專利名稱:懸浮互連以及包括懸浮互連的磁頭萬向節(jié)組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明總的發(fā)明構(gòu)思涉及^J:驅(qū)動(dòng)器(HDD),并且更具體而言,涉及 用作在HDD的磁頭滑動(dòng)器(head slider)與主電路板之間交換電信號(hào)的媒介 的懸浮互連,以及包含該懸浮互連的磁頭萬向節(jié)組件(HGA)。
背景技術(shù):
硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)是被電腦、MP3播放器或移動(dòng)電話所使用的輔助 存儲(chǔ)器件的一個(gè)實(shí)例,并且是使用作為讀取和寫入數(shù)據(jù)的媒介的磁頭滑動(dòng)器 來讀取被存儲(chǔ)在作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)媒介的盤片(disc)中的數(shù)據(jù)或是在盤片上記 錄新數(shù)據(jù)的設(shè)備。在HDD工作期間,磁頭滑動(dòng)器通過在盤片上方以預(yù)先設(shè) 定的間隔懸浮來保持浮動(dòng)(floating)狀態(tài),并且在磁頭滑動(dòng)器中形成的磁頭 讀取^被存儲(chǔ)在盤片中的數(shù)據(jù)以復(fù)制(reproduce)數(shù)據(jù)或?qū)懭霐?shù)據(jù),從而將新 數(shù)據(jù)記錄到盤片上。
存儲(chǔ)在盤片中且被磁頭讀取的數(shù)據(jù)被轉(zhuǎn)換為電信號(hào),該電信號(hào)將經(jīng)由柔 性印刷電路(flexible printed circuit) (FPC)被從磁頭滑動(dòng)器傳輸?shù)紿DD的主 電路板??蛇x地,對(duì)應(yīng)于將被記錄到盤片上的數(shù)據(jù)的電信號(hào)經(jīng)由FPC被從主 電路板傳輸?shù)酱蓬^滑動(dòng)器。在下文中,為便于描述,前一種電信號(hào)被稱為'讀 取信號(hào)',且后一種電信號(hào)被作為'寫入信號(hào)'。
讀取和寫入信號(hào)通過懸浮互連在磁頭滑動(dòng)器和FPC間傳輸。圖1是示出 傳統(tǒng)的懸浮互連10的橫截面視圖。
參考圖1,懸浮互連10包括接地層(ground layer )11;由電介質(zhì)材 料形成且設(shè)置在接地層11上的底層(base layer) 13;由導(dǎo)體材料形成且設(shè) 置在底層13上的多個(gè)跡線(trace) 21a、 21b、 23a、 23b、 25和26;以及 由電介質(zhì)材料形成且用于密封跡線21a、 21b、 23a、 23b、 25和26的覆蓋 層15。跡線21a、 21b、 23a、 23b、 25和26包括用于傳遞讀取信號(hào)的成 對(duì)的讀取跡線21a和21b,用于傳遞寫入信號(hào)的成對(duì)的寫入跡線23a和23b, 連接到處于接地電勢(shì)的接地層11的接地跡線25,和用于將驅(qū)動(dòng)信號(hào)傳輸?shù)?br>
6FOD元件從而精細(xì)調(diào)整磁頭滑動(dòng)器的飛行高度的按需飛行(flying on demand) ( FOD )跡線26。
最近,HDD已經(jīng)變得小型化且提高了容量。因此,用于復(fù)制存儲(chǔ)在盤 片內(nèi)的數(shù)據(jù)的元件,例如,磁頭的磁阻(MR)傳感器已經(jīng)改進(jìn)了靈敏度以 探測(cè)細(xì)微的電信號(hào)。但是,MR傳感器更容易被非正常地?cái)_動(dòng)損壞,從而惡 化MR傳感器的性能。另外,與現(xiàn)有技術(shù)的情形相比,具有更高頻段的信號(hào) 被用作寫入信號(hào),縮短了信號(hào)的增加時(shí)間(rising time )。因此,由于讀取和 寫入信號(hào)間的串音干擾(cross-talk),磁頭的數(shù)據(jù)復(fù)制元件更容易被損壞, 從而惡化數(shù)據(jù)復(fù)制元件的性能。另外,由于讀取信號(hào)和接地跡線25的信號(hào) (在下文中,稱為接地信號(hào))間的串音干擾,或是讀取信號(hào)和FOD跡線26 的信號(hào)(在下文中,稱為FOD信號(hào))間的串音干擾,數(shù)據(jù)復(fù)制元件可能被 損壞。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明總的發(fā)明構(gòu)思提供用于防止由于串音干擾而在讀取信號(hào)中引起 的噪音的懸浮互連和包含該懸浮互連的石茲頭萬向節(jié)組件(HGA )。
