半導(dǎo)體器件的制作方法
【專利摘要】一種半導(dǎo)體器件可以包括：電壓供應(yīng)單元，適用于供應(yīng)電壓；第一導(dǎo)線，與所述電壓供應(yīng)單元耦接；第二導(dǎo)線，形成在所述第一導(dǎo)線之上；電壓接觸插塞，形成在所述第二導(dǎo)線之上；電壓傳輸線，形成在所述電壓接觸插塞之上；以及開關(guān)元件，適用于切換從電壓傳輸線傳送的電壓。
【專利說明】半導(dǎo)體器件
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)要求2013年5月27日向韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的申請(qǐng)?zhí)枮?0-2013-0059713的韓國專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容通過引用合并于此。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]各種實(shí)施例總體而言涉及一種電子器件。

【背景技術(shù)】
[0004]隨著半導(dǎo)體器件的集成度增加，存儲(chǔ)器單元的尺寸減小，且因此，制造工藝的難度水平增加。近來，由于在溝道與半導(dǎo)體襯底水平而布置的二維(2D)半導(dǎo)體器件的集成度增加方面的限制，提出了具有垂直溝道的三維(3D)半導(dǎo)體器件。
[0005]3D半導(dǎo)體器件的存儲(chǔ)器單元陣列包括多個(gè)存儲(chǔ)塊。每個(gè)存儲(chǔ)塊包括相對(duì)于半導(dǎo)體襯底的表面垂直設(shè)置的多個(gè)單元串。更具體地，單元串包括沿著與半導(dǎo)體襯底的表面垂直的方向形成的垂直溝道、漏極選擇晶體管、存儲(chǔ)器單元以及源極選擇晶體管。漏極選擇晶體管、存儲(chǔ)器單元以及源極選擇晶體管沿著垂直溝道形成。
[0006]由于具有垂直溝道的3D半導(dǎo)體器件的單元串的高度比2D半導(dǎo)體器件的單元串的高度高，所以可以根據(jù)單元串從2D到3D的結(jié)構(gòu)改變來修改配置成對(duì)存儲(chǔ)器單元進(jìn)行編程、讀取和擦除的外圍電路的結(jié)構(gòu)。
[0007]外圍電路經(jīng)由電壓線或接地線來接收電源電壓、接地電壓或者其他各種電壓電平，并且基于從控制電路輸出的各種控制信號(hào)來操作。具體地，在外圍電路之中，經(jīng)由位線與單元串耦接的頁緩沖器包括多個(gè)元件，諸如鎖存器、預(yù)充電開關(guān)和放電開關(guān)。在這些元件之中，被配置成傳送電源電壓、接地電壓或者具有各種電平的電壓的開關(guān)元件在適當(dāng)供應(yīng)電壓時(shí)也可能發(fā)生故障，由此使半導(dǎo)體器件的可靠性惡化。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]各種實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體器件。
[0009]在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體器件可以包括:電壓供應(yīng)單元，適用于供應(yīng)電壓；第一導(dǎo)線，與電壓供應(yīng)單元耦接；第二導(dǎo)線，形成在第一導(dǎo)線之上；電壓接觸插塞，形成在第二導(dǎo)線之上；電壓傳輸線，形成在電壓接觸插塞之上；以及開關(guān)元件，適用于切換從電壓傳輸線傳送的電壓。
[0010]在本發(fā)明的另一個(gè)示例性實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體器件可以包括:柵極線，形成在襯底的第一區(qū)域；結(jié)區(qū)，被形成為與柵極線接觸；第一柵接觸插塞，形成在結(jié)區(qū)之上；第二柵接觸插塞，形成在第一柵接觸插塞之上；第一導(dǎo)線，形成在襯底的第二區(qū)域；第二導(dǎo)線，形成在第一導(dǎo)線之上；電壓接觸插塞，形成在第二導(dǎo)線之上；以及電壓傳輸線，適用于將第二柵接觸插塞與電壓接觸插塞f禹接。
