專利名稱：曝光用掩模以及采用該曝光用掩模的曝光方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在例如與滑塊條等的基板的記錄介質(zhì)相對的面上形成的抗蝕劑層表面上，對ABS面的蝕刻圖形進行曝光時所用的曝光用掩模，特別是涉及能切實地將上述滑塊條與曝光用掩模位置對準的曝光用掩模，以及采用該曝光用掩模的曝光方法。
裝載于硬盤等裝置的磁頭裝置，是在板簧材料形成的萬向架的前端裝上滑塊，再在該滑塊的端部形成具有記錄與再現(xiàn)功能的薄膜元件而制成的。
在上述滑塊上與記錄介質(zhì)相對的面上，形成所謂懸浮面的ABS面，上述滑塊利用記錄介質(zhì)表面流動的氣流懸浮于記錄介質(zhì)之上。上述滑塊在懸浮于記錄介質(zhì)的狀態(tài)下，通過上述滑塊上所設(shè)的薄膜元件，對記錄介質(zhì)進行記錄或再現(xiàn)。
在制造所設(shè)滑塊時，首先將陶瓷材料做成圓形，在上述陶瓷材料上并列地形成若干個薄膜元件，再在上述陶瓷材料上并列地噴涂上若干薄膜元件。
然后將上述陶瓷材料切割成薄片狀，使上述陶瓷材料成為若干細長形的滑塊條。
接著，如圖5所示，使與記錄介質(zhì)相對的面21向上，再將若干條滑塊條20并列地排在一起，用夾具等將上述滑塊條20予以固定。
如圖5所示，在滑塊條20的相對面21上有若干個薄膜元件22。
在上述相對面21上，形成感光性抗蝕劑層(圖中未表示出)。
接下來，用曝光用掩模對上述抗蝕劑層進行若干ABS面的蝕刻圖形曝光。
圖6與圖7是表示采用現(xiàn)有的曝光用掩模的曝光方法的工序圖。
首先，將圖6所示的曝光用掩模23對準圖5中最上側(cè)或最下側(cè)配置的滑塊條20的位置。
在上述曝光用掩模23上，設(shè)有若干其形狀與ABS面的平面形狀相同的透光部24，至少在一處上述透光部24、24之間設(shè)置著具有校準鍵(標記)25、25的窗口26。
在圖6所示的曝光用掩模23上，例如設(shè)有3個透光部24與1個窗口26。
如圖6所示，在上述透光部24與窗口26以外的領(lǐng)域(圖中以斜線表示)，用例如Cr(鉻)等膜制成，光無法透過。校準鍵25也用Cr膜形成。
這樣，如圖6所示，將曝光用掩模23上下、左右移動，使滑塊條20上形成的薄膜元件22定位于曝光用掩模23的窗口26內(nèi)形成的2個校準鍵25、25的中央。
將薄膜元件22定位于校準鍵25、25的中央之后，如圖7所示，將曝光用掩模23向左側(cè)滑動事先確定的距離。
通過將曝光用掩模23向左滑動，薄膜元件22被定位于上述曝光用掩模23上形成的透光部24內(nèi)所定的位置。
這樣，在滑塊條20與曝光用掩模23的透光部24的位置對準之后，通過上述透光部24，對滑塊條20上形成的感光性抗蝕劑層進行曝光。
接下來，將上述曝光用掩模23向圖中所示的左側(cè)，以及圖中所示的上側(cè)，或者圖中所示的下側(cè)滑動，在尚未進行曝光的滑塊條20的相對面21上，如上面所述的一樣，對準滑塊條20的薄膜元件22與曝光用掩模23的透光部24的位置，對上述滑塊條20上形成的感光性抗蝕劑層進行曝光。
在用這種方法對圖5所示的全部滑塊條20的相對面21上形成的抗蝕劑層上，使若干ABS面蝕刻圖形曝光。
由于上述感光性抗蝕劑層是負片型的，因此通過顯影處理，經(jīng)曝光的抗蝕劑層照樣殘留在滑塊條20的相對面21上，未經(jīng)曝光的抗蝕劑層則被顯影液除去。
