專利名稱：非易失存儲器的參考單元編程方法和系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲器技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種非易失存儲器中所使用的參考單元的編程方法和系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
為了驗證存儲器產(chǎn)品的正確性，在產(chǎn)品出廠前會進行一連串的測試流程。這些存儲產(chǎn)品可以包括非揮發(fā)性存儲器產(chǎn)品(例如，快閃存儲器Flash，或是可電除可編程只讀存儲器EEPROM等)，也可以包括一次性可編程OTP類存儲器。一般的測試流程可以包括產(chǎn)品接腳(Pin)的短路/斷路測試、邏輯功能測試、電擦除特性測試(以判斷該揮發(fā)性存儲器內(nèi)的資料是否可以被電擦除且再寫入新資料)、程序碼測試(將寫入該非揮發(fā)性存儲器的程序碼讀出并與該寫入程序碼作比對，以判斷該非揮發(fā)性存儲器的讀寫動作是否正確)等 寸o在進行存儲器測試過程中，通常會對存儲器的存儲單元進行編程、擦除、讀出等測試操作以及校驗這些存儲單元是否通過測試。一般情況下，在進行各項測試操作后，會通過選定參考存儲單元與操作后的存儲單元進行比較來判斷操作后的存儲單元是否通過測試。例如，在進行擦除測試時，為了加快擦除步驟的過程，一般都會施加較強的擦除條件來進行擦除(erase)操作,在這種情況下,邏輯塊(block)中的一些存儲單元(cell)則可能出現(xiàn)過擦除(over-erase)的狀態(tài)。通常情況下，在邏輯塊的擦除狀態(tài)完成后，會采用較強的軟編程條件把處于過擦除狀態(tài)的存儲單元恢復(fù)到正常的擦除狀態(tài)。為了驗證這些存儲單元是否恢復(fù)到正常的擦除狀態(tài)，則需要對存儲單元進行校驗。常見的校驗方法為通過會選定一個存儲單元作為參考存儲單元(ref cell),并給參考存儲單元施加一個參考電壓以在參考存儲單元中產(chǎn)生一個參考電流,然后用其余存儲單元的電流與參考電流進行比較，通過比較結(jié)果來確定是否存在過擦除狀態(tài)。因為存儲單元內(nèi)的電流與存儲單元的閾值電壓Vt及參考電壓有關(guān)，通常情況下，需要對存儲單元的閾值電壓Vt進行調(diào)整到標(biāo)準值，從而產(chǎn)生符合條件的參考電流。其中，參考存儲單元的閾值電壓為預(yù)定的，通常通過編程來達到預(yù)定的閾值電壓。但是在編程、擦除、讀出操作中，每一步操作之后所選用的參考單元的閾值電壓并不相同。例如，編程參考單元的閾值電壓會大于讀出參考單元的閾值電壓，而讀出參考單元的閾值電壓會大于擦除參考單元的閾值電壓。因此，需要對三個參考單元單獨進行編程以獲取對應(yīng)的閾值電壓。而編程需要在存儲器的存儲單元的測試過程中進行，單獨編程無疑會浪費較多的時間，這就增加了整個測試的時間，降低了測試效率，同時也會增加測試的成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種非易失存儲器的參考單元編程方法和系統(tǒng)，能夠同時對不同的參考單元進行編程，縮短測試的時間，提高測試效率，并降低測試成本。
為了解決上述問題，本發(fā)明公開了一種非易失存儲器的參考單元編程方法，包括以下步驟步驟101，對需要編程的多個參考單元進行擦除操作，使各參考單元處于擦除狀態(tài)；步驟102，對多個參考單元同時進行編程操作；步驟103，判斷各參考單元的電流是否小于所對應(yīng)的比較電流，若是，則進行步驟104，反之，則返回步驟102 ；步驟104，停止對電流小于對應(yīng)的比較電流的參考單元的編程操作。進一步地,所述方法還包括根據(jù)控制對參考單元進行編程操作所施加的電壓與脈沖來控制一次編程后參考 單元閾值電壓的變化量。進一步地，所述對參考單元進行編程操作所施加的電壓與脈沖與對存儲單元進行編程操作時所施加的電壓與脈沖相同。