專利名稱：Dram自刷新方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種DRAM自刷新方法，該方法主要用于在DRAM自刷新時(shí)消除歷史噪聲的影響并實(shí)現(xiàn)糾錯(cuò)的功能。
背景技術(shù)：
DRAM中單個(gè)存儲(chǔ)單元(the single cell)出錯(cuò)不是因?yàn)殚L(zhǎng)的刷新(refresh)時(shí)間，更多的是由于在長(zhǎng)時(shí)間工作下，工作模型或歷史噪聲產(chǎn)生的拓?fù)鋵?dǎo)致的錯(cuò)誤，因此，歷史噪聲(從某方面來(lái)說(shuō)，比如相鄰單元的拓?fù)涞?非常嚴(yán)重的。在DRAM自刷新(SRF)的時(shí)候，每次一根字線(word line)被激活并保持一定時(shí)間的激活狀態(tài)。在傳統(tǒng)的方法里，自刷新的時(shí)候只會(huì)刷新存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，不進(jìn)行讀寫(xiě)操作，從而導(dǎo)致無(wú)法用ECC判斷存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是否正確(如果要用ECC進(jìn)行判斷，需要讀寫(xiě)操作)，也無(wú)法進(jìn)行糾正。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種DRAM自刷新方法，主要解決了現(xiàn)有DRAM在進(jìn)行自刷新時(shí)，僅刷新存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)數(shù)據(jù)而不進(jìn)行讀寫(xiě)操作從而導(dǎo)致了歷史噪聲對(duì)單元的影響以及DM對(duì)ECC的限制的問(wèn)題。本發(fā)明的具體技術(shù)解決方案如下:該DRAM自刷新方法包括以下步驟:I]對(duì)存儲(chǔ)單元中的字線進(jìn)行激活；2]讀出激活的字線上的數(shù)據(jù)和監(jiān)督位，并通過(guò)解碼判斷字線上的數(shù)據(jù)和監(jiān)督位是否存在錯(cuò)誤，若不存在錯(cuò)誤，則進(jìn)行下個(gè)字線的激活，若存在錯(cuò)誤，則進(jìn)行錯(cuò)誤糾正，并將糾正后的正確數(shù)據(jù)寫(xiě)回存儲(chǔ)單元中，然后進(jìn)行下個(gè)字線的激活。若存儲(chǔ)單元中的字線上存在數(shù)據(jù)屏蔽信息位，則步驟I完成后進(jìn)行步驟3，3]根據(jù)信息位判斷是否存在數(shù)據(jù)屏蔽，若不存在數(shù)據(jù)屏蔽，則進(jìn)入步驟2處理；若存在數(shù)據(jù)屏蔽，則不進(jìn)行讀寫(xiě)操作，不改寫(xiě)當(dāng)前狀態(tài)，直接進(jìn)入下個(gè)字線的激活，或先讀出字線上的數(shù)據(jù)，然后對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行編碼操作生成新的監(jiān)督位，再將新的監(jiān)督位寫(xiě)回存儲(chǔ)單元中，然后進(jìn)行下個(gè)字線的激活；若直接進(jìn)入下個(gè)字線的激活，DM的信息位存儲(chǔ)的值不改變；若寫(xiě)入新的監(jiān)督位，DM的信息位存儲(chǔ)的值要做相應(yīng)的改變。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:本發(fā)明提供的DRAM自刷新方法可在字線被激活的時(shí)間里同時(shí)進(jìn)行讀寫(xiě)操作，進(jìn)行讀寫(xiě)操作的次數(shù)取決于字線的激活時(shí)間和工作頻率。該DRAM自刷新方法通過(guò)在自刷新的過(guò)程中在字線激活時(shí)進(jìn)行讀寫(xiě)操作去消除歷史噪聲的影響；若在進(jìn)行讀寫(xiě)操作時(shí)刷新了監(jiān)督位，還能解決由于DM不能進(jìn)行檢測(cè)和糾正數(shù)據(jù)的問(wèn)題。


圖1為本發(fā)明實(shí)施例的流程圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明所依據(jù)的原理是:首先讀出數(shù)據(jù)和監(jiān)督位，然后通過(guò)解碼過(guò)程判斷是否有錯(cuò):如果沒(méi)錯(cuò)，繼續(xù)下個(gè)讀操作；如果有錯(cuò)，把錯(cuò)誤糾正并寫(xiě)回存儲(chǔ)單元，然后繼續(xù)下個(gè)讀操作。對(duì)于DM，可先用DM信息位判斷是否有DM:如果沒(méi)有，執(zhí)行以上的操作；如果有，把數(shù)據(jù)讀出，然后把這些數(shù)據(jù)進(jìn)行編碼操作產(chǎn)生新的監(jiān)督位后再把新的監(jiān)督位寫(xiě)回存儲(chǔ)單元。當(dāng)然，如果想提高效率，也可在判斷DM信息位后:如果沒(méi)有，執(zhí)行以上操作；如果有，不執(zhí)行讀寫(xiě)操作，不改寫(xiě)當(dāng)前狀態(tài)，直接進(jìn)入下個(gè)讀操作?？