)。
[0010]進一步的，所述使能信號包括讀使能信號或?qū)懯鼓苄盘枴?br>[0011]進一步的，所述延時信號用于調(diào)節(jié)所述控制信號的脈沖寬度。
[0012]進一步的，所述延時信號來自于資料存儲型閃存內(nèi)部延時模塊。
[0013]此外，本發(fā)明還提供了一種資料存儲型閃存中觸發(fā)操作的裝置，包括:操作使能模塊、延時模塊、控制信號模塊、信號恢復模塊，
[0014]其中，所述操作使能模塊用于通過閃存內(nèi)部電路，獲得操作使能信號；
[0015]所述延時模塊，配置于資料存儲型閃存內(nèi)部電路，用于獲得所述操作使能信號對應的延時信號；
[0016]所述控制信號模塊用于通過所述操作使能信號觸發(fā)翻轉(zhuǎn)，觸發(fā)對應控制信號翻轉(zhuǎn)；
[0017]所述信號恢復模塊用于通過所述延時信號觸發(fā)翻轉(zhuǎn)，觸發(fā)所述控制信號翻轉(zhuǎn)并恢復至初始狀態(tài)。
[0018]進一步的，所述操作使能模塊包括讀操作使能模塊或?qū)懖僮魇鼓苣K。
[0019]進一步的，所述延時模塊用于調(diào)節(jié)所述控制信號的脈沖寬度。
[0020]進一步的，所述延時模塊來自于資料存儲型閃存內(nèi)部電路。
[0021]本發(fā)明通過對操作使能信號加入延遲控制，進而能到達到調(diào)節(jié)控制信號的翻轉(zhuǎn)與恢復，從而克服了資料存儲型閃存中內(nèi)部電路對操作使能信號的限制要求，擴展了資料存儲型閃存的應用范圍。
【附圖說明】
[0022]圖1是本發(fā)明實施例提供的一種資料存儲型閃存中觸發(fā)操作的方法的流程圖。
[0023]圖2是本發(fā)明實施例提供的一種資料存儲型閃存中觸發(fā)操作的方法的時序圖。
[0024]圖3是本發(fā)明實施例提供的一種資料存儲型閃存中觸發(fā)操作的裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0025]下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進一步的詳細說明。可以理解的是，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關的部分而非全部內(nèi)容。
[0026]實施例一
[0027]圖1是本發(fā)明實施例提供的一種資料存儲型閃存中觸發(fā)操作的方法的流程圖。
[0028]如圖1所示，一種資料存儲型閃存(以下稱閃存)中觸發(fā)操作的方法，包括以下步驟:
[0029]101、通過閃存內(nèi)部電路，獲得操作使能信號。
[0030]其中，操作使能信號包括有讀使能信號或?qū)懯鼓苄盘枴Ｖ档米⒁獾氖?，讀使能信號是由外部讀入信號加載到閃存內(nèi)部電路，并經(jīng)過處理之后得到的；而寫使能信號是由外部寫入信號加載到閃存內(nèi)部電路，并經(jīng)過處理之后得到的。
[0031]102、通過延時模塊，獲得操作使能信號對應的延時信號。延時信號所延時間的長短是由延時模塊所決定的。并且，延時模塊來自于閃存內(nèi)部電路。
[0032]利用操作使能信號通過延時模塊，進而獲得操作使能信號對應的延時信號。
[0033]103、通過操作使能信號觸發(fā)翻轉(zhuǎn)，觸發(fā)對應控制信號翻轉(zhuǎn)。
[0034]這里需要指出的是，讀使能信號由高電平翻轉(zhuǎn)為低電平時，觸發(fā)對應控制信號的翻轉(zhuǎn)；而寫使能信號由低電平翻轉(zhuǎn)為高電平時，觸發(fā)對應控制信號的翻轉(zhuǎn)。初始狀態(tài)下，控制信號為低電平，經(jīng)過讀使能信號或?qū)懯鼓苄盘栍|發(fā)后，翻轉(zhuǎn)為高電平。
[0035]104、通過延時信號觸發(fā)翻轉(zhuǎn)，觸發(fā)控制信號翻轉(zhuǎn)并恢復至初始狀態(tài)。
[0036]延時信號的翻轉(zhuǎn)會觸發(fā)控制信號翻轉(zhuǎn)并恢復之前的電位。例如，讀使能信號通過延時模塊后生成讀使能信號對應的延時信號，當對應的延時信號由高電平觸發(fā)翻轉(zhuǎn)成低電平時，控制信號由高電平恢復至原先的低電平狀態(tài)。
[0037]當寫使能信號通過延時模塊后生成寫使能信號對應的延時信號，當對應的延時信號由低電平觸發(fā)翻轉(zhuǎn)成高電平時，控制信號由高電平恢復至原先的低電平狀態(tài)。
[0038]實施例二
[0039]圖2是是本發(fā)明實施例提供的一種資料存儲型閃存中觸發(fā)操作的方法的時序圖。
[0040]由圖2所示，以操作使能信號為讀使能信號REB為例，本發(fā)明資料存儲型閃存中觸發(fā)操作的方法可理解為:
[0041]首先外部讀入信號通過閃存內(nèi)部電路，生成相應的讀使能信號REB。并且，讀使能信號初始狀態(tài)時處于高電平狀態(tài)。
[0042]讀使能信號REB通過閃存內(nèi)部電路中的延時模塊，獲得讀使能信號的延時信號B。這里需要指出的是