半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置和包括其的存儲(chǔ)系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置包括:多個(gè)字線,所述多個(gè)字線中的每個(gè)連接至多個(gè)存儲(chǔ)器單元;行控制單元,適于在目標(biāo)激活模式期間順序地激活和預(yù)充電對(duì)應(yīng)于目標(biāo)地址的字線和預(yù)定(N)數(shù)目個(gè)相鄰字線;以及模式退出控制單元,適于在目標(biāo)激活模式期間對(duì)由行控制單元進(jìn)行的激活操作的數(shù)目計(jì)數(shù),以判斷是否從目標(biāo)激活模式退出。
【專利說明】半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置和包括其的存儲(chǔ)系統(tǒng)
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)要求于2013年6月17日提交的韓國專利申請(qǐng)第10-2013-0069152號(hào)的優(yōu)先權(quán),其全部內(nèi)容通過引用并入本文中。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及半導(dǎo)體設(shè)計(jì)技術(shù),且更具體而言涉及用于防止因字線干擾導(dǎo)致劣化的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置、所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的操作方法、以及包括所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的存儲(chǔ)系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0004]隨著存儲(chǔ)器的集成度提高,存儲(chǔ)器(諸如DRAM)中所包括的字線之間的空間減小。隨著字線之間的空間減小,相鄰字線之間的耦合效應(yīng)可能增加。
[0005]同時(shí),每當(dāng)將數(shù)據(jù)輸入至存儲(chǔ)器單元和從存儲(chǔ)器單元輸出數(shù)據(jù)時(shí),在激活狀態(tài)與去激活狀態(tài)之間觸發(fā)字線。如上文所述,由于相鄰字線之間的耦合效應(yīng)可能增加,因此連接到與頻繁激活的字線相鄰的字線的存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)可能劣化。此現(xiàn)象稱為字線干擾或字線擊打(word line hammer)0由于字線干擾,存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)可能在要刷新的存儲(chǔ)器單元的預(yù)期保持時(shí)間內(nèi)劣化。
[0006]圖1是示出DRAM中所包括的單元陣列的一部分的圖,用于解釋字線干擾。
[0007]在圖1中,“WLL”對(duì)應(yīng)于頻繁激活的字線,其具有大量激活次數(shù)(或高激活頻率)。此外,“WLL-1”和“WLL+1”對(duì)應(yīng)于相鄰字線,其相鄰于所述頻繁激活的字線WLL安置。此外,“CL”表示與所述頻繁激活的字線WLL連接的存儲(chǔ)器單元,“CL-1”表示與相鄰字線WLL-1連接的存儲(chǔ)器單元,“CL+1”表示與相鄰字線WLL+1連接的存儲(chǔ)器單元。存儲(chǔ)器單元CL、CL-1和CL+1分別包括單元晶體管TL、TL-1和TL+1以及單元電容器CAPL、CAPL_1和CAPL+1。用于參考,“BL”和“BL+1 ”表示位線。
[0008]當(dāng)所述頻繁激活的字線WLL被激活或去激活時(shí),相鄰字線WLL-1和WLL+1的電壓由于字線WLL、WLL-1和WLL+1當(dāng)中發(fā)生的耦合現(xiàn)象而增加或減小。因此,充入單元電容器CAPL-1和CAPL+1中的電荷量受影響,使得存儲(chǔ)器單元CL-1和CL+1的數(shù)據(jù)可能劣化。
[0009]此外,由于字線在激活狀態(tài)與去激活狀態(tài)之間觸發(fā)時(shí)產(chǎn)生的電磁波將電子引入至與相鄰字線連接的存儲(chǔ)器單元的單元電容器中或從所述單元電容器將電子放電,因此數(shù)據(jù)可能劣化。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0010]各種實(shí)施例針對(duì)可將連接至與具有大量激活次數(shù)(或高激活頻率)的字線相鄰的字線的存儲(chǔ)器單元刷新的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置、所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的操作方法、以及包括所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的存儲(chǔ)系統(tǒng)。
[0011]此外,各種實(shí)施例針對(duì)可在不施加單獨(dú)的地址的情況下將連接至與具有大量激活次數(shù)(或高激活頻率)的字線相鄰的字線的存儲(chǔ)器單元刷新的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置、所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的操作方法、以及包括所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的存儲(chǔ)系統(tǒng)。
[0012]在一個(gè)實(shí)施例中,一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置可包括:多個(gè)字線,所述多個(gè)子線中的每個(gè)連接至多個(gè)存儲(chǔ)器單元;行控制單元,適于在目標(biāo)激活模式期間順序地激活和預(yù)充電對(duì)應(yīng)于目標(biāo)地址的字線和預(yù)定(N)數(shù)目個(gè)相鄰字線;以及模式退出控制單元,適于在目標(biāo)激活模式期間對(duì)由行控制單元進(jìn)行的激活操作的數(shù)目計(jì)數(shù),以判斷是否從目標(biāo)激活模式退出。
[0013]在一個(gè)實(shí)施例中,一種存儲(chǔ)系統(tǒng)可包括:存儲(chǔ)器控制器,適于傳輸用于進(jìn)入目標(biāo)激活模式的模式寄存器組(MRS)設(shè)定信號(hào)或目標(biāo)激活命令、用于執(zhí)行激活和預(yù)充電操作的激活和預(yù)充電命令、以及用于選擇字線的源地址,其中,源地址被分類為激活-預(yù)充電歷史滿足預(yù)定條件的目標(biāo)地址和激活-預(yù)充電歷史不滿足預(yù)定條件的正常地址;以及半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,適于響應(yīng)于MRS設(shè)定信號(hào)或目標(biāo)激活命令而進(jìn)入目標(biāo)激活模式、在目標(biāo)激活模式期間順序地激活和預(yù)充電對(duì)應(yīng)于目標(biāo)地址的目標(biāo)字線和預(yù)定(N)數(shù)目個(gè)相鄰字線、以及通過對(duì)激活操作的數(shù)目計(jì)數(shù)而從目標(biāo)激活模式退出。
[0014]在一個(gè)實(shí)施例中,一種用于操作具有多個(gè)字線的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的方法可包括以下步驟:通過模式寄存器組(MRS)設(shè)定或預(yù)設(shè)命令進(jìn)入目標(biāo)激活模式;響應(yīng)于目標(biāo)地址和激活命令的施加而順序地激活和預(yù)充電對(duì)應(yīng)于目標(biāo)地址的目標(biāo)字線和預(yù)定(N)數(shù)目個(gè)相鄰字線;以及通過在目標(biāo)激活模式期間對(duì)目標(biāo)字線和相鄰字線的激活次數(shù)計(jì)數(shù)而從目標(biāo)激活模式退出。
[0015]所述方法還可包括以下步驟:接收用于選擇字線的源地址;當(dāng)進(jìn)入目標(biāo)激活模式時(shí),將源地址分類為目標(biāo)地址和正常地址;在進(jìn)入目標(biāo)激活模式之后,當(dāng)施加正常地址和激活命令時(shí),激活和預(yù)充電對(duì)應(yīng)于正常地址的字線;以及在從目標(biāo)激活模式退出之后,當(dāng)施加源地址和激活命令時(shí),激活和預(yù)充電對(duì)應(yīng)于源地址的字線。
[0016]當(dāng)計(jì)數(shù)數(shù)目達(dá)到N+1時(shí),半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置可從目標(biāo)激活模式退出。
[0017]所述方法還可包括以下步驟:在將源地址分類之后鎖存目標(biāo)地址;以及在進(jìn)入目標(biāo)激活模式之后,判斷接收的源地址的值是否對(duì)應(yīng)于被鎖存的目標(biāo)地址的值。
[0018]順序地激活和預(yù)充電目標(biāo)字線可包括以下步驟:第一激活動(dòng)作,即,在進(jìn)入動(dòng)作之后,當(dāng)施加激活命令時(shí),響應(yīng)于經(jīng)由接收步驟而施加的源地址的值對(duì)應(yīng)于目標(biāo)地址的值,激活和預(yù)充電對(duì)應(yīng)于目標(biāo)地址的字線;在用于執(zhí)行第一激活動(dòng)作的時(shí)間,選擇從對(duì)應(yīng)于目標(biāo)地址的值的源地址的值沿兩個(gè)方向觀看時(shí)具有順序相鄰值的N數(shù)目個(gè)地址;以及第二激活動(dòng)作,即,在第一激活動(dòng)作之后,當(dāng)施加激活命令時(shí),每當(dāng)經(jīng)由接收命令而施加的源地址的值對(duì)應(yīng)于目標(biāo)地址的值時(shí),順序地激活和預(yù)充電對(duì)應(yīng)于在選擇步驟中選擇的N數(shù)目個(gè)地址的字線。
[0019]所述選擇步驟可選擇分別對(duì)應(yīng)于多個(gè)字線當(dāng)中的至少兩個(gè)字線的至少兩個(gè)地址作為所述N數(shù)目個(gè)地址,所述至少兩個(gè)字線在與具有目標(biāo)地址的值的源地址相對(duì)應(yīng)的字線兩側(cè)物理上相鄰安置。
[0020]根據(jù)以上實(shí)施例,可以將連接至與具有大量激活次數(shù)(或高激活頻率)的字線相鄰的字線的存儲(chǔ)器單元刷新,由此實(shí)質(zhì)上防止所述存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)由于字線干擾而劣化。
[0021]此外,根據(jù)以上實(shí)施例,可以在不被施加單獨(dú)的地址的情況下將連接至與具有大量激活次數(shù)(或高激活頻率)的字線相鄰的字線的存儲(chǔ)器單元刷新,由此縮短防止所述存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)由于字線干擾而劣化所需的時(shí)間。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0022]圖1是說明DRAM中所包括的單元陣列的一部分的圖,用于解釋字線干擾。
[0023]圖2是用于說明目標(biāo)激活模式中的操作的時(shí)序圖。
[0024]圖3是說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的方框圖。
[0025]圖4是說明圖3中所示的模式退出控制單元的詳細(xì)圖。
[0026]圖5是說明圖3中所示的地址判斷單元的詳細(xì)圖。
[0027]圖6是說明圖3中所示的行控制單元的詳細(xì)圖。
[0028]圖7是說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的方框圖。
[0029]圖8是說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的時(shí)序圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030]下面將參照附圖更詳細(xì)地描述各種實(shí)施例。然而,本發(fā)明可以用不同的方式實(shí)施,而不應(yīng)解釋為局限于本文所列的實(shí)施例。確切地說,提供這些實(shí)施例使得本公開充分與完整,并向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分傳達(dá)本發(fā)明的范圍。在本公開中,附圖標(biāo)記直接對(duì)應(yīng)于在本發(fā)明的不同附圖和實(shí)施例中相似編號(hào)的部分。也應(yīng)當(dāng)注意的是,在本說明書中,“連接/耦接”不僅表示一個(gè)部件與另一個(gè)部件直接耦接,還表示經(jīng)由中間部件與另一個(gè)部件間接耦接。另外,只要未在句子中特意提及,單數(shù)形式可以包括復(fù)數(shù)形式。