[0011]在本發(fā)明的另一個(gè)示例性實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體器件可以包括:存儲(chǔ)器單元陣列，包括垂直存儲(chǔ)串；多個(gè)線，耦接在垂直存儲(chǔ)串之上；開關(guān)元件，包括結(jié)區(qū)和柵極線；柵接觸插塞，與結(jié)區(qū)耦接；第一導(dǎo)線；第二導(dǎo)線，形成在第一導(dǎo)線之上；電壓接觸插塞，形成在第二導(dǎo)線之上；以及電壓傳輸線，適用于將柵接觸插塞與電壓接觸插塞耦接，其中，電壓傳輸線形成在與所述多個(gè)線相同的平面上。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1是說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的一部分的框圖；
[0013]圖2是詳細(xì)地說明圖1中所示的存儲(chǔ)器單元陣列的三維視圖；
[0014]圖3是說明圖1中所示的頁緩沖器單元的示意性電路圖；
[0015]圖4是說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的電壓線和元件之間的布置的布局圖；
[0016]圖5是詳細(xì)地說明沿著圖4中所示的X-X’方向截取的截面的截面圖；
[0017]圖6是詳細(xì)地說明沿著圖4中所示的Y-Y’方向截取的截面的截面圖；以及
[0018]圖7是詳細(xì)地說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的電壓線的耦接關(guān)系的三維視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0019]在下文中，將參照附圖詳細(xì)地描述各種實(shí)施例。提供附圖以使本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員理解本公開的實(shí)施例的范圍。然而，本發(fā)明可以用不同的方式實(shí)施，而不應(yīng)解釋為限制于本文所列的實(shí)施例。確切地說，提供這些實(shí)施例使得本公開充分與完整，并向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分傳達(dá)本發(fā)明的范圍。在本公開中，附圖標(biāo)記在本發(fā)明的不同附圖與實(shí)施例中與相同編號(hào)的部分直接相對(duì)應(yīng)。
[0020]附圖并非按比例繪制，并且在某些情況下，為了清楚地示出實(shí)施例的特征可能夸大比例。應(yīng)當(dāng)容易理解的是，本公開中的“在…上”和“在…之上”的含義應(yīng)當(dāng)采用最廣義的方式來解釋，使得“在…上”的意思不僅是“直接在某物上”，還包括在具有中間特征或中間層的情況下“在某物上”的意思；而“在…之上”的意思不僅指直接在頂部上，還可以是在具有中間特征或中間層的情況下在某物的頂部上的意思。也應(yīng)當(dāng)注意的是，在本說明書中，“連接/耦接”不僅表示一個(gè)部件直接與另一個(gè)部件耦接，還表示經(jīng)由中間部件與另一個(gè)部件間接耦接。另外，只要不在句子中特意提及，單數(shù)形式可以包括復(fù)數(shù)形式。
[0021]圖1是說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的一部分的框圖。
[0022]參見圖1，半導(dǎo)體器件100可以包括:存儲(chǔ)器單元陣列110，適用于儲(chǔ)存數(shù)據(jù)；頁緩沖器單元120，經(jīng)由位線BL與存儲(chǔ)器單元陣列110耦接，適用于發(fā)送/接收數(shù)據(jù)；以及電壓供應(yīng)單元130，適用于供應(yīng)電源電壓VCC、接地電壓VSS或者具有各種電平的電壓。半導(dǎo)體器件還可以包括各種外圍電路和控制電路，本文將不再贅述。