本發(fā)明總的發(fā)明構(gòu)思還提供一種用于防止由于串音干擾而引起的磁頭 損壞或惡化的懸浮互連和包含該懸浮互連的HGA。
本發(fā)明總的發(fā)明構(gòu)思的其他的方案和效用將會(huì)在隨后的描述中部分地 闡述,部分將通過描述顯而易見,或者通過對(duì)本發(fā)明總的發(fā)明構(gòu)思的實(shí)踐將 了解。
本發(fā)明總的發(fā)明構(gòu)思的前述或其它的方案和效用可以通過提供適用于 硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)的懸浮互連來實(shí)現(xiàn),懸浮互連包括接地層;由電介質(zhì) 材料形成且設(shè)置在接地層上的底層;成對(duì)的讀取跡線和成對(duì)的寫入跡線,其 由導(dǎo)電材料形成且設(shè)置在底層上,延伸以使彼此不短路;以及覆蓋層,其由 電介質(zhì)材料形成,設(shè)置在底層和跡線上來密封跡線,其中,覆蓋層包括用于 密封讀取跡線的讀取覆蓋層,和用于密封寫入跡線且與讀取覆蓋層分隔開的
寫入覆蓋層o
懸浮互連可進(jìn)一步包括由導(dǎo)體材料形成于讀取跡線與寫入跡線之間的 至少一個(gè)附加跡線,其中讀取覆蓋層和寫入覆蓋層可以彼此分隔開,且覆蓋 層可進(jìn)一步包括用于密封附加跡線的至少一個(gè)附加覆蓋層。懸浮互連可進(jìn)一步包括由導(dǎo)電材料形成于底層上的讀取跡線與寫入跡 線之間的附加跡線,在其中寫入覆蓋層可延伸以密封寫入跡線和附加跡線。
附加跡線可包括選自以下的至少之一處于接地電勢(shì)的接地跡線,用于 將驅(qū)動(dòng)信號(hào)傳輸?shù)皆跃?xì)調(diào)整硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)的磁頭滑動(dòng)器的飛行 高度的按需飛行(flying on demand) (FOD)跡線,和將驅(qū)動(dòng)信號(hào)傳輸?shù)皆?件以精細(xì)調(diào)整磁頭滑動(dòng)器的磁道跟蹤的雙伺服致動(dòng)器(DSA)跡線。
接地層可以由金屬形成。
用于形成底層和覆蓋層的電介質(zhì)材料可以是聚酰亞胺(polyimide )。 總的發(fā)明構(gòu)思的前述或其它的發(fā)明和效用也可以通過提供適用于硬盤 驅(qū)動(dòng)器(HDD)的懸浮互連來實(shí)現(xiàn),懸浮互連包括底層,其由電介質(zhì)材料 形成并具有設(shè)置在其上的第一組讀取跡線和由導(dǎo)電材料形成的第二組其它 跡線;及密封讀取跡線使其與第二組其它跡線分隔的與由電介質(zhì)材料形成的 讀取覆蓋層。
懸浮互連也可以包括用于密封第二組其它跡線的一個(gè)或多個(gè)覆蓋層,其 中一個(gè)或多個(gè)覆蓋層不是讀取覆蓋層。
第二組其它跡線可至少包括由導(dǎo)電材料形成且設(shè)置在底層上的寫入跡線。
第二組其它跡線可以進(jìn)一 步包括以下的至少之一 處于接地電勢(shì)的接地 跡線,用于將驅(qū)動(dòng)信號(hào)傳輸?shù)皆跃?xì)調(diào)整HDD的磁頭滑動(dòng)器的飛行高 度的按需飛行(FOD)跡線,和用于將驅(qū)動(dòng)信號(hào)傳輸?shù)皆跃?xì)調(diào)整^f茲頭 滑動(dòng)器的磁道跟蹤的雙伺服致動(dòng)器(DSA)跡線。
總的發(fā)明構(gòu)思的前述或其它的方案和效用也可以通過提供適用于硬盤 驅(qū)動(dòng)器的懸浮互連來實(shí)現(xiàn),懸浮互連包括底層,在底層的第一部分上形成 的第一跡線,在底層的第二部分上形成的第二跡線,在第一跡線上形成的第 一覆蓋層,和在第二跡線上形成且關(guān)于底層與第一覆蓋層間隔開一距離的第
第 一覆蓋層和第二覆蓋層可以彼此隔離開。 第一覆蓋層可以具有第一厚度,第二覆蓋層可以具有第二厚度,并且所 述距離可以比第 一厚度和第二厚度之和更長(zhǎng)。
第一跡線可以包含多個(gè)子跡線(sub-traces),并且第一覆蓋層可以形成 于多個(gè)子跡線上。第一覆蓋層和第二覆蓋層可以彼此物理地(physically)分隔開。
本發(fā)明總發(fā)明構(gòu)思的以上和其它特征與效用將會(huì)通過結(jié)合附圖對(duì)示例 性實(shí)施例的詳細(xì)描述而變得更清楚,其中
