專利名稱：一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。
背景技術(shù)：
目前的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)，以揮發(fā)性的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)和靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)及非揮發(fā)性的“閃存”存儲(chǔ)器(Flash)為代表。動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)是可以快速讀寫的存儲(chǔ)器件，具有高密度，高速度，價(jià)格低廉等優(yōu)勢(shì)，一直占有很大的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)。嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(eDRAM)和其他邏輯電路共同集成在一個(gè)芯片內(nèi)，可以省去大量的緩沖器和I/O壓點(diǎn)，從而可以有更高的速度，更小的面積和更低的功耗。由于DRAM核與邏輯電路之間有內(nèi)建的寬位數(shù)據(jù)總線，這種大量并行處理能力使嵌入式DRAM可以滿足吉位時(shí)代的T byte/s數(shù)據(jù)通量的要求。
目前動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)主要是一晶體管一電容(ITlC)的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)。動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元典型地包括兩個(gè)元件，也就是存儲(chǔ)電容器和存取晶體管，構(gòu)成ITic的結(jié)構(gòu)。圖I是一個(gè)傳統(tǒng)的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器陣列結(jié)構(gòu)，其中100至103是選通晶體管，110至111是位線，108至109是字線，112至113是位線上的寄生電容，104至107是存儲(chǔ)電容器。下面以操作選通晶體管100和存儲(chǔ)電容器104構(gòu)成的存儲(chǔ)單元為例說明傳統(tǒng)的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的工作過程。在寫操作階段，數(shù)據(jù)值被放在位線110上，字線108則被提升，根據(jù)數(shù)據(jù)值的不同，存儲(chǔ)電容器118或者充電，或者放電，具體地，當(dāng)數(shù)據(jù)為I時(shí)，存儲(chǔ)電容器104充電，當(dāng)數(shù)據(jù)為O時(shí)，存儲(chǔ)電容器104放電。在讀操作階段，位線110首先被預(yù)充電，當(dāng)使字線108有效時(shí)，在位線電容112和存儲(chǔ)電容器104之間放生了電荷的重新分配，這時(shí)位線上的電壓發(fā)生變化，這一變化的方向決定了被存放數(shù)據(jù)的值。ITlC結(jié)構(gòu)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器是破壞性的，這就是說存放在單元中的電荷數(shù)量在讀操作期間被修改，因此完成一次讀操作之后必須再恢復(fù)到它原來的值。于是完成讀操作之后緊接著就是刷新操作。進(jìn)行刷新操作之后才能進(jìn)行下一步的讀寫操作。動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器屬于揮發(fā)性存儲(chǔ)器，斷電時(shí)其保存的數(shù)據(jù)會(huì)消失，不適用于必須確保非易失數(shù)據(jù)絕對(duì)安全的場(chǎng)合，例如網(wǎng)絡(luò)通訊類(路由器、高端交換機(jī)、防火墻等)；打印設(shè)備類(打印機(jī)、傳真機(jī)、掃描儀)；工業(yè)控制類(工控板、鐵路/地鐵信號(hào)控制系統(tǒng)、高壓電繼電器等)；汽車電子類(行駛記錄儀等)；醫(yī)療設(shè)備(如彩超)等。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，能夠同時(shí)具有動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的功耗低，速度快的優(yōu)點(diǎn)，又能夠?qū)崿F(xiàn)非揮發(fā)性的存儲(chǔ)。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了如下方案一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，包括存儲(chǔ)單元；每個(gè)所述存儲(chǔ)單元包括字線、位線、阻變存儲(chǔ)器件、選通器件和存儲(chǔ)電容；所述阻變存儲(chǔ)器件的一端與所述位線相連，另一端與所述選通器件的源極/漏極相連；所述選通器件的柵極與一條所述字線相連，所述選通器件的漏極/源極與另一條所述字線相連；所述存儲(chǔ)電容的一端與所述選通器件的漏極/源極相連，另一端接地。優(yōu)選的，所述阻變存儲(chǔ)器件的選通管包括金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和三極管。優(yōu)選的，所述阻變存儲(chǔ)器件包括單極器件、雙極器件和無極器件。優(yōu)選的，所述阻變存儲(chǔ)器件的阻變層材料包括鈣鈦礦氧化物、過渡金屬二元氧化物、固態(tài)電解質(zhì)、或有機(jī)物。具體的，存儲(chǔ)器包括數(shù)個(gè)存儲(chǔ)單元，每個(gè)存儲(chǔ)單元位于兩條字線與一條位線的交叉區(qū)。每個(gè)存儲(chǔ)單元包括一個(gè)阻變存儲(chǔ)單元和一個(gè)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元，其中阻變存儲(chǔ)單元由選通器件和一個(gè)阻變存儲(chǔ)電阻組成，動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元由選通器件和一個(gè)存儲(chǔ)電容組成，通過兩條字線的不同信號(hào)選擇不同的存儲(chǔ)方式，阻變存儲(chǔ)單元和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元共用同一根位線。