進一步地，所述每次對參考單元進行編程操作所施加的電壓與脈沖為固定值。進一步地，所述方法還包括對參考單元進行多次施加電壓和脈沖的方式來逐步提高所述參考單元的閾值電壓。進一步地，所述停止對電流小于對應(yīng)的比較電流的參考單元的編程操作包括將所述參考單元的漏極接地，去掉漏極的編程電壓。進一步地,所述方法還包括給每一個參考單元設(shè)置一個比較放大電路，用于判斷所對應(yīng)的參考單元的電流是否小于所述參考單元所對應(yīng)的比較電流。進一步地，在停止對電流小于對應(yīng)的比較電流的參考單元的編程操作后，所述方法還包括關(guān)閉停止編程的參考單元所對應(yīng)的比較放大電路。進一步地，在步驟102之前，所述方法還包括判斷各參考單元的電流是否小于所對應(yīng)的比較電流，若小于，則停止對該參考單元的編程，反之，則繼續(xù)對該參考單元編程。為了解決上述問題，本發(fā)明還公開了一種非易失存儲器的參考單元編程系統(tǒng)，包括擦除模塊，與每個參考單元連接，對需要編程的多個參考單元進行擦除操作；編程模塊，與每個參考單元連接，對多個參考單元進行編程操作；電流轉(zhuǎn)換電路，用于提供參考單元的比較電流；比較放大電路，與參考單元、電流轉(zhuǎn)換電路和編程模塊連接，接收參考單元的電流與電流轉(zhuǎn)換電路的比較電流，對兩者的大小進行比較，判斷各參考單元的電流是否小于與該參考單元對應(yīng)的比較電流，并將比較結(jié)果信號反饋給編程模塊，若參考單元的電流小于與該參考單元對應(yīng)的比較電流，則編程模塊繼續(xù)對該參考單元進行編程操作，反之，則停止對該參考單元的編程操作。進一步地，所述編程模塊包括電壓和脈沖施加控制單元，用于控制對參考單元進行編程操作所施加的電壓與脈沖來控制一次編程后參考單元閾值電壓的變化量。進一步地，所述系統(tǒng)還包括編程控制模塊，用于將需要停止編程操作的參考單元的漏極接地，以停止對該參考單元的編程操作。進一步地,所述比較放大電路的數(shù)量與參考單元的數(shù)量相同。進一步地,所述參考單元包括編程參考單元、讀出參考單元和擦除參考單元,所述比較放大電路共有三個，每個參考單元與一個比較放大電路連接，用于對參考單元輸出的電流和與該參考單元對應(yīng)的比較電流單獨進行比對。進一步地，所述編程參考單元所提供的電流小于所述讀出參考單元所提供的電流，所述讀出參考單元所提供的電流小于所述擦除參考單元所提供的電流。 進一步地，所述系統(tǒng)還包括電路控制模塊，與比較放大電路連接，接收所述比較放大電路的比較結(jié)果信號，當(dāng)參考單元的電流小于與該參考單元電流對應(yīng)的比較電流時，關(guān)閉與該參考單元連接的比較放大電路。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點本發(fā)明的非易失性存儲器的參考單元編程方法和系統(tǒng)通過同時對需要編程的參考單元同時編程，并將參考單元的電流與基準電路產(chǎn)生的所對應(yīng)的比較電流進行比較，通過比較結(jié)果來確定參考單元的閾值電壓是否達到預(yù)定值。另外，根據(jù)不同的參考單元設(shè)置不同的比較電流，在某一參考單元的閾值電壓達到預(yù)定值后，則停止對該參考單元進行編程，而繼續(xù)對閾值電壓沒有達到預(yù)定值的參考單元進行編程。采用此種編程方法可以同時實現(xiàn)多種類型的參考單元的編程，而且所需要的時間僅為編程時間最長的那個參考單元所花費的時間，避免了單獨編程所造成的時間浪費，減少了測試的時間，從而提高了測試效率，同時降低了測試的成本。


圖I是本發(fā)明的一種非易失存儲器的參考單元編程方法實施例一的流程圖；圖2是本發(fā)明的一種非易失存儲器的參考單元編程方法實施例二的流程圖；圖3是本發(fā)明的一種非易失存儲器的參考單元編程系統(tǒng)實施例一的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本發(fā)明的一種非易失存儲器的參考單元編程系統(tǒng)實施例二的結(jié)構(gòu)示意圖。圖5是本發(fā)明的一種非易失存儲器的參考單元編程系統(tǒng)實施例三的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是本發(fā)明的一種非易失存儲器的參考單元編程方法所使用的參考單元編程電路不意圖；圖7是本發(fā)明的一種非易失存儲器的參考單元編程方法實施例的參考單元閾值電壓分布示意圖。