[0031]圖2是用于說明目標(biāo)激活模式中的操作或目標(biāo)激活操作的圖。在以下說明中,目標(biāo)激活模式是指如下的特定刷新模式:其中可刷新或激活與具有大量激活次數(shù)(或高激活頻率)的目標(biāo)字線或頻繁激活的字線相鄰安置的相鄰字線。
[0032]半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置包括多個(gè)字線,且存儲(chǔ)器控制器(圖2中未示出)將諸如命令信號(hào)CMDs的各種信號(hào)、地址ADDs、和數(shù)據(jù)(圖2中未示出)施加至半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置以控制半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。下文中,與字線當(dāng)中的第L字線(其中L是大于I的自然數(shù))相對(duì)應(yīng)的地址的值將由“L”表示。
[0033]半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置或存儲(chǔ)器控制器以預(yù)定方式檢測字線當(dāng)中的具有大量激活次數(shù)(或高激活頻率)的目標(biāo)字線的目標(biāo)地址。
[0034]當(dāng)檢測到目標(biāo)地址時(shí),存儲(chǔ)器控制器施加命令信號(hào)CMDs和地址ADDs以允許半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置執(zhí)行目標(biāo)激活操作。半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置響應(yīng)于所施加的命令CMDs和地址ADDs而進(jìn)入目標(biāo)激活模式。
[0035]在目標(biāo)激活操作中,存儲(chǔ)器控制器將目標(biāo)地址和對(duì)應(yīng)于與目標(biāo)字線相鄰的字線的相鄰地址施加至半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。下文中,將針對(duì)目標(biāo)地址是“L”的情況作出說明。
[0036]在目標(biāo)激活操作中,將目標(biāo)地址L與激活命令A(yù)CT —起施加至半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,且在預(yù)定時(shí)間過去之后,將預(yù)充電命令PRE施加至半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置激活且接著預(yù)充電或去激活目標(biāo)字線。
[0037]接下來,順序地施加相鄰地址L+1和L-1。在圖2中,將相鄰地址L+1與第二激活命令A(yù)CT —起施加,以及將相鄰地址L-1與第三激活命令A(yù)CT —起施加。因此,分別激活對(duì)應(yīng)于相鄰地址L+1和L-1的相鄰字線WLL+1和WLL-1,且將連接至相鄰字線WLL+1和WLL-1的存儲(chǔ)器單元刷新。施加相鄰地址L+1和L-1的順序可改變。
[0038]在以此方式防止因字線干擾導(dǎo)致數(shù)據(jù)劣化的情況下,由于存儲(chǔ)器控制器應(yīng)分別將用于刷新目標(biāo)字線和相鄰字線的命令CMDs以及地址ADDs L、L+1和L-1直接輸入至半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,因此操作時(shí)間可能增加。
[0039]圖3是說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的方框圖。
[0040]參考圖3,半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置可包括存儲(chǔ)器單元陣列370、模式設(shè)定單元300、地址輸入單元310、行控制單元320、目標(biāo)地址鎖存器330、模式退出控制單元340、地址判斷單元350、刷新操作控制單元360、以及源地址鎖存器380。此處,模式設(shè)定單元300可包括命令模式設(shè)定部302和/或MRS模式設(shè)定部304。
[0041]模式設(shè)定單元300可響應(yīng)于MRS設(shè)定或預(yù)設(shè)命令而設(shè)定半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置進(jìn)入目標(biāo)激活模式,以及響應(yīng)于模式退出信號(hào)TRR_EXIT而設(shè)定半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置從目標(biāo)激活模式退出。模式設(shè)定單元300可設(shè)定目標(biāo)地址TRR_ADDR的值。
[0042]詳細(xì)而言,模式設(shè)定單元300通過響應(yīng)于MRS設(shè)定或預(yù)設(shè)命令而激活模式使能信號(hào)TRR_EN來使半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置進(jìn)入目標(biāo)激活模式。此外,模式設(shè)定單元300通過響應(yīng)于模式退出信號(hào)TRR_EXIT的激活而去激活模式使能信號(hào)TRR_EN來使半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置從目標(biāo)激活模式退出。此外,模式設(shè)定單元300可通過被輸入代表目標(biāo)地址TRR_ADDR的值的選用信號(hào)來設(shè)定目標(biāo)地址TRR_ADDR的值。舉例而言,模式設(shè)定單元300可通過被輸入MRS設(shè)定碼SETTING來判斷目標(biāo)地址TRR_ADDR的值,所述MRS設(shè)定碼SETTING對(duì)應(yīng)于經(jīng)由地址輸入單元310從半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的外部施加的源地址IN_ADDR的特定比特。
[0043]S卩,在目標(biāo)激活模式期間,模式使能信號(hào)TRR_EN維持激活狀態(tài)。相反,在從目標(biāo)激活模式退出之后,模式使能信號(hào)TRR_EN維持去激活狀態(tài)。即使進(jìn)入目標(biāo)激活模式時(shí),也可執(zhí)行半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的一般操作。即,即使進(jìn)入目標(biāo)激活模式時(shí),也可在沒有限制的情況下執(zhí)行半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的一般操作,諸如數(shù)據(jù)讀取/寫入。由于經(jīng)由地址輸入單元310施加的源地址IN_ADDR在目標(biāo)激活模式期間不具有目標(biāo)地址TRR_ADDR的值,因此行控制單元320可不執(zhí)行目標(biāo)激活操作。
[0044]模式設(shè)定單元300包括命令模式設(shè)定部302和/或MRS模式設(shè)定部304。即,模式設(shè)定單元300可僅包括命令模式設(shè)定部302、可僅包括MRS模式設(shè)定部304、或可包括命令模式設(shè)定部302和MRS模式設(shè)定部304兩者。命令模式設(shè)定部302響應(yīng)于預(yù)設(shè)命令而使半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置進(jìn)入目標(biāo)激活模式或從目標(biāo)激活模式退出。MRS模式設(shè)定部304響應(yīng)于MRS設(shè)定而使半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置進(jìn)入目標(biāo)激活模式或從目標(biāo)激活模式退出。
[0045]MRS設(shè)定是指模式寄存器組(MRS)的設(shè)定,可照原樣使用在一般半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中設(shè)定MRS的方案。S卩,可經(jīng)由MRS設(shè)定碼SETTING來執(zhí)行MRS設(shè)定。MRS設(shè)定碼SETTING可施加至MRS模式設(shè)定部304。因此,MRS模式設(shè)定部304使用MRS設(shè)定碼SETTING來執(zhí)行判斷是否激活模式使能信號(hào)TRR_EN的操作以及判斷目標(biāo)地址TRR_ADDR的值的操作以用于控制進(jìn)入目標(biāo)激活模式。MRS模式設(shè)定部304響應(yīng)于MRS設(shè)定碼SETTING而執(zhí)行判斷是否激活模式使能信號(hào)TRR_EN的操作以及判斷目標(biāo)地址TRR_ADDR的值的操作,以及響應(yīng)于模式退出信號(hào)TRR_EXIT而執(zhí)行判斷是否去激活模式使能信號(hào)TRR_EN的操作。
[0046]施加至模式設(shè)定單元300的預(yù)設(shè)命令是指除一般施加至半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的各種命令、諸如讀取命令和寫入命令之外的被預(yù)設(shè)為控制進(jìn)入目標(biāo)激活模式的單獨(dú)的命令。當(dāng)然,類似于一般施加至半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的各種命令、諸如讀取命令和寫入命令,經(jīng)由輸入命令的路徑來將所述預(yù)設(shè)命令施加至模式設(shè)定單元300。將所述預(yù)設(shè)命令施加至模式設(shè)定單元300的組成元件之中的命令模式設(shè)定部302。命令模式設(shè)定部302使用從外部施加的預(yù)設(shè)命令來執(zhí)行判斷是否激活模式使能信號(hào)TRR_EN的操作以用于控制進(jìn)入目標(biāo)激活模式,以及使用MRS設(shè)定碼SETTING來執(zhí)行判斷目標(biāo)地址TRR_ADDR的值的操作。即,命令模式設(shè)定部302響應(yīng)于從外部施加的預(yù)設(shè)命令而執(zhí)行判斷是否激活模式使能信號(hào)TRR_EN的操作、使用MRS設(shè)定碼SETTING來執(zhí)行判斷目標(biāo)地址的值的操作、以及響應(yīng)于模式退出信號(hào)TRR_EXIT而執(zhí)行判斷是否去激活模式使能信號(hào)TRR_EN的操作。
[0047]地址輸入單元310可緩沖從外部施加的地址信號(hào)ADDRs,且產(chǎn)生源地址IN_ADDR。用于參考,源地址IN_ADDR可包括多個(gè)比特,且可將源地址IN_ADDR的這些比特當(dāng)中的特定比特施加至模式設(shè)定單元300作為MRS設(shè)定碼SETTING。源地址IN_ADDR的這些比特當(dāng)中的要用作MRS設(shè)定碼SETTING的特定比特的判斷可由設(shè)計(jì)者改變。隨著在進(jìn)入目標(biāo)激活模式時(shí)的時(shí)間點(diǎn)由模式設(shè)定單元300判斷出目標(biāo)地址的值,施加至地址輸入單元310的源地址IN_ADDR可被分類為目標(biāo)地址和正常地址。即,在進(jìn)入目標(biāo)激活模式時(shí)的時(shí)間點(diǎn)由模式設(shè)定單元300判斷出目標(biāo)地址的值之后,源地址IN_ADDR可以是對(duì)應(yīng)于目標(biāo)地址的值的地址和與目標(biāo)地址的值不相關(guān)的地址。
[0048]存儲(chǔ)器單元陣列370包括多個(gè)字線WL1、WL2...WLK??苫谠吹刂稩N_ADDR的值來獨(dú)立地選擇相應(yīng)字線WL1、WL2...WLK。用于參考,存儲(chǔ)器單元陣列370可包括多個(gè)存儲(chǔ)體和多個(gè)存儲(chǔ)體組。在此情況下,源地址IN_ADDR可包括用于選擇存儲(chǔ)體和存儲(chǔ)體組的信肩、O