圖l是示出傳統(tǒng)的懸浮互連的橫截面視圖2是示出根據(jù)本發(fā)明總發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)的平 面圖3是示出本發(fā)明總發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的磁頭萬向節(jié)組件(HGA)的仰 視圖4是示出沿圖3中的A-A線提取的懸浮互連的橫截面視圖; 圖5是示出根據(jù)本發(fā)明總發(fā)明構(gòu)思的另一實(shí)施例的懸浮互連的橫截面視 圖;以及
圖6是示出根據(jù)本發(fā)明總發(fā)明構(gòu)思的另 一 實(shí)施例的懸浮互連的橫截面視圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將參考本發(fā)明總發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述,其實(shí)例在附圖中 示出,其中在整個(gè)描述中相似的附圖標(biāo)記表示相似的元件。為了通過參考附 圖解釋本發(fā)明的總發(fā)明構(gòu)思,以下將描述其實(shí)施例。
圖2是示出根據(jù)本發(fā)明總發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)的平 面圖。圖3是示出根據(jù)本發(fā)明總發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的磁頭萬向節(jié)組件(HGA) 的仰視圖。在下文中,將會(huì)描述HDD,然后將會(huì)參考圖2描述懸浮互連和 包含懸浮互連的HGA。
參考圖2, HDD 100包括主軸馬達(dá)(spindle motor ) 105、作為數(shù)據(jù)媒 介的盤片107、磁頭組組件(head stack assembly) (HSA) 130和在外殼內(nèi)的 音圈馬達(dá)(voice coil motor) (VCM)塊(block) 115,該外殼包括底部構(gòu)件 (base member ) 101和耦接到底部構(gòu)件101的覆蓋構(gòu)件(未顯示)。主軸馬 達(dá)105使盤片107高速旋轉(zhuǎn),并且固定在底部構(gòu)件101上。盤片107耦接到 主軸馬達(dá)105,從而在圖2中所示的箭頭指示的方向高速旋轉(zhuǎn)。由于盤片107 的高速旋轉(zhuǎn),在盤片107的表面引起與盤片107的旋轉(zhuǎn)方向相同的氣流。
9HSA 130包4舌磁頭滑動(dòng)器160,在其上形成用于在盤片107上執(zhí)行寫入 或讀取工作的磁頭162 (參照?qǐng)D3)。磁頭滑動(dòng)器160通過移動(dòng)到盤片107上 的預(yù)定磁道而將數(shù)據(jù)寫入盤片107或讀取被記錄在盤片107上的數(shù)據(jù)。HSA 130包括樞軸承(pivot bearing) 134,圍繞作為旋轉(zhuǎn)中心的樞軸承134旋轉(zhuǎn) 的搖動(dòng)臂(swing arm) 132,被成形(swage)到搖動(dòng)臂l32前端的連接板 (connection plate )151,與連接板151耦接的懸架(suspension ) 155和安 裝在懸架155前端的》茲頭滑動(dòng)器160。同樣,HSA 130包括耦接到搖動(dòng)臂132 并包括音圈138的外才莫(overmold ) 137。
由于盤片107的高速旋轉(zhuǎn)而引起的氣流通過盤片107表面與磁頭滑動(dòng)器 160間的間隙,產(chǎn)生可以提升磁頭滑動(dòng)器160的提升力。因此,磁頭滑動(dòng)器 160在一高度保持浮動(dòng)狀態(tài),在該高度提升力和朝向盤片107施加到懸架155 的彈性力平衡。在該浮動(dòng)狀態(tài),形成于磁頭滑動(dòng)器160上的磁頭162 (參照 圖3)在盤片107上寫入數(shù)據(jù)或復(fù)制被記錄在盤片107上的數(shù)據(jù)。特別是, 參考圖2和圖3,磁頭162包括用于在盤片107上記錄數(shù)據(jù)的寫入器(writer) 164和用于復(fù)制被記錄在盤片107上的數(shù)據(jù)的讀取器(reader) 166。寫入器 164可以包括,例如,;茲;f及(未顯示)和線圈(未顯示)。讀:f又器166可以包 含,例如,磁阻(MR)傳感器。