在圖7中，與透光部24相對的滑塊條20上的抗蝕劑層，通過曝光，留下了與上述透光部24相同的形狀，其余的抗蝕劑層則被除去。
與圖7所示的窗口26相對向的滑塊條20上的抗蝕劑層雖然也因曝光而殘留下來，但是因為該部分的滑塊條20最終將被沿圖7所示的線A、B切斷、除去，所以成品滑塊上不會殘留上述窗口26的形狀。
曝光顯影之后，進行干蝕刻，接著在ABS面之間(參照圖7的線A、B)將滑塊條20切斷，便可制得若干滑塊。
但是，圖6所示的曝光用掩模23存在下列問題。
在上述曝光用掩模23的窗口26內(nèi)形成的校準鍵25、25是為對準上述曝光用掩模23的透光部24與滑塊條20的薄膜元件22的位置而設(shè)的，所以上述窗口26的形狀不能因曝光而殘留在成品滑塊上。
因此，如圖6與圖7所示，將上述窗口26形成于透光部24、24之間，最終采取沿切斷線A、B(參照圖7)切斷的辦法，將與窗口26相對向部分的滑塊條20除去。
但是，如圖7所示，切斷線A、B之間非常狹窄，特別是隨著記錄向高密度發(fā)展，滑塊變得小型化，滑塊條20的切斷線A、B之間必須盡可能地窄小，滑塊條20被除去的的部分要盡量少。
因此，隨著切斷線A、B之間變得窄小，曝光用掩模23的窗口26的大小必須做得很小，在窗口26做得很小的情況下，特別是在將曝光用掩模23按圖中所示的上下方向移動，使曝光用掩模23與滑塊條20的位置對準時，上述滑塊條20的薄膜元件22難以進入窗口26內(nèi)，對準的精度(曝光用掩模的定位精度)降低。
更詳細地說，在圖5所示的若干條滑塊條20并列配置的情況下，首先在一條滑塊條20上進行圖5、圖6所示的曝光工序，形成ABS面的蝕刻圖形之后，使曝光用掩模向圖中所示的上側(cè)或圖中所示的下側(cè)滑動，在尚未進行曝光的滑塊條20上進行圖5、6所示的曝光工序。
如圖5所示，假如配置于最上側(cè)的滑塊條20的薄膜元件22A，與配置于同上述滑塊條20相鄰下側(cè)的滑塊條20的薄膜元件22B，不在圖中所示的縱向的直線上，則即使在上述薄膜元件22A與圖6所示的曝光用掩模23的窗口26內(nèi)的校準鍵25、25位置對準的情況下，使上述曝光用掩模23向圖中所示的下方滑動時，薄膜元件22B也很有可能不能進入到上述曝光用掩模23的窗口26內(nèi)。
這樣，如薄膜元件22B不能進入到窗口26內(nèi)，則就不能知道應(yīng)將曝光用掩模23向哪個方向移動，無法與滑塊條20對準位置，就會造成設(shè)備開工率下降，定位精度降低。
因此，要想用圖6、7所示的曝光用掩模23提高設(shè)備的開工率，就必須進一步提高各滑塊條20上形成的薄膜元件22的位置精度。
本發(fā)明是為了解決上述現(xiàn)有存在的問題而開發(fā)、完成的，其目的特別是為了提供一種即使滑塊小型化，也能提高設(shè)備開工率與對準精度的曝光用掩模以及采用該曝光用掩模的曝光方法。
本發(fā)明是一種用來對端面上有薄膜元件的基板表面形成的抗蝕劑層進行曝光，使該抗蝕劑層留下ABS面的形狀的曝光用掩模，其中，在上述曝光用的透光部內(nèi)，設(shè)置以上述薄膜元件為基準來確定基板與透光部相對位置的標記。
根據(jù)本發(fā)明，感光性抗蝕劑層是負片型的，上述標記在ABS面形狀的透光部內(nèi)，或者感光性抗蝕劑層是正片型的，上述標記在ABS面形狀以外的透光部內(nèi)。