[0049]行控制單元320可在目標(biāo)激活模式期間順序地激活和預(yù)充電對(duì)應(yīng)于目標(biāo)地址TRR_ADDR的字線WLL和字線WL1、WL2...WLK當(dāng)中的與對(duì)應(yīng)于目標(biāo)地址TRR_ADDR的字線WLL相鄰的N個(gè)字線(例如,WLL+1和WLL-1)。用于參考,由N表示的數(shù)目可由設(shè)計(jì)者選擇為大于2的自然數(shù)的其它數(shù)目。因此,與對(duì)應(yīng)于目標(biāo)地址TRR_ADDR的字線WLL相鄰的字線WLL+1和WLL-1是指與對(duì)應(yīng)于目標(biāo)地址TRR_ADDR的字線WLL物理上相鄰安置的兩個(gè)相鄰字線WLL+1和WLL-1。此外,當(dāng)N是“4”時(shí),與對(duì)應(yīng)于目標(biāo)地址TRR_ADDR的字線WLL相鄰的N個(gè)字線WLL+1和WLL-1是指與對(duì)應(yīng)于目標(biāo)地址TRR_ADDR的字線WLL物理上相鄰安置的四個(gè)相鄰字線WLL+2、WLL+K WLL-1和WLL-2。相鄰字線WLL+1和WLL-1是指以下字線:所述字線與對(duì)應(yīng)于目標(biāo)地址TRR_ADDR的字線WLL物理上相鄰安置,且連接至所述字線的存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)受目標(biāo)字線WLL的重復(fù)激活-預(yù)充電操作影響。
[0050]詳細(xì)而言,在目標(biāo)激活模式期間,每當(dāng)施加激活命令A(yù)CT_CMD和目標(biāo)地址TRR_ADDR時(shí),行控制單元320順序地激活和預(yù)充電對(duì)應(yīng)于目標(biāo)地址TRR_ADDR的目標(biāo)字線WLL和字線WL1、WL2...WLK當(dāng)中的相鄰于目標(biāo)字線WLL安置的兩個(gè)相鄰字線WLL+1和WLL-1。即,當(dāng)經(jīng)由地址輸入單元310輸入源地址IN_ADDR中的具有目標(biāo)地址TRR_ADDR的值的地址時(shí),行控制單元320不僅激活和預(yù)充電目標(biāo)字線WLL而且還激活和預(yù)充電兩個(gè)相鄰字線WLL+1和 WLL-10
[0051 ] 可響應(yīng)于激活命令A(yù)CT_CMD和目標(biāo)地址TRR_ADDR從外部的重復(fù)施加而以預(yù)定順序執(zhí)行用于順序地激活和預(yù)充電目標(biāo)字線WLL和兩個(gè)相鄰字線WLL+1和WLL-1的操作。舉例而言,可用以下方式執(zhí)行操作:響應(yīng)于激活命令A(yù)CT_CMD和目標(biāo)地址TRR_ADDR的第一次施加而首先激活和預(yù)充電目標(biāo)字線WLL、響應(yīng)于激活命令A(yù)CT_CMD和目標(biāo)地址TRR_ADDR的第二次施加而激活和預(yù)充電相鄰字線WLL-1、以及響應(yīng)于激活命令A(yù)CT_CMD和目標(biāo)地址TRR_ADDR的第三次施加而激活和預(yù)充電相鄰字線WLL+1。
[0052]可在激活命令A(yù)CT_CMD和目標(biāo)地址TRR_ADDR第一次從外部施加之后以自動(dòng)判斷的順序執(zhí)行用于順序地激活和預(yù)充電目標(biāo)字線WLL和兩個(gè)相鄰字線WLL+1和WLL-1的操作。舉例而言,可用以下方式執(zhí)行操作:響應(yīng)于激活命令A(yù)CT_CMD和目標(biāo)地址TRR_ADDR的第一施加而首先激活和預(yù)充電目標(biāo)字線WLL、響應(yīng)于目標(biāo)字線WLL的預(yù)充電而激活和預(yù)充電相鄰字線WLL-1、以及響應(yīng)于字線WLL-1的預(yù)充電而激活和預(yù)充電相鄰字線WLL+1。
[0053]在目標(biāo)激活模式期間,每當(dāng)施加激活命令A(yù)CT_CMD和正常地址匪時(shí),行控制單元320激活和預(yù)充電字線WL1、WL2...WLK當(dāng)中的對(duì)應(yīng)于正常地址匪的正常字線WLNM。S卩,除目標(biāo)激活操作外,當(dāng)在目標(biāo)激活模式期間經(jīng)由地址輸入單元310施加的地址是正常地址匪時(shí),行控制單元320還激活和預(yù)充電正常字線WLNM。
[0054]每當(dāng)從目標(biāo)激活模式退出之后施加激活命令A(yù)CT_CMD和源地址IN_ADDR時(shí),行控制單元320激活和預(yù)充電字線WLl、WL2...WLK當(dāng)中的對(duì)應(yīng)于源地址IN_ADDR的字線。S卩,在從目標(biāo)激活模式退出之后,行控制單元320激活和預(yù)充電與對(duì)應(yīng)的源地址IN_ADDR相對(duì)應(yīng)的字線,不管經(jīng)由地址輸入單元310施加的地址是否具有目標(biāo)地址TRR_ADDR的值。
[0055]模式退出控制單元340可在目標(biāo)激活模式期間對(duì)由行控制單元320進(jìn)行的激活操作或激活-預(yù)充電操作的數(shù)目計(jì)數(shù),且判斷是否激活模式退出信號(hào)TRR_EXIT。S卩,當(dāng)在目標(biāo)激活模式期間對(duì)由行控制單元320進(jìn)行的激活操作的數(shù)目計(jì)數(shù)而獲取的數(shù)目達(dá)到預(yù)定數(shù)目時(shí),模式退出控制單元340激活模式退出信號(hào)TRR_EXIT,使得模式設(shè)定單元300可去激活模式使能信號(hào)TRR_EN,由此允許半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置從目標(biāo)激活模式退出。
[0056]詳細(xì)而言,模式退出控制單元340在目標(biāo)激活模式期間并不對(duì)由行控制單元320進(jìn)行的所有激活操作的數(shù)目計(jì)數(shù)。即,模式退出控制單元340僅對(duì)由行控制單元320激活和預(yù)充電目標(biāo)字線WLL以及兩個(gè)相鄰字線WLL+1和WLL-1的操作的數(shù)目計(jì)數(shù),而并不對(duì)由行控制單元320激活和預(yù)充電正常字線WLNM的操作的數(shù)目計(jì)數(shù)。在模式退出控制單元340有區(qū)別性地對(duì)行控制單元320的激活操作的數(shù)目計(jì)數(shù)時(shí),當(dāng)計(jì)數(shù)的次數(shù)達(dá)到3時(shí),模式退出控制單元340激活模式退出信號(hào)TRR_EXIT。由于行控制單元320順序地激活和預(yù)充電目標(biāo)字線WLL和兩個(gè)相鄰字線WLL+1和WLL-1,因此模式退出控制單元340檢測行控制單元320是否已激活和預(yù)充電目標(biāo)字線WLL和兩個(gè)相鄰字線WLL+1和WLL-1中的每個(gè),且判斷是否激活模式退出信號(hào)TRR_EXIT。
[0057]目標(biāo)地址鎖存器330可在目標(biāo)激活模式期間儲(chǔ)存目標(biāo)地址TRR_ADDR。儲(chǔ)存在目標(biāo)地址鎖存器330中的目標(biāo)地址TRR_ADDR是目標(biāo)地址的值,其由模式設(shè)定單元300產(chǎn)生。
[0058]地址判斷單元350可在目標(biāo)激活模式期間比較儲(chǔ)存在目標(biāo)地址鎖存器330中的目標(biāo)地址TRR_ADDR的值與源地址IN_ADDR的值,且判斷源地址IN_ADDR是否具有目標(biāo)地址TRR_ADDR的值。經(jīng)由地址判斷單元350判斷源地址IN_ADDR是否具有目標(biāo)地址TRR_ADDR的值而獲取的結(jié)果ACT_TRR可控制模式退出控制單元340的操作。
[0059]源地址鎖存器380可儲(chǔ)存從地址輸入單元310施加的源地址IN_ADDR。儲(chǔ)存在源地址鎖存器380中的源地址IN_ADDR傳送至地址判斷單元350和行控制單元320。
[0060]刷新操作控制單元360可基于刷新命令REF_CMD和模式使能信號(hào)TRR_EN而控制行控制單元320用于一般刷新操作。根據(jù)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的操作或類型,可以將儲(chǔ)存在源地址鎖存器380中的源地址IN_ADDR用作刷新地址。在此情況下,如果在目標(biāo)激活模式期間不限制源地址IN_ADDR作為刷新地址的使用,則不能正常執(zhí)行目標(biāo)激活操作。舉例而言,由于一般刷新操作可被設(shè)定為具有比目標(biāo)激活操作更高的優(yōu)先級(jí),因此儲(chǔ)存在源地址鎖存器380中的源地址IN_ADDR可能不用于目標(biāo)激活操作,而是可能用于一般刷新操作,因此可能不能正常執(zhí)行目標(biāo)激活操作。
[0061]因此,刷新操作控制單元360 (其作為使用儲(chǔ)存在源地址鎖存器380中的源地址IN_ADDR作為刷新地址的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中所需的組成元件)可防止在目標(biāo)激活模式期間執(zhí)行一般刷新操作。即,在不使用儲(chǔ)存在源地址鎖存器380中的源地址IN_ADDR作為刷新地址的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中可省略刷新操作控制單元360。
[0062]圖4是說明圖3中所示的模式退出控制單元340的詳細(xì)圖。
[0063]參考圖4,模式退出控制單元340可包括目標(biāo)地址計(jì)數(shù)器342和模式退出信號(hào)發(fā)生器 344。
[0064]目標(biāo)地址計(jì)數(shù)器342可在目標(biāo)激活模式期間對(duì)源地址IN_ADDR的值具有目標(biāo)地址TRR.ADDR的值的次數(shù)計(jì)數(shù)。即,在模式使能信號(hào)TRR_EN被激活且進(jìn)入目標(biāo)激活模式的周期期間,當(dāng)?shù)刂放袛鄦卧?50的輸出信號(hào)ACT_TRR被激活且經(jīng)由地址輸入單元310施加的源地址IN_ADDR被判斷為具有目標(biāo)地址TRR_ADDR的值時(shí),目標(biāo)地址計(jì)數(shù)器342執(zhí)行計(jì)數(shù)操作。
[0065]當(dāng)由目標(biāo)地址計(jì)數(shù)器342計(jì)數(shù)的次數(shù)達(dá)到3時(shí),模式退出信號(hào)發(fā)生器344可激活模式退出信號(hào)TRR_EXIT??煽闯觯谝赡繕?biāo)地址計(jì)數(shù)器342計(jì)數(shù)的次數(shù)僅為3時(shí),要從目標(biāo)地址計(jì)數(shù)器342輸出的計(jì)數(shù)信號(hào)CNT_TRR〈0:3>是4比特的信號(hào)。為了不在目標(biāo)地址計(jì)數(shù)器342與模式退出控制單元340之間添加單獨(dú)的譯碼電路,可逐一地順序地激活計(jì)數(shù)信號(hào)CNT_TRR〈0: 3>的相應(yīng)比特。舉例而言,在目標(biāo)地址計(jì)數(shù)器342的初始化操作(其在目標(biāo)激活操作中執(zhí)行)中,計(jì)數(shù)信號(hào)CNT_TRR〈0:3>的初始化比特CNT_TRR〈0>被激活,且剩余比特CNT_TRR〈1: 3>保持去激活狀態(tài)。接著,僅計(jì)數(shù)信號(hào)CNT_TRR〈0: 3>的第一比特CNT_TRR〈1>被激活,且剩余比特CNT_TRR〈0>和CNT_TRR〈2: 3>指定去激活狀態(tài)。接著,僅計(jì)數(shù)信號(hào)CNT_TRR<0: 3>的第二比特CNT_TRR〈2>被激活,且剩余比特CNT_TRR〈0:1>和CNT_TRR〈3>指定去激活狀態(tài)。接著,僅計(jì)數(shù)信號(hào)CNT_TRR〈0:3>的第三比特CNT_TRR〈3>被激活,且剩余比特CNT_TRR<0:2>指定去激活狀態(tài)。響應(yīng)于計(jì)數(shù)信號(hào)CNT_TRR〈0:3>的第三比特CNT_TRR〈3>的激活,模式退出信號(hào)TRR_EXIT被激活,使得計(jì)數(shù)信號(hào)CNT_TRR〈0:3>的所有比特被去激活。在此情況下,模式退出信號(hào)發(fā)生器344可僅在計(jì)數(shù)信號(hào)CNT_TRR〈0: 3>的最后比特CNT_TRR<3>被激活時(shí)激活模式退出信號(hào)TRR_EXIT。
[0066]如果在目標(biāo)地址計(jì)數(shù)器342與模式退出控制單元340之間添加單獨(dú)的譯碼電路,則要從目標(biāo)地址計(jì)數(shù)器342輸出的信號(hào)可以是具有較小的比特?cái)?shù)目的信號(hào)。
[0067]圖5是說明圖3中所示的地址判斷單元350的詳細(xì)圖。
[0068]參考圖5,地址判斷單元350使用對(duì)源地址IN_ADDR的相應(yīng)比特〈O: 15>的值與儲(chǔ)存在目標(biāo)地址鎖存器330中的目標(biāo)地址TRR_ADDR的相應(yīng)比特〈O: 15>的值——比較的方案。
