技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本公開的實(shí)施例總體上涉及數(shù)據(jù)儲(chǔ)存和計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)，更具體地涉及SOT?MRAM芯片結(jié)構(gòu)。SOT?MRAM芯片結(jié)構(gòu)包括多個(gè)引線、多個(gè)存儲(chǔ)器單元以及多個(gè)晶體管。引線可以由具有大自旋?軌道耦合強(qiáng)度和高電阻率的材料制成。每個(gè)單獨(dú)的引線可包括多個(gè)第一部分和與第一部分區(qū)分開的多個(gè)第二部分。第二部分的電阻率小于第一部分的電阻率，所以引線的總電阻率減小，導(dǎo)致改進(jìn)的功率效率和信噪比。

技術(shù)研發(fā)人員：P.M.布拉干薩;H-W.曾;L.萬(wàn)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：HGST荷蘭公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.10.24
技術(shù)公布日：2017.08.15