磁頭測(cè)試方法及測(cè)試裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種磁頭的測(cè)試方法，包括以下步驟：（1）以與所述縱向偏壓場(chǎng)相同的第一方向向所述磁頭施加具有恒定強(qiáng)度的第一磁場(chǎng)，同時(shí)以穿過所述空氣承載面的第二方向施加具有變化強(qiáng)度的第二磁場(chǎng)，并測(cè)量第一噪聲；（2）以與所述第一方向相反的第三方向向所述磁頭施加具有恒定強(qiáng)度的第三磁場(chǎng)，同時(shí)施加具有所述第二方向的所述第二磁場(chǎng)，并測(cè)量第二噪聲；（3）分析所述第一噪聲和所述第二噪聲之間的噪聲變化。本發(fā)明能準(zhǔn)確檢測(cè)出具有不良噪聲特性及不穩(wěn)定性能的缺陷磁頭。
【專利說明】磁頭測(cè)試方法及測(cè)試裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種測(cè)試磁頭性能的方法，尤其涉及一種磁頭的噪聲測(cè)試方法，從而 檢測(cè)出缺陷磁頭，以及一種噪聲測(cè)試裝置。

【背景技術(shù)】
[0002] 隨著磁盤驅(qū)動(dòng)裝置的容量逐漸增加、尺寸逐漸縮小，當(dāng)前需要更高靈敏度和高分 辨率的薄膜型磁頭迎合此需求。例如，現(xiàn)廣泛應(yīng)用的巨磁效應(yīng)（GMR)薄膜型磁頭，其具有的 GMR讀頭元件包括由磁化固定層和磁化自由層等的多層結(jié)構(gòu)；又如現(xiàn)正投入實(shí)際應(yīng)用的隧 道磁阻效應(yīng)（TMR)薄膜型磁頭，其具有更高靈敏度和更高分辨率的TMR讀頭元件。
[0003] 當(dāng)前，磁阻（magnetoresistive, MR)讀頭由于其內(nèi)嵌有一個(gè)更高靈敏度的MR元件 而廣泛應(yīng)用在主流磁頭中。磁頭在使用前，必須進(jìn)行一系列的性能測(cè)試，如動(dòng)態(tài)飛行高度 (dynamic flying height, DFH)性能、信噪比（Signal-to-Noise Ratio, SNR)性能、可靠性、 穩(wěn)定性等。特別地，當(dāng)噪聲產(chǎn)生時(shí)，磁頭的性能被影響，例如，飛行高度不穩(wěn)定且難以控制， 從而降低磁頭穩(wěn)定性，進(jìn)而降低磁頭讀取性能。
[0004] 因此，在磁頭產(chǎn)品投入使用之前必須進(jìn)行噪聲測(cè)試。其中一種常用的方法是通過 測(cè)量響應(yīng)于外加磁場(chǎng)而產(chǎn)生的噪聲從而判斷磁頭是否合格。由此，可獲得磁頭的噪聲圖并 測(cè)量出該磁頭的噪聲水平，從而判斷該磁頭是否合格。
[0005] 下述方法是一種通過施加與縱向偏壓場(chǎng)相同方向的外部磁場(chǎng)而進(jìn)行測(cè)試MR讀 頭的傳統(tǒng)方法。如圖1所示，該MR讀頭10包括兩個(gè)硬磁112、層夾于兩個(gè)硬磁112之間 的MR元件114、以及放置于MR元件114和硬磁112兩邊的兩個(gè)屏蔽層116。該MR元件 114包括第一鐵磁層121、第二鐵磁層122以及與第二鐵磁層122物理接觸的反鐵磁層 (anti-ferromagnetic，AFM)122以提供在這些層體的界面處交換稱合而產(chǎn)生的交換偏壓磁 場(chǎng)。由于第二鐵磁層122的磁化方向由交換耦合而被約束和保持，因此該第二鐵磁層122也 被稱作"釘扎層" 122。一般而言，第一鐵磁層121的磁化方向受控于硬磁112提供的縱向 偏壓磁場(chǎng)。當(dāng)施加在MR讀頭上的外部磁場(chǎng)足夠大以補(bǔ)償縱向偏壓磁場(chǎng)，則第一鐵磁層121 的磁化方向則會(huì)相應(yīng)于該外部磁場(chǎng)而發(fā)生自由旋轉(zhuǎn)，因此該第一鐵磁層121也被稱作"自 由層"121。該自由層121的磁化方向在平行于或反平行于釘扎層122的磁化方向上變化， 從而測(cè)量到MR讀頭的特性。