[0069]詳細(xì)而言,地址判斷單元350包括:多個(gè)異或門X0R〈0:15>,其用于對(duì)源地址IN_ADDR的相應(yīng)比特〈O: 15>與儲(chǔ)存在目標(biāo)地址鎖存器330中的目標(biāo)地址TRR_ADDR的相應(yīng)比特〈0:15〉進(jìn)行異或運(yùn)算;或非門NR,其用于對(duì)異或門X0R〈0:15>的所有輸出信號(hào)進(jìn)行或非運(yùn)算;以及與非門NAND和反相器INV,其用于僅在模式使能信號(hào)TRR_EN被激活至邏輯高電平的周期期間輸出或非門NR的輸出信號(hào)作為地址判斷單元350的輸出信號(hào)ACT_TRR。
[0070]觀察地址判斷單元350的操作,當(dāng)源地址IN_ADDR的所有相應(yīng)比特〈O: 15>和儲(chǔ)存在目標(biāo)地址鎖存器330中的目標(biāo)地址TRR_ADDR的相應(yīng)比特〈0:15〉具有恰好相同的邏輯值時(shí),異或門X0R〈0:15>的所有輸出信號(hào)都變?yōu)檫壿嫷碗娖角一蚍情TNR的輸出信號(hào)變?yōu)檫壿嫺唠娖?,相?yīng)地,地址判斷單元350的輸出信號(hào)ACT_TRR被激活至邏輯高電平。相反,當(dāng)源地址IN_ADDR的相應(yīng)比特〈0:15〉和儲(chǔ)存在目標(biāo)地址鎖存器330中的目標(biāo)地址TRR_ADDR的相應(yīng)比特〈O: 15>具有在任何一個(gè)比特中不彼此對(duì)應(yīng)的邏輯值時(shí),從異或門X0R〈0:15>當(dāng)中的至少任何一個(gè)異或門輸出的信號(hào)變?yōu)檫壿嫺唠娖角一蚍情TNR的輸出信號(hào)變?yōu)檫壿嫷碗娖?,相?yīng)地,地址判斷單元350的輸出信號(hào)ACT_TRR被去激活至邏輯低電平。
[0071]圖6是說明圖3中所示的行控制單元320的詳細(xì)圖。
[0072]參考圖6,行控制單元320可包括地址選擇部322和行驅(qū)動(dòng)部324。
[0073]當(dāng)在目標(biāo)激活模式期間源地址IN_ADDR的值對(duì)應(yīng)于目標(biāo)地址TRR_ADDR的值L時(shí),地址選擇部322可選擇從源地址IN_ADDR的值L沿兩側(cè)觀看時(shí)具有相鄰值的兩個(gè)選擇地址SEL_ADDR (即,L+1 和 L-1 )。
[0074]詳細(xì)而言,地址選擇部322可僅在模式使能信號(hào)TRR_EN被激活的目標(biāo)激活模式期間執(zhí)行選擇地址的操作。
[0075]在另一個(gè)實(shí)施例中,地址選擇部322可被直接施加來自地址判斷單元350的信號(hào)ACT_TRR,以及可判斷源地址IN_ADDR的值是否具有目標(biāo)地址TRR_ADDR的值。然而,在圖6中,地址選擇部322被施加從目標(biāo)地址計(jì)數(shù)器342輸出的計(jì)數(shù)信號(hào)CNT_TRR〈0: 3>,以及判斷源地址IN_ADDR的值是否具有目標(biāo)地址TRR_ADDR的值。可以通過被施加從目標(biāo)地址計(jì)數(shù)器342輸出的計(jì)數(shù)信號(hào)CNT_TRR〈0:3>而不是被直接施加來自地址判斷單元350的信號(hào)ACT_TRR而判斷源地址IN_ADDR的值是否具有目標(biāo)地址TRR_ADDR的值。這是因?yàn)閺哪繕?biāo)地址計(jì)數(shù)器342輸出的計(jì)數(shù)信號(hào)CNT_TRR〈0:3>是響應(yīng)于地址判斷單元350的信號(hào)ACT_TRR而產(chǎn)生的信號(hào)。
[0076]由于地址選擇部322響應(yīng)于計(jì)數(shù)信號(hào)CNT_TRR〈0: 3>而僅在源地址IN_ADDR的值具有目標(biāo)地址TRR_ADDR的值時(shí)執(zhí)行選擇地址的操作,因此在地址選擇部322執(zhí)行選擇地址的操作時(shí)的時(shí)間點(diǎn)施加的源地址IN_ADDR具有目標(biāo)地址TRR_ADDR的值L。因此,地址選擇部322可順序地選擇從源地址IN_ADDR的值L的兩側(cè)觀看時(shí)具有相鄰值的兩個(gè)選擇地址L+1 和 L-1。
[0077]行驅(qū)動(dòng)部324可響應(yīng)于激活命令A(yù)CT_CMD而激活和預(yù)充電字線WLl、WL2...WLK當(dāng)中的對(duì)應(yīng)于源地址IN_ADDR的字線。因此,行驅(qū)動(dòng)部324的基本操作是,即使在地址選擇部322操作的目標(biāo)激活模式期間,也響應(yīng)于激活命令A(yù)CT_CMD而激活和預(yù)充電與不具有目標(biāo)地址TRR_ADDR的值的源地址IN_ADDR相對(duì)應(yīng)的字線(即,正常字線WLNM)。
[0078]當(dāng)具有目標(biāo)地址TRR_ADDR的值的源地址IN_ADDR和激活命令A(yù)CT_CMD在目標(biāo)激活模式期間一起被施加時(shí),行驅(qū)動(dòng)部324不僅激活和預(yù)充電目標(biāo)字線WLL,而且還激活和預(yù)充電兩個(gè)相鄰字線WLL+1和WLL-1,其對(duì)應(yīng)于由地址選擇部322選擇的兩個(gè)選擇地址L+1和L-10
[0079]詳細(xì)而言,行驅(qū)動(dòng)部324可通過使用響應(yīng)于激活命令A(yù)CT_CMD而將兩個(gè)相鄰字線WLL+1和WLL-1激活和預(yù)充電的方法或不管激活命令A(yù)CT_CMD如何都將其激活和預(yù)充電的方法而在目標(biāo)激活模式期間激活和預(yù)充電兩個(gè)相鄰字線WLL+1和WLL-1。
[0080]首先,每當(dāng)具有目標(biāo)地址TRR_ADDR的值的源地址IN_ADDR與激活命令A(yù)CT_CMD —起被施加時(shí),行驅(qū)動(dòng)部324可通過使用順序地激活和預(yù)充電目標(biāo)字線WLL和兩個(gè)相鄰字線WLL+1和WLL-1的方法而在目標(biāo)激活模式期間激活和預(yù)充電目標(biāo)字線WLL和兩個(gè)相鄰字線WLL+1和WLL-1。舉例而言,當(dāng)具有目標(biāo)地址TRR_ADDR的值的源地址IN_ADDR與激活命令A(yù)CT_CMD 一起第一次被施加時(shí),行驅(qū)動(dòng)部324激活和預(yù)充電目標(biāo)字線WLL。當(dāng)行驅(qū)動(dòng)部324執(zhí)行激活和預(yù)充電目標(biāo)字線WLL的操作時(shí),地址選擇部322根據(jù)源地址IN_ADDR的值L而選擇兩個(gè)選擇地址L+1和L-1。當(dāng)具有目標(biāo)地址TRR_ADDR的值的源地址IN_ADDR在目標(biāo)字線WLL被預(yù)充電之后與激活命令A(yù)CT_CMD —起第二次被施加時(shí),行驅(qū)動(dòng)部324激活和預(yù)充電對(duì)應(yīng)于由地址選擇部322選擇的兩個(gè)選擇地址L+1和L-1之中的任何一個(gè)地址L+1或L-1的字線WLL+1或WLL-1。當(dāng)之前剛激活的字線被預(yù)充電之后具有目標(biāo)地址TRR_ADDR的值的源地址IN_ADDR與激活命令A(yù)CT_CMD —起被施加時(shí),行驅(qū)動(dòng)部324激活和預(yù)充電與地址選擇部322所選擇的兩個(gè)選擇地址L+1和L-1之中的尚未在激活和預(yù)充電操作中使用的地址相對(duì)應(yīng)的字線WLL+1或WLL-1。在此方法中,當(dāng)在地址選擇部322所選擇的兩個(gè)選擇地址L+1和L-1的激活和預(yù)充電未完成的狀態(tài)中中途與激活命令A(yù)CT_CMD —起施加與目標(biāo)地址TRR_ADDR的值不相關(guān)的源地址IN_ADDR時(shí),可以立刻激活和預(yù)充電對(duì)應(yīng)于與目標(biāo)地址TRR_ADDR的值不相關(guān)的源地址IN_ADDR的正常字線WLNM。
[0081]其次,行驅(qū)動(dòng)部324可通過使用在具有目標(biāo)地址TRR_ADDR的值的源地址IN_ADDR與激活命令A(yù)CT_CMD —起第一次被施加時(shí)激活和預(yù)充電目標(biāo)字線WLL而開始、且接著順序地激活和預(yù)充電兩個(gè)相鄰字線WLL+1和WLL-1的方法而在目標(biāo)激活模式期間激活和預(yù)充電目標(biāo)字線WLL和兩個(gè)相鄰字線WLL+1和WLL-1,而不管激活命令A(yù)CT_CMD如何。舉例而言,當(dāng)具有目標(biāo)地址TRR_ADDR的值的源地址IN_ADDR與激活命令A(yù)CT_CMD —起第一次被施加時(shí),行驅(qū)動(dòng)部324激活和預(yù)充電目標(biāo)字線WLL。當(dāng)行驅(qū)動(dòng)部324執(zhí)行激活和預(yù)充電目標(biāo)字線WLL的操作時(shí),地址選擇部322根據(jù)源地址IN_ADDR的值L而選擇兩個(gè)選擇地址L+1和L-1。接著,當(dāng)目標(biāo)字線WLL被預(yù)充電時(shí),行驅(qū)動(dòng)部324激活和預(yù)充電對(duì)應(yīng)于地址選擇部322所選擇的兩個(gè)選擇地址L+1和L-1之中的任何一個(gè)地址L+1或L-1的字線WLL+1或WLL-1。當(dāng)之前剛激活的字線被預(yù)充電時(shí),行驅(qū)動(dòng)部324連續(xù)激活和預(yù)充電對(duì)應(yīng)于地址選擇部322所選擇的兩個(gè)選擇地址L+1和L-1之中的尚未在激活和預(yù)充電操作中使用的地址的字線WLL+1或WLL-1。在此方法中,在地址選擇部322所選擇的兩個(gè)選擇地址L+1和L-1的激活和預(yù)充電未完成的狀態(tài)中中途可不與激活命令A(yù)CT_CMD —起施加源地址IN_ADDR。S卩,在進(jìn)入目標(biāo)激活模式之后,應(yīng)連續(xù)確保激活和預(yù)充電目標(biāo)字線WLL以及兩個(gè)相鄰字線WLL+1和WLL-1中的全部的充足時(shí)間。
[0082]在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中,描述了使用目標(biāo)地址TRR_ADDR而選擇字線WLl、WL2...WLK當(dāng)中的任何一個(gè)字線的方法。然而,如果存儲(chǔ)器單元陣列370中包括多個(gè)存儲(chǔ)體和多個(gè)存儲(chǔ)體組,則可使用用于使用目標(biāo)地址TRR_ADDR而選擇存儲(chǔ)體當(dāng)中的任何一個(gè)存儲(chǔ)體的方法。舉例而言,可使用通過比較源地址IN_ADDR中所包括的存儲(chǔ)體選擇信息與僅包括存儲(chǔ)體選擇信息的目標(biāo)地址TRR_ADDR來選擇目標(biāo)存儲(chǔ)體的方法。這是因?yàn)楫?dāng)訪問存儲(chǔ)體當(dāng)中的任何一個(gè)存儲(chǔ)體的頻率高時(shí),目標(biāo)字線在存儲(chǔ)體中存在的可能性變高。因此,即使在選擇存儲(chǔ)體當(dāng)中的具有高訪問頻率的任何一個(gè)存儲(chǔ)體時(shí),也可以選擇具有大量激活次數(shù)(或高激活頻率)的目標(biāo)字線。
[0083]圖7是說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的存儲(chǔ)系統(tǒng)的方框圖。
[0084]參考圖7,存儲(chǔ)系統(tǒng)包括半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置80和存儲(chǔ)器控制器70。存儲(chǔ)器控制器70可包括地址檢測單元710、命令發(fā)生單元730和地址發(fā)生單元750。半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置80可包括存儲(chǔ)器單元陣列870、模式設(shè)定單元800、地址輸入單元810、行控制單元820、目標(biāo)地址鎖存器830、模式退出控制單元840、地址判斷單元850、刷新操作控制單元860和源地址鎖存器880。模式設(shè)定單元800包括命令模式設(shè)定部802和/或MRS模式設(shè)定部804。
[0085]用于參考,雖然圖7中未詳細(xì)示出,但如圖3中所示,存儲(chǔ)器單元陣列870包括多個(gè)字線WL1、WL2...WLK??苫谠吹刂稩N_ADDR的值來分別選擇字線WL1、WL2...WLK。另夕卜,存儲(chǔ)器單元陣列870可包括多個(gè)存儲(chǔ)體和多個(gè)存儲(chǔ)體組。在此情況下,源地址IN_ADDR可包括用于選擇存儲(chǔ)體和存儲(chǔ)體組的信息。