正常通電時(shí)，首先初始化所有RRAM存儲(chǔ)單元使其變?yōu)榈妥钁B(tài)，然后使用非揮發(fā)動(dòng)態(tài)半導(dǎo)體 存儲(chǔ)器件的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀寫操作；斷電前將動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)存入緩存，然后將緩存中的數(shù)據(jù)存入不揮發(fā)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器中的阻變存儲(chǔ)單元；恢復(fù)供電后，讀出RRAM單元的數(shù)據(jù)存入緩存，然后初始化RRAM存儲(chǔ)單元為低阻態(tài)，再將緩存中的數(shù)據(jù)寫入非揮發(fā)動(dòng)態(tài)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元。根據(jù)本發(fā)明提供的具體實(shí)施例，本發(fā)明公開了以下技術(shù)效果本發(fā)明所公開的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，采用阻變存儲(chǔ)器件，正常通電時(shí)使用不揮發(fā)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器中的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀寫操作，斷電后利用不揮發(fā)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器中的阻變存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)數(shù)據(jù)；同時(shí)具有動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的功耗低，速度快的優(yōu)點(diǎn)，又能夠?qū)崿F(xiàn)非揮發(fā)性的存儲(chǔ)。


為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為現(xiàn)有技術(shù)中的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器陣列結(jié)構(gòu)圖；圖2為RRAM的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為RRAM的存儲(chǔ)機(jī)制的原理示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的單元結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例所公開的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的操作流程圖；圖6為本發(fā)明實(shí)施例所公開的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的陣列示意圖。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。本發(fā)明的目的是提供一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，能夠同時(shí)具有動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的功耗低，速度快的優(yōu)點(diǎn)，又能夠?qū)崿F(xiàn)非揮發(fā)性的存儲(chǔ)。在眾多不揮發(fā)存儲(chǔ)器中，基于阻變材料的阻變存儲(chǔ)器被廣泛地研究。阻變存儲(chǔ)器件RRAM主要是利用某些薄膜材料在電激勵(lì)的作用下會(huì)出現(xiàn)不同電阻狀態(tài)(高、低阻態(tài))的轉(zhuǎn)變現(xiàn)象來進(jìn)行數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)。研究發(fā)現(xiàn)RRAM具有寫入電壓低，寫入擦除時(shí)間短，非破壞性讀取，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，所需面積小，非揮發(fā)性存儲(chǔ)等優(yōu)點(diǎn)，適合高密度非揮發(fā)性存儲(chǔ)。目前RRAM的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)主要是一晶體管一 RRAM(ITIR)和一二極管一RRAM(IDIR)結(jié)構(gòu)。具體地結(jié)合圖2和圖3說明RRAM的基本結(jié)構(gòu)和工作原理。圖2中201為阻變層，202為選通晶體管，203為字線，204為位線；圖3(b)和圖3(c)分別為單極器件和雙極器件的工作原理示意圖，其中205、208為SET過程，206、209為RESET過程，207為限流。單極器 件可以在單一方向的偏壓下實(shí)現(xiàn)電阻的高低轉(zhuǎn)變，而雙極器件需要在不同方向的偏壓下實(shí)現(xiàn)電阻的高低轉(zhuǎn)變。具體的寫I時(shí)，施加SET電壓使其轉(zhuǎn)變?yōu)榈妥钁B(tài)，寫O時(shí)施加RESET電壓使其轉(zhuǎn)變?yōu)楦咦钁B(tài)，讀取時(shí)施加讀電壓(一般都很小，在O. 2v左右)。基于DRAM高速、低功耗的特性和RRAM的小尺寸、非揮發(fā)的特性，本發(fā)明提出一種不揮發(fā)動(dòng)態(tài)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其原理在于正常通電時(shí)使用不揮發(fā)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器中的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀寫操作，斷電后利用不揮發(fā)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器中的阻變存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。