[0006] 在MR讀頭中，縱向偏壓場(chǎng)的強(qiáng)度會(huì)影響由磁疇邊緣的浮動(dòng)或位移而產(chǎn)生的噪聲。 若施加到自由層的縱向偏壓場(chǎng)過小，則噪聲很容易產(chǎn)生；若施加到自由層的縱向偏壓場(chǎng)過 大，則自由層的磁化方向的改變顯得十分困難，從而使MR讀頭的靈敏度降低。因此，利用與 縱向偏壓場(chǎng)相同的測(cè)試磁場(chǎng)十分難以控制，而且測(cè)試結(jié)果不準(zhǔn)確，測(cè)試效率較低。
[0007] 因此，亟待一種改進(jìn)的磁頭測(cè)試方法及測(cè)試裝置，以克服上述缺陷。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008] 本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種磁頭的測(cè)試方法，其能準(zhǔn)確檢測(cè)出具有不良噪聲 特性及不穩(wěn)定性能的缺陷磁頭。
[0009] 本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提供一種磁頭的測(cè)試裝置，其能準(zhǔn)確檢測(cè)出具有不良噪 聲特性及不穩(wěn)定性能的缺陷磁頭。
[0010] 為達(dá)到以上目的，本發(fā)明提供一種磁頭的測(cè)試方法，磁頭包括空氣承載面以及提 供縱向偏壓場(chǎng)的一對(duì)硬磁，所述測(cè)試方法包括以下步驟：（1)以與所述縱向偏壓場(chǎng)相同的 第一方向向所述磁頭施加具有恒定強(qiáng)度的第一磁場(chǎng)，同時(shí)以穿過所述空氣承載面的第二方 向施加具有變化強(qiáng)度的第二磁場(chǎng)，并測(cè)量第一噪聲；（2)以與所述第一方向相反的第三方 向向所述磁頭施加具有恒定強(qiáng)度的第三磁場(chǎng)，同時(shí)施加具有所述第二方向的所述第二磁 場(chǎng)，并測(cè)量第二噪聲；（3)分析所述第一噪聲和所述第二噪聲之間的噪聲變化。
[0011] 作為一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，所述步驟（1)進(jìn)一步包括重復(fù)施加多個(gè)具有不同恒定強(qiáng)度 的所述第一磁場(chǎng)，同時(shí)施加具有變化強(qiáng)度的所述第二磁場(chǎng)從而測(cè)量所述第一噪聲；所述步 驟（2)進(jìn)一步包括重復(fù)施加多個(gè)具有不同恒定強(qiáng)度的所述第三磁場(chǎng)，同時(shí)施加具有變化強(qiáng) 度的所述第二磁場(chǎng)從而測(cè)量所述第二噪聲。
[0012] 較佳地，所述步驟（3)進(jìn)一步包括所述噪聲變化由以下關(guān)系式計(jì)算而得：δ噪聲= (第一噪聲/第二噪聲-1) *100%。
[0013] 作為一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，所述第三磁場(chǎng)的恒定強(qiáng)度小于所述硬磁的固有的縱向偏壓 場(chǎng)的強(qiáng)度。
[0014] 作為一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，所述第二方向和所述空氣承載面之間形成一角度。
[0015] 較佳地，所述第二方向垂直于所述空氣承載面。
[0016] 可選地，所述第二方向穿入所述空氣承載面或者從所述空氣承載面穿出。