筛鶕?jù)是要正確率還是刷新速度選取是否執(zhí)行ECC的編碼并回寫(xiě)操作，要注意是否需要改寫(xiě)DM信息位存儲(chǔ)的值。以下結(jié)合實(shí)施例及附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳述:以IG DDR3為例，若只進(jìn)行自刷新不讀寫(xiě)，需要激活8k個(gè)字線，全部刷新完需要64ms (毫秒)。若在自刷新時(shí)進(jìn)行讀寫(xiě)操作，對(duì)于一個(gè)字線，有128個(gè)列選信號(hào)需要讀寫(xiě)，假定每次字線激活的時(shí)間內(nèi)平均可進(jìn)行4次讀寫(xiě)操作，那新的帶讀寫(xiě)操作的自刷新時(shí)間將變?yōu)?4ms*128/4=64ms*32=2048ms。若不需要糾正和回寫(xiě)數(shù)據(jù)以及重寫(xiě)監(jiān)督位，每次字線激活時(shí)間內(nèi)能進(jìn)行更多的讀操作。圖1為相應(yīng)的流程圖，其中WL是字線，CSL是列選信號(hào)。每列對(duì)應(yīng)一次傳統(tǒng)的自刷新循環(huán)，遍歷8k個(gè)字線；總的對(duì)應(yīng)一次新的帶讀寫(xiě)操作的自刷新循環(huán)，包含了對(duì)所有單元的額外讀寫(xiě)操作。此方法在不影響傳統(tǒng)的刷新方式(只要字線激活一定時(shí)間就相當(dāng)于對(duì)字線下對(duì)應(yīng)的所有單元進(jìn)行刷新)的基礎(chǔ)上，通過(guò)增加額外的讀寫(xiě)操作，即消除了歷史噪聲對(duì)單元的影響，又改善了 DM對(duì)ECC的限制。
權(quán)利要求
1.一種DRAM自刷新方法，其特征在于，包括以下步驟: 1]對(duì)存儲(chǔ)單元中的字線進(jìn)行激活； 2]讀出激活的字線上的數(shù)據(jù)和監(jiān)督位，并通過(guò)解碼判斷字線上的數(shù)據(jù)和監(jiān)督位是否存在錯(cuò)誤，若不存在錯(cuò)誤，則進(jìn)行下個(gè)字線的激活，若存在錯(cuò)誤，則進(jìn)行錯(cuò)誤糾正，并將糾正后的正確數(shù)據(jù)寫(xiě)回存儲(chǔ)單元中，然后進(jìn)行下個(gè)字線的激活。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DRAM自刷新方法，其特征在于:若存儲(chǔ)單元中的字線上存在數(shù)據(jù)屏蔽信息位，則步驟I完成后進(jìn)行步驟3，3]根據(jù)信息位判斷是否存在數(shù)據(jù)屏蔽，若不存在數(shù)據(jù)屏蔽，則進(jìn)入步驟2處理；若存在數(shù)據(jù)屏蔽，則不進(jìn)行讀寫(xiě)操作，不改寫(xiě)當(dāng)前狀態(tài)，直接進(jìn)入下個(gè)字線的激活，且DM的信息位存儲(chǔ)的值不改變。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DRAM自刷新方法，其特征在于:若存儲(chǔ)單元中的字線上存在數(shù)據(jù)屏蔽信息位，則步驟I完成后進(jìn)行步驟3，3]根據(jù)信息位判斷是否存在數(shù)據(jù)屏蔽，若不存在數(shù)據(jù)屏蔽，則進(jìn)入步驟2處理；若存在數(shù)據(jù)屏蔽，先讀出字線上的數(shù)據(jù)，然后對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行編碼操作生成新的監(jiān)督位，且DM的信息位存儲(chǔ)的值要做相應(yīng)的改變，再將新的監(jiān)督位寫(xiě)回存儲(chǔ)單元中，再進(jìn)行下個(gè)字線的激活。
全文摘要
本發(fā)明提供一種DRAM自刷新方法，主要解決了現(xiàn)有DRAM在進(jìn)行自刷新時(shí)，僅刷新存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)數(shù)據(jù)而不進(jìn)行讀寫(xiě)操作從而導(dǎo)致了歷史噪聲對(duì)單元的影響以及DM對(duì)ECC的限制的問(wèn)題。該DRAM自刷新方法包括以下步驟1]對(duì)存儲(chǔ)單元中的字線進(jìn)行激活；2]讀出激活的字線上的數(shù)據(jù)和監(jiān)督位，并通過(guò)解碼判斷字線上的數(shù)據(jù)和監(jiān)督位是否存在錯(cuò)誤，若不存在錯(cuò)誤，則進(jìn)行下個(gè)字線的激活，若存在錯(cuò)誤，則進(jìn)行錯(cuò)誤糾正，并將糾正后的正確數(shù)據(jù)寫(xiě)回存儲(chǔ)單元中，然后進(jìn)行下個(gè)字線的激活。本發(fā)明提供的DRAM自刷新方法可在字線被激活的時(shí)間里同時(shí)進(jìn)行讀寫(xiě)操作，進(jìn)行讀寫(xiě)操作的次數(shù)取決于字線的激活時(shí)間和工作頻率。
文檔編號(hào)G11C11/406GK103187091SQ20131008872
公開(kāi)日2013年7月3日 申請(qǐng)日期2013年3月19日 優(yōu)先權(quán)日2013年3月19日
發(fā)明者亞歷山大 申請(qǐng)人:西安華芯半導(dǎo)體有限公司