根據(jù)本發(fā)明，上述標記可以設(shè)置于離上述薄膜元件相對于曝光用掩模所應(yīng)處的位置一定距離的位置上。
另外，本發(fā)明具有采用上述曝光用掩模，通過設(shè)置于上述曝光用掩模的透光部內(nèi)的標記，以薄膜元件為基準確定基板與透光部的相對位置的工序；通過上述曝光用掩模的透光部，對上述基板表面的感光性抗蝕劑層進行曝光的工序；以及對曝光后的感光性抗蝕劑層進行顯影，使上述抗蝕劑層留下ABS面形狀的工序。
根據(jù)本發(fā)明，也可以將上述標記與薄膜元件的位置對準，然后將上述曝光用掩模拉開一定的距離，來確定基板與透光部的相對位置。
現(xiàn)有曝光工序所用的曝光用掩模的形狀如圖6所示，在與ABS面相同形狀的透光部24、24之間，形成具有對準曝光用掩模23的透光部24與滑塊條20的薄膜元件22的位置用的校準鍵(標記)25、25的窗口26。
但是，因為透光部24、24之間的間隔極窄，上述窗口26的大小不可能開得太大，所以，即使為了對準該窗口26內(nèi)的校準鍵25與滑塊條20的薄膜元件22的位置，而移動曝光用掩模23，上述薄膜元件22仍有可能不出現(xiàn)于上述曝光用掩模23上形成的窗口26內(nèi)，如薄膜元件22不出現(xiàn)于窗口26內(nèi)，則就不可能將上述曝光用掩模23與滑塊條20定位于恰當?shù)奈恢谩?br> 為了在面積盡可能大的部分形成上述校準鍵，在本發(fā)明中，上述校準鍵形成于形成ABS面所需的透光部內(nèi)。
圖2與圖4所示的曝光用掩模是本發(fā)明的一種實施方式。
例如，圖2所示的曝光用掩模4，就是在與ABS面同一形狀的透光部5A內(nèi)形成兩個校準鍵6、6的。
形成上述校準鍵6、6的透光部5A的地方是被稱為ABS面的軌道部的那一部分，該部分的面積很大。
因此，只要在上述透光部5A內(nèi)形成校準鍵6，則如

圖1所示，若干條滑塊條1并列配置，例如，在使圖2所示的曝光用掩模4向圖示的上下方向移動，并使上述曝光用掩模4從一條滑塊條1向相鄰的滑塊條1移動的情況下，相鄰滑塊條1的薄膜元件3就很有可能出現(xiàn)在上述曝光用掩模4的透光部5A內(nèi)，這樣就可以將該薄膜元件3與上述透光部5A內(nèi)形成的校準鍵6的位置對準。
圖1是若干條滑塊條相對面向上排列的平面圖。
圖2是表示設(shè)置于本發(fā)明第一實施方式的曝光用掩模內(nèi)的校準鍵(標記)與滑塊條的薄膜元件位置對準狀態(tài)的平面圖。
圖3是表示將曝光用掩模從圖2所示狀態(tài)拉開一定距離狀態(tài)的平面圖。
圖4是表示本發(fā)明第二實施方式的曝光用掩模形狀的平面圖。
圖5是若干條滑塊條相對面向上排列的平面圖。
圖6是表示設(shè)置于現(xiàn)有的曝光用掩模內(nèi)的校準鍵(標記)與滑塊條的薄膜元件位置對準狀態(tài)的平面圖。
圖7是表示將曝光用掩模從圖6所示狀態(tài)拉開一定距離狀態(tài)的平面圖。
裝載于磁頭裝置上的滑塊由陶瓷材料形成，在該滑塊的后側(cè)端面形成有薄膜元件。
上述薄膜元件，由具有AMR元件或旋轉(zhuǎn)閥(スピソバルブ)型薄膜元件等具有磁阻效果元件層的再現(xiàn)用MR頭，與磁性材料制成的磁芯與線圈形成的記錄用感應(yīng)頭層積而成。