當(dāng)HDD IOO停止工作時(shí),^f茲頭滑動(dòng)器160離開盤片107,停駐在遠(yuǎn)離盤 片107設(shè)置的坡道(ramp) 125上。懸架155包括在懸架155 —端的端頭 (end-tap ) 157。端頭157與坡道125接觸從而滑動(dòng)到^C道125上,然后HSA 130和》茲頭滑動(dòng)器160停駐在坡道125上。
HDD 100包括閂鎖(latch ) 120。當(dāng)HSA 130停駐在坡道125上時(shí),閂 鎖120與在外模137上形成的鉤(hook) 139嚙合以鎖住HSA 130。當(dāng)HDD IOO停止工作時(shí),可以依靠坡道125和閂鎖120來防止由于擾動(dòng)而對(duì)^茲頭滑 動(dòng)器160和盤片107的損壞。
VCM塊115被固定在底部構(gòu)件101上,且外模137的音圏138被插入 到VCM塊115中以使音圈138自由移動(dòng)。VCM塊115包括設(shè)置在音圈138 的上部分和下部分上的^茲體116,和支撐磁體116的軛架(yoke) 117。音圈 138、磁體116和軛架117組成提供驅(qū)動(dòng)力來旋轉(zhuǎn)HSA130的音圈馬達(dá)。HSA 130的旋轉(zhuǎn)通過伺服控制系統(tǒng)來控制。
HSA 130電連接到柔性印刷電路(FPC) 110。 FPC 110電連接到主電路板(未顯示),主電路板設(shè)置在底部構(gòu)件101之下且控制HSA 130和主軸馬 達(dá)105的驅(qū)動(dòng)。FPC 110用作在HSA130和主電路板之間交換電信號(hào)的媒介。 參考數(shù)字112表示用于放大電信號(hào)的前置放大器。
參考圖3,懸浮互連170是在HSA 130 (參照?qǐng)D2)端部的磁頭滑動(dòng)器 160和FPC 110 (參照?qǐng)D2)之間交換電信號(hào)的媒介。懸浮互連170的一端延 伸到磁頭滑動(dòng)器160以電連接到磁頭滑動(dòng)器160。懸浮互連170的另一端延 伸到FPC 110的終端(未顯示)以電連接到FPC 110。磁頭萬向節(jié)組件(HGA) 150包含連接板151、懸架155、,茲頭滑動(dòng)器160和懸浮互連170。成形孔 (swaging hole) 152在連接板151內(nèi)形成并且用于將HGA 150成形到搖動(dòng) 臂132的端部。
圖4是示出沿圖3的線A-A提取的懸浮互連170的橫截面視圖。
參考圖4,懸浮互連170包括接地層171;由電介質(zhì)材料在接地層171 上形成的底層173;由導(dǎo)體材料諸如銅(Cu)形成且延伸以免使彼此短路的 跡線182a、 182b、 184a、 184b、 185和186;以及在底層173以及跡線182a、 182b、 184a、 184b、 185和186上形成且用于密封跡線182a、 182b、 184a、 184b、 185和186的覆蓋層175。接地層171可以由金屬形成,諸如不《秀鋼 或Cu。底層173和覆蓋層175可以使用例如膜層壓(film laminating )、旋轉(zhuǎn) 涂覆或氣相沉積的方法由聚酰亞胺形成。
跡線182a、 182b、 184a、 184b、 185和186包括:成對(duì)的讀取跡線182a 和182b,其用于將讀取信號(hào)從磁頭162(參照?qǐng)D3)的讀取器166(參照?qǐng)D3) 傳輸?shù)角爸梅糯笃?12 (參照?qǐng)D2);成對(duì)的寫入跡線184a和184b,其用于 將寫入信號(hào)從前置放大器112 (參照?qǐng)D2)傳輸?shù)酱蓬^的寫入器164 (參照?qǐng)D 3 );以及附加跡線185和186,其設(shè)置在讀取跡線182a和182b與寫入跡線 184a和184b之間。附加跡線185和186可包括按需飛行(FOD)跡線186 和連接到處于接地電勢(shì)的接地層171的接地跡線185,該FOD跡線186用于 將驅(qū)動(dòng)信號(hào)傳輸?shù)紽OD元件(未顯示)以精細(xì)調(diào)整^F茲頭滑動(dòng)器160 (參照?qǐng)D 3)的飛行高度。FOD元件可包括在^t頭滑動(dòng)器160或懸架155 (參照?qǐng)D3) 中配備的加熱元件。