具體實施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和具體實施方式
對本發(fā)明作進一步詳細的說明。為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明，以下簡單介紹非易失存儲器的構(gòu)成原理。非易失存儲器由存儲單元(cell)組成，cell包括電容和晶體管，cell中的數(shù)據(jù)取決于存儲在電容中的電荷，晶體管的開關(guān)控制數(shù)據(jù)的存取。一般而言，一個cell可以包括源極(source, S),漏極(drain, D),控制柵極(controlling gate, CG),以及浮動?xùn)艠O(floating gate，F(xiàn)G)，控制柵極CG可用于接電壓VG。若VG為正電壓，浮動?xùn)艠OFG與漏極D之間產(chǎn)生隧道效應(yīng)，使電子注入浮動?xùn)艠OFG，即編程寫入；擦除則可以在源極S加電壓(正電壓或負電壓)，利用浮動?xùn)艠OFG與源極S之間的隧道效應(yīng)，把注入至浮動?xùn)艠OFG的電荷(負電荷或正電荷)吸引到源極S。cell數(shù)據(jù)是0或I取決于浮動?xùn)艠OFG中是否有電子。若浮動?xùn)艠OFG有電子，需要高的控制柵極電壓才能使源極S和漏極D之間感應(yīng)出導(dǎo)電溝道，使MOS管導(dǎo)通，表示存入O。若浮動?xùn)艠OFG中無電子，則較低的控制柵極電壓就能使源極S和漏極D之間感應(yīng)出導(dǎo)電溝道，使MOS管導(dǎo)通，即表示存入I。參考圖1，示出本發(fā)明的一種非易失存儲器的參考單元編程方法實施例一，包括以下步驟 步驟101，對需要編程的多個參考單元進行擦除操作，使各參考單元處于擦除狀態(tài)。因為對參考單元編程是為了將參考單元的閾值電壓提升到預(yù)定的值，因此在對參考單元進行編程之前，首先需要對其進行擦除操作，使各參考單元的閾值電壓處于一個較低的范圍內(nèi)，以便后續(xù)的編程操作能使參考單元的閾值電壓提升到預(yù)定的值。待編程的參考單元的數(shù)量與類型可以根據(jù)具體的需要來確定。例如，在非易失性存儲器的測試中包括編程測試、擦除測試及讀出測試，那么相應(yīng)的，需要設(shè)置編程參考單元、擦除參考單元及讀出參考單元。每一種類型的參考單元又可以同時有多個。步驟102，對多個參考單元同時進行編程操作。狀態(tài)機同時對多個參考單元進行編程操作，編程操作所需要施加的電壓與脈沖根據(jù)擦除測試中的工藝與精度要求來確定，以控制每次編程后參考單元閾值電壓的變化量。具體的，對多個參考單元施加的編程操作電壓和脈沖可以與對存儲單元的編程操作所施加的電壓與脈沖相同。例如，以0. 13um非易失性存儲器工藝為例，假設(shè)對該存儲器的存儲單元進行編程操作時，器件的源端(S)和襯底(B)接電源地，柵極控制端(G)接6. 8V電壓，器件漏端(D)接4V電壓，通過控制D端的脈沖寬度，調(diào)整器件閾值電壓的變化，如2us的脈沖寬度，可提高約0. IV的器件閾值電壓。那么，在對該存儲器的參考單元進行編程時，也可以采用如前所述的電壓和脈沖來實現(xiàn)閾值電壓的調(diào)整。每次對多個參考單元同時進行一次編程操作，保證參考單元的閾值電壓每次的變化量為一固定值，以更好的控制參考單元的閾值電壓達到預(yù)定值。相同類型的參考單元經(jīng)過一次編程之后閾值電壓的變化量相同。另夕卜，為了避免施加過度的電壓和脈沖造成參考單元的損壞，通常情況下，需要將施加的電壓和脈沖設(shè)置為一個較小值的，通過多次施加的方式來逐步提高參考單元的閾值電壓。