[0017] 相應(yīng)地，本發(fā)明提供一種磁頭的測(cè)試裝置，包括：第一磁場(chǎng)施加單元，用以以與所 述縱向偏壓場(chǎng)相同的第一方向或與所述縱向偏壓場(chǎng)相反的第三方向向所述磁頭施加具有 恒定強(qiáng)度的第一磁場(chǎng)；第二磁場(chǎng)施加單元，用以以穿過所述空氣承載面的第二方向施加具 有變化磁場(chǎng)的第二磁場(chǎng)；與所述磁頭相連的測(cè)量單元，用以依照所述第一磁場(chǎng)和所述第二 磁場(chǎng)測(cè)量第一噪聲或依照所述第三磁場(chǎng)和所述第二磁場(chǎng)測(cè)量第二噪聲；以及與所述測(cè)量單 元相連的方向單元，用以分析所述第一噪聲和所述第二噪聲之間的噪聲變化。
[0018] 作為一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，所述噪聲變化由以下關(guān)系式計(jì)算而得：δ噪聲=(第一噪聲 / 第二噪聲-1) *100%。
[0019] 較佳地，所述第二方向和所述空氣承載面之間形成一角度。
[0020] 較佳地，所述第二方向垂直于所述空氣承載面。
[0021] 可選地，所述第二方向穿入所述空氣承載面或者從所述空氣承載面穿出。
[0022] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明通過向磁頭施加具有與縱向偏壓場(chǎng)相同的第一方向、恒 定強(qiáng)度的第一磁場(chǎng)以及具有與縱向偏壓場(chǎng)相反的第三方向的第三磁場(chǎng)，從而分析由此兩種 磁場(chǎng)施加方式而測(cè)量出的噪聲的變化。通過分析該噪聲變化，例如在某一外部施加磁場(chǎng)處 的測(cè)試圖中出現(xiàn)噪聲的劇烈變化，從而檢測(cè)并篩選出具有不良噪聲特性和不穩(wěn)定性能的缺 陷磁頭。同時(shí)，本發(fā)明利用準(zhǔn)靜態(tài)測(cè)試方法的測(cè)試結(jié)果與動(dòng)態(tài)測(cè)試方法的測(cè)試結(jié)果相一致， 由此可見，本發(fā)明的測(cè)試方法準(zhǔn)確、高效。
[0023] 通過以下的描述并結(jié)合附圖，本發(fā)明將變得更加清晰，這些附圖用于解釋本發(fā)明 的實(shí)施例。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0024] 圖la為傳統(tǒng)MR讀頭的簡(jiǎn)化的局部立體圖。
[0025] 圖lb為圖la中MR元件的立體圖。
[0026] 圖2a為本發(fā)明的磁頭的簡(jiǎn)化立體圖。
[0027] 圖2b為圖2a中MR讀頭的簡(jiǎn)化的局部立體圖。
[0028] 圖3為本發(fā)明磁頭的測(cè)試方法的一個(gè)實(shí)施例的流程圖。
[0029] 圖4為一個(gè)實(shí)際例子的測(cè)試圖，其展示了分別通過以與縱向偏壓場(chǎng)相同的第一方 向施加第一磁場(chǎng)以及以與縱向偏壓場(chǎng)相反的第三方向施加第三磁場(chǎng)而測(cè)得的第一噪聲曲 線和第二噪聲曲線。
[0030] 圖5為通過動(dòng)態(tài)測(cè)試方法對(duì)一批試驗(yàn)磁頭進(jìn)行測(cè)試的噪聲測(cè)試結(jié)果。
[0031] 圖5a為在圖5中選取的一個(gè)缺陷磁頭利用本發(fā)明測(cè)試方法進(jìn)行測(cè)試的測(cè)試結(jié)果 曲線圖。
[0032] 圖5b為在圖5中選取的一個(gè)良好磁頭利用本發(fā)明測(cè)試方法進(jìn)行測(cè)試的測(cè)試結(jié)果 曲線圖。
[0033] 圖6為本發(fā)明磁頭的測(cè)試裝置的一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)框圖。

【具體實(shí)施方式】
[0034] 下面將參考附圖闡述本發(fā)明幾個(gè)不同的最佳實(shí)施例，其中不同圖中相同的標(biāo)號(hào)代 表相同的部件。如上所述，本發(fā)明的實(shí)質(zhì)在于提供一種磁頭測(cè)試方法及測(cè)試裝置，其能準(zhǔn)確 檢測(cè)出具有不良噪聲特性及不穩(wěn)定性能的缺陷磁頭。