覆蓋層175包括用于密封讀取跡線182a和182b的讀取覆蓋層176; 用于密封寫入跡線184a和184b的寫入覆蓋層177;用于密封接地跡線185 的接地覆蓋層178以及用于密封FOD跡線186的FOD覆蓋層179。讀取覆蓋層176、寫入覆蓋層177、接地覆蓋層178和FOD覆蓋層179彼此不連接, 且彼此分隔開。彼此分隔開的覆蓋層176至179可以用如下的方法形成。聚 酰亞胺膜被精確地切割,然后聚酰亞胺膜被粘附到底層173,從而對(duì)應(yīng)于各 個(gè)蓋層176至179的聚酰亞胺膜的切片被彼此分隔開。在另一方法中,在跡 線182b和185之間、185和186之間及186和184a之間的適當(dāng)部分上形成 阻障肋(barrierrib)(未顯示),聚酰亞胺糊(paste)涂覆到底層173和跡線 182a、 182b、 184a、 184b、 185和186上,然后,移除阻障肋。在另一方法 中,用于防止氣相沉積的掩模(mask)設(shè)置在182b和185之間、185和186 之間及186和184a之間,然后聚酰亞胺被氣相沉積到底層173以及跡線182a、 182b、 184a、 184b、 185和186上。
串音干擾影響XTn加表征數(shù)值,其中流經(jīng)接地跡線185或FOD跡線186 而不是流經(jīng)讀取跡線182a和182b的驅(qū)動(dòng)信號(hào)經(jīng)由讀取跡線182a和182b影 響前置放大器112的輸入節(jié)點(diǎn),從而惡化數(shù)據(jù)復(fù)制性能。在這點(diǎn)上,串音干 擾影響XTnear由公式1給出。當(dāng)讀取信號(hào)流經(jīng)讀取跡線182a和182b時(shí),寫 入信號(hào)不會(huì)流經(jīng)寫入跡線184a和184b。因此,不用考慮讀取和寫入信號(hào)間 的串音干擾。
串音干^^影響XTfer表征數(shù)值,其中流經(jīng)跡線184a、 184b、 185和186 而不是流經(jīng)讀取跡線182a和182b的信號(hào)影響,茲頭162(參照?qǐng)D3 ),特別地, 影響讀取器166,從而損壞或惡化讀取器166。在這點(diǎn)上,串音干擾影響XTfar 由/〉式2癥會(huì)出。
<formula>formula see original document page 12</formula>.....................(i)
其中CmL是在引起損壞的干擾源(aggressor)與由于串音干擾被干擾源 損壞的犧牲源(victim)間每單位長(zhǎng)度的互電容,LmL是干擾源和犧牲源之間 每單位長(zhǎng)度的互感系數(shù),CL是每單位長(zhǎng)度的自電容,以及LL是每單位長(zhǎng)度的自感系數(shù)。另外,Le。是干擾源和犧牲源平行前進(jìn)的間距,tR是信號(hào)的增長(zhǎng) 時(shí)間,且V是信號(hào)的速度。
在懸浮互連170中,由于讀取跡線182a和182b的讀取覆蓋層176,其 是犧牲源,與寫入跡線184a和184b的寫入覆蓋層177、接地跡線185的接 地覆蓋層178和FOD跡線186的FOD覆蓋層179是分隔開的,所以雖然 Q^根據(jù)L^/U和其它參數(shù)降低,但是本發(fā)明總的發(fā)明構(gòu)思可以與傳統(tǒng)技術(shù) 相類似。因此,與傳統(tǒng)的懸浮互連10 (參照?qǐng)D1)相比,懸浮互連170可以 防止在讀取信號(hào)中由于讀取器166 (參照?qǐng)D3)的串音干擾、損壞或惡化引 起的噪聲。
圖5是示出根據(jù)本發(fā)明總發(fā)明構(gòu)思的另 一 實(shí)施例的懸浮互連200的橫截 面視圖。懸浮互連200能夠代替圖4中的懸浮互連170,以在圖3中示出的 HGA150中使用。
參考圖5,懸浮互連200包括接地層201;在接地層201上形成的底 層203;在底層203上形成的跡線212a、 212b、 214a、 214b、 215、 216和 217;在底層和跡線212a、 212b、 214a、 214b、 215、 216和217上形成且用 于密封跡線212a、 212b、 214a、 214b、 215、 216和217的覆蓋層205,類似 于圖4中懸浮互連170的情況。接地層201,底層203,跡線212a、 212b、 214a、 214b、 215、 216和217以及覆蓋層205用與圖4中的懸浮互連170 相同的材料和相同的方法形成,因此在此對(duì)這些將不4故描述。
類似于圖4中懸浮互連170的情況,跡線212a、 212b、 214a、 214b、 215、 216和217包括成對(duì)的讀取跡線212a和212b,成對(duì)的寫入跡線214a和214b, 以及作為附加跡線的接地跡線215和FOD跡線216。附加跡線可以進(jìn)一步包 括雙伺J良致動(dòng)器(dual servo actuator, DSA)跡線217,其用于將驅(qū)動(dòng)信號(hào) 傳輸?shù)紻SA元件以精細(xì)調(diào)節(jié)磁頭滑動(dòng)器160 (參照?qǐng)D3 )的磁道跟蹤。例如, DSA元件可包括插入在磁頭滑動(dòng)器160與支撐磁頭滑動(dòng)器160的懸架155 一端之間的纟敬致動(dòng)器(micro actuator)(未顯示)。