[0023]圖2是詳細(xì)地說明圖1中所示的存儲(chǔ)器單元陣列的三維視圖。
[0024]由于圖2是為了幫助理解來說明三維存儲(chǔ)器單元陣列110的三維視圖，所以配置可以根據(jù)半導(dǎo)體器件而改變。
[0025]參見圖2，三維半導(dǎo)體器件的存儲(chǔ)器單元陣列110可以包括多個(gè)存儲(chǔ)塊。存儲(chǔ)塊可以包括多個(gè)垂直存儲(chǔ)串(string)，所述多個(gè)垂直存儲(chǔ)串沿著與半導(dǎo)體襯底的表面垂直的方向形成。垂直存儲(chǔ)串可以包括垂直溝道層CV2和多個(gè)存儲(chǔ)器單元，所述多個(gè)存儲(chǔ)器單元沿著垂直溝道層CV2分隔開的同時(shí)被層疊。存儲(chǔ)器單元可以與字線WLO至WL15耦接。管道柵PGl可以形成在垂直存儲(chǔ)串的垂直溝道層CV2的最下部。位線BL或者源極線(未示出)可以耦接在垂直存儲(chǔ)串的垂直溝道層CV2的最上部。
[0026]線MWLO至MWL15、MDSLl至MDSL8、MCSLl至MCSL4以及MPGl可以分別與接觸插塞CP、漏極選擇線(未示出)、公共源極線(未示出)以及管道柵PGl耦接，所述接觸插塞CP沿著字線WLO至WL15的垂直方向穿通。沿垂直方向穿通同一漏極選擇線的位于垂直溝道層CV2之上的接觸插塞CP可以與不同的位線BL耦接。絕緣層(未示出)可以形成在每個(gè)線之間以使線電絕緣。
[0027]圖3是說明圖1中所示的頁緩沖器單元的示意性電路圖。
[0028]圖3是說明頁緩沖器單元的圖，以便描述傳送從電壓供應(yīng)單元130供應(yīng)的電壓的開關(guān)元件。頁緩沖器單元可以根據(jù)半導(dǎo)體器件而變化。
[0029]參見圖3，經(jīng)由位線BLe至BLo與存儲(chǔ)器單元陣列110耦接的頁緩沖器單元120可以包括多個(gè)頁緩沖器PB。由于頁緩沖器PB可以被形成為彼此大體相同，所以出于方便而在圖3中僅描述一個(gè)頁緩沖器PB。每個(gè)頁緩沖器PB可以包括:多個(gè)鎖存器LAT，適用于儲(chǔ)存數(shù)據(jù)；預(yù)充電電路PS，適用于將預(yù)定的線或者節(jié)點(diǎn)預(yù)充電，或者將電源電壓VCC傳送至預(yù)定的線或節(jié)點(diǎn)；放電電路DS，適用于將預(yù)定的線或節(jié)點(diǎn)放電；以及多個(gè)開關(guān)元件，適用于傳送數(shù)據(jù)或信號(hào)。鎖存器LAT可以由多個(gè)反相器形成，并且電源電壓VCC和接地電壓VSS可以被供應(yīng)至每個(gè)反相器。預(yù)充電電路PS可以由PMOS晶體管形成。電源電壓VCC可以供應(yīng)至PMOS晶體管的漏極，并且要被預(yù)充電的線可以與PMOS晶體管的源極耦接。放電電路DS可以由NMOS晶體管形成。要被放電的線可以與耦接至接地電壓VSS的NMOS晶體管的漏極耦接。這里，預(yù)定的線或節(jié)點(diǎn)與接地電壓VSS的耦接意味著預(yù)定的線或節(jié)點(diǎn)與接地端子耦接。電壓供應(yīng)單元130可以將電源電壓VCC、接地電壓VSS或具有各種電平的電壓供應(yīng)至鎖存器LAT、預(yù)充電電路PS以及放電電路DS。
[0030]圖4是說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的電壓線和元件之間的布置的布局圖。
[0031]參見圖4，示出了頁緩沖器PB所包括的元件之中的傳送電源電壓VCC的開關(guān)元件TR0每個(gè)開關(guān)元件TR可以包括柵極線GL和與柵極線GL的兩個(gè)端部接觸的結(jié)區(qū)AC。與電壓供應(yīng)單元130耦接并且供應(yīng)有電源電壓VCC的電壓線PL被布置成與開關(guān)元件TR分隔開。形成在開關(guān)元件TR和電壓線PL之上的多個(gè)線PCL和MCL可以被布置成傳送電源電壓或操作信號(hào)。例如，線PCL和MCL可以包括電壓傳輸線PCL和信號(hào)傳輸線MCL。電壓傳輸線PCL可以與電壓線PL和開關(guān)元件TR電連接在一起。電壓傳輸線PCL可以經(jīng)由柵接觸插塞GCT與開關(guān)元件TR的結(jié)區(qū)AC耦接，以及可以經(jīng)由電壓接觸插塞PCT與電壓線PL耦接。