[0035] 圖2a展示了本發(fā)明一個(gè)磁頭200的立體圖，其包括襯底體201、相對(duì)的ABS202和 底面（圖未示)、以及相對(duì)的前邊203和尾邊（圖未示)。該ABS202被加工至合適的飛行高度。 在前邊203上設(shè)有MR讀頭210和寫頭220,具體地，如圖3b所示，該MR讀頭210包括形成 在一襯底（圖未示）之上的第一屏蔽層211、第二屏蔽層212,以及層夾該第一、第二屏蔽層 211、212之間的MR元件230。其中，在MR元件230的兩側(cè)設(shè)置有一對(duì)硬磁層240，該硬磁層 240同樣層夾于該第一、第二屏蔽層211、212之間。該MR兀件230包括自由層231、釘扎層 232以及AFM層233。自由層231的磁化方向受控于硬磁240提供的縱向偏壓磁場(chǎng)。當(dāng)施 加在MR元件230上的外部磁場(chǎng)足夠大以補(bǔ)償縱向偏壓磁場(chǎng)，則自由層231的磁化方向則會(huì) 相應(yīng)于該外部磁場(chǎng)而發(fā)生自由旋轉(zhuǎn)。該自由層231的磁化方向在平行于或反平行于釘扎層 232的磁化方向上變化。
[0036] 具體地，在特定的MR元件中，縱向偏壓場(chǎng)的方向呈圖中箭頭291或29Γ所示，而 硬磁240提供的縱向偏壓場(chǎng)的強(qiáng)度是固定的，通常在幾百到幾千0e不等。在本實(shí)施例中， 縱向偏壓場(chǎng)的方向如圖2b中的箭頭291所示，而其相反方向則如箭頭29Γ所示。
[0037] 在本發(fā)明的測(cè)試方法中，施加于磁頭200上的第一磁場(chǎng)的第一方向與縱向偏壓場(chǎng) 的方向一致，即如箭頭291所示。而第三磁場(chǎng)的第三方向則與縱向偏壓場(chǎng)的方向相反，SP如 箭頭29Γ所示?？蛇x地，第一磁場(chǎng)和第三磁場(chǎng)的強(qiáng)度通常在幾百到幾千0e不等，并不受限 制。
[0038] 同時(shí)，向磁頭200施加第二磁場(chǎng)進(jìn)行測(cè)試操作，其中，第二磁場(chǎng)的第二方向穿過 ABS202?？蛇x地，該第二方向可穿入ABS202或從ABS202穿出。較佳地，在本實(shí)施例中，該 第二方向穿入ABS202并與ABS202呈90度（即垂直于ABS202)，該第二方向如箭頭292所 示?？蛇x地，該第二方向亦可與ABS202呈銳角，角度的大小不受限制。
[0039] 圖3為本發(fā)明磁頭測(cè)試方法的一個(gè)實(shí)施例的流程圖，該方法包括以下步驟：
[0040] 301，以第一方向291施加具有恒定強(qiáng)度的第一磁場(chǎng)，同時(shí)以第二方向292施加具 有變化強(qiáng)度的第二磁場(chǎng)；
[0041] 302,測(cè)量第一噪聲；
[0042] 303,以第三方向291'施加具有恒定強(qiáng)度的第三磁場(chǎng)，同時(shí)施加第二磁場(chǎng)；
[0043] 304,測(cè)量第二噪聲；
[0044] 305,分析第一噪聲和第二噪聲之間的噪聲變化。
[0045] 較佳地，在操作員知道硬磁固有的縱向偏壓場(chǎng)的強(qiáng)度的情況下，施加的第三磁場(chǎng) 的強(qiáng)度須接近但小于固有縱向偏壓場(chǎng)，這是由于過大的具有與固有縱向偏壓場(chǎng)相反方向的 第三方向的磁場(chǎng)強(qiáng)度會(huì)損壞磁頭，使磁頭崩潰，將使得測(cè)試變得無意義。由于第三磁場(chǎng)的強(qiáng) 度與固有的縱向偏壓場(chǎng)的強(qiáng)度接近，因此，當(dāng)?shù)谌艌?chǎng)和第二磁場(chǎng)同時(shí)施向磁頭時(shí)，磁頭會(huì) 出現(xiàn)明顯且敏感的噪聲特性。