類似于圖4中懸浮互連170的情況,覆蓋層205包括彼此分開的讀取 覆蓋層206、寫入覆蓋層207、接地覆蓋層208和FOD覆蓋層209。另外, 覆蓋層205進(jìn)一步包括DSA覆蓋層210,其用于密封DSA跡線217且與讀 取覆蓋層、寫入覆蓋層、接地覆蓋層和FOD覆蓋層206至209分隔開。在 懸浮互連200中,讀取跡線212a和212b的讀取覆蓋層206與寫入跡線、讀取跡線、接地跡線、FOD跡線和DSA跡線214a、 214b、 215、 216和217 的寫入、接地、FOD和DSA覆蓋層207至210分隔開。因此,與傳統(tǒng)的懸 浮互連10 (參照?qǐng)D1 )相比,懸浮互連200可以防止由讀取器166 (參照?qǐng)D 3)的串音干擾、損壞或惡化在讀取信號(hào)中引起的噪聲。
圖6是示出根據(jù)本發(fā)明總發(fā)明構(gòu)思的另一實(shí)施例的懸浮互連220的橫截 面視圖。懸浮互連220能夠代替圖4中的懸浮互連170,以在圖3中示出的 HGA150中使用。
參考圖6,懸浮互連220包括接地層221;在接地層221上形成的底 層223;在底層223上形成的跡線232a、 232b、 234a、 234b、 235和236; 在底層223和跡線232a、 232b、 234a、 234b、 235和236上形成且用于密封 跡線232a、 232b、 234a、 234b、 235和236的覆蓋層225,類似于圖4中懸 浮互連170的情況。接地層221,底層223、跡線232a、 232b、 234a、 234b、 235和236以及覆蓋層225用與圖4中懸浮互連170相同的材料和相同的方 法形成,因此在此對(duì)這些將不做描述。
類似于圖4中懸浮互連170的情況,跡線232a、 232b、 234a、 234b、 235 和236包括成對(duì)的讀取跡線232a和232b、成對(duì)的寫入跡線234a和234b,以 及作為附加跡線的4妾地跡線235和FOD跡線236。
覆蓋層225包括密封讀取跡線232a和232b的讀取覆蓋層226,以及 寫入覆蓋層227,寫入覆蓋層227延伸從而不僅密封寫入跡線234a和234b 而且密封接地跡線235和FOD跡線236。讀取覆蓋層226和寫入覆蓋層227 彼此分隔開。在懸浮互連220中,密封讀取跡線232a和232b的讀取覆蓋層 226與密封寫入跡線234a、 234b,接地跡線235和FOD跡線236的覆蓋層 227彼此分隔開。因此,與傳統(tǒng)的懸浮互連IO (參照?qǐng)D1)相比,懸浮互連 220可以防止由讀取器166 (參照?qǐng)D3 )的串音干擾、損壞或惡化在讀取信號(hào) 中引起的噪聲。另外,覆蓋層225被僅僅分成兩部分而不是三部分或更多, 因此與圖4和圖5中的懸浮互連170和200相比,懸浮互連220可以被更容 易地制造。
根據(jù)以上各種實(shí)施例,由于在懸浮互連中用于密封讀取跡線的覆蓋層與 用于密封其它跡線的覆蓋層彼此分隔開,所以與傳統(tǒng)的懸浮互連相比,該懸 浮互連可以防止由磁頭的串音干擾、損壞或惡化引起的讀取信號(hào)中的噪聲。
雖然參照在此的示例性實(shí)施例具體示出并描述了本發(fā)明總的發(fā)明構(gòu)思,
14但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將理解在不脫離由以下的權(quán)利要求書所限定的 本發(fā)明總發(fā)明構(gòu)思的精神和范圍下可以對(duì)其中的形式和細(xì)節(jié)進(jìn)行各種變化。
本申請(qǐng)要求享有2008年2月1日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專利申 請(qǐng)10-2008-0010738的權(quán)益,在此結(jié)合其全部?jī)?nèi)容作為參考。
權(quán)利要求