[0032]圖5是詳細(xì)地說明沿著圖4中所示的X-X’方向截取的截面的截面圖。
[0033]參見圖5，電壓線PL可以形成在半導(dǎo)體襯底501之上，并且層間絕緣層507可以形成在電壓線PL之上。多個(gè)電壓接觸插塞PCT可以被形成為穿通層間絕緣層507與電壓線PL接觸，并且電壓傳輸線PCL可以被形成在電壓接觸插塞PCT之上。多個(gè)信號(hào)傳輸線MCL可以在層間絕緣層507之上被形成與電壓傳輸線PCL的方向平行。
[0034]電壓線PL可以包括順序地層疊在半導(dǎo)體襯底501之上的第一導(dǎo)線503和第二導(dǎo)線505。第一導(dǎo)線503可以是與形成開關(guān)元件TR的柵極線GL同時(shí)形成的導(dǎo)電層，并且可以由與柵極線GL相同的材料形成。例如，第一導(dǎo)線503可以由多晶硅形成。由于電壓線PL的第一導(dǎo)線503可以與形成柵極線GL同時(shí)形成，所以第一導(dǎo)線503的高度Hl可以與柵極線GL的高度相同。這里，高度Hl可以與第一導(dǎo)線503或柵極線GL的厚度相同。
[0035]第二導(dǎo)線505可以是導(dǎo)電層，以易于將電壓傳輸線PCL和第一導(dǎo)線503電連接以及易于形成電壓接觸插塞PCT。由于在3D器件中存儲(chǔ)器單元沿著與半導(dǎo)體襯底的表面垂直的方向?qū)盈B，所以用于傳送各種電壓的線MWLO至MWLl5、MDSLl至MDSL8、MCSLl至MCSL4、MPGl以及BL可以在高度上變化。因此，第二導(dǎo)線505可以形成為易于促成第一導(dǎo)線503與電壓傳輸線PCL之間的電連接。
[0036]第二導(dǎo)線505的高度H2可以比第一導(dǎo)線503的高度Hl大。高度H2可以考慮電壓接觸插塞PCT的寬度和高度來設(shè)定。為了形成電壓接觸插塞PCT，可能需要形成接觸孔。由于刻蝕工藝的特性，接觸孔的上部的寬度可能被形成得比接觸孔的下部的寬度窄。為了增加接觸孔的高度，可能要增大接觸孔的寬度，這可能導(dǎo)致半導(dǎo)體器件尺寸增大。由于第二導(dǎo)線505被形成為具有與設(shè)定的高度H2那么高的足夠高度，所以可以降低用以形成電壓接觸插塞PCT的接觸孔的高度H3，且因此可以使接觸孔的寬度變窄。
[0037]第二導(dǎo)線505的高度H2可以比電壓接觸插塞PCT的高度H3大。另外，將接觸孔的寬度變窄減小了通過利用導(dǎo)電材料來填充接觸孔內(nèi)部而形成的電壓接觸插塞PCT的上部的寬度，且因此也可以減小半導(dǎo)體器件的尺寸。例如，第二導(dǎo)線505的高度H2可以被形成為2 μ m，這可以根據(jù)器件設(shè)計(jì)而變化。
[0038]由于形成在電壓接觸插塞PCT之下的電壓線PL的寬度可以被形成得窄，所以半導(dǎo)體器件的整體尺寸可以減小。高度H2可以與第二導(dǎo)線505的厚度相同。
[0039]第二導(dǎo)線505可以形成為第一導(dǎo)線503之上的線。為了減小電壓線PL的電阻，第二導(dǎo)線505可以由電阻比多晶硅的電阻低的材料形成。例如，第二導(dǎo)線505可以由鎢形成。
[0040]在將層間絕緣層507形成在第二導(dǎo)線505之上后，可以通過部分地刻蝕層間絕緣層507、形成部分地暴露出第二導(dǎo)線505的接觸孔、以及利用導(dǎo)電材料填充接觸孔內(nèi)部來形成電壓接觸插塞PCT。電壓接觸插塞PCT可以由與第二導(dǎo)線505相同的材料形成。例如，電壓接觸插塞PCT可以由鎢形成。
[0041]圖6是詳細(xì)地說明沿著圖4中所示的Y-Y’方向截取的截面的截面圖。
[0042]參見圖6，柵極線GL和電壓線PL可以形成在半導(dǎo)體襯底501之上。例如，柵極線GL可以形成在其中形成有結(jié)區(qū)AC的半導(dǎo)體襯底501的一部分之上。結(jié)區(qū)AC可以接觸柵極線GL的兩個(gè)端部，并且電壓線PL的第一導(dǎo)線503和第二導(dǎo)線505順序地層疊在半導(dǎo)體襯底501之上。層間絕緣層502可以形成在形成有柵極線GL和第一導(dǎo)線503的半導(dǎo)體襯底501之上。