在上述滑塊上，與記錄介質(zhì)相對的面(ABS面；懸浮面)相反的一面，裝上板簧材料形成的撓性構(gòu)件或承重梁式的支承部件，磁頭裝置即告完成。
上述磁頭裝置是以CSS等方式工作的，滑塊先是處于與記錄介質(zhì)接觸的狀態(tài)，上述記錄介質(zhì)一開始滑動，滑塊與上述記錄介質(zhì)表面之間即導(dǎo)入氣流，上述懸浮面(ABS面)受到氣流的懸浮力，上述滑塊即懸浮于記錄介質(zhì)的表面。
在該懸浮狀態(tài)下，設(shè)于上述滑塊后側(cè)端面的薄膜元件，對記錄介質(zhì)進行記錄與再現(xiàn)。
下面對上述滑塊的制造工序進行說明。
先將作為上述滑塊原料的陶瓷材料形成圓形，再利用噴濺法，在上述陶瓷材料上并列地成膜若干薄膜元件。
然后將上述陶瓷材料切割成薄片狀，使上述陶瓷材料成為若干細長形的滑塊條。
如圖1所示，將若干條滑塊條1并排，讓其與記錄介質(zhì)相對的面2向上，用夾具等固定上述的滑塊條1。
如圖1所示，在上述滑塊條1的相對面2上有若干薄膜元件3。
接著，在上述滑塊條1的上面(相對面2)粘貼干抗蝕劑薄膜，或者涂敷液體抗蝕劑。該抗蝕劑薄膜與液體抗蝕劑為負片型。
然后，用曝光用掩模對上述滑塊條1上形成的抗蝕劑層表面進行若干ABS面蝕刻圖形曝光。
本發(fā)明所用的曝光用掩模4的形狀如圖2所示。
該形狀是在滑塊條1上形成的抗蝕劑層為負片型時所用的形狀。
如圖2所示，在上述曝光用掩模4上并列地形成有若干透光部5A、5B、5C……，除此以外的部分，為例如用Cr(鉻)膜等形成的遮光部7。
在圖2所示的最右側(cè)形成的透光部5A上，形成兩個校準鍵(標記)6、6。該校準鍵6也用上述的Cr膜形成。上述的校準鍵6的大小設(shè)定在抗蝕劑的分辨率以下，要使上述滑塊條1上的抗蝕劑層表面不會形成校準鍵6的圖形。
在本發(fā)明中，上述校準鍵6的形狀沒有任何限制，圖2所示的校準鍵6、6是線狀的，但是也可以例如是點狀的，或者是其它別的形狀的。對該校準鍵6的個數(shù)，本發(fā)明也沒有什么限制。
在本發(fā)明中，只在一個透光部5A內(nèi)形成有上述校準鍵6、6，但是也不妨在其它透光部5A內(nèi)形成有上述校準鍵6。
在圖2所示的曝光用掩模4上，形成有例如三個透光部5A、5B、5C，在其中的一個透光部5A內(nèi)形成有上述校準鍵6、6。
上述透光部5A、5B、5C的形狀與應(yīng)在滑塊條1上的抗蝕劑層表面形成的ABS面的平面形狀相同，如圖2所示，上述透光部5A、5B、5C的形狀與ABS面的平面形狀相匹配，形成如“コ”字形。
在上述透光部5A中，形成校準鍵6的部分是被稱為ABS面軌道部的部分，該部分的面積很大。
如圖2所示，將上述曝光用掩模4與滑塊條1的位置對準，使薄膜元件3處于曝光用掩模4的透光部5A內(nèi)所設(shè)的兩個校準鍵6、6的中央。
然后，如圖3所示，將上述曝光用掩模4向圖中所示的下側(cè)滑動預(yù)先設(shè)定的距離，上述曝光用掩模4的全部透光部5A、5B、5C與薄膜元件3的位置便告對準。
在本發(fā)明中，如圖3所示，因為位置對準后的曝光用掩模4的透光部5A內(nèi)的薄膜元件3的位置，與上述透光部5A內(nèi)的兩個校準鍵6的位置，是排列在圖中所示的縱向一直線上的，所以在圖2所示的上述校準鍵6與薄膜元件3的位置對準之后，只要將上述曝光用掩模4向一個方向(圖中所示的下側(cè))滑動，上述曝光用掩模4的透光部5A、5B、5C與滑塊條1的位置便告對準。