[0086]存儲(chǔ)器控制器70可產(chǎn)生命令信號(hào)CMDs和地址信號(hào)ADDRs,以控制用于激活和預(yù)充電半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置80中包括的相應(yīng)字線WL1、WL2...WLK的操作。詳細(xì)而言,存儲(chǔ)器控制器70產(chǎn)生MRS設(shè)定碼SETTING或目標(biāo)激活命令TRR_CMD,且將MRS設(shè)定碼SETTING或目標(biāo)激活命令TRR_CMD傳輸至半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置80以用于進(jìn)入目標(biāo)激活模式、產(chǎn)生激活和預(yù)充電命令且將所述激活和預(yù)充電命令傳輸至半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置80以用于執(zhí)行激活或激活-預(yù)充電操作,以及傳輸源地址IN_ADDR以用于分別選擇字線WL1、WL2...WLK。由存儲(chǔ)器控制器70傳輸至半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置80的源地址IN_ADDR可被分類為激活或激活_預(yù)充電歷史滿足預(yù)定條件的目標(biāo)地址TRR_ADDR以及激活(或激活-預(yù)充電)歷史不滿足預(yù)定條件的正常地址W。不管源地址IN_ADDR被分類為目標(biāo)地址TRR_ADDR還是正常地址匪,都可以用相同方式將源地址IN_ADDR傳輸至半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置80。在此情況下,將與被分類為目標(biāo)地址TRR_ADDR的源地址IN_ADDR的值有關(guān)的信息傳輸至半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置80。MRS設(shè)定碼SETTING是指用于設(shè)定半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置80的模式寄存器組(MRS)的信號(hào),且通常經(jīng)由傳輸源地址IN_ADDR的路徑來傳輸。不同于圖7的說明,可在存儲(chǔ)器控制器70與半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置80之間添加用于傳輸MRS設(shè)定碼SETTING的單獨(dú)路徑。用于設(shè)定模式寄存器組的MRS設(shè)定碼SETTING可包括與被分類為目標(biāo)地址TRR_ADDR的源地址IN_ADDR的值有關(guān)的信息。即,在與傳輸一般源地址IN_ADD的時(shí)間點(diǎn)不同的時(shí)間點(diǎn)將與被分類為目標(biāo)地址TRR_ADDR的源地址IN_ADDR的值有關(guān)的信息傳輸至半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置80。
[0087]在存儲(chǔ)器控制器70的組成元件當(dāng)中,當(dāng)源地址IN_ADDR與激活命令A(yù)CT_CMD —起傳輸至半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置80的次數(shù)至少是參考次數(shù)時(shí),地址檢測單元710可根據(jù)信號(hào)DET將源地址IN_ADDR檢測為目標(biāo)地址TRR_ADDR,而當(dāng)源地址IN_ADDR與激活命令A(yù)CT_CMD —起傳輸至半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置80的次數(shù)小于參考次數(shù)時(shí),根據(jù)信號(hào)DET將源地址IN_ADDR檢測為正常地址匪。將與地址檢測單元710檢測的源地址IN_ADDR有關(guān)的檢測信息DET傳輸至命令發(fā)生單元730和地址發(fā)生單元750,以影響命令發(fā)生單元730和地址發(fā)生單元750的操作。
[0088]命令發(fā)生單元730不僅可產(chǎn)生激活命令A(yù)CT_CMD和預(yù)充電命令PRE_CMD,而且還可基于地址檢測單元710的輸出信號(hào)DET而產(chǎn)生目標(biāo)激活命令TRR_CMD。命令發(fā)生單元730不僅產(chǎn)生激活命令A(yù)CT_CMD和預(yù)充電命令PRE_CMD以用于控制半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置80的激活-預(yù)充電操作,而且還根據(jù)地址檢測單元710的結(jié)果DET而產(chǎn)生目標(biāo)激活命令TRR_CMD以用于控制進(jìn)入目標(biāo)激活模式。用于參考,激活命令A(yù)CT_CMD和預(yù)充電命令PRE_CMD通過例如被捆綁成組而產(chǎn)生。當(dāng)產(chǎn)生激活命令A(yù)CT_CMD之后過去預(yù)定時(shí)間時(shí),自動(dòng)產(chǎn)生預(yù)充電命令PRE_CMD。即,以如下方式進(jìn)行控制:當(dāng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置80中所包括的字線WL1、WL2...WLK當(dāng)中的任何一個(gè)字線被激活之后過去預(yù)定時(shí)間時(shí),激活的字線被預(yù)充電。
[0089]地址發(fā)生單元750不僅可產(chǎn)生源地址IN_ADDR,而且還基于地址檢測單元710的輸出信號(hào)DET而產(chǎn)生MRS設(shè)定碼SETTING。S卩,地址發(fā)生單元750不僅產(chǎn)生源地址IN_ADDR以用于選擇半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置80中所包括的相應(yīng)字線WL1、WL2...WLK,而且還根據(jù)地址檢測單元710的結(jié)果DET而產(chǎn)生MRS設(shè)定碼SETTING以用于控制進(jìn)入目標(biāo)激活模式。源地址IN_ADDR通常在激活命令A(yù)CT_CMD產(chǎn)生的時(shí)間產(chǎn)生。將源地址IN_ADDR與激活命令A(yù)CT_CMD —起傳輸至半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置80。MRS設(shè)定碼SETTING在獨(dú)立的時(shí)間產(chǎn)生,所述獨(dú)立的時(shí)間可由設(shè)計(jì)者設(shè)定,不管產(chǎn)生激活命令A(yù)CT_CMD的時(shí)間如何。
[0090]半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置80可響應(yīng)于從存儲(chǔ)器控制器70施加的MRS設(shè)定碼SETTING或目標(biāo)激活命令TRR_CMD而進(jìn)入目標(biāo)激活模式、在目標(biāo)激活模式期間順序地激活和預(yù)充電目標(biāo)字線WLL和兩個(gè)相鄰字線WLL+1和WLL-1、以及通過對(duì)激活操作的數(shù)目計(jì)數(shù)而從目標(biāo)激活模式退出。
[0091 ] 在半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置80中,模式設(shè)定單元800可響應(yīng)于MRS設(shè)定碼SETTING或目標(biāo)激活命令TRR_CMD而設(shè)定半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置80進(jìn)入目標(biāo)激活模式,以及響應(yīng)于模式退出信號(hào)TRR.EXIT而設(shè)定半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置80從目標(biāo)激活模式退出。模式設(shè)定單元800設(shè)定目標(biāo)地址TRR_ADDR的值。
[0092]詳細(xì)而言,模式設(shè)定單元800通過響應(yīng)于MRS設(shè)定碼SETTING或目標(biāo)激活命令TRR.CMD而激活模式使能信號(hào)TRR_EN來使半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置80進(jìn)入目標(biāo)激活模式。模式設(shè)定單元800通過響應(yīng)于模式退出信號(hào)TRR_EXIT的激活而去激活模式使能信號(hào)TRR_EN來使半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置80從目標(biāo)激活模式退出。此外,模式設(shè)定單元800通過被輸入代表目標(biāo)地址TRR_ADDR的值的選用信號(hào)來設(shè)定目標(biāo)地址TRR_ADDR的值。舉例而言,模式設(shè)定單元800通過被輸入經(jīng)由地址輸入單元810從存儲(chǔ)器控制器70施加的源地址IN_ADDR的部分設(shè)定碼SETTING來判斷目標(biāo)地址TRR_ADDR的值。
[0093]S卩,在目標(biāo)激活模式期間,模式使能信號(hào)TRR_EN維持激活狀態(tài)。相反,在從目標(biāo)激活模式退出之后,模式使能信號(hào)TRR_EN維持去激活狀態(tài)。即使進(jìn)入目標(biāo)激活模式時(shí),也可執(zhí)行半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置80的一般操作。即,即使進(jìn)入目標(biāo)激活模式時(shí),也可在沒有限制的情況下執(zhí)行半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置80的一般操作,諸如數(shù)據(jù)讀取/寫入。這是因?yàn)楫?dāng)經(jīng)由地址輸入單元810施加的源地址IN_ADDR在目標(biāo)激活模式期間不具有目標(biāo)地址TRR_ADDR的值時(shí),行控制單元820不能執(zhí)行目標(biāo)激活操作。
[0094]模式設(shè)定單元800包括命令模式設(shè)定部802和/或MRS模式設(shè)定部804。S卩,模式設(shè)定單元800可僅包括命令模式設(shè)定部802、可僅包括MRS模式設(shè)定部804、或可包括命令模式設(shè)定部802和MRS模式設(shè)定部804兩者。命令模式設(shè)定部802響應(yīng)于目標(biāo)激活命令TRR.CMD而使半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置80進(jìn)入目標(biāo)激活模式/從目標(biāo)激活模式退出。MRS模式設(shè)定部804響應(yīng)于MRS設(shè)定碼SETTING而使半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置80進(jìn)入目標(biāo)激活模式或從目標(biāo)激活模式退出。
[0095]MRS模式設(shè)定部804使用MRS設(shè)定碼SETTING來執(zhí)行判斷是否激活模式使能信號(hào)TRR_EN的操作和判斷目標(biāo)地址TRR_ADDR的值的操作以用于控制進(jìn)入目標(biāo)激活模式,所述MRS設(shè)定碼SETTING對(duì)應(yīng)于經(jīng)由地址輸入單元810施加的源地址IN_ADDR的特定比特。MRS模式設(shè)定部804響應(yīng)于經(jīng)由地址輸入單元810施加的源地址IN_ADDR的MRS設(shè)定碼SETTING而執(zhí)行判斷是否激活模式使能信號(hào)TRR_EN的操作和判斷目標(biāo)地址TRR_ADDR的值的操作,以及響應(yīng)于模式退出信號(hào)TRR_EXIT而執(zhí)行判斷是否去激活模式使能信號(hào)TRR_EN的操作。
[0096]命令模式設(shè)定部802使用從存儲(chǔ)器控制器70施加的目標(biāo)激活命令TRR_CMD來執(zhí)行判斷是否激活模式使能信號(hào)TRR_EN的操作以用于控制進(jìn)入目標(biāo)激活模式,以及使用MRS設(shè)定碼SETTING來判斷目標(biāo)地址TRR_ADDR的值的操作。即,命令模式設(shè)定部802響應(yīng)于目標(biāo)激活命令TRR_CMD而執(zhí)行判斷是否激活模式使能信號(hào)TRR_EN的操作、使用MRS設(shè)定碼SETTING來執(zhí)行判斷目標(biāo)地址TRR_ADDR的值的操作、以及響應(yīng)于模式退出信號(hào)TRR_EXIT而執(zhí)行判斷是否去激活模式使能信號(hào)TRR_EN的操作。
[0097]地址輸入單元810可緩沖從存儲(chǔ)器控制器70施加的地址信號(hào)ADDRs,且產(chǎn)生源地址IN_ADDR。用于參考,源地址IN_ADDR可包括多個(gè)比特,且可將源地址IN_ADDR的這些比特當(dāng)中的特定比特施加至模式設(shè)定單元800作為MRS設(shè)定碼SETTING。源地址IN_ADDR的這些比特當(dāng)中的要用作MRS設(shè)定碼SETTING的特定比特的判斷可由設(shè)計(jì)者改變。