[0043]柵接觸插塞GCT可以包括利用相同材料同時(shí)形成的第一柵接觸插塞GCTl和第二導(dǎo)線505。例如，第一柵接觸插塞GCTl和第二導(dǎo)線505可以由鎢形成。
[0044]在下文中，將詳細(xì)地描述形成第一柵接觸插塞GCTl和第二導(dǎo)線505的方法。
[0045]可以通過部分地暴露出層間絕緣層502來形成部分地暴露出柵極線GL之間的結(jié)區(qū)AC的接觸孔和部分地暴露出第一導(dǎo)線503的溝槽?？梢酝ㄟ^利用導(dǎo)電材料填充接觸孔和溝槽來形成第一柵接觸插塞GCTl和第二導(dǎo)線505。第一柵接觸插塞GCTl和第二導(dǎo)線505可以被形成為具有相同的寬度。例如，第一柵接觸插塞GCTl的寬度和第二導(dǎo)線505的寬度每個(gè)都可以被形成為IlOnm寬，這可以根據(jù)器件設(shè)計(jì)而變化。第二導(dǎo)線505可以層疊在第一導(dǎo)線503之上，由此形成包括第一導(dǎo)線503和第二導(dǎo)線505的電壓線PL。
[0046]柵接觸插塞GCT可以包括第一柵接觸插塞GCTl和第二柵接觸插塞GCT2。第二柵接觸插塞GCT2可以形成在第一柵接觸插塞GCTl之上。電壓接觸插塞PCT可以形成在第二導(dǎo)線505之上。第二柵接觸插塞GCT2和電壓接觸插塞PCT可以具有大體相同的寬度。第二柵接觸插塞GCT2和電壓接觸插塞PCT可以具有比第一柵接觸插塞GCTl和第二導(dǎo)線505的高度H2低的高度H3。因此，第二柵接觸插塞GCT2和電壓接觸插塞PCT可以具有比第一柵接觸插塞GCTl和第二導(dǎo)線505的寬度更窄的寬度。高度H3可以與第二柵接觸插塞GCT2的厚度或者電壓接觸插塞PCT的厚度大體相同。層間絕緣層507可以形成在第二柵接觸插塞GCT2與電壓接觸插塞PCT之間。
[0047]電壓傳輸線PCL可以形成在第二柵接觸插塞GCT2、電壓接觸插塞PCT以及層間絕緣層507之上。電壓傳輸線PCL可以與第二柵接觸插塞GCT2和電壓接觸插塞PCT耦接。因此，經(jīng)由電壓線PL、電壓接觸插塞PCT、電壓傳輸線PCL以及柵接觸插塞GCT來將電壓供應(yīng)至結(jié)區(qū)AC。
[0048]圖7是詳細(xì)地說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的電壓線的耦接關(guān)系的三維視圖。這是將圖4至圖6組合的三維視圖。
[0049]參見圖7，第一區(qū)域被限定為是接收電壓的元件(例如，開關(guān)元件、節(jié)點(diǎn)或線)的區(qū)域，而第二區(qū)域被限定為是形成電壓線PL的區(qū)域。例如，第一區(qū)域可以是形成頁緩沖器單元120的區(qū)域。用于開關(guān)元件的柵極線GL可以被提供在第一區(qū)域中。結(jié)區(qū)AC可以形成在柵極線GL之間的半導(dǎo)體襯底501處。
[0050]第一柵接觸插塞GCTl可以形成在結(jié)區(qū)AC之上，而第二柵接觸插塞GCT2可以形成在第一柵接觸插塞GCTl之上。層疊的第一柵接觸插塞GCTl和第二柵接觸插塞GCT2可以是柵接觸插塞GCT。
[0051]電壓傳輸線PCL可以形成在第二柵接觸插塞GCT2之上。用于電壓線PL的第一導(dǎo)線503可以形成在半導(dǎo)體襯底501的第二區(qū)域中，而用于電壓線PL的第二導(dǎo)線505可以形成在第一導(dǎo)線503之上。層疊的第一導(dǎo)線503和第二導(dǎo)線505可以是電壓線PL。
[0052]高度Hl加高度H2表示范圍從第一導(dǎo)線503的底部至第二導(dǎo)線505的頂部的高度，可以與從第一柵接觸插塞GCTl的底部至第二柵接觸插塞GCT2的頂部的高度相同。電壓接觸插塞PCT可以形成在第二導(dǎo)線505之上。從電壓接觸插塞PCT的底部至電壓接觸插塞PCT的頂部的高度H3可以與從第二柵接觸插塞GCT2的底部至第二柵接觸插塞GCT2的頂部的高度大體相同。