步驟103，判斷各參考單元的電流是否小于所對應(yīng)的比較電流，若是，則進行步驟104，反之，則返回步驟102。在編程之前，首先根據(jù)待編程的參考單元確定相應(yīng)的比較電流，然后通過參考單元的電流與比較電流之間的比較來判斷參考單元的閾值電壓是否達到預(yù)定的值。各參考單元所對應(yīng)的比較電流是根據(jù)該參考單元所需要達到的閾值電壓預(yù)先確定的，在電流基準產(chǎn)生電流后通過電流轉(zhuǎn)換電路轉(zhuǎn)換為與各參考單元所對應(yīng)的比較電流，并輸送給比較放大電路，供比較放大電路來對比較電流和各參考單元的電流進行比較。一般情況下，因為不同類型的參考單元所需要達到的閾值電壓并不相同，那么其所對應(yīng)的比較電流也會不同，因此需要根據(jù)不同類型的參考單元來確定不同的比較電流，這些比較電流都可以由電流基準產(chǎn)生并通過電流轉(zhuǎn)換電路生成。例如，編程參考單元對應(yīng)編程比較電流、擦除參考單元對應(yīng)擦除比較電流、讀出參考單元對應(yīng)讀出比較電流。比較放大電路的數(shù)量可以根據(jù)參考單元的類型來設(shè)置，有幾個參考單元則對應(yīng)設(shè)置幾個比較放大電路，從而實現(xiàn)單獨比較，保證結(jié)果的準確性。參考單元的閾值電壓與其電流是呈反比關(guān)系，S卩，當(dāng)閾值電壓較小時，其電流會較大。具體的，當(dāng)參考單元的閾值電壓小于預(yù)定的閾值電壓時，其中的電流會大于對應(yīng)的比較電流，通過比較電流就可以判斷出參考單元的閾值電壓還未達到預(yù)定值，因此需要再次編程來提升參考單元的閾值電壓，反之，則說明參考單元的閾值電壓已經(jīng)達到預(yù)定值，則無需再次進行編程。
步驟104，停止對電流小于對應(yīng)的比較電流的參考單元的編程操作。因為各參考單元所需要達到的閾值電壓并不相同，所需要的編程次數(shù)也不相同。閾值電壓較小的參考單元會相對較快的達到預(yù)定值，因此，當(dāng)某一種類型參考單元的閾值電壓達到預(yù)定值時，則需要停止對該參考單元的編程操作。具體的，可以通過控制電路將該參考單元的漏極接地，去掉其漏極編程電壓來實現(xiàn)。進一步地，還可以關(guān)閉已經(jīng)達到閾值電壓的參考單元所對應(yīng)的比較放大電路，從而減少整個電路的功耗。參照圖2，示出本發(fā)明的一種非易失存儲器的參考單元編程方法實施例二，在實施例一的步驟102之前,還包括步驟201，判斷各參考單元的電流是否小于所對應(yīng)的比較電流，若是，則進行步驟101，反之，則進行步驟102。因為如果參考單元處于正常的擦除狀態(tài)，各參考單元的電流都會大于所對應(yīng)的比較電流，那么就可以開始進行編程操作。如果參考單元的電流小于所對應(yīng)的比較電流，則說明該參考單元的閾值電壓處于一個比較高的值，若再編程，則會使閾值電壓更高，從而超過所需要的閾值電壓值，這時就需要重新對該參考單元進行擦除操作，以保證編程操作的有效性。參照圖3，示出本發(fā)明的一種非易失性存儲器的參考單元編程系統(tǒng)100，包括擦除模塊10、編程模塊20、電流轉(zhuǎn)換電路30、比較放大電路40。擦除模塊10，與每個參考單元連接，用于對需要編程的多個參考單元進行擦除操作，使參考單元處于擦除狀態(tài)。編程模塊20，與每個參考單元連接，用于對處于擦除狀態(tài)的參考單元同時進行編程操作，以提升參考單元的閾值電壓。電流轉(zhuǎn)換電路30，用于提供參考單元的比較電流。比較放大電路40，與參考單元、電流轉(zhuǎn)換電路30和編程模塊20連接，接收參考單元的電流與電流轉(zhuǎn)換電路30的比較電流，對兩者的大小進行比較，判斷各參考單元的電流是否小于與該參考單元對應(yīng)的比較電流，并將判斷結(jié)果，即比較結(jié)果信號反饋給編程模塊20，若參考單元的電流小于與該參考單元對應(yīng)的比較電流，則編程模塊20繼續(xù)對該參考單元進行編程操作以提升該參考單元的閾值電壓，反之，則停止對該參考單元的編程操作。