[0098]行控制單元820可在目標(biāo)激活模式期間順序地激活和預(yù)充電目標(biāo)字線WLL和兩個(gè)相鄰字線WLL+1和WLL-1。
[0099]詳細(xì)而言,在目標(biāo)激活模式期間,每當(dāng)激活命令A(yù)CT_CMD和目標(biāo)地址TRR_ADDR被施加時(shí),行控制單元820順序地激活和預(yù)充電目標(biāo)字線WLL和兩個(gè)相鄰字線WLL+1和WLL-1。當(dāng)經(jīng)由地址輸入單元810輸入源地址IN_ADDR中的具有目標(biāo)地址TRR_ADDR的值的地址時(shí),行控制單元820不僅順序地激活和預(yù)充電目標(biāo)字線WLL而且還激活和預(yù)充電兩個(gè)相鄰字線WLL+1和WLL-1。
[0100]可響應(yīng)于激活命令A(yù)CT_CMD和目標(biāo)地址TRR_ADDR從存儲(chǔ)器控制器70的重復(fù)施加而以預(yù)定順序執(zhí)行用于順序地激活和預(yù)充電目標(biāo)字線WLL和兩個(gè)相鄰字線WLL+1和WLL-1的操作。舉例而言,可以如下方式執(zhí)行操作:響應(yīng)于激活命令A(yù)CT_CMD和目標(biāo)地址TRR_ADDR的第一次施加而首先激活和預(yù)充電目標(biāo)字線WLL,響應(yīng)于激活命令A(yù)CT_CMD和目標(biāo)地址TRR_ADDR的第二次施加而激活和預(yù)充電相鄰字線WLL-1,以及響應(yīng)于激活命令A(yù)CT_CMD和目標(biāo)地址TRR_ADDR的第三次施加而激活和預(yù)充電相鄰字線WLL+1。
[0101 ] 可在激活命令A(yù)CT_CMD和目標(biāo)地址TRR_ADDR從存儲(chǔ)器控制器70第一次被施加之后以自動(dòng)判斷的順序來執(zhí)行用于順序地激活和預(yù)充電目標(biāo)字線WLL和兩個(gè)相鄰字線WLL+1和WLL-1的操作。舉例而言,可以如下方式執(zhí)行操作:響應(yīng)于激活命令A(yù)CT_CMD和目標(biāo)地址TRR_ADDR的第一次施加而首先激活和預(yù)充電目標(biāo)字線WLL,響應(yīng)于目標(biāo)字線WLL的預(yù)充電而激活和預(yù)充電相鄰字線WLL-1,以及響應(yīng)于字線WLL-1的預(yù)充電而激活和預(yù)充電相鄰字線 WLL+I。
[0102]在目標(biāo)激活模式期間,每當(dāng)施加激活命令A(yù)CT_CMD和正常地址匪時(shí),行控制單元820激活和預(yù)充電字線WL1、WL2"?WLK當(dāng)中的正常字線WLNM。除目標(biāo)激活操作以外,當(dāng)在目標(biāo)激活模式期間經(jīng)由地址輸入單元810施加的地址是正常地址匪時(shí),行控制單元820激活和預(yù)充電正常字線WLNM。
[0103]每當(dāng)從目標(biāo)激活模式退出之后施加激活命令A(yù)CT_CMD和源地址IN_ADDR時(shí),行控制單元820激活和預(yù)充電字線WL1、WL2...WLK當(dāng)中的對(duì)應(yīng)于源地址IN_ADDR的字線。在從目標(biāo)激活模式退出之后,行控制單元820激活和預(yù)充電與對(duì)應(yīng)源地址IN_ADDR相對(duì)應(yīng)的字線,不管經(jīng)由地址輸入單元810施加的地址是否具有目標(biāo)地址TRR_ADDR的值。
[0104]模式退出控制單元840可在目標(biāo)激活模式期間對(duì)由行控制單元820進(jìn)行的激活(或激活-預(yù)充電)操作的數(shù)目計(jì)數(shù),且判斷是否激活模式退出信號(hào)TRR_EXIT。S卩,當(dāng)在目標(biāo)激活模式期間對(duì)由行控制單元820進(jìn)行的激活操作的數(shù)目計(jì)數(shù)而獲取的數(shù)目達(dá)到預(yù)定數(shù)目時(shí),模式退出控制單元840激活模式退出控制單元840,使得模式設(shè)定單元800可去激活模式使能信號(hào)TRR_EN,由此允許半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置80從目標(biāo)激活模式退出。
[0105]詳細(xì)而言,模式退出控制單元840在目標(biāo)激活模式期間并不對(duì)由行控制單元820進(jìn)行的所有激活操作的數(shù)目計(jì)數(shù)。即,模式退出控制單元840僅對(duì)由行控制單元820激活和預(yù)充電目標(biāo)字線WLL和兩個(gè)相鄰字線WLL+1和WLL-1的操作的數(shù)目計(jì)數(shù),而不對(duì)由行控制單元820激活和預(yù)充電正常字線WLNM的操作的數(shù)目計(jì)數(shù)。在模式退出控制單元840有區(qū)別性地對(duì)行控制單元820的激活操作的數(shù)目計(jì)數(shù)時(shí),當(dāng)計(jì)數(shù)的次數(shù)達(dá)到3時(shí),模式退出控制單元840激活模式退出信號(hào)TRR_EXIT。由于行控制單元820順序地激活和預(yù)充電目標(biāo)字線WLL和兩個(gè)相鄰字線WLL+1和WLL-1,因此模式退出控制單元840檢測行控制單元820是否已激活和預(yù)充電目標(biāo)字線WLL和兩個(gè)相鄰字線WLL+1和WLL-1中的每個(gè),且判斷是否激活模式退出信號(hào)TRR_EXIT。
[0106]目標(biāo)地址鎖存器830可在目標(biāo)激活模式期間儲(chǔ)存目標(biāo)地址TRR_ADDR。儲(chǔ)存在目標(biāo)地址鎖存器830中的目標(biāo)地址TRR_ADDR是目標(biāo)地址的值,其由模式設(shè)定單元800產(chǎn)生。
[0107]地址判斷單元850可在目標(biāo)激活模式期間比較儲(chǔ)存在目標(biāo)地址鎖存器830中的目標(biāo)地址TRR_ADDR的值與源地址IN_ADDR的值,且判斷源地址IN_ADDR是否具有目標(biāo)地址TRR_ADDR的值。經(jīng)由地址判斷單元850判斷源地址IN_ADDR是否具有目標(biāo)地址TRR_ADDR的值而獲取的結(jié)果ACT_TRR可控制模式退出控制單元840的操作。
[0108]源地址鎖存器880可儲(chǔ)存經(jīng)由地址輸入單元810施加的源地址IN_ADDR。儲(chǔ)存在源地址鎖存器880中的源地址IN_ADDR傳送至地址判斷單元850和行控制單元820。
[0109]刷新操作控制單元860可基于刷新命令REF_CMD和模式使能信號(hào)TRR_EN而控制行控制單元820用于一般刷新操作。根據(jù)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置80的操作或類型,可以將儲(chǔ)存在源地址鎖存器880中的源地址IN_ADDR用作刷新地址。在此情況下,如果在目標(biāo)激活模式期間不限制源地址IN_ADDR作為刷新地址的使用,則不能正常執(zhí)行目標(biāo)激活操作。舉例而言,由于一般刷新操作可被設(shè)定成具有比目標(biāo)激活操作更高的優(yōu)先級(jí),因此儲(chǔ)存在源地址鎖存器880中的源地址IN_ADDR可能不用于目標(biāo)激活操作中,而是可用于一般刷新操作中,且因此不能正常執(zhí)行目標(biāo)激活操作。
[0110]因此,刷新操作控制單元860 (其作為使用儲(chǔ)存在源地址鎖存器880中的源地址IN_ADDR作為刷新地址的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中所需的組成元件)可防止在目標(biāo)激活模式期間執(zhí)行一般刷新操作。即,在不使用儲(chǔ)存在源地址鎖存器880中的源地址IN_ADDR作為刷新地址的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中可省略刷新操作控制單元860。
[0111]圖8說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的時(shí)序圖。
[0112]參考圖8,當(dāng)通過MRS設(shè)定或預(yù)設(shè)命令以邏輯高電平激活模式使能信號(hào)TRR_EN時(shí),半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置進(jìn)入目標(biāo)激活模式。隨著進(jìn)入目標(biāo)激活模式,從目標(biāo)地址計(jì)數(shù)器342輸出的計(jì)數(shù)信號(hào)CNT_TRR〈0:3>的初始化比特CNT_TRR〈0>以邏輯高電平被激活。
[0113]在進(jìn)入目標(biāo)激活模式之后,每當(dāng)與激活命令A(yù)CT_CMD —起施加的源地址IN_ADDR具有目標(biāo)地址TRR_ADDR的值L時(shí),地址判斷單元350和850的輸出信號(hào)ACT_TRR從邏輯低電平激活到邏輯高電平。當(dāng)?shù)刂放袛鄦卧?50和850的輸出信號(hào)ACT_TRR被激活至邏輯高電平時(shí),從目標(biāo)地址計(jì)數(shù)器342輸出的計(jì)數(shù)信號(hào)CNT_TRR〈0:3>的第一比特CNT_TRR〈1>、第二比特CNT_TRR〈2>和第三比特CNT_TRR〈3>被順序地激活。隨著計(jì)數(shù)信號(hào)CNT_TRR〈0: 3>的第一比特CNT_TRR〈1>、第二比特CNT_TRR〈2>和第三比特CNT_TRR〈3>被順序地激活,目標(biāo)字線WLL和兩個(gè)相鄰字線WLL+1和WLL-1被順序地激活和預(yù)充電。
[0114]詳細(xì)而言,由于當(dāng)?shù)谝患せ蠲?ST ACT_CMD被施加時(shí)源地址IN_ADDR具有目標(biāo)地址TRR_ADDR的值L,因此目標(biāo)字線WLL被激活和預(yù)充電。在目標(biāo)字線WLL被激活和預(yù)充電的周期期間,地址選擇部322選擇相鄰于目標(biāo)地址TRR_ADDR的值L的兩個(gè)選擇地址SEL_ADDR(BP,L+1和L-1)當(dāng)中的一個(gè)地址L+1。響應(yīng)于當(dāng)?shù)谝患せ蠲?ST ACT_CMD被施加時(shí)源地址IN_ADDR具有目標(biāo)地址TRR_ADDR的值L,地址判斷單元350和850的輸出信號(hào)ACT_TRR從邏輯低電平激活至邏輯高電平,相應(yīng)地,從目標(biāo)地址計(jì)數(shù)器342輸出的計(jì)數(shù)信號(hào)CNT_TRR〈0: 3>的初始化比特CNT_TRR〈0>以邏輯低電平被去激活且計(jì)數(shù)信號(hào)CNT_TRR〈0: 3>的第一比特CNT_TRR〈1>以邏輯高電平被激活。激活至邏輯高電平的地址判斷單元350和850的輸出信號(hào)ACT_TRR在第一激活命令1ST ACT_CMD的輸入結(jié)束時(shí)的時(shí)間點(diǎn)被去激活至邏輯低電平。
[0115]由于當(dāng)?shù)诙せ蠲?ND ACT_CMD被施加時(shí)源地址IN_ADDR具有目標(biāo)地址TRR_ADDR的值L,因此與當(dāng)響應(yīng)于第一激活命令1ST ACT_CMD而激活和預(yù)充電目標(biāo)地址TRR_ADDR時(shí)由地址選擇部322選擇的地址L+1相對(duì)應(yīng)的相鄰字線WLL+1被激活和預(yù)充電。在相鄰于目標(biāo)字線WLL的第一相鄰字線WLL+1被激活和預(yù)充電的周期期間,地址選擇部322選擇相鄰于目標(biāo)地址TRR_ADDR的值L的兩個(gè)選擇地址L+1和L-1當(dāng)中的未被選擇的剩余一個(gè)地址L-1。響應(yīng)于當(dāng)?shù)诙せ蠲?ND ACT_CMD被施加時(shí)源地址IN_ADDR具有目標(biāo)地址TRR_ADDR的值L,地址判斷單元350和850的輸出信號(hào)ACT_TRR從邏輯低電平激活至邏輯高電平,相應(yīng)地,從目標(biāo)地址計(jì)數(shù)器342輸出的計(jì)數(shù)信號(hào)CNT_TRR〈0:3>的第一比特CNT_TRR〈1>以邏輯低電平被去激活,且計(jì)數(shù)信號(hào)CNT_TRR〈0:3>的第二比特CNT_TRR〈2>以邏輯高電平被激活。激活至邏輯高電平的地址判斷單元350和850的輸出信號(hào)ACT_TRR在第二激活命令2NDACT_CMD的輸入結(jié)束時(shí)的時(shí)間點(diǎn)被去激活至邏輯低電平。