其優(yōu)點(diǎn)在于既利用了動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器功耗低，速度快的優(yōu)點(diǎn)，又實(shí)現(xiàn)了非揮發(fā)性的存儲(chǔ)。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。參見圖4，為本發(fā)明實(shí)施例所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的單元結(jié)構(gòu)示意圖。如圖4所示，該存儲(chǔ)器包括字線303和305、位線304、阻變存儲(chǔ)器件301、選通器件302和存儲(chǔ)電容306 ；所述阻變存儲(chǔ)器件301的一端與所述位線304相連，另一端與選通器件302的源極相連；所述選通器件302的柵極與字線303相連，所述選通器件的漏極與字線305相連；所述存儲(chǔ)電容306的一端與選通器件302的漏極相連，另一端接地。需要說明的是，圖4中的存儲(chǔ)器的單元結(jié)構(gòu)還可以是如下方式所述阻變存儲(chǔ)器件301的一端與所述位線304相連，另一端與選通器件302的漏極相連；所述選通器件302的柵極與字線303相連，所述選通器件的源極與字線305相連；所述存儲(chǔ)電容306的一端與選通器件302的源極相連，另一端接地。因?yàn)閺慕Y(jié)構(gòu)示意圖上并無明顯區(qū)別，因此沒有對(duì)其進(jìn)行單獨(dú)附圖。本發(fā)明實(shí)施例所公開的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，包括若干個(gè)圖4所示的存儲(chǔ)單元。與圖4中的結(jié)構(gòu)相同，每個(gè)存儲(chǔ)單元位于兩條字線與一條位線的交叉區(qū)；所述存儲(chǔ)單元包括一個(gè)阻變存儲(chǔ)單元和一個(gè)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元。其中阻變存儲(chǔ)單元由選通器件302和阻變存儲(chǔ)器件301組成，動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元由選通器件302和存儲(chǔ)電容306組成，通過兩條字線的不同信號(hào)選擇不同的存儲(chǔ)方式，阻變存儲(chǔ)單元和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元共用同一根位線。實(shí)際應(yīng)用中，所述阻變存儲(chǔ)器件的選通管包括金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和三極管。實(shí)際應(yīng)用中，所述阻變存儲(chǔ)器件可以包括單極器件、雙極器件和無極器件。實(shí)際應(yīng)用中，所述阻變存儲(chǔ)器件的阻變層材料可以包括鈣鈦礦氧化物如SrZr03、LiNb03、BaTi03 等；過渡金屬二元氧化物如 Ni0、Ti02、Zr02、Nb205、Ta205、A1203、CoO 等；固態(tài)電解質(zhì)如 Si02、W03、CuI0. 76S0. I、Ag-Ge-Se、Ag-Ge-S 等；有機(jī)物如 AIDCN、PVK、PS、PCm、F12TPN等；還有其他如a_Si:H、μ c_Si等有類似性質(zhì)的材料。綜上，本發(fā)明提出的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，正常通電時(shí)使用不揮發(fā)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器中的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀寫操作，斷電后利用不揮發(fā)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器中的阻變存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)數(shù)據(jù)；同時(shí)具有動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的功耗低，速度快的優(yōu)點(diǎn)，又能夠?qū)崿F(xiàn)非揮發(fā)性的存儲(chǔ)。需要說明的是，現(xiàn)有技術(shù)中有一種采用相變存儲(chǔ)單元的不揮發(fā)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器。由于本發(fā)明實(shí)施例所公開的方案中，采用阻變存儲(chǔ)器件，阻變存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)速度比相變存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)速度快，因此與現(xiàn)有技術(shù)中的采用相變存儲(chǔ)單元的不揮發(fā)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器相比，本發(fā)明所公開的存儲(chǔ)器的工作效率得到顯著提高。圖5為本發(fā)明實(shí)施例所公開的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的操作流程圖。圖6為本發(fā)明實(shí)施例所公開的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的陣列示意圖。其中 500-502為位線，503-508為字線，509-517為本發(fā)明所述的非揮發(fā)性動(dòng)態(tài)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)單元，518-520為位線上的寄生電容，521為行譯碼器，522為列譯碼器，523為多路選擇器，524為寫驅(qū)動(dòng)，525為刷新電路，526為讀出放大器，527為緩存，528為輸入輸出。結(jié)合圖5、圖6進(jìn)一步說明本發(fā)明的具體操作過程正常通電時(shí)，首先初始化所有RRAM存儲(chǔ)單元使其變?yōu)榈妥钁B(tài)，具體為利用字線WLl-WLn (504，506等)打開存儲(chǔ)單元的選通器件，字線WLl_WLn’(503，505等)接地處理，位線BLl-BLn(501-503等)上施加RRAM單元所需的置位(SET)電壓(根據(jù)不同材料和結(jié)構(gòu)有所調(diào)整)使其轉(zhuǎn)變?yōu)榈妥钁B(tài)，通過行譯碼器521選擇字線WL1’ -WLn’做浮空處理。