1. 一種適用于硬盤驅(qū)動(dòng)器的懸浮互連,該懸浮互連包括接地層;由電介質(zhì)材料形成且設(shè)置在所述接地層上的底層;成對(duì)的讀取跡線和成對(duì)的寫入跡線,其由導(dǎo)體材料形成且設(shè)置在所述底層上,并延伸以使彼此不短路;以及覆蓋層,其由電介質(zhì)材料形成,設(shè)置在所述底層和所述跡線上以密封所述跡線,其中,所述覆蓋層包含用于密封所述讀取跡線的讀取覆蓋層,和用于密封所述寫入跡線且與所述讀取覆蓋層分隔開的寫入覆蓋層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的懸浮互連,還包含至少一個(gè)附加跡線,其由導(dǎo)電材料形成并位于所述底層上的所述讀取跡 線與所述寫入跡線之間,其中所述覆蓋層進(jìn)一步包含至少一個(gè)附加覆蓋層,其分別與所述讀取覆 蓋層和所述寫入覆蓋層分隔開,并密封所述至少一個(gè)附加跡線。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的懸浮互連,其中所述附加跡線包含 選自以下的至少之一處于接地電勢(shì)的接地跡線、將驅(qū)動(dòng)信號(hào)傳輸?shù)皆跃?xì)調(diào)整硬盤驅(qū)動(dòng)器的磁頭滑動(dòng)器的飛行高度的按需飛行跡線,和將驅(qū) 動(dòng)信號(hào)傳輸?shù)皆跃?xì)調(diào)整磁頭滑動(dòng)器的磁道跟蹤的雙伺服致動(dòng)器跡線。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的懸浮互連,進(jìn)一步包含至少一個(gè)附加跡線,其由導(dǎo)電材料形成并位于所述底層上的所述讀取跡 線與所述寫入跡線之間,其中所述寫入覆蓋層延伸以密封所述寫入跡線和所述至少一個(gè)附加跡線。
5. 才艮據(jù)權(quán)利要求4所述的懸浮互連,其中所述至少一個(gè)附加跡線包含 選自以下的至少之一處于接地電勢(shì)的接地跡線、將驅(qū)動(dòng)信號(hào)傳輸?shù)皆?精細(xì)調(diào)整硬盤驅(qū)動(dòng)器的磁頭滑動(dòng)器的飛行高度的按需飛行跡線,和用于將驅(qū) 動(dòng)信號(hào)傳輸?shù)皆跃?xì)調(diào)整所述磁頭滑動(dòng)器的磁道跟蹤的雙伺服致動(dòng)器 跡線。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的懸浮互連,其中所述接地層由金屬形成。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的懸浮互連,其中用于形成所述底層和所述覆 蓋層的電介質(zhì)材料是聚酰亞胺。
8. —種-茲頭萬向節(jié)組件,其包括懸架、連在所述懸架上且#1所述懸架 支撐的磁頭滑動(dòng)器和連接到所述磁頭滑動(dòng)器以傳輸信號(hào)的懸浮互連,其中所 述懸浮互連包含接地層;由電介質(zhì)材料形成且設(shè)置在所述接地層上的底層;由導(dǎo)電材料形成于所述底層上以延伸從而使彼此不短路的成對(duì)的讀取 跡線和成^j"的寫入跡線;以及覆蓋層,其由電介質(zhì)材料形成,設(shè)置在所述底層和所述跡線上以密封所 述跡線,其中,所述覆蓋層包含用于密封所述讀取跡線的讀取覆蓋層,和用于密 封所述寫入跡線且與所述讀取覆蓋層分隔開的寫入覆蓋層。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁頭萬向節(jié)組件,其中所述懸浮互連進(jìn)一步 包含至少一個(gè)附加跡線,其中所述覆蓋層進(jìn)一步包含至少 一個(gè)附加覆蓋層,其與所述讀取覆蓋層 和所述寫入覆蓋層分別地分隔開,并用于密封所述至少一個(gè)附加跡線。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的磁頭萬向節(jié)組件,其中所述附加跡線包含 選自以下的至少之一處于接地電勢(shì)的接地跡線、將驅(qū)動(dòng)信號(hào)傳輸?shù)皆跃?xì)調(diào)整硬盤驅(qū)動(dòng)器的磁頭滑動(dòng)器的飛行高度的按需飛行跡線,和將驅(qū)動(dòng)信號(hào)傳輸?shù)皆跃?xì)調(diào)整所述磁頭滑動(dòng)器的磁道跟蹤的雙伺服致動(dòng)器 跡線。
11. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁頭萬向節(jié)組件,其中所述懸浮互連進(jìn)一步 包含由導(dǎo)體材料形成于所述底層上的所述讀取跡線與所述寫入跡線之間的 至少一個(gè)附加跡線,其中所述寫入覆蓋層延伸以密封所述寫入跡線和所述至少一個(gè)附加跡線。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的磁頭萬向節(jié)組件,其中所述至少一個(gè)附加跡線包含選自以下的至少之一處于接地電勢(shì)的接地跡線、將驅(qū)動(dòng)信號(hào)傳輸?shù)皆?件以精細(xì)調(diào)整硬盤驅(qū)動(dòng)器的磁頭滑動(dòng)器的飛行高度的按需飛行跡線,和將驅(qū)動(dòng)信號(hào)傳輸?shù)皆跃?xì)調(diào)整磁頭滑動(dòng)器的磁道跟蹤的雙伺服致動(dòng)器跡線。
13. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁頭萬向節(jié)組件,其中所述接地層由金屬形成。
14. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁頭萬向節(jié)組件,其中用于形成所述底層和 所述覆蓋層的電介質(zhì)材料是聚酰亞胺。
15. —種適用于硬盤驅(qū)動(dòng)器的懸浮互連,所述懸浮互連包含底層,其由電介質(zhì)材料形成,并具有設(shè)置于其上的第一組讀取跡線和由 導(dǎo)電材料形成的第二組其它跡線,和讀取覆蓋層,其由電介質(zhì)材料形成并用于密封所述讀取跡線以與所述第 二組其它跡線分隔開。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的懸浮互連,進(jìn)一步包含 用于密封第二組其它跡線的一個(gè)或多個(gè)覆蓋層, 其中所述一個(gè)或多個(gè)覆蓋層不是所述讀取覆蓋層。
17. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的懸浮互連,其中所述第二組其它跡線包含 由導(dǎo)電材料形成且設(shè)置在所述底層上的至少寫入跡線。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的懸浮互連,其中所述第二組其它跡線進(jìn)一 步包含以下的至少之一處于接地電勢(shì)的接地跡線、將驅(qū)動(dòng)信號(hào)傳輸?shù)皆跃?xì)調(diào)整硬盤驅(qū)動(dòng) 器的磁頭滑動(dòng)器的飛行高度的按需飛行跡線,和將驅(qū)動(dòng)信號(hào)傳輸?shù)皆跃?細(xì)調(diào)整磁頭滑動(dòng)器的磁道跟蹤的雙伺服致動(dòng)器跡線。
19. 一種適用于硬盤驅(qū)動(dòng)器的懸浮互連,所述懸浮互連包含 底層;在所述底層的第 一部分上形成的第 一跡線; 在所述底層的第二部分上形成的第二跡線; 在所述第一跡線上形成的第一覆蓋層;和第二覆蓋層,其在所述第二跡線上形成且關(guān)于所述底層與所述第 一覆蓋 層間隔開一距離。
20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的懸浮互連,其中所述第一覆蓋層和所述第二覆蓋層4皮此隔離開。
21. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的懸浮互連,其中 所迷第 一覆蓋層具有第 一厚度; 所迷第二覆蓋層具有第二厚度;以及所述距離比所述第一厚度和所述第二厚度之和長(zhǎng)。
22. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的懸浮互連,其中所述第一跡線包含多個(gè)子 跡線,并且所述第一覆蓋層形成于所述多個(gè)子跡線上。
23. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的懸浮互連,其中所述第一覆蓋層和所述第 二覆蓋層彼此物理地分隔開。
全文摘要
本發(fā)明提供一種懸浮互連和包括該懸浮互連的磁頭萬向節(jié)組件,該磁頭萬向節(jié)組件(HGA)的懸浮互連包括接地層;由電介質(zhì)材料形成且設(shè)置在接地層上的底層;成對(duì)的讀取跡線和成對(duì)的寫入跡線,其由導(dǎo)電材料形成且設(shè)置在底層上以其延伸從而使彼此不短路;以及覆蓋層,其由電介質(zhì)材料形成,設(shè)置在底層和跡線上來密封跡線,其中,所述覆蓋層包含用來密封讀取跡線的讀取覆蓋層,和密封寫入跡線且與讀取覆蓋層分隔開的寫入覆蓋層。
文檔編號(hào)G11B5/48GK101499286SQ200910001430
公開日2009年8月5日 申請(qǐng)日期2009年1月5日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月1日
發(fā)明者崔鎬仲 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社