[0053]電壓傳輸線PCL可以形成在電壓接觸插塞PCT之上。從半導(dǎo)體襯底501的頂部至電壓傳輸線PCL的底部的高度可以與從半導(dǎo)體襯底501的頂部至存儲(chǔ)器單元陣列的每個(gè)線、即圖2中所示的MWLO至MWL15、MDSLl至MDSL8、MCSLl至MCSL4、MPGl以及BL的底部的高度相同?？梢越?jīng)由電壓線PL、電壓接觸插塞PCT、電壓傳輸線PCL以及柵接觸插塞GCT將電壓傳送至結(jié)區(qū)AC。
[0054]當(dāng)將導(dǎo)通電壓供應(yīng)至柵極線GL時(shí)，可以在半導(dǎo)體襯底501的一部分處、在柵極線GL的底部形成溝道，所以電壓可以被傳送至位于柵極線GL的相對(duì)側(cè)上的結(jié)區(qū)AC。
[0055]如目前所公開的，具有足夠高度的線形的電壓線PL防止了電壓傳輸線PCL和電壓線PL之間的電阻斷。另外，由于具有足夠高度的電壓線PL可以使電壓接觸插塞PCT的寬度變窄，所以電壓傳輸線PCL的寬度減小，并且半導(dǎo)體器件的尺寸可以因而減小。
[0056]本文的各種實(shí)施例中的半導(dǎo)體器件可以便利于制造工藝，并且可以減小電壓線的電阻。
[0057]根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件可以用在三維半導(dǎo)體器件和二維半導(dǎo)體器件二者中，并且可以連續(xù)地傳送具有各種電平的電壓。
[0058]本文公開了示例性實(shí)施例，盡管使用了特定的術(shù)語，但是這些術(shù)語的使用應(yīng)僅以一般性和描述性的意義來解釋，并非用于進(jìn)行限制。在某些情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員清楚的是，自本申請(qǐng)?zhí)峤黄?，除非特別指出，否則結(jié)合特定實(shí)施例所描述的特征、特性和/或元素可以單獨(dú)使用或者與結(jié)合其他實(shí)施例所描述的特征、特性和/或元素組合使用。因此，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解的是，在不脫離所附權(quán)利要求列舉的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以在形式和細(xì)節(jié)上進(jìn)行各種改變。
[0059]通過以上實(shí)施例可以看出，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘韵碌募夹g(shù)方案。
[0060]1.一種半導(dǎo)體器件，包括:
[0061]電壓供應(yīng)單元，所述電壓供應(yīng)單元適用于供應(yīng)電壓；
[0062]第一導(dǎo)線，所述第一導(dǎo)線與所述電壓供應(yīng)單元耦接；
[0063]第二導(dǎo)線，所述第二導(dǎo)線形成在所述第一導(dǎo)線之上；
[0064]電壓接觸插塞，所述電壓接觸插塞形成在所述第二導(dǎo)線之上；
[0065]電壓傳輸線，所述電壓傳輸線形成在所述電壓接觸插塞之上；以及
[0066]開關(guān)元件，所述開關(guān)元件適用于切換從所述電壓傳輸線傳送的電壓。
[0067]2.如技術(shù)方案I所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一導(dǎo)線具有與所述開關(guān)元件的柵極的高度大體相同的高度，并且所述第一導(dǎo)線由與所述開關(guān)元件的柵極的材料相同的材料形成。
[0068]3.如技術(shù)方案2所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一導(dǎo)線由多晶硅形成。
[0069]4.如技術(shù)方案I所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二導(dǎo)線由電阻比所述第一導(dǎo)線的電阻低的材料形成。
[0070]5.如技術(shù)方案4所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二導(dǎo)線由鎢形成。