[0046] 作為一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，當(dāng)操作員不了解當(dāng)前磁頭的固有縱向偏壓場(chǎng)的情況下，第 一實(shí)施例中的步驟301還包括以下步驟：重復(fù)施加具有不同的恒定強(qiáng)度的第一磁場(chǎng)，同時(shí) 施加具有變化強(qiáng)度的第二磁場(chǎng)，以測(cè)量第一噪聲。步驟302進(jìn)一步包括：重復(fù)施加具有不同 的恒定強(qiáng)度的第三磁場(chǎng)，同時(shí)施加具有變化強(qiáng)度的磁場(chǎng)，以測(cè)量第二噪聲。特定地，上述第 一磁場(chǎng)和第三磁場(chǎng)的施加可設(shè)定為重復(fù)多次，且以一定的強(qiáng)度為間隔。測(cè)試過程所耗的時(shí) 間和精度和重復(fù)次數(shù)和測(cè)試強(qiáng)度間隔相關(guān)聯(lián)。
[0047] 圖4為一個(gè)實(shí)際例子的測(cè)試圖，其展示了從以第一方向291施加第一磁場(chǎng)到以第 三方向29Γ施加第三磁場(chǎng)，同時(shí)施加第二磁場(chǎng)而測(cè)得的第一、第二噪聲曲線。特定地，當(dāng)施 加具有第一方向291 (即縱向偏壓場(chǎng)的方向）的第一磁場(chǎng)和第二方向292的第二磁場(chǎng)時(shí)，試 驗(yàn)磁頭展現(xiàn)平穩(wěn)的噪聲均方根（root mean square，RMS)曲線（C1)和平穩(wěn)的噪聲最大值曲 線（C2)，即圖中的負(fù)坐標(biāo)區(qū)域上的曲線部分（P1);而當(dāng)施加具有第三方向29Γ (即與縱向 偏壓場(chǎng)相反的方向）的第三磁場(chǎng)和第二方向292的第二磁場(chǎng)時(shí)，在某一磁場(chǎng)強(qiáng)度處試驗(yàn)磁 頭的曲線（即圖中的正坐標(biāo)區(qū)域上的曲線部分P2)出現(xiàn)明顯的噪聲突升。從噪聲曲線P1、 P2中可分析計(jì)算得出第一噪聲和第二噪聲之間的噪聲變化：δ噪聲=(第一噪聲/第二噪 聲-1) *100%。該δ噪聲則與試驗(yàn)磁頭的噪聲水平和噪聲特性相關(guān)聯(lián)。若該δ噪聲大于 某一閾值，則試驗(yàn)磁頭被判定為缺陷磁頭，須被修正或舍棄。
[0048] 需要注意的是，本發(fā)明的測(cè)量噪聲的方法并不受限制，一些常用的方法本領(lǐng)域技 術(shù)人員均熟知，因此在此不對(duì)噪聲測(cè)量方法進(jìn)行贅述。
[0049] 以下對(duì)常用的動(dòng)態(tài)測(cè)試方法和本發(fā)明的測(cè)試方法進(jìn)行測(cè)試結(jié)果對(duì)比。
[0050] 圖5為通過動(dòng)態(tài)測(cè)試方法對(duì)一批試驗(yàn)磁頭進(jìn)行測(cè)試的噪聲測(cè)試結(jié)果。在圖5中的 每一點(diǎn)代表一個(gè)被測(cè)磁頭。在圓形Μ區(qū)域中聚集的點(diǎn)顯示為具有良好噪聲特性的良品，例 如Α點(diǎn)，而離散于圓形Μ區(qū)域之外的點(diǎn)則顯示為具有不良噪聲特性的缺陷磁頭，例如Β點(diǎn)。