[0116]由于當(dāng)?shù)谌せ蠲?RD ACT_CMD被施加時(shí)源地址IN_ADDR具有目標(biāo)地址TRR_ADDR的值L,因此與當(dāng)響應(yīng)于第二激活命令2ND ACT_CMD而激活和預(yù)充電相鄰于目標(biāo)地址TRR_ADDR的第一相鄰字線WLL+1時(shí)由地址選擇部322選擇的地址L-1相對(duì)應(yīng)的相鄰字線WLL-1被激活和預(yù)充電。在相鄰于目標(biāo)字線WLL的第二相鄰字線WLL-1被激活和預(yù)充電的周期期間,地址選擇部322選擇相鄰于目標(biāo)地址TRR_ADDR的值L的兩個(gè)選擇地址L+1和L-1當(dāng)中的未被選擇的剩余一個(gè)地址L+1。用于參考,雖然可看出由地址選擇部322選擇的地址L+1對(duì)應(yīng)于地址L+1 (當(dāng)響應(yīng)于第一激活命令1STACT_CMD而將目標(biāo)字線WLL激活和預(yù)充電時(shí)其已經(jīng)被選擇),但這是因?yàn)槟軌蛴傻刂愤x擇部322選擇的地址的數(shù)目僅為2且因此不存在額外地址來選擇。在此情況下,被選定的地址不具有實(shí)質(zhì)意義,這是因?yàn)槠洳挥糜谠趶哪繕?biāo)激活模式退出之后激活和預(yù)充電字線。響應(yīng)于當(dāng)?shù)谌せ蠲?RD ACT_CMD被施加時(shí)源地址IN_ADDR具有目標(biāo)地址TRR_ADDR的值L,地址判斷單元350和850的輸出信號(hào)ACT_TRR從邏輯低電平激活至邏輯高電平,相應(yīng)地,從目標(biāo)地址計(jì)數(shù)器342輸出的計(jì)數(shù)信號(hào)CNT_TRR<0: 3>的第二比特CNT_TRR〈2>以邏輯低電平被去激活且計(jì)數(shù)信號(hào)CNT_TRR〈0: 3>的第三比特CNT_TRR〈3>以邏輯高電平被激活。
[0117]由于從目標(biāo)地址計(jì)數(shù)器342輸出的計(jì)數(shù)信號(hào)CNT_TRR〈0:3>的第三比特CNT_TRR<3>至邏輯高電平的激活是指模式退出信號(hào)TRR_EXIT的激活,因此模式使能信號(hào)TRR_EN對(duì)應(yīng)地被去激活至邏輯低電平,且半導(dǎo)體裝置從目標(biāo)激活模式退出。
[0118]盡管當(dāng)?shù)谒募せ蠲?TH ACT_CMD被施加時(shí)源地址IN_ADDR具有目標(biāo)地址TRR_ADDR的值L,但由于模式使能信號(hào)TRR_EN被去激活至邏輯低電平以從目標(biāo)激活模式退出,因此除激活和預(yù)充電對(duì)應(yīng)于源地址IN_ADDR的字線WL外,不由于源地址IN_ADDR具有目標(biāo)地址TRR_ADDR的值L而執(zhí)行額外操作。
[0119]根據(jù)上文所說明的實(shí)施例,可以將連接至與具有大量激活次數(shù)(或高激活頻率)的字線相鄰的字線的存儲(chǔ)器單元刷新,由此實(shí)質(zhì)上防止所述存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)由于字線干擾而劣化。
[0120]此外,根據(jù)所述實(shí)施例,可在不被施加單獨(dú)的地址的情況下刷新連接至與具有大量激活次數(shù)(或高激活頻率)的字線相鄰的字線的存儲(chǔ)器單元,由此縮短防止所述存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)由于字線干擾而劣化所需的時(shí)間。
[0121]盡管已出于說明性目的闡述了各種實(shí)施例,但本領(lǐng)域技術(shù)人員將明白,可在不脫離以下權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下做出各種改變和修改。
[0122]舉例而言,上文所闡述的實(shí)施例中所示例的邏輯門和晶體管的位置和種類應(yīng)根據(jù)輸入至其的信號(hào)的極性而不同地實(shí)現(xiàn)。
[0123]通過以上實(shí)施例可以看出,本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘韵碌募夹g(shù)方案。
[0124]1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,包括:
[0125]多個(gè)字線,所述多個(gè)字線中的每個(gè)連接至多個(gè)存儲(chǔ)器單元;
[0126]行控制單元,適于在目標(biāo)激活模式期間順序地激活和預(yù)充電與目標(biāo)地址相對(duì)應(yīng)的字線和預(yù)定N數(shù)目個(gè)相鄰字線;以及
[0127]模式退出控制單元,適于在所述目標(biāo)激活模式期間對(duì)由所述行控制單元進(jìn)行的激活操作的數(shù)目計(jì)數(shù),以判斷是否從所述目標(biāo)激活模式退出。
[0128]2.如技術(shù)方案I所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其中,所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置通過模式寄存器組設(shè)定或預(yù)設(shè)命令進(jìn)入所述目標(biāo)激活模式。
[0129]3.如技術(shù)方案I所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其中,用于選擇所述字線的源地址在所述目標(biāo)激活模式期間對(duì)應(yīng)于所述目標(biāo)地址,以及在進(jìn)入所述目標(biāo)激活模式時(shí)對(duì)應(yīng)于正常地址。
[0130]4.如技術(shù)方案3所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,
[0131]其中,在所述目標(biāo)激活模式期間,當(dāng)所述目標(biāo)地址與激活命令一起被施加時(shí),所述行控制單元順序地激活和預(yù)充電所述目標(biāo)字線和所述N數(shù)目個(gè)相鄰字線,
[0132]其中,在所述目標(biāo)激活模式期間,當(dāng)所述正常地址與所述激活命令一起被施加時(shí),所述行控制單元激活和預(yù)充電對(duì)應(yīng)于所述正常地址的字線,以及
[0133]其中,在從所述目標(biāo)激活模式退出之后,當(dāng)所述源地址與所述激活命令一起被施加時(shí),所述行控制單元激活和預(yù)充電對(duì)應(yīng)于所述源地址的字線。
[0134]5.如技術(shù)方案4所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其中,在所述目標(biāo)激活模式期間,所述模式退出控制單元對(duì)由所述行控制單元進(jìn)行的所述目標(biāo)字線和所述N數(shù)目個(gè)相鄰字線的激活操作的數(shù)目計(jì)數(shù),而不對(duì)由所述行控制單元進(jìn)行的與所述正常地址相對(duì)應(yīng)的字線的激活操作的數(shù)目計(jì)數(shù),以及當(dāng)計(jì)數(shù)數(shù)目達(dá)到N+1時(shí)使所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置從所述目標(biāo)激活模式退出。
[0135]6.如技術(shù)方案3所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,還包括:
[0136]地址輸入單元,適于接收所述源地址,所述源地址從外部施加;
[0137]目標(biāo)地址鎖存器,適于在所述目標(biāo)激活模式期間儲(chǔ)存所述目標(biāo)地址;以及
[0138]地址判斷單元,適于在所述目標(biāo)激活模式期間判斷施加至所述地址輸入單元的所述源地址的值是否對(duì)應(yīng)于所述目標(biāo)地址的值。
[0139]7.如技術(shù)方案6所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其中,所述模式退出控制單元包括:
[0140]目標(biāo)地址計(jì)數(shù)器,適于在所述目標(biāo)激活模式期間基于所述地址判斷單元的操作來對(duì)所述源地址的值對(duì)應(yīng)于所述目標(biāo)地址的值的次數(shù)計(jì)數(shù);以及
[0141]模式退出信號(hào)輸出部,適于在所述目標(biāo)地址計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)數(shù)目達(dá)到N+1時(shí)激活模式退出信號(hào)。
[0142]8.如技術(shù)方案6所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其中,所述行控制單元包括:
[0143]地址選擇部,適于在所述目標(biāo)激活模式期間,當(dāng)所述地址判斷單元判斷出所述源地址的值對(duì)應(yīng)于所述目標(biāo)地址的值時(shí),順序地選擇具有所述目標(biāo)地址的值的相鄰值的N數(shù)目個(gè)地址;以及
[0144]行驅(qū)動(dòng)部,適于在所述目標(biāo)激活模式期間,響應(yīng)于激活命令而順序地激活和預(yù)充電對(duì)應(yīng)于所述目標(biāo)地址和由所述地址選擇部選擇的所述N數(shù)目個(gè)地址的字線。
[0145]9.如技術(shù)方案8所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,
[0146]其中,當(dāng)在所述目標(biāo)激活模式期間與所述激活命令一起第一次被施加的所述源地址具有所述目標(biāo)地址的值時(shí),所述地址選擇部選擇所述N數(shù)目個(gè)地址,且所述行驅(qū)動(dòng)部激活和預(yù)充電對(duì)應(yīng)于所述目標(biāo)地址的字線,以及
[0147]其中,當(dāng)對(duì)應(yīng)于所述目標(biāo)地址的字線被激活和預(yù)充電之后與所述激活命令一起被施加的所述源地址具有所述目標(biāo)地址的值時(shí),所述行驅(qū)動(dòng)部順序地激活和預(yù)充電對(duì)應(yīng)于由所述地址選擇部選擇的所述N數(shù)目個(gè)地址的字線。
[0148]10.如技術(shù)方案6所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,還包括:
[0149]源地址鎖存器,適于儲(chǔ)存從所述地址輸入單元施加的所述源地址;以及
[0150]刷新操作控制單元,適于在所述源地址鎖存器中儲(chǔ)存的地址用作一般刷新操作中的刷新地址的情況下,防止在所述目標(biāo)激活模式期間執(zhí)行所述一般刷新操作。
[0151]11.如技術(shù)方案8所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其中,所述地址選擇部選擇分別對(duì)應(yīng)于至少兩個(gè)相鄰字線的至少兩個(gè)地址作為所述N數(shù)目個(gè)地址,所述至少兩個(gè)相鄰字線在對(duì)應(yīng)于所述目標(biāo)地址的字線的兩側(cè)相鄰安置。
[0152]12.—種存儲(chǔ)系統(tǒng),包括:
[0153]存儲(chǔ)器控制器,適于傳輸用于進(jìn)入目標(biāo)激活模式的模式寄存器組設(shè)定信號(hào)或目標(biāo)激活命令、用于執(zhí)行激活和預(yù)充電操作的激活和預(yù)充電命令,以及用于選擇字線的源地址,其中,所述源地址被分類為激活-預(yù)充電歷史滿足預(yù)定條件的目標(biāo)地址以及激活-預(yù)充電歷史不滿足所述預(yù)定條件的正常地址;以及
[0154]半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,適于響應(yīng)于所述模式寄存器組設(shè)定信號(hào)或所述目標(biāo)激活命令而進(jìn)入所述目標(biāo)激活模式、在所述目標(biāo)激活模式期間順序地激活和預(yù)充電與所述目標(biāo)地址相對(duì)應(yīng)的目標(biāo)字線和預(yù)定N數(shù)目個(gè)相鄰字線、以及通過對(duì)激活操作的數(shù)目計(jì)數(shù)而從所述目標(biāo)激活模式退出。
[0155]13.如技術(shù)方案12所述的存儲(chǔ)系統(tǒng),其中,所述存儲(chǔ)器控制器包括:
[0156]地址檢測單元,適于在所述源地址與激活命令一起被傳輸至所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的次數(shù)至少是參考次數(shù)時(shí)將所述源地址檢測為所述目標(biāo)地址,以及在所述源地址與所述激活命令一起被傳輸至所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的次數(shù)小于所述參考次數(shù)時(shí)將所述源地址檢測為所述正常地址;