[0071]6.如技術(shù)方案I所述的半導(dǎo)體器件，其中，從所述第二導(dǎo)線的底部至所述第二導(dǎo)線的頂部的高度比從所述電壓接觸插塞的底部至所述電壓接觸插塞的頂部的高度大。
[0072]7.如技術(shù)方案I所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二導(dǎo)線的寬度比所述電壓接觸插塞的寬度大。
[0073]8.如技術(shù)方案I所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述電壓傳輸線的寬度與所述電壓接觸插塞的上部的寬度大體相同。
[0074]9.一種半導(dǎo)體器件，包括:
[0075]柵極線，所述柵極線形成在襯底的第一區(qū)域處；
[0076]結(jié)區(qū)，所述結(jié)區(qū)形成為與所述柵極線接觸；
[0077]第一柵接觸插塞，所述第一柵接觸插塞形成在所述結(jié)區(qū)之上；
[0078]第二柵接觸插塞，所述第二柵接觸插塞形成在所述第一柵接觸插塞之上；
[0079]第一導(dǎo)線，所述第一導(dǎo)線形成在所述襯底的第二區(qū)域；
[0080]第二導(dǎo)線，所述第二導(dǎo)線形成在所述第一導(dǎo)線之上；
[0081]電壓接觸插塞，所述電壓接觸插塞形成在所述第二導(dǎo)線之上；以及
[0082]電壓傳輸線，所述電壓傳輸線適用于將所述第二柵接觸插塞與所述電壓接觸插塞率禹接。
[0083]10.如技術(shù)方案9所述的半導(dǎo)體器件，其中，從所述第一柵接觸插塞的底部至所述第一柵接觸插塞的頂部的高度與從所述第一導(dǎo)線的底部至所述第二導(dǎo)線的頂部的高度大體相同。
[0084]11.如技術(shù)方案9所述的半導(dǎo)體器件，其中，從所述第二柵接觸插塞的底部至所述第二柵接觸插塞的頂部的高度與從所述電壓接觸插塞的底部至所述電壓接觸插塞的頂部的高度大體相同。
[0085]12.如技術(shù)方案9所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一柵接觸插塞的寬度比所述第二柵接觸插塞的寬度大。
[0086]13.—種半導(dǎo)體器件，包括:
[0087]存儲(chǔ)器單元陣列，所述存儲(chǔ)器單元陣列包括垂直存儲(chǔ)串；
[0088]多個(gè)線，所述多個(gè)線與所述垂直存儲(chǔ)串的上部耦接；
[0089]開關(guān)元件，所述開關(guān)元件包括結(jié)區(qū)和柵極線；
[0090]柵接觸插塞，所述柵接觸插塞與所述結(jié)區(qū)耦接；
[0091]第一導(dǎo)線；
[0092]第二導(dǎo)線，所述第二導(dǎo)線形成在所述第一導(dǎo)線之上；
[0093]電壓接觸插塞，所述電壓接觸插塞形成在所述第二導(dǎo)線之上；以及
[0094]電壓傳輸線，所述電壓傳輸線適用于將所述柵接觸插塞與所述電壓接觸插塞耦接，
[0095]其中，所述電壓傳輸線形成在與所述多個(gè)線相同的平面上。
[0096]14.如技術(shù)方案13所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述存儲(chǔ)器單元陣列具有三維結(jié)構(gòu)，在所述三維結(jié)構(gòu)中存儲(chǔ)器單元彼此分隔開并且沿著與半導(dǎo)體襯底的表面垂直的方向?qū)盈B。
[0097]15.如技術(shù)方案13所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述線包括信號(hào)傳輸線和位線中的至少一個(gè)，用于傳送操作信號(hào)。
[0098]16.如技術(shù)方案13所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述柵接觸插塞包括形成在所述結(jié)區(qū)之上的第一柵接觸插塞和形成在所述第一柵接觸插塞之上的第二柵接觸插塞。
[0099]17.如技術(shù)方案16所述的半導(dǎo)體器件，其中，從所述第一柵接觸插塞的底部至所述第一柵接觸插塞的頂部的高度與從所述第一導(dǎo)線的底部至所述第二導(dǎo)線的頂部的高度大體相同。