[0051] 繼而，本發(fā)明選取磁頭Α、Β進(jìn)行測(cè)試。圖5a為缺陷磁頭Β利用本發(fā)明測(cè)試方法進(jìn) 行測(cè)試的測(cè)試結(jié)果曲線圖。圖5b為良好磁頭A利用本發(fā)明測(cè)試方法進(jìn)行測(cè)試的測(cè)試結(jié)果 曲線圖。在圖5a中可看出，在具有一特定強(qiáng)度的第三磁場(chǎng)(與縱向偏壓場(chǎng)相反的方向)的測(cè) 試曲線下出現(xiàn)高噪聲峰值，而在相同強(qiáng)度下的第一磁場(chǎng)(縱向偏壓場(chǎng)的方向）的測(cè)試曲線下 則沒有出現(xiàn)高噪聲峰值。因此，計(jì)算出的S噪聲數(shù)值很大，遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于設(shè)定的閾值。相反，磁 頭A的噪聲特性則十分良好，其δ噪聲數(shù)值較小。由此可見，傳統(tǒng)的動(dòng)態(tài)測(cè)試方法和本發(fā) 明的測(cè)試方法的測(cè)試結(jié)果相符，亦正驗(yàn)證了本發(fā)明的測(cè)試方法的測(cè)試精度。
[0052] 綜上，本發(fā)明通過向磁頭施加具有與縱向偏壓場(chǎng)相同的第一方向291、恒定強(qiáng)度的 第一磁場(chǎng)以及具有與縱向偏壓場(chǎng)相反的第三方向29Γ的第三磁場(chǎng)，從而分析由此兩種磁場(chǎng) 施加方式而測(cè)量出的噪聲的變化。通過分析該噪聲變化，例如在某一外部施加磁場(chǎng)（即第二 磁場(chǎng)）處的測(cè)試圖中出現(xiàn)噪聲的劇烈變化，從而檢測(cè)并篩選出具有不良噪聲特性和不穩(wěn)定 性能的缺陷磁頭。同時(shí)，本發(fā)明利用準(zhǔn)靜態(tài)測(cè)試方法的測(cè)試結(jié)果與動(dòng)態(tài)測(cè)試方法的測(cè)試結(jié) 果相一致，由此可見，本發(fā)明的測(cè)試方法準(zhǔn)確、高效。
[0053] 相應(yīng)地，圖6展示了本發(fā)明磁頭測(cè)試裝置的一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)框圖。該測(cè)試裝置 600包括第一磁場(chǎng)施加單元601、第二磁場(chǎng)施加單元602、測(cè)量單元603以及分析單元604。
[0054] 具體地，該第一磁場(chǎng)施加單元601用以以與縱向偏壓場(chǎng)相同的第一方向或與縱向 偏壓場(chǎng)相反的第三方向向磁頭施加具有恒定強(qiáng)度的第一磁場(chǎng)。第二磁場(chǎng)施加單兀602用以 以穿過ABS的第二方向施加具有變化磁場(chǎng)的第二磁場(chǎng)。測(cè)量單元603用以依照第一磁場(chǎng)和 第二磁場(chǎng)測(cè)量第一噪聲或依照第三磁場(chǎng)和第二磁場(chǎng)測(cè)量第二噪聲。分析單元604與測(cè)量單 兀603相連的方向單兀，用以分析第一噪聲和第二噪聲之間的噪聲變化。
[0055] 需要注意的是，該執(zhí)行上述的測(cè)試方法的測(cè)試裝置600提供相應(yīng)于測(cè)試方法的運(yùn) 行條件。必要時(shí)，該測(cè)試裝置600可包括與上述測(cè)試方法相對(duì)應(yīng)的功能單元，在此省略描 述。
[0056] 本發(fā)明的測(cè)試裝置600能準(zhǔn)確檢測(cè)出具有不良噪聲特性及不穩(wěn)定性能的缺陷磁 頭。同時(shí)，本發(fā)明測(cè)試裝置600的測(cè)試結(jié)果與動(dòng)態(tài)測(cè)試方法的測(cè)試結(jié)果相一致，由此可見， 本發(fā)明的測(cè)試裝置600準(zhǔn)確、高效。
[0057] 以上所揭露的僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，當(dāng)然不能以此來限定本發(fā)明之權(quán)利 范圍，因此依本發(fā)明申請(qǐng)專利范圍所作的等同變化，仍屬本發(fā)明所涵蓋的范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種磁頭的測(cè)試方法，磁頭包括空氣承載面以及提供縱向偏壓場(chǎng)的一對(duì)硬磁，其特 征在于，所述測(cè)試方法包括以下步驟： (1) 以與所述縱向偏壓場(chǎng)相同的第一方向向所述磁頭施加具有恒定強(qiáng)度的第一磁場(chǎng)， 同時(shí)以穿過所述空氣承載面的第二方向施加具有變化強(qiáng)度的第二磁場(chǎng)，并測(cè)量第一噪聲； (2) 以與所述第一方向相反的第三方向向所述磁頭施加具有恒定強(qiáng)度的第三磁場(chǎng)，同 時(shí)施加具有所述第二方向的所述第二磁場(chǎng)，并測(cè)量第二噪聲； (3) 分析所述第一噪聲和所述第二噪聲之間的噪聲變化。