優(yōu)選地，該系統(tǒng)還可以包括編程控制模塊，用于將需要停止編程操作的參考單元的漏極接地，以停止對該參考單元的編程操作。進一步地，編程模塊包括電壓和脈沖施加控制單元，用于控制對參考單元進行編程操作所施加的電壓與脈沖來控制一次編程后參考單元閾值電壓的變化量。具體的，可以控制對多個參考單元施加的編程操作電壓和脈沖可以與對存儲單元的編程操作所施加的電壓與脈沖相同。每次對多個參考單元同時進行一次編程操作，保證參考單元的閾值電壓每次的變化量為一固定值，相同類型的參考單元經(jīng)過一次編程之后閾值電壓的變化量相同。另外，還可以控制將施加的電壓和脈沖設(shè)置為一個較小值的，通過多次施加的方式來逐步提聞參考單兀的閾值電壓。進一步地，比較放大電路40的數(shù)量與參考單元的數(shù)量相同，參照圖4,本實施例中，參考單元包括編程參考單元、讀出參考單元和擦除參考單元，比較放大電路共有三個，分別與一個參考單元相連接。參考單元的比較電流由電流基準提供，然后經(jīng)過電流轉(zhuǎn)換電路轉(zhuǎn)換為每個參考單元所需要的比較電流，并分別輸入每個參考單元對應(yīng)的比較放大電路40，以供比較放大電路對參考單元的電流和比較電流的大小進行比較。參照圖5，進一步地，該非易失性存儲器的參考單元編程系統(tǒng)100還包括電路控制模塊50，與比較放大電路40連接，接收比較放大電路40的比較結(jié)果信號，當(dāng)參考單元的電流小于與該參考單元電流對應(yīng)的比較電流時，關(guān)閉與該參考單元連接的比較放大電路40,從而減少整個系統(tǒng)的功耗。下面結(jié)合具體的實例對前述方法和系統(tǒng)實施例進行詳細的說明。參考圖6，示出參考單元編程系統(tǒng)的電路框圖，假設(shè)編程狀態(tài)機需要對編程參考單 元(PV)、讀出參考單元(RD)和擦除參考單元(EV)同時進行編程操作。其中，各個參考單元的閾值電壓分布如圖7所示，編程參考單元的閾值電壓(Vpv)大于讀出參考單元的閾值電壓(Vrd)，讀出參考單元的閾值電壓大于擦除參考單元的閾值電壓(Vev)，即，Vpv > Vrd >Vev0編程參考單元提供的電流為Ipv，讀出參考單元提供的電流為Ird，擦除參考單元提供的電流為lev。通過基準電路來產(chǎn)生三個參考單元所對應(yīng)的比較電流，包括編程參考單元的比較電流Ipv_r,讀出參考單元的比較電流Ird_r,擦除參考單元的比較電流Iev_r。因為Vpv> Vrd > Vev,那么 Ipv_r < Ird_r < Iev_r。在進行編程前，首先需要對三個參考單元進行擦除操作使三個參考單元處于擦除狀態(tài)。然后分別通過三個比較放大電路比較Ipv_r與Ipv、Ird_r與Ird、Iev_r與Iev的大小，判斷Ipv < Ipv_r、Ird < Ird_r、lev < Iev_r是否都成立,如果都不成立,則對三個參考單元進行編程操作，反之，則需要重新對參考單元進行擦除操作。因為經(jīng)過擦除操作后的參考單元都會處于擦除狀態(tài)，因此一般情況下，都是不成立的。在對三個參考單元每進行一次編程操作后，都會通過比較放大電路判斷Ipv< Ipv_r> Ird < Ird_r> lev < Iev_r是否都成立,如果不成立,則繼續(xù)進行編程操作,直到Iev< Iev_r。因為擦除參考單元的閾值電壓最小，所以當(dāng)擦除參考單元的閾值電壓達到預(yù)定值后，還需要對其余兩個參考單元繼續(xù)編程。此時擦除參考單元不需要再進行編程操作，則需要將擦除參考單元的漏極接地，去掉其漏極編程電壓。進一步地，還可以關(guān)閉擦除參考單元所對應(yīng)的比較放大電路以減少功耗。繼續(xù)對讀出參考單元和編程參考單元進行編程，直到Ird < Ird_r,說明讀出參考單元的閾值電壓也達到預(yù)定值了，不需要再進行編程操作，則將讀出參考單元的漏極接地，去掉其漏極編程電壓。