接下來，在圖3所示的狀態(tài)下，通過透光部5A、5B、5C，在上述滑塊條1的相對面2上的抗蝕劑層表面，使ABS面蝕刻圖形曝光。
然后，使上述曝光用掩模向圖中所示的左側(cè)滑動。通過使其滑動，尚未曝光的滑塊條1的相對面2上的薄膜元件3出現(xiàn)在曝光用掩模4的透光部5A內(nèi)。
接著，使上述曝光用掩模4上下、左右滑動，調(diào)整上述曝光用掩模4的位置，使薄膜元件3處于透光部5A內(nèi)形成的兩個校準鍵6、6的中央。
然后如上所述，將曝光用掩模4向圖中的下側(cè)滑動(參照圖3)，再進行曝光。
反復(fù)進行這道工序，直至在一條滑塊條1上形成的抗蝕劑層的全部表面上，使若干ABS面蝕刻圖形曝光。
對一條滑塊條1進行的曝光工序結(jié)束后，將上述曝光用掩模4向圖中所示的上側(cè)或圖中所示的下側(cè)移動，在與上述滑塊條1相鄰的滑塊條1上的抗蝕劑層上，進行圖2、圖3說明的曝光用掩模4的透光部5A與滑塊條1的薄膜元件3的位置對準，并進行曝光。
這樣，在圖1所示的全部滑塊條1的相對面2上形成的抗蝕劑層的表面，均曝光形成了ABS面蝕刻圖形。
接著，用顯影液將上述抗蝕劑層的不必要的部分除去。
因為如上所述，滑塊條1的相對面2上形成的抗蝕劑層是負片型的，所以曝光部分，即與圖3所示的曝光用掩模4的透光部5形狀相同的抗蝕劑層殘留在所示滑塊條1的相對面2上，與遮光部7相對向部分的抗蝕劑層被除去。
除去上述抗蝕劑層之后，對滑塊條1的相對面2露出的部分進行干蝕刻，再將上述相對面2上殘留的抗蝕劑層除去，便可在圖1所示的全部滑塊條1的相對面2上形成特定形狀的若干ABS面。
最后，從相對面2上形成的ABS面之間將上述滑塊條1切斷，便可由上述滑塊條1制得若干個滑塊。
由于在曝光用掩模4的透光部5A內(nèi)形成的校準鍵6是由Cr膜形成的，所以在該校準鍵6的部分，滑塊條1的相對面2上形成的抗蝕劑層按說是不會被曝光的，但是因為上述校準鍵6的大小設(shè)定為低于抗蝕劑的分辨率，而且上述校準鍵6、6之間的間隔非常窄小，因此，在進行圖3所示的狀態(tài)下曝光時，位于上述校準鍵6下面的抗蝕劑層也被曝光。
這樣，在曝光之后，在殘留的形狀與上述透光部5A相同的抗蝕劑層表面，不會形成上述校準鍵6的圖形，所以即使在曝光用掩模4的透光部5內(nèi)形成校準鍵6，也不會對ABS面的形成產(chǎn)生什么大影響。
如圖3所示，曝光用掩模4的透光部5A內(nèi)形成的校準鍵6、6形成于離開上述配置于上述透光部5A內(nèi)的薄膜元件3一定距離的位置，但是在本發(fā)明中，也可以將上述校準鍵6、6之間的中央部位事先就形成在與透光部5A內(nèi)上述薄膜元件所應(yīng)配置的位置相同的位置上。
這樣，從一開始，透光部5A內(nèi)上述校準鍵6、6之間的中央部位便與透光部5A內(nèi)上述薄膜元件所應(yīng)配置的位置對準了，在上述校準鍵6、6之間的中央部位與薄膜元件3的位置對準之后，立刻便可進行曝光。也就是說可以省去圖3所示的將曝光用掩模4滑動的工序。
在本發(fā)明中，即使如圖1所示，配置于圖示最上側(cè)的滑塊條1的薄膜元件3A與配置于上述滑塊條1下側(cè)的薄膜元件3B不在圖中所示的縱向一直線上，因為曝光用掩模4上形成的校準鍵6是設(shè)置于面積很大的透光部5A內(nèi)的，因此在移動曝光用掩模4時，薄膜元件也跳不出上述曝光用掩模4的透光部5A的范圍，曝光用掩模4的透光部5A與滑塊條1的薄膜元件的位置很容易對準。
