1.一種電阻式記憶胞的寫入方法,其特征在于,包括:
提供參考電壓至電阻式記憶胞的位線;以及
提供第一電壓至所述電阻式記憶胞的字符線,且提供第二電壓至所述電阻式記憶胞的源極線,其中所述第一電壓不隨著所述第二電壓的逐次調(diào)高而提高其電壓值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻式記憶胞的寫入方法,其特征在于,所述第一電壓為固定電壓值。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻式記憶胞的寫入方法,其特征在于,所述第一電壓隨著所述第二電壓的逐次提高而降低其電壓值。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻式記憶胞的寫入方法,其特征在于,所述第一電壓與所述第二電壓的電壓值的和為定值。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻式記憶胞的寫入方法,其特征在于,所述第二電壓的起始電壓值為2V或0V。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻式記憶胞的寫入方法,其特征在于,所述第一電壓的起始電壓值為所述電阻式記憶胞所能承受的最大電壓值。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電阻式記憶胞的寫入方法,其特征在于,所述第一電壓的起始電壓值為4.3V。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻式記憶胞的寫入方法,其特征在于,所述寫入方法為所述電阻式記憶胞的數(shù)據(jù)重置方法。
9.一種電阻式內(nèi)存,其特征在于,包括:
至少一個電阻式記憶胞;
字符線信號提供電路,耦接至所述至少一個電阻式記憶胞的字符線;
位線信號提供電路,耦接至所述至少一個電阻式記憶胞的位線;以及
源極線信號提供電路,耦接至所述至少一個電阻式記憶胞的源極線,其中當(dāng)所述至少一個電阻式記憶胞進(jìn)行重置操作時,所述位線信號提供電路提供參考電壓至所述至少一個電阻式記憶胞的位 線,所述字符線信號提供電路提供第一電壓至所述至少一個電阻式記憶胞的字符線,且所述源極線信號提供電路提供第二電壓至所述至少一個電阻式記憶胞的源極線,
其中所述第一電壓不隨著所述第二電壓的逐次調(diào)高而提高其電壓值。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電阻式內(nèi)存,其特征在于,所述第一電壓為固定電壓值。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電阻式內(nèi)存,其特征在于,所述第一電壓隨著所述第一電壓的逐次提高而降低其電壓值。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電阻式內(nèi)存,其特征在于,所述第一電壓與所述第二電壓的電壓值的和為定值。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電阻式內(nèi)存,其特征在于,所述第一電壓的電壓值為所述電阻式記憶胞所能承受的最大電壓值。