同樣，也可以關(guān)閉讀出參考單元所對應(yīng)的比較放大電路以減少功耗。繼續(xù)對編程參考單元進行編程，直到Ipv < Ipv_r,說明編程參考單元的閾值電壓也達到了預(yù)定值。此時三個參考單元的閾值電壓都達到預(yù)定值，編程操作完成。本發(fā)明的非易失性存儲器的參考單元編程方法和系統(tǒng)通過同時對需要編程的參考單元同時編程，并將參考單元的電流與基準電路產(chǎn)生的所對應(yīng)的比較電流進行比較，通過比較結(jié)果來確定參考單元的閾值電壓是否達到預(yù)定值。另外，根據(jù)不同的參考單元設(shè)置不同的比較電流，在某一參考單元的閾值電壓達到預(yù)定值后，則停止對該參考單元進行編程，而繼續(xù)對閾值電壓沒有達到預(yù)定值的參考單元進行編程。采用此種編程方法可以同時 實現(xiàn)多種類型的參考單元的編程，而且所需要的時間僅為編程時間最長的那個參考單元所花費的時間，避免了單獨編程所造成的時間浪費，減少了測試的時間，從而提高了測試效率，同時降低了測試的成本。本說明書中的各個實施例均采用遞進的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似的部分互相參見即可。對于系統(tǒng)實施例而言，由于其與方法實施例基本相似，所以描述的比較簡單，相關(guān)之處參見方法實施例的部分說明即可。以上對本發(fā)明所提供的一種非易失存儲器的參考單元編程方法和系統(tǒng)進行了詳細介紹，本文中應(yīng)用了具體個例對本發(fā)明的原理及實施方式進行了闡述，以上實施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實施方式
及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。
權(quán)利要求
1.一種非易失存儲器的參考單元編程方法，其特征在于，包括以下步驟 步驟101，對需要編程的多個參考單元進行擦除操作，使各參考單元處于擦除狀態(tài)； 步驟102，對多個參考單元同時進行編程操作； 步驟103，判斷各參考單元的電流是否小于所對應(yīng)的比較電流，若是，則進行步驟104，反之，則返回步驟102; 步驟104，停止對電流小于對應(yīng)的比較電流的參考單元的編程操作。
2.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述方法還包括 根據(jù)控制對參考單元進行編程操作所施加的電壓與脈沖來控制一次編程后參考單元閾值電壓的變化量。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述對參考單元進行編程操作所施加的電壓與脈沖與對存儲單元進行編程操作時所施加的電壓與脈沖相同。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述每次對參考單元進行編程操作所施加的電壓與脈沖為固定值。
5.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法還包括 對參考單元進行多次施加電壓和脈沖的方式來逐步提高所述參考單元的閾值電壓。
6.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述停止對電流小于對應(yīng)的比較電流的參考單元的編程操作包括 將所述參考單元的漏極接地，去掉漏極的編程電壓。
7.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述方法還包括 給每一個參考單元設(shè)置一個比較放大電路，用于判斷所對應(yīng)的參考單元的電流是否小于所述參考單元所對應(yīng)的比較電流。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，在停止對電流小于對應(yīng)的比較電流的參考單元的編程操作后，所述方法還包括 關(guān)閉停止編程的參考單元所對應(yīng)的比較放大電路。