根據(jù)本發(fā)明，對于圖1所示的若干條滑塊條1，用圖2所示的曝光用掩模4進行上述曝光用掩模4與滑塊條1的位置對準的情況，同用圖6所示的現(xiàn)有的曝光用掩模23進行上述曝光用掩模23與滑塊條1的位置對準的情況相比，其位置不能對準的發(fā)生率(識別錯誤率)經(jīng)測定，結(jié)果如表1所示，用圖2所示的曝光用掩模4時，錯誤發(fā)生率為1.2(％)，用圖6所示的曝光用掩模23時，錯誤發(fā)生率為14(％)。表1<
>在本發(fā)明中，滑塊條1的相對面2上形成的抗蝕劑層如為正片型時，曝光所用的曝光用掩模的形狀如圖4所示。
在圖4所示的曝光用掩模8中，與ABS面相同形狀的、標以符號9的部分是遮光部，用Cr膜等形成。
上述遮光部9以外的部分為透光部10，在該透光部10上用Cr膜形成校準鍵11、11。
在本發(fā)明中，上述校準鍵11的形成位置也可以在透光部10內(nèi)。
這樣，根據(jù)本發(fā)明，上述校準鍵11便可在很大的范圍內(nèi)(透光部10內(nèi))形成。
使用該曝光用掩模8的曝光方法與圖2、圖3說明的曝光方法一樣。
也就是說，先將圖4所示的曝光用掩模8與滑塊條1的位置對準，以便上述滑塊條1(參照圖1)的薄膜元件3位于上述曝光用掩模8的透光部10上形成的兩個校準鍵11、11之間的中央部。
接著，使上述曝光用掩模8滑動一定的距離，則滑塊條1的薄膜元件3處于上述曝光用掩模8的遮光部9內(nèi)的一定位置上。
因為圖4所示的上述曝光用掩模8的透光部10內(nèi)形成的校準鍵11的位置，與配置于遮光部9內(nèi)一定位置的薄膜元件3的位置，是在圖中所示的橫向同一直線上的，所以在上述校準鍵11與薄膜元件3的位置對準后，只要使上述曝光用掩模8向一個方向(圖中所示的左方向或右方向)滑動，便可完成上述曝光用掩模8的遮光部9與滑塊條1的位置對準。
在滑塊條1與曝光用掩模8的位置對準后，進行曝光、顯影。
用顯影液將曝光部分的抗蝕劑層除去，在滑塊條1的相對面2上殘留下了與圖4所示的遮光部9形狀相同的抗蝕劑層。
此后，進行干蝕刻，再將殘留的抗蝕劑層除去，便可在滑塊條1的相對面2上形成若干一定形狀的ABS面。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，在對具有薄膜元件3的滑塊條1的表面(相對面2)形成的感光性抗蝕劑層進行曝光，使該抗蝕劑層殘留下ABS面形狀時所用的曝光用掩模，在其曝光用的透光部(在圖2中以符號5A、5B、5C表示，在圖4中以符號10表示)內(nèi)，設(shè)有以上述薄膜元件3為基準、確定滑塊條1與透光部相對位置的標記(校準鍵)。
根據(jù)本發(fā)明，即使隨著滑塊的小型化，滑塊條1本身的大小也變小，因為本發(fā)明將位置對準用的標記設(shè)置于面積很大的透光部內(nèi)，因此可以容易地以薄膜元件3為基準將滑塊條1與透光部的位置對準，提高對準精度以及設(shè)備的開工率。
因為在面積很大的透光部內(nèi)設(shè)置標記，因此即使滑塊條1上形成的薄膜元件3的位置精度稍差，在對準位置而移動曝光用掩模時，上述薄膜元件3也容易進入曝光用掩模上形成的上述透光部內(nèi)，可以確切地將滑塊條1的薄膜元件3與曝光用掩模的透光部的位置對準。