[0157]命令發(fā)生單元,適于產(chǎn)生所述激活和預(yù)充電命令,以及基于所述地址檢測單元的輸出信號(hào)來產(chǎn)生所述目標(biāo)激活命令;以及
[0158]地址發(fā)生單元,適于產(chǎn)生所述源地址,以及基于所述地址檢測單元的輸出信號(hào)來產(chǎn)生所述模式寄存器組設(shè)定信號(hào)。
[0159]14.如技術(shù)方案12所述的存儲(chǔ)系統(tǒng),其中,所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置包括:
[0160]行控制單元,適于在所述目標(biāo)激活模式期間順序地激活和預(yù)充電與所述目標(biāo)地址對(duì)應(yīng)的字線和所述N數(shù)目個(gè)相鄰字線;以及
[0161]模式退出控制單元,適于在所述目標(biāo)激活模式期間對(duì)由所述行控制單元進(jìn)行的激活操作的數(shù)目計(jì)數(shù),以判斷是否從所述目標(biāo)激活模式退出。
[0162]15.如技術(shù)方案14所述的存儲(chǔ)系統(tǒng),
[0163]其中,在所述目標(biāo)激活模式期間,當(dāng)所述目標(biāo)地址與激活命令一起被施加時(shí),所述行控制單元順序地激活和預(yù)充電所述目標(biāo)字線和所述N數(shù)目個(gè)相鄰字線,
[0164]其中,在所述目標(biāo)激活模式期間,當(dāng)所述正常地址與所述激活命令一起被施加時(shí),所述行控制單元激活和預(yù)充電對(duì)應(yīng)于所述正常地址的字線,以及
[0165]其中,在從所述目標(biāo)激活模式退出之后,當(dāng)所述源地址與所述激活命令一起被施加時(shí),所述行控制單元激活和預(yù)充電對(duì)應(yīng)于所述源地址的字線。
[0166]16.如技術(shù)方案15所述的存儲(chǔ)系統(tǒng),其中,在所述目標(biāo)激活模式期間,所述模式退出控制單元對(duì)由所述行控制單元進(jìn)行的所述目標(biāo)字線和所述N數(shù)目個(gè)相鄰字線的激活操作的數(shù)目計(jì)數(shù),而不對(duì)由所述行控制單元進(jìn)行的與所述正常地址相對(duì)應(yīng)的字線的激活操作的數(shù)目計(jì)數(shù),以及當(dāng)計(jì)數(shù)數(shù)目達(dá)到N+1時(shí),使所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置從所述目標(biāo)激活模式退出。
[0167]17.如技術(shù)方案14所述的存儲(chǔ)系統(tǒng),其中,所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置還包括:
[0168]地址輸入單元,適于接收所述源地址,所述源地址從所述存儲(chǔ)器控制器傳輸;
[0169]目標(biāo)地址鎖存器,適于在所述目標(biāo)激活模式期間儲(chǔ)存所述目標(biāo)地址;以及
[0170]地址判斷單元,適于在所述目標(biāo)激活模式期間判斷施加至所述地址輸入單元的所述源地址的值是否對(duì)應(yīng)于所述目標(biāo)地址的值。
[0171]18.如技術(shù)方案17所述的存儲(chǔ)系統(tǒng),其中,所述模式退出控制單元包括:
[0172]目標(biāo)地址計(jì)數(shù)器,適于在所述目標(biāo)激活模式期間基于所述地址判斷單元的操作來對(duì)所述源地址的值對(duì)應(yīng)于所述目標(biāo)地址的值的次數(shù)計(jì)數(shù);以及
[0173]模式退出操作部,適于在所述目標(biāo)地址計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)數(shù)目達(dá)到N+1時(shí),使所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置從所述目標(biāo)激活模式退出。
[0174]19.如技術(shù)方案17所述的存儲(chǔ)系統(tǒng),其中,所述行控制單元包括:
[0175]地址選擇部,適于在所述目標(biāo)激活模式期間,當(dāng)所述地址判斷單元判斷出所述源地址的值對(duì)應(yīng)于所述目標(biāo)地址的值時(shí),順序地選擇具有所述目標(biāo)地址的值的相鄰值的N數(shù)目個(gè)地址;以及
[0176]行驅(qū)動(dòng)部,適于在所述目標(biāo)激活模式期間,響應(yīng)于激活命令而順序地激活和預(yù)充電與所述目標(biāo)地址和由所述地址選擇部選擇的所述N數(shù)目個(gè)地址相對(duì)應(yīng)的字線。
[0177]20.如技術(shù)方案19所述的存儲(chǔ)系統(tǒng),
[0178]其中,當(dāng)在所述目標(biāo)激活模式期間與所述激活命令一起第一次被施加的所述源地址具有所述目標(biāo)地址的值時(shí),所述地址選擇部選擇所述N數(shù)目個(gè)地址,并且所述行驅(qū)動(dòng)部激活和預(yù)充電與所述目標(biāo)地址相對(duì)應(yīng)的字線,以及
[0179]其中,當(dāng)與所述目標(biāo)地址相對(duì)應(yīng)的字線被激活和預(yù)充電之后與所述激活命令一起被施加的所述源地址具有所述目標(biāo)地址的值時(shí),所述行驅(qū)動(dòng)部順序地激活和預(yù)充電與所述地址選擇部選擇的所述N數(shù)目個(gè)地址相對(duì)應(yīng)的字線。
[0180]21.如技術(shù)方案17所述的存儲(chǔ)系統(tǒng),其中,所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置還包括:
[0181]源地址鎖存器,適于儲(chǔ)存從所述地址輸入單元施加的所述源地址;以及
[0182]刷新操作控制單元,適于在所述源地址鎖存器中儲(chǔ)存的地址用作一般刷新操作中的刷新地址的情況下,防止在所述目標(biāo)激活模式期間執(zhí)行所述一般刷新操作。
[0183]22.如技術(shù)方案19所述的存儲(chǔ)系統(tǒng),其中,所述地址選擇部選擇分別對(duì)應(yīng)于至少兩個(gè)相鄰字線的至少兩個(gè)地址作為所述N數(shù)目個(gè)地址,所述至少兩個(gè)相鄰字線在對(duì)應(yīng)于所述目標(biāo)地址的字線的兩側(cè)相鄰安置。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,包括: 多個(gè)字線,所述多個(gè)字線中的每個(gè)連接至多個(gè)存儲(chǔ)器單元; 行控制單元,適于在目標(biāo)激活模式期間順序地激活和預(yù)充電與目標(biāo)地址相對(duì)應(yīng)的字線和預(yù)定N數(shù)目個(gè)相鄰字線;以及 模式退出控制單元,適于在所述目標(biāo)激活模式期間對(duì)由所述行控制單元進(jìn)行的激活操作的數(shù)目計(jì)數(shù),以判斷是否從所述目標(biāo)激活模式退出。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其中,所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置通過模式寄存器組設(shè)定或預(yù)設(shè)命令進(jìn)入所述目標(biāo)激活模式。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其中,用于選擇所述字線的源地址在所述目標(biāo)激活模式期間對(duì)應(yīng)于所述目標(biāo)地址,以及在進(jìn)入所述目標(biāo)激活模式時(shí)對(duì)應(yīng)于正常地址。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置, 其中,在所述目標(biāo)激活模式期間,當(dāng)所述目標(biāo)地址與激活命令一起被施加時(shí),所述行控制單元順序地激活和預(yù)充電所述目標(biāo)字線和所述N數(shù)目個(gè)相鄰字線, 其中,在所述目標(biāo)激活模式期間,當(dāng)所述正常地址與所述激活命令一起被施加時(shí),所述行控制單元激活和預(yù)充電對(duì)應(yīng)于所述正常地址的字線,以及 其中,在從所述目標(biāo)激活模式退出之后,當(dāng)所述源地址與所述激活命令一起被施加時(shí),所述行控制單元激活和預(yù)充電對(duì)應(yīng)于所述源地址的字線。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其中,在所述目標(biāo)激活模式期間,所述模式退出控制單元對(duì)由所述行控制單元進(jìn)行的所述目標(biāo)字線和所述N數(shù)目個(gè)相鄰字線的激活操作的數(shù)目計(jì)數(shù),而不對(duì)由所述行控制單元進(jìn)行的與所述正常地址相對(duì)應(yīng)的字線的激活操作的數(shù)目計(jì)數(shù),以及當(dāng)計(jì)數(shù)數(shù)目達(dá)到N+1時(shí)使所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置從所述目標(biāo)激活模式退出。
6.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,還包括: 地址輸入單元,適于接收所述源地址,所述源地址從外部施加; 目標(biāo)地址鎖存器,適于在所述目標(biāo)激活模式期間儲(chǔ)存所述目標(biāo)地址;以及 地址判斷單元,適于在所述目標(biāo)激活模式期間判斷施加至所述地址輸入單元的所述源地址的值是否對(duì)應(yīng)于所述目標(biāo)地址的值。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其中,所述模式退出控制單元包括: 目標(biāo)地址計(jì)數(shù)器,適于在所述目標(biāo)激活模式期間基于所述地址判斷單元的操作來對(duì)所述源地址的值對(duì)應(yīng)于所述目標(biāo)地址的值的次數(shù)計(jì)數(shù);以及 模式退出信號(hào)輸出部,適于在所述目標(biāo)地址計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)數(shù)目達(dá)到N+1時(shí)激活模式退出信號(hào)。
8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,其中,所述行控制單元包括: 地址選擇部,適于在所述目標(biāo)激活模式期間,當(dāng)所述地址判斷單元判斷出所述源地址的值對(duì)應(yīng)于所述目標(biāo)地址的值時(shí),順序地選擇具有所述目標(biāo)地址的值的相鄰值的N數(shù)目個(gè)地址;以及 行驅(qū)動(dòng)部,適于在所述目標(biāo)激活模式期間,響應(yīng)于激活命令而順序地激活和預(yù)充電對(duì)應(yīng)于所述目標(biāo)地址和由所述地址選擇部選擇的所述N數(shù)目個(gè)地址的字線。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置, 其中,當(dāng)在所述目標(biāo)激活模式期間與所述激活命令一起第一次被施加的所述源地址具有所述目標(biāo)地址的值時(shí),所述地址選擇部選擇所述N數(shù)目個(gè)地址,且所述行驅(qū)動(dòng)部激活和預(yù)充電對(duì)應(yīng)于所述目標(biāo)地址的字線,以及 其中,當(dāng)對(duì)應(yīng)于所述目標(biāo)地址的字線被激活和預(yù)充電之后與所述激活命令一起被施加的所述源地址具有所述目標(biāo)地址的值時(shí),所述行驅(qū)動(dòng)部順序地激活和預(yù)充電對(duì)應(yīng)于由所述地址選擇部選擇的所述N數(shù)目個(gè)地址的字線。
10.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,還包括: 源地址鎖存器,適于儲(chǔ)存從所述地址輸入單元施加的所述源地址;以及刷新操作控制單元,適于在所述源地址鎖存器中儲(chǔ)存的地址用作一般刷新操作中的刷新地址的情況下,防止在所述目標(biāo)激活模式期間執(zhí)行所述一般刷新操作。
【文檔編號(hào)】G11C7/12GK104240745SQ201410093664
【公開日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2014年3月13日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月17日
【發(fā)明者】李榮燮, 金正賢 申請(qǐng)人:愛思開海力士有限公司