9.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，在步驟102之前，所述方法還包括 判斷各參考單元的電流是否小于所對應(yīng)的比較電流，若小于，則停止對該參考單元的編程，反之，則繼續(xù)對該參考單元編程。
10.一種非易失存儲器的參考單元編程系統(tǒng)，其特征在于，包括 擦除模塊，與每個參考單元連接，對需要編程的多個參考單元進行擦除操作； 編程模塊，與每個參考單元連接，對多個參考單元進行編程操作； 電流轉(zhuǎn)換電路，用于提供參考單元的比較電流； 比較放大電路，與參考單元、電流轉(zhuǎn)換電路和編程模塊連接，接收參考單元的電流與電流轉(zhuǎn)換電路的比較電流，對兩者的大小進行比較，判斷各參考單元的電流是否小于與該參考單元對應(yīng)的比較電流，并將比較結(jié)果信號反饋給編程模塊，若參考單元的電流小于與該參考單元對應(yīng)的比較電流，則編程模塊繼續(xù)對該參考單元進行編程操作，反之，則停止對該參考單元的編程操作。
11.如權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述編程模塊包括電壓和脈沖施加控制單元，用于控制對參考單元進行編程操作所施加的電壓與脈沖來控制一次編程后參考單元閾值電壓的變化量。
12.如權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)還包括 編程控制模塊，用于將需要停止編程操作的參考單元的漏極接地，以停止對該參考單元的編程操作。
13.如權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述比較放大電路的數(shù)量與參考單元的數(shù)量相同。
14.如權(quán)利要求10或13所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述參考單元包括編程參考單元、讀出參考單元和擦除參考單元，所述比較放大電路共有三個，每個參考單元與一個比較放大電路連接，用于對參考單元輸出的電流和與該參考單元對應(yīng)的比較電流單獨進行比對。
15.如權(quán)利要求14所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述編程參考單元所提供的電流小于所述讀出參考單元所提供的電流，所述讀出參考單元所提供的電流小于所述擦除參考單元所提供的電流。
16.如權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)還包括 電路控制模塊，與比較放大電路連接，接收所述比較放大電路的比較結(jié)果信號，當(dāng)參考單元的電流小于與該參考單元電流對應(yīng)的比較電流時，關(guān)閉與該參考單元連接的比較放大電路。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種非易失存儲器的參考單元編程方法，包括以下步驟步驟101，對需要編程的多個參考單元進行擦除操作，使各參考單元處于擦除狀態(tài)；步驟102，對多個參考單元同時進行編程操作；步驟103，判斷各參考單元的電流是否小于所對應(yīng)的比較電流，若是，則進行步驟104，反之，則返回步驟102；步驟104，停止對電流小于對應(yīng)的比較電流的參考單元的編程操作。本發(fā)明還提供了一種實現(xiàn)前述方法的非易失存儲器的參考單元編程系統(tǒng)。本發(fā)明的非易失存儲器的參考單元編程方法和系統(tǒng)，能夠同時對不同的參考單元進行編程，縮短測試的時間，提高測試效率，并降低測試成本。
文檔編號G11C16/02GK102800356SQ20111013858
公開日2012年11月28日 申請日期2011年5月26日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月26日
發(fā)明者劉奎偉 申請人:北京兆易創(chuàng)新科技有限公司