然后對(duì)該非揮發(fā)動(dòng)態(tài)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元進(jìn)行正常的讀寫操作，以單元509為例，當(dāng)需要寫“I”時(shí)，通過行譯碼器選擇字線WL1，施加高電平如3. 3v，打開存儲(chǔ)單元的選通器件，通過寫驅(qū)動(dòng)524，多路選擇器523，列譯碼器522選擇字線BL1，施加高電平，如3. 3v ;當(dāng)需要寫“O”時(shí)，通過行譯碼器選擇字線WL1，施加高電平打開存儲(chǔ)單元的選通器件，通過寫驅(qū)動(dòng)，多路選擇器，列譯碼器選擇字線BL1，施加低電平，如Ov ;讀取數(shù)據(jù)時(shí)，通過行譯碼器選擇字線WL1，施加低電平，如0v，關(guān)閉存儲(chǔ)單元的選通器件，通過讀出放大器526，列譯碼器和多路選擇器選擇位線BLl施加預(yù)充電電壓，如I. 5v，再如前述所打開該存儲(chǔ)單元的選通器件，利用電荷分享原理讀出該單元的數(shù)據(jù)，然后根據(jù)讀出的數(shù)據(jù)，利用刷新電路525等再為該存儲(chǔ)電容寫入相同的值，即為刷新操作。當(dāng)檢測(cè)到需要斷電時(shí)，如前所述對(duì)所有動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀操作，并將讀出的數(shù)據(jù)存入緩存527中，然后將緩存中的數(shù)據(jù)存入該非揮發(fā)動(dòng)態(tài)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的阻變存儲(chǔ)單元，其中存“O”時(shí)，通過行譯碼器選擇WL1，施加高電平打開存儲(chǔ)單元的選通器件，WL1’接地處理，通過寫驅(qū)動(dòng)，多路選擇器，列譯碼器選擇字線BLl施加RRAM單元所需的復(fù)位電壓(復(fù)位電壓根據(jù)不同類型的RRAM器件有所調(diào)整)，存“I”時(shí)，不進(jìn)行任何操作。當(dāng)恢復(fù)供電后，通過行譯碼器選擇WL1，施加高電平打開存儲(chǔ)單元的選通器件，WL1’接地處理；通過讀出放大器，列譯碼器和多路選擇器選擇位線BLl位線上施加RRAM單元所需的讀電壓，如O. 2v,讀出RRAM單元的數(shù)據(jù)存入緩存，然后如前所述初始化RRAM存儲(chǔ)單元為低阻態(tài)，再通過行譯碼器選擇字線WLl’-WLn’做浮空處理，然后將緩存中的數(shù)據(jù)前所述的寫操作寫入該非揮發(fā)動(dòng)態(tài)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元中。由上述可知，在本發(fā)明的實(shí)施例中，本發(fā)明綜合利用了 DRAM器件的高密度、高速度、低功耗和RRAM存儲(chǔ)器件的高密度、非揮發(fā)性、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單等優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)了一種新型的非揮發(fā)性的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器件。本說明書中各個(gè)實(shí)施例采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似部分互相參見即可。

本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實(shí)施方式
及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處。綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其特征在于，包括存儲(chǔ)單元；每個(gè)所述存儲(chǔ)單元包括字線、位線、阻變存儲(chǔ)器件、選通器件和存儲(chǔ)電容； 所述阻變存儲(chǔ)器件的一端與所述位線相連，另一端與所述選通器件的源極/漏極相連；所述選通器件的柵極與一條所述字線相連，所述選通器件的漏極/源極與另一條所述字線相連；所述存儲(chǔ)電容的一端與所述選通器件的漏極/源極相連，另一端接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其特征在于，所述阻變存儲(chǔ)器件的選通管包括金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和三極管。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其特征在于，所述阻變存儲(chǔ)器件包括單極器件、雙極器件和無極器件。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其特征在于，所述阻變存儲(chǔ)器件的阻變層材料包括鈣鈦礦氧化物、過渡金屬二元氧化物、固態(tài)電解質(zhì)、或有機(jī)物。
全文摘要
本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，包括存儲(chǔ)單元；每個(gè)所述存儲(chǔ)單元包括字線、位線、阻變存儲(chǔ)器件、選通器件和存儲(chǔ)電容；所述阻變存儲(chǔ)器件的一端與所述位線相連，另一端與所述選通器件的源極/漏極相連；所述選通器件的柵極與一條所述字線相連，所述選通器件的漏極/源極與另一條所述字線相連；所述存儲(chǔ)電容的一端與所述選通器件的漏極/源極相連，另一端接地。本發(fā)明所公開的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，同時(shí)具有動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的功耗低，速度快的優(yōu)點(diǎn)，又能夠?qū)崿F(xiàn)非揮發(fā)性的存儲(chǔ)。
文檔編號(hào)G11C16/06GK102800359SQ20111013756
公開日2012年11月28日 申請(qǐng)日期2011年5月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月25日
發(fā)明者劉明, 許中廣, 霍宗亮, 龍世兵, 謝常青, 張滿紅, 李冬梅 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院微電子研究所