根據(jù)上面詳細說明的本發(fā)明，在對具有薄膜元件的滑塊條的表面形成的感光性抗蝕劑層進行曝光，使該抗蝕劑層殘留下ABS面形狀時所用的曝光用掩模上，在其進行上述的曝光用的透光部內(nèi)，設(shè)有以上述薄膜元件為基準、確定基板與透光部相對位置的標記。
特別是，根據(jù)本發(fā)明，即使隨著滑塊的小型化，滑塊條本身的大小也變小，因為本發(fā)明將位置對準用的標記設(shè)置于面積很大的透光部內(nèi)，因此可以容易地以薄膜元件為基準將滑塊條與透光部的位置對準，提高對準精度以及設(shè)備的開工率。
根據(jù)本發(fā)明，感光性抗蝕劑層不管是負片型還是正片型，均可通過在透光部內(nèi)設(shè)置標記而達到上述效果。
權(quán)利要求
1．一種曝光用掩模，它是用來對端面上有元件的基板表面形成的抗蝕劑層進行曝光，使該抗蝕劑層留下ABS面的形狀的曝光用掩模，其特征是，在上述曝光用的透光部內(nèi)，設(shè)置以上述元件為基準來確定基板與透光部相對位置的標記。
2．根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光用掩模，其特征是，感光性抗蝕劑層是負片型的，上述標記在ABS面形狀的透光部內(nèi)。
3．根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光用掩模，其特征是，感光性抗蝕劑層是正片型的，上述標記在ABS面形狀以外的透光部內(nèi)。
4．根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光用掩模，其特征是，上述標記可以設(shè)置于離上述元件相對于曝光用掩模所應(yīng)處的位置一定距離的位置上。
5．根據(jù)權(quán)利要求2所述的曝光用掩模，其特征是，上述標記可以設(shè)置于離上述元件相對于曝光用掩模所應(yīng)處的位置一定距離的位置上。
6．根據(jù)權(quán)利要求3所述的曝光用掩模，其特征是，上述標記可以設(shè)置于離上述元件相對于曝光用掩模所應(yīng)處的位置一定距離的位置上。
7．一種曝光方法，其特征是，具有采用權(quán)利要求1所述的曝光用掩模，通過設(shè)置于上述曝光用掩模的透光部內(nèi)的標記，以元件為基準確定基板與透光部的相對位置的工序；通過上述曝光用掩模的透光部對上述基板表面的感光性抗蝕劑層進行曝光的工序；以及對曝光后的感光性抗蝕劑層進行顯影，使上述抗蝕劑層留下ABS面形狀的工序。
8．根據(jù)權(quán)利要求7所述的曝光方法，其特征是，將上述標記與元件的位置對準，然后將上述曝光用掩模拉開一定的距離來確定基板與透光部的相對位置。
全文摘要
在面積很大的透光部5A內(nèi)設(shè)置校準鍵(標記)6。通過這種方法,為了對準位置,即使將曝光用掩模4上下、左右移動,滑塊條1的薄膜元件3均能恰當?shù)剡M入上述透光部5A內(nèi),可以容易地將曝光用掩模4的透光部5A與滑塊條1的薄膜元件3的位置對準。
文檔編號G11B5/39GK1235351SQ99105560
公開日1999年11月17日 申請日期1999年4月12日 優(yōu)先權(quán)日1998年4月23日
發(fā)明者佐藤俊彥, 巖崎純, 池上正克, 小林政美, 橫山雅春 申請人:阿爾卑斯電氣株式會社