[0100]18.如技術(shù)方案16所述的半導(dǎo)體器件，其中，從所述第二柵接觸插塞的底部至所述第二柵接觸插塞的頂部的高度與從所述電壓接觸插塞的底部至所述電壓接觸插塞的頂部的高度大體相同。
[0101]19.如技術(shù)方案13所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二導(dǎo)線具有沿著所述第一導(dǎo)線形成的線形。
[0102]20.如技術(shù)方案13所述的半導(dǎo)體器件，其中，從所述第二導(dǎo)線的底部至所述第二導(dǎo)線的頂部的高度比從所述電壓接觸插塞的底部至所述電壓接觸插塞的頂部的高度大。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體器件，包括: 電壓供應(yīng)單元，所述電壓供應(yīng)單元適用于供應(yīng)電壓； 第一導(dǎo)線，所述第一導(dǎo)線與所述電壓供應(yīng)單元耦接； 第二導(dǎo)線，所述第二導(dǎo)線形成在所述第一導(dǎo)線之上； 電壓接觸插塞，所述電壓接觸插塞形成在所述第二導(dǎo)線之上； 電壓傳輸線，所述電壓傳輸線形成在所述電壓接觸插塞之上；以及 開關(guān)元件，所述開關(guān)元件適用于切換從所述電壓傳輸線傳送的電壓。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一導(dǎo)線具有與所述開關(guān)元件的柵極的高度大體相同的高度，并且所述第一導(dǎo)線由與所述開關(guān)元件的柵極的材料相同的材料形成。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一導(dǎo)線由多晶硅形成。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二導(dǎo)線由電阻比所述第一導(dǎo)線的電阻低的材料形成。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二導(dǎo)線由鎢形成。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，從所述第二導(dǎo)線的底部至所述第二導(dǎo)線的頂部的高度比從所述電壓接觸插塞的底部至所述電壓接觸插塞的頂部的高度大。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二導(dǎo)線的寬度比所述電壓接觸插塞的寬度大。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述電壓傳輸線的寬度與所述電壓接觸插塞的上部的寬度大體相同。
9.一種半導(dǎo)體器件，包括: 柵極線，所述柵極線形成在襯底的第一區(qū)域處； 結(jié)區(qū)，所述結(jié)區(qū)形成為與所述柵極線接觸； 第一柵接觸插塞，所述第一柵接觸插塞形成在所述結(jié)區(qū)之上； 第二柵接觸插塞，所述第二柵接觸插塞形成在所述第一柵接觸插塞之上； 第一導(dǎo)線，所述第一導(dǎo)線形成在所述襯底的第二區(qū)域； 第二導(dǎo)線，所述第二導(dǎo)線形成在所述第一導(dǎo)線之上； 電壓接觸插塞，所述電壓接觸插塞形成在所述第二導(dǎo)線之上；以及 電壓傳輸線，所述電壓傳輸線適用于將所述第二柵接觸插塞與所述電壓接觸插塞耦接。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中，從所述第一柵接觸插塞的底部至所述第一柵接觸插塞的頂部的高度與從所述第一導(dǎo)線的底部至所述第二導(dǎo)線的頂部的高度大體相同。
【文檔編號(hào)】G11C16/06GK104183568SQ201310593218
【公開日】2014年12月3日 申請(qǐng)日期:2013年11月20日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月27日
【發(fā)明者】吳星來 申請(qǐng)人:愛思開海力士有限公司