2. 如權(quán)利要求1所述的測(cè)試方法，其特征在于：所述步驟（1)進(jìn)一步包括重復(fù)施加多個(gè) 具有不同恒定強(qiáng)度的所述第一磁場(chǎng)，同時(shí)施加具有變化強(qiáng)度的所述第二磁場(chǎng)從而測(cè)量所述 第一噪聲；所述步驟（2)進(jìn)一步包括重復(fù)施加多個(gè)具有不同恒定強(qiáng)度的所述第三磁場(chǎng)，同 時(shí)施加具有變化強(qiáng)度的所述第二磁場(chǎng)從而測(cè)量所述第二噪聲。
3. 如權(quán)利要求1所述的測(cè)試方法，其特征在于：所述步驟（3)進(jìn)一步包括所述噪聲變化 由以下關(guān)系式計(jì)算而得：S噪聲=(第一噪聲/第二噪聲-1) *100%。
4. 如權(quán)利要求1所述的測(cè)試方法，其特征在于：所述第三磁場(chǎng)的恒定強(qiáng)度小于所述硬 磁的固有的縱向偏壓場(chǎng)的強(qiáng)度。
5. 如權(quán)利要求1所述的測(cè)試方法，其特征在于：所述第二方向和所述空氣承載面之間 形成一角度。
6. 如權(quán)利要求5所述的測(cè)試方法，其特征在于：所述第二方向垂直于所述空氣承載面。
7. 如權(quán)利要求5所述的測(cè)試方法，其特征在于：所述第二方向穿入所述空氣承載面或 者從所述空氣承載面穿出。
8. -種磁頭的測(cè)試裝置，磁頭包括空氣承載面以及提供縱向偏壓場(chǎng)的一對(duì)硬磁，其特 征在于，所述測(cè)試裝置包括： 第一磁場(chǎng)施加單元，用以以與所述縱向偏壓場(chǎng)相同的第一方向或與所述縱向偏壓場(chǎng)相 反的第三方向向所述磁頭施加具有恒定強(qiáng)度的第一磁場(chǎng)； 第二磁場(chǎng)施加單元，用以以穿過所述空氣承載面的第二方向施加具有變化磁場(chǎng)的第二 磁場(chǎng)； 與所述磁頭相連的測(cè)量單元，用以依照所述第一磁場(chǎng)和所述第二磁場(chǎng)測(cè)量第一噪聲或 依照所述第三磁場(chǎng)和所述第二磁場(chǎng)測(cè)量第二噪聲；以及 與所述測(cè)量單元相連的方向單元，用以分析所述第一噪聲和所述第二噪聲之間的噪聲 變化。
9. 如權(quán)利要求8所述的測(cè)試裝置，其特征在于：所述噪聲變化由以下關(guān)系式計(jì)算而得： S噪聲=(第一噪聲/第二噪聲-1)*100%。
10. 如權(quán)利要求8所述的測(cè)試裝置，其特征在于：所述第二方向和所述空氣承載面之間 形成一角度。
11. 如權(quán)利要求10所述的測(cè)試裝置，其特征在于：所述第二方向垂直于所述空氣承載 面。
12. 如權(quán)利要求10所述的測(cè)試裝置，其特征在于：所述第二方向穿入所述空氣承載面 或者從所述空氣承載面穿出。
【文檔編號(hào)】G11B5/455GK104143343SQ201310169758
【公開日】2014年11月12日 申請(qǐng)日期:2013年5月9日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月9日
【發(fā)明者】林浩基, 李文杰, 雷卓文, 陳華俊, 丁菊仁, 倪榮光, 梁卓榮, 關(guān)韻妍 申請(qǐng)人:新科實(shí)業(yè)有限公司